專利名稱：用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽。特別地，本發(fā)明涉及一用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，其能有效地屏蔽外部磁場對該陰極射線管內(nèi)的電子射束的影響并因此防止彩色純度的降級。因此，可獲得高質(zhì)量的圖象。
背景技術(shù)：
一般地，在一個彩色陰極射線管內(nèi)，如果任何不希望的磁場從大地磁場或外部電路進入由三個主色蘭(B)、綠(G)和紅(R)組成的三個電子射束的通行區(qū)域時，這三個電子射束則由于這種不希望磁場的影響而趨于從它們原始的軌跡上脫離。這即所謂的失誤著靶(miss-landing)。這種失誤著靶則在一彩色陰極射線管中導(dǎo)致彩色純度的降級。為此原因，彩色陰極射線管在該三個電子射束容易受磁場影響的錐體內(nèi)部通常包含一個由磁屏蔽材料構(gòu)成的內(nèi)部屏蔽。
該內(nèi)部屏蔽具有中空形狀的基本結(jié)構(gòu)。然而，這種基本結(jié)構(gòu)卻不能有效地屏蔽外部磁場。因此，已經(jīng)提出了進一步開發(fā)的具有各種形狀和結(jié)構(gòu)的內(nèi)部屏蔽以更恰如其分地屏蔽外部磁場。
例如，韓國專利申請?zhí)朜o.1997-029742就揭示了一個用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽。如圖1所示，該內(nèi)部屏蔽10包括長側(cè)面部分15，短側(cè)面部分17和角部分19，它們形成大開口部分11和小開口部分13。該長側(cè)面部分15和短側(cè)面部分17是朝著該管軸線Z的方向傾斜的。在由長側(cè)面部分15和短側(cè)面部分17形成的該小口部分13的一側(cè)上，三角形的延伸件151，171分別地連接為一個整體。而且，在由位于長側(cè)面部分15和短側(cè)面部分17的間的角部分19形成的該小開口部分13的一側(cè)上，延伸件191相連接。在該長側(cè)面部分15和短側(cè)面部分17中，分別地形成三角形切槽153和173。切槽193還形成在角部分19中。此外，該延伸件151和切槽153是為了在長側(cè)面部分15上集中磁通量。而且，該延伸件171和切槽173是為了在短側(cè)面部分17上集中磁通量。另外，該延伸件191和切槽193是為了在角部19處集中磁通量。
日本專利公開號No.Hei 5-159713也提出了一個內(nèi)部屏蔽。如在圖2a，2b和2c中所描繪的，該內(nèi)部屏蔽包括長側(cè)面部分23和短側(cè)面部分24，它們形成大開口部分21和小開口部分22。在長側(cè)面部分23和短側(cè)面部分24組成的小開口部分22的一側(cè)上，分別地形成凹陷的部分29和30。在該小開口部分的四個對角點上，該凹陷部分29形成一個相對長側(cè)面部分23的中軸線25的夾角θv。該凹陷部分30也與短側(cè)面部分24的中軸線26形成一個角度θv。該凹陷部分29和30的深度是HD-HV。
另外，日本專利公開號No.Hei 11-354040也提出了一個內(nèi)部屏蔽。如圖3所示，該內(nèi)部屏蔽40包括長側(cè)面部分43和短側(cè)面部分44以形成大開口部分40和小開口部分42。在小開口部分42的四個對角點45上，分別在長側(cè)面部分43和短側(cè)面部分44上形成凹槽的部分46和47。在該點45處，凹槽部分46形成一個相對長側(cè)面部分43的中軸線48的夾角α。該凹槽的部分47在該點45處與該短側(cè)面部分44的中軸線49形成一夾角β。該長側(cè)面部分43形成一個基于該大開口部分41的底平面的夾角δ而該短側(cè)面部分44則形成一個基于該大開口部分41的底面的夾角δ。該對角軸線50形成一個相對大開口部分41的所述平面的夾角ε。該對角軸線50在小開口部分42側(cè)邊上的邊緣51形成一個相對所述平面的夾角ε’(≤ε)，并且該平面具有相對該管的軸線Z成直角的深度d1或是深度d2。該具有相對管軸線Z成直角的深度d1或深度d2的平面形成該相對長側(cè)面部分43和短側(cè)面部分44的夾角δ’(≤δ)。
雖然傳統(tǒng)的內(nèi)部屏蔽有這些各種形狀和結(jié)構(gòu)，但是仍不能有效地屏蔽來自大地磁場或外部電路的不期望磁場進入該彩色陰極射線管的電子射束通行區(qū)中并時常發(fā)生失誤著靶。結(jié)果，彩色純度被降級，很難獲得高質(zhì)量的圖象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，其通過有效地屏蔽源自大地磁場或外部電路的不希望電場并因此減少電子射束的軌跡經(jīng)變化來防止失誤著靶。
