專利名稱：陰極射線管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過(guò)構(gòu)成色選別機(jī)構(gòu)的以規(guī)定的張力架設(shè)的遮屏等張力屏來(lái)減小起因于地磁等外部磁場(chǎng)的電子束偏移的陰極射線管。
背景技術(shù)：
當(dāng)陰極射線管置于地磁場(chǎng)中時(shí)，電子搶發(fā)射的電子束受地磁場(chǎng)產(chǎn)生的羅倫茲力的作用。因此，電子運(yùn)動(dòng)偏離正常軌道約10μm，不能準(zhǔn)確地轟擊畫(huà)面上的熒光體，從而發(fā)生所謂擊不中(mislanding)的現(xiàn)象。這樣的電子束的偏移便成為畫(huà)面的色差和色斑的原因。
在近年來(lái)一直是主流產(chǎn)品的平面TV的陰極射線管中，為了提高畫(huà)面的平面特性，大多在施加張力的情況下架設(shè)遮屏板。但是，若以很強(qiáng)的張力架設(shè)遮屏，則會(huì)增加電子束的偏移量，使色差色斑更加嚴(yán)重。因此，要求對(duì)平面TV的陰極射線管采取有效的地磁場(chǎng)補(bǔ)償措施。
發(fā)明的公開(kāi)本發(fā)明的目的在于提供一種陰極射線管，既能維持以適當(dāng)?shù)膹埩?gòu)成色選別機(jī)構(gòu)的遮屏等張力屏的平面特性，又能減小電子束的偏移。再有，在本發(fā)明中，所謂張力屏是指孔狀遮屏、長(zhǎng)孔狀遮屏或縫隙狀的縫隙柵格屏等作為色選別機(jī)構(gòu)使用的所有的遮蔽的總稱。
本發(fā)明基本構(gòu)成中的陰極射線管使用由磁致伸縮材料形成的張力屏，上述張力屏利用能維持其平面特性的范圍內(nèi)的張力架設(shè)，同時(shí)，設(shè)定上述張力的方向和大小，利用由上述張力對(duì)上述張力屏的磁致伸縮材料產(chǎn)生的磁彈性效應(yīng)，使上述張力屏上下方向的導(dǎo)磁系數(shù)增大。
在上述基本構(gòu)成中，當(dāng)上述磁致伸縮材料的磁致伸縮常數(shù)為正時(shí)，最好設(shè)上述張力屏平面內(nèi)的容易磁化軸的方向和加在上述張力屏上的上述張力的方向所成的角度在30度以上90度以下。此外，上述磁致伸縮材料的多晶粒的結(jié)晶軸最好沿容易磁化軸取向。作為上述磁致伸縮材料的板，可以使用多晶粒在平面內(nèi)取向結(jié)晶軸(100)方向的鐵或矽鋼片。為了象上述那樣來(lái)構(gòu)成，作為一個(gè)例子，可以將上述張力屏的上述張力的方向和上述磁致伸縮材料制造過(guò)程中的軋制方向所成角度設(shè)在30度到90度之間。
在上述基本構(gòu)成中，當(dāng)上述磁致伸縮材料的磁致伸縮常數(shù)為負(fù)時(shí)，最好設(shè)上述張力屏平面內(nèi)的容易磁化軸和上述張力的方向所成的角度在0度以上40度以下。此外，上述磁致伸縮材料的多晶粒的結(jié)晶軸最好沿容易磁化軸取向。作為上述磁致伸縮材料的板，可以使用多晶粒在平面內(nèi)取向結(jié)晶軸(100)方向，且鎳的成分在80％以上，或鎳的成分在30％以上50％以下的鐵鎳合金，或者使用多晶粒在平面內(nèi)取向結(jié)晶軸(111)方向的鐵或矽鋼片。為了象上述那樣來(lái)構(gòu)成，作為一個(gè)例子，可以將上述張力屏的上述張力的方向和上述磁致伸縮材料制造過(guò)程中的軋制方向所成角度設(shè)在0度到40度之間。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的陰極射線管的主要部分的構(gòu)成的概略截面圖。
圖2是表示陰極射線管的熒光面內(nèi)的條狀結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3是等效地示出陰極射線管內(nèi)部的磁通流的電路圖。
