本實(shí)用新型涉及電磁式蜂鳴器的生產(chǎn)制造領(lǐng)域,具體公開(kāi)一種MEMS有源SMD電磁式蜂鳴器。
背景技術(shù):
電磁式蜂鳴器是將交變的音頻信號(hào)通過(guò)電磁線(xiàn)圈使磁場(chǎng)發(fā)聲變化,從而推動(dòng)金屬膜片發(fā)出蜂鳴音的一種電聲器件。被廣泛地用于各種便攜、移動(dòng)式儀器儀表,各種電器、辦公設(shè)備、汽車(chē)電子、數(shù)碼產(chǎn)品、電子門(mén)鎖、智能家居和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域起到提示和警示作用。隨著電子產(chǎn)品自動(dòng)化組裝程度的提高以及電子產(chǎn)品更加趨于便攜式、微型化方向發(fā)展,SMD表面貼裝電磁式蜂鳴器的市場(chǎng)需求量也越來(lái)越大,市場(chǎng)前景十分看好。
目前無(wú)源SMD電磁式蜂鳴器已經(jīng)發(fā)展到最小尺寸為8.5*8.5高度為4.0mm、7.5*7.5高度為2.5mm、5.0*5.0和4.0*4.0高度僅為2.0mm,工藝和結(jié)構(gòu)已經(jīng)日趨成熟。而有源SMD電磁式蜂鳴器是將電子元件或集成電路組成的震蕩驅(qū)動(dòng)電路焊接在PCB板上面,然后再與支架、電磁線(xiàn)圈、圓環(huán)磁芯、振動(dòng)膜片、外殼和引腳進(jìn)行組裝;另一種方法參見(jiàn)中國(guó)實(shí)用新型專(zhuān)利專(zhuān)利號(hào)201610707726.8,其中所描述的將電子元件或集成電路通過(guò)微點(diǎn)焊在金屬支架上面,然后用熱固性塑料注塑成型一體式底座,再于與支架線(xiàn)圈、圓環(huán)磁芯、振動(dòng)膜片外殼進(jìn)行組裝,裝配效率和可靠性有所提高。但兩種實(shí)施方法的共同缺陷是仍然避免不了受到多個(gè)電子元器件或集成電路本體外形尺寸和布線(xiàn)間距的限制,整個(gè)產(chǎn)品的體積無(wú)法與現(xiàn)有無(wú)源SMD電磁式蜂鳴器尺寸兼容,外形直徑在12mm和9mm,高度在5個(gè)mm以上;還是局限于在電源正極VDD和負(fù)極GND兩個(gè)引腳接通電源發(fā)連續(xù)音的初級(jí)階段,無(wú)法實(shí)現(xiàn)新的應(yīng)用功能。而現(xiàn)有的無(wú)源SMD電磁式蜂鳴器尺寸雖然已經(jīng)很微小,但在產(chǎn)品應(yīng)用時(shí)需要外加若干驅(qū)動(dòng)和保護(hù)元件,還是增加了電子產(chǎn)品應(yīng)用成本和組裝空間。所以,現(xiàn)有的SMD電磁式蜂鳴器不能進(jìn)一步滿(mǎn)足電子產(chǎn)品的小體積,微型化、智能化的需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型的目的在于:為解決以上問(wèn)題提供一種MEMS有源SMD電磁式蜂鳴器,是將ASIC芯片和SMD集成電路的封裝技術(shù)與無(wú)源SMD電磁式蜂鳴器制造工藝相結(jié)合,通過(guò)跨學(xué)科、跨界整合,制造出性能優(yōu)異、體積微型的一體化有源SMD電磁式蜂鳴器。
本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案之一是這樣的:
一種MEMS有源SMD電磁式蜂鳴器,包括外殼上蓋、振動(dòng)膜片、外殼基座和電磁驅(qū)動(dòng)組件(包括支架、線(xiàn)圈和磁環(huán)),所述外殼上蓋與外殼基座配合形成工作腔,所述的振動(dòng)膜片和電磁驅(qū)動(dòng)組件設(shè)置于工作腔內(nèi),還包括ASIC芯片和引線(xiàn)框架,所述引線(xiàn)框架為若干個(gè)與ASIC芯片引腳和電磁驅(qū)動(dòng)組件形成電連的連接筋;所述ASIC芯片和引線(xiàn)框架作為嵌件一體模壓成型于所述外殼基座內(nèi)部。
進(jìn)一步地,所述ASIC芯片通過(guò)導(dǎo)電膠粘結(jié)在引線(xiàn)框架的芯片托盤(pán)上,與所述引線(xiàn)框架間通過(guò)金屬焊線(xiàn)連接。