本發(fā)明的另一目的是提供一彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，其可防止彩色純度的降級和提供高質(zhì)量的圖象。
本發(fā)明的再一目的是提供一彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，其可提高制造和工藝效率以及成批生產(chǎn)能力。
為實現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，按照本發(fā)明優(yōu)選實施方式的一彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽包括兩個相互面對的長側(cè)面部分和兩個相互面對的短側(cè)面部分，它們在電子槍側(cè)形成一小開口部分而在面板側(cè)形成一大開口部分。
本發(fā)明還包括多個第一凹槽部分，其被以一個或多個斜度從所述長側(cè)面部分的在小開口部分側(cè)邊上的每個對角點朝向所述長側(cè)面部分的大開口部分側(cè)邊凹切一給定深度；和多個第二凹槽部分，其被以一個與所述第一凹槽部分相連的半圓形凹切一給定深度；其中所述斜度對應(yīng)于所述第一凹槽部分在所述長側(cè)面部分的中軸線方向上的長度相對所述第一凹槽部分的在與所述長側(cè)面部分的中軸線成正交角時方向上的一長度的比率。
作為優(yōu)選，所述斜度的絕對值隨著所述第一凹切部分變得遠離所述長側(cè)面部分的小開口部分的側(cè)邊并更接近所述長側(cè)面分的大開口部分側(cè)邊而變小。
作為優(yōu)選，所述第一凹槽部分的每個可以包括一具有第一斜度的第一傾斜部分和一具有第二斜度的第二傾斜部分，所述第二斜度的絕對值小于所述第一斜度的絕對值。所述第一傾斜部分的所述第一斜度具有一無窮大值。
優(yōu)選地，所述第二凹槽部分可以是U形狀結(jié)構(gòu)。
作為優(yōu)選，本發(fā)明還包括多個第三凹槽部分，其被以第三斜度從所述短側(cè)面部分的在所述小開口部分側(cè)邊上的每個對角點朝向所述短側(cè)面部分的大開口部分側(cè)邊凹切一給定深度；其中所述第三斜度就是所述第三凹槽部分的在所述短側(cè)面部分的中軸線方向上的長度相對所述第三凹槽部分的在與所述短側(cè)面部分的中軸線成正交角的方向上的長度的比率；以及多個第四凹槽部分，其被以第四斜度凹切并連接所述第三凹槽部分；其中所述第三和第四斜度就是所述第三和第四凹槽部分的在所述短側(cè)面部分的中軸線方向上的長度相對所述第三和第四凹槽部分的在與所述短側(cè)面部分的中軸線成正交角的方向上的長度的比率。
優(yōu)選地，所述第三凹槽部分的第三斜度可被確定為一無窮大值。
作為優(yōu)選，本發(fā)明可以包括所述第三凹槽部分，其從所述短側(cè)面部分的在所述小開口部分側(cè)邊上的每個對角點朝向所述短側(cè)面部分的大開口部分側(cè)邊凹切為V形結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地，所述第三凹槽部分的在所述大開口部分那側(cè)的每個尖角部分具有一給定的彎曲度。


圖1是一按照現(xiàn)有技術(shù)用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽示意圖；圖2a是另外一種按照現(xiàn)有技術(shù)用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽示意圖；圖2b是圖2a所示的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分的示意圖；圖2c是圖2a所示的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分的示意圖；圖3a是按照現(xiàn)有技術(shù)用于彩色陰極射線管的另外的內(nèi)部屏蔽的示意圖；圖3b是圖3a所示的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分的示意圖；圖3c是圖3a所示的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分的示意圖；圖4是一其中應(yīng)用了本發(fā)明彩色陰極射線管用的內(nèi)部屏蔽的彩色陰極射線管示意圖；圖5a是按照本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽的示意圖；圖5b是圖5a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分示意圖；圖5c是圖5a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖；圖6a按照本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽的示意圖；圖6b是圖6a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分示意圖；圖6c是圖6a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖；圖7a是按照本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽的示意圖；圖7b是圖7a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分的示意圖；圖7c是圖7a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分的示意圖；
圖8a是按照本發(fā)明第四優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽的示意圖；圖8b是圖8a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分示意圖；圖8c是圖8a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖；圖9a是按照本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽的示意圖；圖9b是圖9a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分的示意圖；圖9c是圖9a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分的示意圖；圖10a是按照本發(fā)明第六優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽的示意圖；圖10b是圖10a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分示意圖；圖10c是圖10a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖；圖11是一表明在如下情況下著靶變化的表格，即，本發(fā)明的內(nèi)部屏蔽和傳統(tǒng)的內(nèi)部屏蔽都被轉(zhuǎn)到朝北的方向；圖12是一表明在如下情況下著靶變化的表格，即本發(fā)明內(nèi)部屏蔽和傳統(tǒng)內(nèi)部屏蔽都被轉(zhuǎn)到朝南的方向；圖13是一表明在如下情況下的著靶變化的表格，即，本發(fā)明內(nèi)部屏蔽和傳統(tǒng)內(nèi)部屏蔽都被轉(zhuǎn)到朝西的方向。
具體實施例方式
下面將詳細地闡述如附圖所描繪的按照本發(fā)明優(yōu)選實施例的彩色陰極射線管用的內(nèi)部屏蔽。
圖4是一其中應(yīng)用了本發(fā)明彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽的彩色陰極射線管的示意圖。
參見圖4，該彩色陰極射線管60具有由玻璃材料構(gòu)成的面板61和玻璃材料制成的錐體62，其中錐體62被連接到面板61上成為一個整體。在面板61的內(nèi)側(cè)表面上設(shè)置了該熒光屏63，其由三種顏色(紅、蘭和綠)的熒光層構(gòu)成。面對該熒光屏63，在面板61的內(nèi)側(cè)安置了蔭罩64。該蔭罩64是由罩主體641和被連接在罩主體641周圍的框架643構(gòu)成，在罩主體641中形成多個電子射束通行孔。在錐體62的頸部621中安置了發(fā)射三種電子射束65R、65G、65B的電子槍65。偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)(deflection yoke)66被安裝在位于錐體62的頸部621和主體部分623之間的邊界的外部。內(nèi)部屏蔽67被安置在錐體62的內(nèi)側(cè)來屏蔽由電子槍65發(fā)射的電子射束65R、65G、65B免受不希望的源自大地磁場或外部電路的磁場影響。
圖5a是按照本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽示意圖。圖5b是圖5a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分的示意圖。圖5c是圖5a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖。