圖4是表示陰極射線管熒光面內(nèi)內(nèi)的電子束的偏移測(cè)定點(diǎn)的圖。
圖5是表示當(dāng)使用由(100)取向多結(jié)晶鐵和由(100)取向的Fe64Ni36合金形成的張力屏?xí)r的管軸角部的電子束偏移和張力的關(guān)系的圖。
圖6A、圖6B是分別表示正和負(fù)的磁致伸縮材料和張力屏的張力方向的關(guān)系的圖。
圖7是表示張力屏的張力方向和多結(jié)晶鐵的(100)取向方向所成的角度和管軸角部的電子束偏移量的關(guān)系的圖。
圖8是表示磁致伸縮常數(shù)λ和鐵鎳合金中的鎳的含量的關(guān)系的圖。
圖9是表示張力屏的張力方向和Fe64Ni36合金的(100)取向方向所成的角度和管軸角部的電子束偏移量的關(guān)系的圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)下面，參照


本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
圖1示出陰極射線管的主要部分的構(gòu)成和從電子搶射出的電子束的軌跡。1是屏幕，在接近其內(nèi)面的地方配置張力屏2。張力屏2由框架3支撐。覆蓋張力屏2和框架3而配置內(nèi)部磁屏蔽4。5表示電子束的軌跡。
圖示省略了張力屏2的形式，本發(fā)明可以使用作為色選別機(jī)構(gòu)使用的已知的所有的形狀。即，張力屏2可以包括孔狀遮屏、長(zhǎng)孔狀遮屏或縫隙狀的縫隙柵格屏等。
在本發(fā)明中，張力屏2由磁致伸縮材料構(gòu)成，適當(dāng)設(shè)定其張力方向和容易磁化軸之間的關(guān)系，利用張力屏2的磁致伸縮材料產(chǎn)生的磁彈性效應(yīng)，使張力屏2的上下方向的導(dǎo)磁系數(shù)增大，減小磁阻，結(jié)果，可以有效地減小電子束的偏移。下面說(shuō)明其工作原理。
在磁屏蔽4的內(nèi)部空間，電子束5受內(nèi)部磁場(chǎng)產(chǎn)生的羅倫茲力f＝q(V×B) …(1)的作用，擊中的位置偏離本來(lái)應(yīng)到達(dá)的位置。在式(1)中，f是加給電子的力，q(＜0)是電子的電荷，V是電子的速度矢量，B是磁通密度?！帘硎臼噶糠e。
圖2示出屏幕1上的熒光體的條狀結(jié)構(gòu)。這樣，因屏幕1上的條狀熒光體向y軸方向延伸，故可以不考慮y軸方向的偏離力。也可以不考慮z軸方向(垂直畫(huà)面的方向)的力。必須考慮的x方向的偏離力。
fx＝|q|(BZVY-BYVZ) …(2)為了減小該x方向的偏離力，必須抑制通過(guò)張力屏2上下方向的磁通的影響。
考慮這樣的性質(zhì)和磁通的流向，再進(jìn)行考察。通常，因張力屏2和框架3都是磁體，所以，若將它們和內(nèi)部磁屏蔽4的整體磁性結(jié)構(gòu)畫(huà)成等效電路并設(shè)定磁阻，將磁通流當(dāng)做電流來(lái)進(jìn)行定性分析，則非常方便。圖3示出該等效電路。這里，將內(nèi)部磁屏蔽4、框架3和張力屏2看成上下對(duì)稱的電路結(jié)構(gòu)，具有上下分別用導(dǎo)線連接的磁阻。內(nèi)部磁屏蔽4的磁阻用屏蔽磁阻11表示。與框架3和張力屏2有關(guān)的磁阻用框架磁阻12、焊接部磁阻13、張力磁阻14、遮蔽磁阻15表示。此外，與各磁阻并列還存在真空磁阻16。
因這些磁場(chǎng)的場(chǎng)源是地磁場(chǎng)，故可以將其看作是假想的電流源17。從電流源17流出的電流通過(guò)屏蔽磁阻11流向框架磁阻12、焊接部磁阻123、張力磁阻14、遮蔽磁阻15和與這些磁阻并聯(lián)的真空磁阻16，最后，從張力屏2的中央部入地。實(shí)際上，若沿管軸方向加0.35G的外部磁場(chǎng)，再使用高斯計(jì)追蹤磁通的流向，則發(fā)現(xiàn)內(nèi)部磁屏蔽4的開(kāi)口部邊緣是磁通的入口，內(nèi)部磁屏蔽4的張力屏2一側(cè)的邊緣是磁通的出口，該磁通流流向張力屏2，在張力屏2的中央部，該磁通流的方向反向。