進(jìn)一步地,所述ASIC芯片上成型有釘頭金屬凸點(diǎn),與所述引線(xiàn)框架的涂覆有導(dǎo)電膠的部位進(jìn)行對(duì)位粘結(jié),形成電連。
進(jìn)一步地,所述引線(xiàn)框架與電磁驅(qū)動(dòng)組件連接的連接筋在工作腔內(nèi)裸露。
進(jìn)一步地,所述ASIC芯片有四個(gè)引腳,分別為電源正極、電源負(fù)極、輸出腳和使能腳,其中使能腳可與單片機(jī)形成通訊連接(ASIC芯片具體結(jié)構(gòu)原理參見(jiàn)中國(guó)實(shí)用新型專(zhuān)利專(zhuān)利號(hào)201520608561.9)。
進(jìn)一步地,所述引線(xiàn)框架的部分連接筋通過(guò)模具沖壓成“L”或“J”型的外部針腳。
綜上所述,由于采用上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型的有益效果是:
1、采用先進(jìn)的集成電路封裝技術(shù)和現(xiàn)有無(wú)源SMD蜂鳴器的配件、制造工藝相結(jié)合,完全能滿(mǎn)足規(guī)?;⒆詣?dòng)化、高效率、成本低的要求;
2、MEMS電磁式蜂鳴器的外形尺寸幾乎能與現(xiàn)有的無(wú)源SMD電磁式蜂鳴器一樣做到極致,進(jìn)一步滿(mǎn)足電子產(chǎn)品微型化、自動(dòng)化的組裝需求;
3、節(jié)省了外圍控制元件,可以直接與單片機(jī)建立通訊接口,進(jìn)一步減少電子產(chǎn)品的組裝空間,降低產(chǎn)品的使用成本;
4、采用的ASIC芯片可以來(lái)源于中國(guó)實(shí)用新型專(zhuān)利專(zhuān)利號(hào)201520608561.9中,該芯片能使MEMS電磁式蜂鳴器的發(fā)音頻率誤差控制在±1,最低啟動(dòng)電壓達(dá)1.2V。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖;
圖2為本實(shí)用新型另一種實(shí)施例結(jié)構(gòu)圖;
圖3為圖1中所示引線(xiàn)框架與芯片連接結(jié)構(gòu)圖;
圖4為圖2中所示引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)圖;
圖5為本實(shí)用新型工作腔內(nèi)結(jié)構(gòu)俯視圖;
圖6為本實(shí)用新型芯片與蜂鳴器連接原理圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
如圖1-2所示,一種MEMS有源SMD電磁式蜂鳴器,包括外殼上蓋1、振動(dòng)膜片2、外殼基座3和電磁驅(qū)動(dòng)組件4,所述外殼上蓋1與外殼基座3配合形成工作腔5,所述的振動(dòng)膜片2和電磁驅(qū)動(dòng)組件4設(shè)置于工作腔5內(nèi),
還包括ASIC芯片6和引線(xiàn)框架7,所述的所述ASIC芯片6有四個(gè)引腳(如圖6),分別為電源正極GND、電源負(fù)極VC、輸出腳OUT和使能腳EN,其中使能腳可與單片機(jī)形成通訊連接。
所述引線(xiàn)框架7為5個(gè)與ASIC芯片6引腳和電磁驅(qū)動(dòng)組件4形成電連的連接筋(如圖3或圖4);其中4個(gè)連接筋對(duì)應(yīng)ASIC芯片6的4個(gè)引腳,這4個(gè)中對(duì)應(yīng)ASIC芯片6的輸出腳的連接筋作為媒介,形成ASIC芯片6與蜂鳴器電磁驅(qū)動(dòng)組件4間的電連;第5個(gè)連接筋與蜂鳴器電磁驅(qū)動(dòng)組件4的線(xiàn)圈41連接,接蜂鳴器的外接電源VDD。
所述引線(xiàn)框架7與電磁驅(qū)動(dòng)組件4連接的連接筋在工作腔5內(nèi)裸露(如圖5),即一個(gè)作為媒介連接ASIC芯片6與蜂鳴器電磁驅(qū)動(dòng)組件4的連接筋和另一個(gè)接蜂鳴器外接電源的連接筋在工作腔5內(nèi)裸露。
所述引線(xiàn)框架7的部分連接筋通過(guò)模具沖壓成“L”或“J”型的外部針腳8,部分連接筋具體是其中4個(gè),包括3個(gè)分別與ASIC芯片6的電源正極引腳、電源負(fù)極引腳和使能腳連接的和1個(gè)接蜂鳴器的外接電源的連接筋。
