專利名稱：陰極射線管的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及陰極射線管，特別涉及用以降低在玻璃屏盤前面產生的不需要電磁場的接地電極結構。
圖6表示由陰極射線管和偏轉系統構成的一般陰極射線管裝置的局部剖切的透視圖。該陰極射線管包括由玻璃屏盤1、錐體部分91和管頸部分92構成的玻璃外殼，密封在管頸部分92中的電子槍93，形成在玻璃屏盤1內表面上的熒光屏面96，在熒光屏面96的電子槍93側保持按預定間隔配置的選色電極97，磁屏蔽98和形成在玻璃屏盤1的外表面上的具有帶電防止和反射防止等功能的多層膜(圖中未示出)。為了使從電子槍93發(fā)射的電子束94偏轉，把偏轉系統95安裝在陰極射線管管頸部分92的周圍。
圖7表示玻璃屏盤的平面圖，圖3表示玻璃屏盤周邊部分的放大剖面圖。在玻璃屏盤1的表面上，形成由導電膜3和具有反射防止等功能的絕緣膜4的多層膜2構成的表面處理膜8。在表面處理膜8上設有利用超聲波固定器與導電膜3導通地形成的接地電極6(參照特開平8-287850號公報)，通過導電帶5與防爆帶7導通。如圖7所示，在玻璃屏盤1的有效畫面區(qū)域9外，一般上下一對地設置接地電極6。
由于熒光屏面96保持在高電壓陽極電位，所以玻璃屏盤1帶電并變?yōu)楦唠娢?，對使用者會產生電擊，因此時的放電，還會產生使附近的電子裝置誤動作等不良影響。為了避免這種情況，設有導電膜3和接地電極6。
但是，近年來，十分關注由于高頻下從反復工作的偏轉系統95和電子槍93的陽極部分產生的電磁波對使用者和其附近的人體會產生什么影響。對于終端顯示裝置來說，在瑞典頒布了稱為MPR(The SwedishNational Board for Mensurement and Testing)和TCO(The SwedishConfederation of Professional Employees)的準則，成為顯示裝置應該遵守的一個方針。在這些準則中，明確說明了由顯示裝置產生的漏泄電場的抑制。其中，在最嚴格的TCO準則中，在距玻璃屏盤前面30[cm]的位置上，對于VLF(Very Low Frequency頻帶2[kHz]～400[kHz])頻帶的交變電場來說，要求漏泄電場應該在1.0[V/m]以下。
作為使TCO準則的要求清楚的技術，例如在特開平10-3868號公報中披露了在玻璃屏盤外表面上形成表面電阻值為9×102[Ω/□]以下的高折射率透明導電膜，把與該導電膜導通的端子多個配置在玻璃屏盤的兩邊或四邊上的技術。此外，在特開平10-233180號公報中披露了把形成在透明基板上的具有1×103[Ω/□]以下的表面電阻值的導電膜3和反射防止膜(以下稱為‘AR膜’)粘接在玻璃屏盤的外表面上(以下稱為‘AR屏盤’)，在最上層的表面上設置電極，使該電路電接地的技術。
上述現有技術都通過把玻璃屏盤上感應的電位利用最上面的電極在電路上的接地面釋放從而抑制玻璃屏盤表面的高電位化。
在采用上述現有技術中，為了充分抑制從偏轉系統和陽極線在玻璃屏盤表面上產生的漏泄電場，形成在玻璃屏盤表面上的AR膜下層中的導電膜的電阻值必須在上述的約1×103[Ω/□]以下。但是，為了形成這樣的低電阻值的導電膜，必須按照旋轉涂敷法和濺射法來涂敷含有銀和白金的特殊材料，所以存在制造成本高的問題。因此，若要用有1×103[Ω/□]以上的電阻值的導電膜來滿足TCO準則的要求，目前就必須另外附加漏泄電場的消除電路等，因而存在必須增加電路方面的成本和工藝負擔的問題。
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于提供即使有1×103[Ω/□]以上電阻值的導電膜，也可以獲得充分的漏泄電場抑制效果的玻璃屏盤結構。
本發(fā)明的陰極射線管在玻璃屏盤的表面上設置在其表面電阻值為1×103[Ω/□]以上的導電膜上層積有反射防止膜的表面處理膜，在所述表面處理膜上形成與所述導電膜導通并且接地的接地電極，其特征在于，所述接地電極的表面積在500[mm2]以上。通過把接地電極的表面積即接地電極與導電膜的接觸面積設定在一定值以上，相對于VLF頻帶的交變電場，可以使漏泄電場達到1.0[V/m]以下。