參見圖5a、圖5b和圖5c，按照本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的內(nèi)部屏蔽670是一空心本體，其包括兩個相互面對的長側(cè)面部分671和兩個相互面對的短側(cè)面部分672。該空心本體的大開口部分673-在圖4中所示的面對蔭罩64的該大開口部分-被制造為一大矩形的形狀。該空心本體的小開口部分674-在圖4中所示的面對電子槍65的該小開口部分-被制造為一小矩形的形狀。用于集中磁通量于長側(cè)面部分671上的凹槽部分675被分別制成在該長側(cè)面部分671在小開口部分674的一側(cè)上。該用于將磁通量集中在介于長側(cè)面部分671和短側(cè)面部分672之間的角部分677上的凹槽部分676被分別制成在該短側(cè)面部分672在小開口部分674的一側(cè)上。
該長側(cè)面部分671的凹槽部分675包括第一凹槽部分675a和第二凹槽部分675b。該第一凹槽部分675a可以包括兩個傾斜的部分，例如第一傾斜的部分675c和第二傾斜的部分675d。該所述第一凹槽部分675a的第一傾斜部分675c凹削有第一深度D1，并位于從長側(cè)面部分671的在小開口部分674側(cè)邊上的四個點678朝著該相應(yīng)的長側(cè)面部分671的大開口部分673的第一斜度上。該第一凹槽部分675a的第二傾斜部分675d凹削有第二深度D2，并位于比第一凹槽部分675a的第一傾斜部分675c的第一斜度小的第二斜度上。
此處，該第一和第二斜度就是該第一和第二傾斜部分675c、675d的從相關(guān)頂點678在與長側(cè)面部分671的中軸線681成正交角方向上的長度(即該第一和第二傾斜部分的水平分量)相對于該第一和第二傾斜部分675c、675d的在平行于該長側(cè)面部分671中軸線681的方向上的長度(即該第一和第二傾斜部分的垂直分量)的比率的絕對值。角度θ1、θ2是在頂點678處相對軸線683的夾角并且都大于0度和小于90度。θ2是大于θ1的。
該第二凹槽部分675b被以一個例如U形的圓形朝向該長側(cè)面部分671的大開口部分673凹切有第三深度D3并與第一凹槽部分675a的第二傾斜部分675d相連接。該U形的第二凹槽部分675b被形成以集中比在短側(cè)面部分672上更多的磁通量到長側(cè)面部分671上。
在圖中描繪的第一凹槽部分675a具有兩個傾斜部分675c和675d是為了說明的方便。然而，明顯是該第一凹槽部分可以實際上具有三個或更多個傾斜的部分。
該短側(cè)面部分672的凹槽部分676包括該第三凹槽部分676a和第四凹槽部分676b。該第三凹槽部分676a被凹切有第四深度D4并處于從該短側(cè)面部分672在小開口部分674的側(cè)邊上的四個點朝向該相應(yīng)短側(cè)面部分672的大開口部分673的第三斜度上。該第四凹槽部分676b被以0值的第四斜度凹切并連接到第三凹槽部分676a上。
此處，該第三和第四斜度就是該第三和第四凹槽部分676a、676b的從相關(guān)點678到與該短側(cè)面部分672的中軸線691成正交角度方向上的長度(即該第三和第四凹槽部分的水平分量)相對于該第三和第四凹槽部分676a、676b的在平行于該短側(cè)面部分672的中軸線691的方向上的長度(即該第三和第四凹槽部分的垂直分量)的比率的絕對值。夾角θ4是在點678處相對于軸線693的夾角，并且大于0和小于90度。
此處，作為優(yōu)選，該長側(cè)面部分671的凹槽部分675的深度，亦即該第1深度D1、第二深度D2和第三深度D3的總和是在該長側(cè)面部分671的高度的50％到70％的范圍內(nèi)。還有，作為優(yōu)選，該短側(cè)面部分672的凹槽部分676的深度，即第四深度D4是在該短側(cè)面部分672的高度的20％到40％的范圍內(nèi)。
圖6a是按照本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽示意圖。圖6b是圖6a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分的示意圖。圖6c是圖6a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖。這些相同的標(biāo)號所指定的構(gòu)件在它們的結(jié)構(gòu)和功能方面和本發(fā)明第一優(yōu)選實施例中的那些相同符號的構(gòu)件是相同的。
參見圖6a、圖6b和圖6c，按照本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的內(nèi)部屏蔽770具有凹槽部分685，其是從本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的長側(cè)面部分671的凹槽部分675修改而成的，并且具有與同第一優(yōu)選實施例相同的短側(cè)面部分672的凹槽部分676。該長側(cè)面部分671的凹槽部分685包括第一凹槽部分685a和第二凹槽部分685b。該第一凹槽部分685a包括兩個傾斜部分，例如第一傾斜部分685c和第二傾斜部分685d。該第一凹槽部分685a的第一傾部分685c被凹切第一深度D1，并處于從該長側(cè)面部分671的在小開口部分674側(cè)邊上的四個點678朝向相應(yīng)的長側(cè)面部分671的大開口部分673的第一斜度上。該第一凹槽部分685a的第二傾斜部分685d被凹切第二深度D2，并處于比第一斜度小的第二斜度上，同時與第一凹槽部分685a的第一傾斜部分685c相連接。