從內(nèi)部磁屏蔽4的張力屏2一側(cè)的邊緣流出的磁通形成流入張力屏2的環(huán)形磁路。當(dāng)張力屏2使用鐵時(shí)，一般，當(dāng)張力屏2的張力為0時(shí)，遮蔽磁阻15變小，磁通容易通過(guò)。結(jié)果，從內(nèi)部磁屏蔽4的邊緣流出的磁通流幾乎全部流入張力屏2，磁通不會(huì)泄漏到張力屏2的里面。
但是，當(dāng)例如架設(shè)鐵制的張力屏2并施加張力時(shí)，張力屏2的導(dǎo)磁系數(shù)下降，不能用弱磁化強(qiáng)度簡(jiǎn)單地將其磁化。即，遮蔽磁阻15增加，磁通流很難流入架設(shè)的張力屏2中，很多磁通泄漏到張力屏2的里面空間內(nèi)。因該漏磁通By的方向是使電子束偏移加強(qiáng)的方向，故偏移增大。
雖然象這樣通過(guò)等效電路的磁阻利于把握現(xiàn)象，但實(shí)際上不能簡(jiǎn)單地把握。即使使用通用的磁阻評(píng)估值，Rm＝L/(μS) …(3)磁性材料的導(dǎo)磁系數(shù)(μ)并不是材料本身的值，隨地點(diǎn)和外加磁場(chǎng)的大小而變，很復(fù)雜。在式(3)中，L是樣品的長(zhǎng)度，S是其橫截面積。
作為陰極射線管的地磁校正的指標(biāo)，其一例是使用在以下3種固定點(diǎn)測(cè)定的電子束的偏移量。這3種固定點(diǎn)如圖4所示，是指與角評(píng)估點(diǎn)P和畫(huà)面長(zhǎng)邊的中點(diǎn)的NS評(píng)估點(diǎn)Q對(duì)應(yīng)分別加不同磁場(chǎng)時(shí)的狀態(tài)的組合。
橫向場(chǎng)角x、y方向加磁場(chǎng)時(shí)的角評(píng)估點(diǎn)P管軸角y、z方向加磁場(chǎng)時(shí)的角評(píng)估點(diǎn)P管軸NSy、z方向加磁場(chǎng)時(shí)的NS評(píng)估點(diǎn)Q在實(shí)際的實(shí)驗(yàn)中，不在地磁場(chǎng)中進(jìn)行測(cè)定。例如，在去磁后，作為橫向場(chǎng)角，在y方向加-0.35Oe、x方向加0.35Oe的靜磁場(chǎng)，取畫(huà)面角部評(píng)估點(diǎn)P的電子束偏移的平均值。作為管軸角，在y方向加-0.35Oe、z方向加0.35Oe的靜磁場(chǎng)，取畫(huà)面角部評(píng)估點(diǎn)P的電子束偏移的平均值。作為管軸NS，在y方向加-0.35Oe、z方向加0.35Oe的靜磁場(chǎng)，取畫(huà)面長(zhǎng)邊中點(diǎn)評(píng)估點(diǎn)Q的電子束偏移的平均值。為方便起見(jiàn)，將(橫向場(chǎng)角的偏移量、管軸角偏移量、管軸NS偏移量)寫(xiě)成象(20μm、45μm、40μm)那樣的形式，并將其作為電子束偏移的指標(biāo)。
若對(duì)用厚度約0.1mm的鐵合金板以2200N/mm2的張力在畫(huà)面上下方向架設(shè)的張力屏和框架安裝普通的內(nèi)部磁屏蔽后再加外部磁場(chǎng)，并在各測(cè)點(diǎn)測(cè)定電子束的偏移，則得到(20μm、45μm、40μm)因這里的偏移太大，故在其它條件完全相同只是張力為0的情況下，測(cè)定電子束的偏移，則為(20μm、25μm、23μm)有明顯的改善。相反，張力屏的平面性能顯著下降。因此，需要一種既能保持張力屏的平面性能又能減小電子束偏移的方法。