此外，最好在所述玻璃屏盤的有效畫面外上與所述玻璃屏盤的外緣大致平行并且?guī)畹卦O置所述接地電極，該接地電極的長度在100[mm]以上，寬度在5[mm]以上。由此，可以有效地利用玻璃屏盤有效畫面區(qū)域外的空間。
此外，最好在所述玻璃屏盤的外緣部分中至少設有陽極端子的側邊上設置所述接地電極。由于陽極端子是最高電壓的供給端子，也是漏泄電場的主要發(fā)生源之一，所以通過在其附近設置電極，可以有效地抑制漏泄電場。
此外，最好利用超聲波固定器形成所述接地電極。如果采用超聲波固定器，那么不容易剝離表面處理膜，從表面處理膜上形成直接接地電極。


圖1是本發(fā)明陰極射線管的玻璃屏盤的平面圖。
圖2是接地電極的放大平面圖。
圖3是本發(fā)明和以往玻璃屏盤邊緣部分的側面剖面圖。
圖4是表示接地電極的大小與漏泄電場關系的圖。
圖5是本發(fā)明與現有技術的漏泄電場頻率特性的比較圖。
圖6是一般陰極射線管的局部剖切的透視圖。
圖7是現有的玻璃屏盤5的平面圖。
由于本發(fā)明的陰極射線管具有在玻璃屏盤上設置的接地電極的大小、設置位置和個數方面的特征，所以在以下將詳細說明這些特征，而省略對于其它部分的說明。
圖1是表示本發(fā)明玻璃屏盤的平面圖。本發(fā)明的陰極射線管在玻璃屏盤1的表面上設有由反射防止膜和表面電阻值為1×103[Ω/□]以上的導電膜組成的表面處理膜(圖中未示出)，與導電膜導通地設置在表面處理膜上通過超聲波固定器等形成的接地電極6，接地電極6利用導電帶5與防爆帶7導通。
與如圖3所示，玻璃屏盤1邊緣部分的剖面有與現有技術相同的結構。表面處理膜8包括最下層的導電膜3和由層積于導電膜3上的絕緣物構成的兩層絕緣膜(反射防止膜)4。表面處理膜8除了直接涂敷形成在玻璃屏盤1上外，也可以在玻璃屏盤1上粘接AR板。導電膜3的材料是以氧化釕(Ru2O)為主要成分的表面電阻值為5×103[Ω/□]的物質，厚度為0.1[μm]左右。導電膜3可以是以氧化錫(SnO2)為主要成分的導電膜，或是以ITO為主要成分的導電膜，或是以銀(Ag)和鈀(Pd)的混合物為主要成分的導電膜的任一種。另一方面，絕緣膜4，其第一層的材料為RuO2，厚度為180[nm]，折射率為1.75。第二層的材料為SiO2，厚度為150[nm]，折射率為1.47。
如圖2所示，接地電極6的寬度W為5[mm]，長度L為100[mm]，在玻璃屏盤1的有效畫面區(qū)域9外的陽極端子(圖中未示出)側邊的中央部分上的一個地方，利用超聲波固定器和導電性熔接玻璃等按與玻璃屏盤1的外緣大致平行地帶狀地設置接地電極6。接地電極6的寬度W受玻璃屏盤1中有效畫面區(qū)域9大小的限制，但如果寬度W過小，那么由于長度L必須增大，所以寬度最好在5[mm]以上。接地電極6也可以在僅剝離預定面積的絕緣膜4后通過涂敷導電物質等來形成。
在使用超聲波固定器形成接地電極6的情況下，在表面處理膜8的預定位置上放置固定器后，最好與玻璃屏盤1的外緣大致平行地移動。如果把接地電極6的寬度W設定為5[mm]，那么由于采用通常的固定器后在一個工序中可以形成一個接地電極6，所以使制造時間縮短。在形成接地電極6的同時，固定器浸透絕緣膜4到達導電層3。圖3模式地表示接地電極6與導電膜3的導通狀態(tài)，但實際上為連續(xù)地導通。超聲波固定器裝置采用旭硝子(株)的‘サンボンダ一’(商品名)，固定器采用旭硝子(株)的‘セロソルザ’(商品名)，超聲波的頻率為60[kHz]，固定器溫度為120～280[℃]。
當在46[cm](19英寸)的計算機監(jiān)視器用的彩色陰極射線管中采用本發(fā)明，按照TCO準則測定漏泄電場時，在玻璃屏盤1前面產生的漏泄電場在VLF測定頻帶下為0.98[V/m]，滿足TCO準則。為了與以往技術比較，當把5[mm]×10[mm]大小的接地電極安裝在表面處理膜上四邊內、陽極端子側邊和其相對的側邊兩處的情況下測定漏泄電場時，在VLF測定頻帶下為1.50[V/m]。