所述ASIC芯片6和引線(xiàn)框架7作為嵌件一體模壓成型于所述外殼基座3內(nèi)部,對(duì)ASIC芯片6和引線(xiàn)框架7起到保護(hù)作用,整體定型。
ASIC芯片6與引線(xiàn)框架7間有兩種連接方式可選:
其一,所述ASIC芯片6通過(guò)導(dǎo)電膠粘結(jié)在引線(xiàn)框架7的芯片托盤(pán)上,與所述引線(xiàn)框架7間通過(guò)金屬焊線(xiàn)連接,金屬焊線(xiàn)可以是金絲,銅絲或其它合金絲。
其二,采用FC(Flip-Chip)倒裝芯片工藝,所述ASIC芯片6上成型有4個(gè)釘頭金屬凸點(diǎn),對(duì)應(yīng)ASIC芯片6的4個(gè)引腳,分別與所述引線(xiàn)框架7的涂覆有導(dǎo)電膠的部位進(jìn)行對(duì)位粘結(jié),形成電連。
上述的一種MEMS有源SMD電磁式蜂鳴器的生產(chǎn)工藝,包括如下步驟:
(1)引線(xiàn)框架7成型:采用0.1mm厚度的銅或銅合金材料通過(guò)化學(xué)刻蝕或模具沖壓成型引線(xiàn)框架7,可以一次成型帶定位孔和連接筋的N個(gè)圖形矩陣的引線(xiàn)框架7;
(2)對(duì)ASIC芯片6進(jìn)行處理,包括對(duì)ASIC晶元研磨減薄至200-220um,通過(guò)鋸片機(jī)分割形成單個(gè)ASIC芯片6;
(3)ASIC芯片6與引線(xiàn)框架7連接:由自動(dòng)粘片機(jī)在引線(xiàn)框架7安裝芯片的托盤(pán)中心點(diǎn)上導(dǎo)電膠,然后由吸嘴自動(dòng)將ASIC芯片6放置到導(dǎo)電膠上,經(jīng)加溫后固化,ASIC芯片6就被牢固的固定在引線(xiàn)框架7的托盤(pán)中間;進(jìn)一步地,由自動(dòng)焊線(xiàn)機(jī)將ASIC芯片6的焊墊與引線(xiàn)框架7的焊盤(pán)通過(guò)金屬引線(xiàn)進(jìn)行電連接;
或使用金絲或銅絲由高速焊線(xiàn)植球機(jī)在每個(gè)ASIC芯片6的焊墊上自動(dòng)連續(xù)地加工成型釘頭金屬凸點(diǎn);進(jìn)一步地,再與ASIC芯片6釘頭金屬凸點(diǎn)影像對(duì)應(yīng)的金屬引線(xiàn)框架7的焊盤(pán)位置上面采用絲網(wǎng)或漏板印刷導(dǎo)電膠;進(jìn)一步地,采用有影像對(duì)準(zhǔn)的FC(Flip-Chip)倒裝焊機(jī),將ASIC芯片6翻轉(zhuǎn),通過(guò)影像對(duì)位將ASIC芯片6的釘頭金屬凸點(diǎn)與引線(xiàn)框架7的導(dǎo)電膠部位進(jìn)行對(duì)位粘結(jié),其對(duì)位精度必須控制在±5um,然后加溫固化,形成可靠的歐姆接觸;
(4)外殼基座成型:采用SMD集成電路封裝技術(shù),用傳遞成型法將EMC環(huán)氧樹(shù)脂模塑料進(jìn)行加溫,變成流體,然后通過(guò)加壓將EMC環(huán)氧樹(shù)脂模塑料擠壓入模腔并將其中的ASIC芯片6、金屬焊線(xiàn)(或釘頭金屬凸點(diǎn)的粘結(jié)部位)和引線(xiàn)框架7包埋并起到保護(hù)作用,同時(shí)交聯(lián)固化成型,成為具有一定結(jié)構(gòu)外型的蜂鳴器外殼基座3;
(5)外部針腳8成型:進(jìn)行整體電鍍,引線(xiàn)框架7通過(guò)模具切筋成“L”或“J”型的外部針腳8;
(6)線(xiàn)圈固定:結(jié)合現(xiàn)有的無(wú)源SMD電磁式蜂鳴器制造工藝,將繞好線(xiàn)圈41的支架用硅膠固定到模壓成型的蜂鳴器外殼基座3上(工作腔5內(nèi));進(jìn)一步地將線(xiàn)圈5的引線(xiàn)與引線(xiàn)框架7的裸露部分進(jìn)行微點(diǎn)焊形成電連;
(7)常規(guī)組件安裝:打膠固定磁環(huán),安裝振動(dòng)膜片2;進(jìn)一步地在封蓋前進(jìn)行預(yù)先測(cè)試,刪除不合格產(chǎn)品,然后打膠安裝帶發(fā)音孔的上部外殼上蓋1,待固化后進(jìn)行測(cè)試、打印、編帶包裝、入庫(kù)。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。