因此，需要說(shuō)明因張力屏的張力而使電子束的偏移變化的原因。圖5示出當(dāng)張力屏的張力變化時(shí)的管軸角部的電子束偏移的變化。作為張力屏的材料，示出了面內(nèi)取向結(jié)晶軸(100)方向且在(100)方向架設(shè)的厚度為0.1mm的多結(jié)晶鐵板和面內(nèi)取向結(jié)晶軸(100)方向且在(100)方向架設(shè)的厚度為0.1mm的Fe64Ni36合金的例子。對(duì)于多結(jié)晶鐵的張力屏材料，在張力增大的同時(shí)，管軸角的偏移量顯著增大，與此相反，F(xiàn)e64Ni36合金張力屏的偏移量減小。即，電子束偏移隨張力增大的方向因張力屏的材料而異。
這一點(diǎn)可以象下面那樣根據(jù)磁致伸縮現(xiàn)象進(jìn)行說(shuō)明。即，若將長(zhǎng)度為L(zhǎng)的磁體從去磁狀態(tài)單方向磁化到飽和，通常，沿磁化方向長(zhǎng)度只變化δL。根據(jù)這時(shí)的長(zhǎng)度變化率δL/L＝λ …(4)來(lái)定義平均磁致伸縮常數(shù)λ。該λ值在無(wú)取向的多結(jié)晶的立方晶粒系統(tǒng)中可由
λ＝0.4λ100+0.6λ111 …(5)表示。在式(5)中，λ100是當(dāng)磁化方向?yàn)閱谓Y(jié)晶的(100)方向時(shí)的長(zhǎng)度變化率，λ111是當(dāng)磁化方向?yàn)?111)方向時(shí)的長(zhǎng)度變化率。典型磁性材料的λ100和λ111的值在文獻(xiàn)中有記載，可以通過(guò)計(jì)算得到λ的評(píng)估值。若多結(jié)晶的取向率在1個(gè)方向高，即使是同一物質(zhì)，λ也可能是正值或負(fù)值。例如，在圖6A所示的鐵的情況下，λ100為正，λ111為負(fù)。若按照式(5)，完全無(wú)取向的多結(jié)晶鐵的長(zhǎng)度比非磁性狀態(tài)時(shí)縮短了。然而，取向(100)方向的多結(jié)晶鐵因λ100為正，故沿該取向方向伸長(zhǎng)。該取向方向就是容易磁化軸的方向。
相反，如圖6B所示，在作為面心立方體的鐵鎳合金(鎳含量在35％以上)中，當(dāng)鎳的含量在30％以上50％以下或鎳的含量在80％以上的范圍內(nèi)時(shí)，λ100為負(fù)。因此，取向(100)方向的面心立方體的多結(jié)晶鐵鎳合金因λ100為負(fù)，故沿該取向方向縮短。該取向方向就是容易磁化軸的方向。
即，即使是多結(jié)晶，既有通過(guò)磁化伸長(zhǎng)的磁性材料，也有縮小的材料。這樣，某材料具有正或負(fù)的平均磁致伸縮常數(shù)λ，當(dāng)在與磁化方向的夾角為φ的方向上加張力σ時(shí)，磁彈性能可以表示為E＝-1.5λσcos2φ…(6)這是一種單軸各向異性，當(dāng)λ＞0，φ＝0時(shí)，能量最低。即，磁化方向與張力方向相同時(shí)最穩(wěn)定。相反，當(dāng)λ＜0時(shí)，磁化方向與張力方向垂直時(shí)最穩(wěn)定。
若在這樣的狀態(tài)下在張力方向加磁場(chǎng)，當(dāng)λ＞0時(shí)，因磁化已取向磁場(chǎng)方向故難以進(jìn)一步磁化。所以，導(dǎo)磁系數(shù)μ變小。相反，當(dāng)λ＞0時(shí)，因磁化已取向與磁場(chǎng)垂直的方向故容易在磁場(chǎng)方向磁化。所以，導(dǎo)磁系數(shù)μ變大。因磁阻如式(3)所示，與導(dǎo)磁系數(shù)μ成反比，故架設(shè)時(shí)若λ＞0，則張力屏的磁阻大，若λ＜0，則張力屏的磁阻小。結(jié)果，如圖5所示，當(dāng)λ＞0時(shí)，磁通難以流過(guò)架設(shè)的張力屏中，更多的磁通流泄漏到張力屏里面的空間內(nèi)，使電子束偏移增大。相反，當(dāng)λ＜0時(shí)，大部分磁通流進(jìn)張力屏，很少向內(nèi)部空間泄漏，結(jié)果，使電子束偏移減小。