下面，說明接地電極的大小、安裝位置、個數與漏泄電場抑制效果的關系。導電膜是以氧化釕(Ru2O)為主要成分，表面電阻值為5×103[Ω/□]，厚度為0.1[μm]的導電膜。
圖4是表示僅在陽極端子側邊的中央部分的一處安裝接地電極的情況下，調查接地電極6的大小與漏泄電場之關系的圖。接地電極的寬度固定為5[mm]。如果接地電極的長度比100[mm]長，那么顯然漏泄電場下降至1[V/m]以下。
表1表示接地電極的安裝位置與漏泄電場的關系。在表1中，N表示朝向玻璃屏盤北側(上側)即陽極端子側，S表示N的相對側，W表示朝向左側，而E表示朝向右側。接地電極的大小為5[mm]×100[mm]，在玻璃屏盤的有效畫面外的各邊上與玻璃屏盤外緣大致平行地設置。表1<
由表1可知，在N側設置接地電極的情況下，可獲得最大的漏泄電場抑制效果。可以認為這是由于在供給陰極射線管用的最大電壓的陽極端子附近的漏泄電場最強，所以通過在其附近設置接地電極，就可以最有效地抑制漏泄電場。
表2表示對于安裝多個接地電極情況下的漏泄電場抑制效果來說，現有的接地電極與本發(fā)明接地電極的比較。一個現有技術的接地電極的大小為5[mm]×10[mm]，而一個本發(fā)明的接地電極的大小為5[mm]×100[mm]。表2<
在表2中，①～③表示現有技術，而④～⑦表示本發(fā)明。接地電極的個數是①為在N、S上各一個，②為在N、S、W上各一個，③為在N、S上各兩個，在E、W上各一個，④為在E、W上各一個，⑤為在N、S上各一個，⑥為在N、S、E、W上各一個，⑦為在N、S、E、W上各一個。但是，只有⑦的導電膜電阻值為3×104[Ω/□]。在現有技術中漏泄電場不能在1[V/m]以下不同，在本發(fā)明中，無論什么情況下，漏泄電場都達到1[V/m]以下。此外，即使接地電極的數量相同為兩個的情況下，顯然，安裝在N和S位置上的一方比安裝在E和W位置上的一方可以更加提高漏泄電場抑制效果。在N、S、E、W位置上分別各安裝一個接地電極的情況下，即使導電膜的電阻值大于3×104[Ω/□]，也可以把漏泄電場抑制在1[V/m]以下。
圖5表示本發(fā)明與現有技術的漏泄電場的頻率特性的比較圖。在陰極射線管上安裝偏轉系統的狀態(tài)下，通過僅在陽極部分流動具有預定頻率特性的5[V]峰-峰的交流電流(矩形波)，調查僅用表面處理膜產生的漏泄電場的抑制效果。在圖5中，曲線a表示在N、S側各設置一個5[mm]×100[mm]接地電極的情況(本發(fā)明)，曲線b表示在N、S側各設置一個5[mm]×10[mm]的接地電極的情況(現有技術)，曲線c表示未設置接地電極的情況。由圖5可知，按照本發(fā)明，在整個103～106[Hz]的頻帶內可以降低漏泄電場。
按照以上說明的本發(fā)明，通過擴大電極面積和使其位置與數量最佳化，可獲得良好的漏泄電場抑制效果，其結果，即使是具有1×103[Ω/□]以上電阻值的導電膜層也能用廉價方法實現滿足TCO準則的1.0[V/m]以下的漏泄電場抑制。
權利要求
1.一種陰極射線管，在玻璃屏盤的表面上設置在其表面電阻值為1×103[Ω/□]以上的反射防止膜上層積有反射防止膜的表面處理膜，在所述表面處理膜上形成與所述導電膜導通并且接地的接地電極，其特征在于，所述接地電極的表面積在500[mm2]以上。
2.如權利要求1所述的陰極射線管，在所述玻璃屏盤的有效畫面外，與所述玻璃屏盤外邊緣大致平行并且?guī)畹卦O置所述接地電極，該電極的長度為100[mm]以上，寬度為5[mm]以上。
3.如權利要求1所述的陰極射線管，在所述玻璃屏盤外邊緣部分內的至少設有陽極端子的一側上，設置所述接地電極。
4.如權利要求1所述的陰極射線管，利用超聲波固定器形成所述接地電極。
全文摘要
在玻璃屏盤1的表面上,設有由表面電阻值為1×10
文檔編號H01J29/86GK1264918SQ0010269
公開日2000年8月30日 申請日期2000年2月24日 優(yōu)先權日1999年2月24日
發(fā)明者三浦康紀 申請人:松下電子工業(yè)株式會社