作為上面的結(jié)論，當(dāng)使用正的磁致伸縮材料作為張力屏材料時(shí)，希望架設(shè)方向在磁致伸縮方向上，即與容易磁化軸方向垂直的方向。因張力屏架設(shè)時(shí)在其上下方向加很強(qiáng)的張力，故容易磁化軸方向設(shè)置在橫方向上。
作為這樣的磁致伸縮材料的一個(gè)例子，說(shuō)明已取向的多結(jié)晶鐵。當(dāng)做成鐵的薄板時(shí)，一般將鋼材軋制形成。這時(shí)，排列在(100)方向上的多晶粒大多在面內(nèi)取向軋制方向。因此，該軋制鐵板在(100)方向即軋制方向因磁致伸縮而伸長(zhǎng)。若在磁致伸縮方向上以200N/mm2的力對(duì)其進(jìn)行架設(shè)，則張力屏的磁阻增加，管軸角的電子束偏移可達(dá)40μm以上。另一方面，若在與(100)方向即軋制方向垂直的方向進(jìn)行架設(shè)，則電子束偏移可減小到30μm左右。
如圖7所示，當(dāng)架設(shè)方向偏離垂直方向，(100)方向和架設(shè)方向的夾角在30度到90度之間時(shí)，也可以得到同樣的效果。圖7的橫軸是張力屏的架設(shè)方向與多結(jié)晶鐵的取向方向的夾角。縱軸是管軸角部的電子束偏移量。該角度最好是從55度到90度，理想的是從70度到90度。
此外，若架設(shè)時(shí)的張力在100N/mm2到300N/mm2之間，可以得到同樣的效果。此外，對(duì)于混有微量元素(Cr、Mo等)的體心立方體的鐵合金，也觀測(cè)到了同樣的效果。
進(jìn)而，發(fā)現(xiàn)硅含量在8％以下的矽鋼片也具有同樣的效果。
其次，當(dāng)使用負(fù)的磁致伸縮材料作為張力屏材料時(shí)，希望架設(shè)方向和磁致伸縮方向、即容易磁化軸方向是同一方向。因張力屏架設(shè)時(shí)在其上下方向加很強(qiáng)的張力，故容易磁化軸方向設(shè)置在上下方向上。
作為這樣的磁致伸縮材料的一個(gè)例子，說(shuō)明已取向的鐵鎳合金。若使用結(jié)晶軸在面內(nèi)取向(100)方向鎳或鎳濃度為36％的鐵鎳合金作為張力屏以30N/mm2以上的張力架設(shè)，則電子束的偏移減小。這些材料的λ值為負(fù)，是-10-5量級(jí)(參照?qǐng)D7)。當(dāng)做成鐵鎳合金的薄板時(shí)，將原材料軋制形成。這時(shí)，排列在(100)方向上的多晶粒大多在面內(nèi)取向軋制方向。因此，該軋制合金板在(100)方向即軋制方向因磁致伸縮而縮短。若使用它作為張力屏并在磁致伸縮方向上以30N/mm2以上的力對(duì)其進(jìn)行架設(shè)，則張力屏的磁阻減小，管軸角的電子束偏移在30μm以下。
如圖9所示，當(dāng)架設(shè)方向偏離軋制方向，(100)方向和架設(shè)方向的夾角在0度到40度之間時(shí)，也可以得到同樣的效果。圖9的橫軸是張力屏的架設(shè)方向與Fe64Ni36合金的(100)取向方向的夾角?？v軸是管軸角部的電子束偏移量。該角度最好是從0度到25度，理想的是從0度到10度。
此外，若架設(shè)時(shí)的張力在20N/mm2到200N/mm2之間，可以得到同樣的效果。因而，當(dāng)使用張力為100N/mm2的Fe64Ni36合金時(shí)，與張力為0的情況相比，管軸角部的偏移量從30μm減小到25μm。這樣的效果，對(duì)于使用鎳含量為80％以上的鐵鎳合金或鎳含量在30％以上50％以下的鐵鎳合金作為張力屏材料的情況，在實(shí)用上可以在足夠?qū)挼姆秶鷥?nèi)得到。進(jìn)而，對(duì)于多結(jié)晶取向結(jié)晶軸(111)方向的鐵或矽鋼片的情況，理論上也可以得到同樣的效果。
在以上的說(shuō)明中，示出了多晶粒的結(jié)晶軸沿容易磁化軸取向的磁致伸縮材料的例子，但即使是不滿足該條件的材料也可以得到實(shí)用效果。但是，在多數(shù)情況下，多晶粒的結(jié)晶軸沿容易磁化軸取向的磁致伸縮材料容易得到可靠的效果。
工業(yè)上利用的可能性若按照本發(fā)明，利用磁致伸縮材料構(gòu)成張力屏，通過(guò)適當(dāng)?shù)膹埩?lái)保持張力屏的平面性能，同時(shí)，又能實(shí)現(xiàn)電子束偏離小的陰極射線管。因此，可以減小地磁場(chǎng)等外部磁場(chǎng)的影響，實(shí)用上不會(huì)出現(xiàn)由此引起的問(wèn)題。
權(quán)利要求
1.一種陰極射線管，其特征在于使用由磁致伸縮材料形成的張力屏，上述張力屏利用能維持其平面特性的范圍內(nèi)的張力架設(shè)，同時(shí)，設(shè)定上述張力的方向和大小，利用由上述張力對(duì)上述張力屏的磁致伸縮材料產(chǎn)生的磁彈性效應(yīng)，使上述張力屏上下方向的導(dǎo)磁系數(shù)增大。
2.權(quán)利要求1記載的陰極射線管，其特征在于上述磁致伸縮材料的磁致伸縮常數(shù)為正，上述張力屏平面內(nèi)的容易磁化軸的方向和加在上述張力屏上的上述張力的方向的夾角在30度以上90度以下。
3.權(quán)利要求2記載的陰極射線管，其特征在于上述磁致伸縮材料的多晶粒的結(jié)晶軸沿容易磁化軸取向。
4.權(quán)利要求2或3記載的陰極射線管，其特征在于上述磁致伸縮材料的板是使用多晶粒在平面內(nèi)取向結(jié)晶軸(100)方向的鐵或矽鋼片。
5.權(quán)利要求2記載的陰極射線管，其特征在于上述張力屏的上述張力的方向和上述磁致伸縮材料板制造過(guò)程中的軋制方向的夾角在30度到90度之間。
6.權(quán)利要求1記載的陰極射線管，其特征在于上述磁致伸縮材料的磁致伸縮常數(shù)為負(fù)，上述張力屏平面內(nèi)的容易磁化軸和上述張力的方向的夾角在0度以上40度以下。
7.權(quán)利要求6記載的陰極射線管，其特征在于上述磁致伸縮材料的多晶粒的結(jié)晶軸沿容易磁化軸取向。
8.權(quán)利要求6或7記載的陰極射線管，其特征在于上述磁致伸縮材料的板是多晶粒在平面內(nèi)取向結(jié)晶軸(100)方向，且鎳的成分在80％以上，或鎳的成分在30％以上50％以下的鐵鎳合金，或者是多晶粒在平面內(nèi)取向結(jié)晶軸(111)方向的鐵或矽鋼片。
9.權(quán)利要求6記載的陰極射線管，其特征在于上述張力屏的上述張力的方向和上述磁致伸縮材料板制造過(guò)程中的軋制方向的夾角在0度到40度之間。
全文摘要
一種在通過(guò)適當(dāng)?shù)膹埩?lái)保持構(gòu)成色選別機(jī)構(gòu)的張力屏的平面性能的同時(shí)利用張力屏抑制地磁場(chǎng)等外部磁場(chǎng)的影響從而減小電子束偏移的陰極射線管。使用由磁致伸縮材料形成的張力屏，利用能維持其平面特性的范圍內(nèi)的張力來(lái)架設(shè)張力屏，同時(shí)，設(shè)定張力的方向和大小，利用由張力對(duì)張力屏的磁致伸縮材料產(chǎn)生的磁彈性效應(yīng)，使張力屏上下方向的導(dǎo)磁系數(shù)增大。
文檔編號(hào)H01J29/07GK1393027SQ01802964
公開(kāi)日2003年1月22日 申請(qǐng)日期2001年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月29日
發(fā)明者八田真一郎, 村井隆一, 巖本洋, 中寺茂夫, 小澤哲郎 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社