此處，該第一和第二斜度就是該第一和第二傾斜部分685c、685d的從相應(yīng)的點678在長側(cè)面部分671中軸線681成正交方向上的長度(亦即該第一和第二傾斜部分的水平分量)相對于該第一和第二傾斜部分685c、685d的在平行于該長側(cè)面部分671中軸線681方向上的長度(即該第一和第二傾斜部分的垂直分量)的比率的絕對值。該第一傾斜部分685的第一斜度具有一無窮大值。該角度θ2是在該點678處相對于軸線683的夾角，并且其大于0度和小于90度。該第一傾斜部分685c的相應(yīng)角度為0度。
該第二凹槽部分685b被以一個圓形，例如U形結(jié)構(gòu)朝向該長側(cè)面部分671的大開口部分673凹切第三深度D3，并與第一凹槽部分685a的第二傾斜部分685d相連接。該U形的第二凹槽部分685b被形成以集中比短側(cè)面部分672更多的磁通量在長側(cè)面部分671上。
另一方面，該短側(cè)面部分672的凹槽部分676包括第三凹槽部分676a和第四凹槽部分676b。該第三和第四凹槽部分676a、676b被與本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的第三和第四凹槽部分相同的方式構(gòu)造。因此，該第三和第四凹槽部分676a、676b的詳細描述就在這一部分中省去了。
圖7a是按照本發(fā)明的第三優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽示意圖。圖7b是圖7a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分示意圖。圖7c是圖7a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖。這些相同的標(biāo)號所指示的構(gòu)件在它們的結(jié)構(gòu)和功能方面和本發(fā)明第一優(yōu)選實施例中那些相同標(biāo)號的構(gòu)件是一樣的。
參見圖7a、7b和7c，本發(fā)明第三優(yōu)選實施例的內(nèi)部屏蔽870其有凹槽部分695，其是從本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的長側(cè)面部分671的凹槽部分675修改而成，并具有與本發(fā)明第一優(yōu)選實施例相同短側(cè)面部分672的凹槽部分676。該長側(cè)面部分671的凹槽部分695包括第一凹槽部分695a和第二凹槽部分695b。該第一凹槽部分695a僅包括一個傾斜部分，即第一傾斜部分695c。該第一凹槽部分695a的第一傾斜部分695c被凹切第五深度D5并處于從該長側(cè)面部分671的在小開口部分674側(cè)邊上的四個點678朝向該相應(yīng)的長側(cè)面部分671的大開口部分673的第一斜度上。
此處，該第一斜度就是該第一傾斜部分695c的從相關(guān)點678起在與長側(cè)面部分671中軸線681成正交角的方向上的長度(即該第一傾斜部分的水平分量)相對該第一傾斜部分695c的在平行于該所述長側(cè)面部分671中軸線681的方向上的長度即(所述第一傾斜部分的垂直分量)的比率的絕對值。該角θ5是在該點678處相對的軸線683的夾角，并且其大于0和小于90度。
該第二凹槽部分695b被以一個圓形例如U形結(jié)構(gòu)朝向長側(cè)面部分671的大開口部分673凹切第三深度D3，并與該第一凹槽部分695a的第一傾斜部分695c相連接。該U形的第二凹槽部分695b被形成以集中比短側(cè)面部分672更多的磁通量于該長側(cè)面部分671上。此處，作為優(yōu)選，該長側(cè)面部分671凹槽部分695的深度，亦即該第五深度D5和第三深度D3的總和，是該長側(cè)面部分671的高度的50％到70％的范圍內(nèi)。
另一方面，該短側(cè)面部分672的凹槽部分676包括第三凹槽部分676a和第四凹槽部分676b。該第三和第四凹槽部分676a、676b是和本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的第三和第四凹槽部分的相同方式構(gòu)造的。于是，這第三和第四凹槽部分676a、676b的詳細說明就在這一部分中省去了。
如上面所述，按照本發(fā)明第一、第二和第三實施例的內(nèi)部屏蔽包括第一凹槽部分，其在長側(cè)面部分的小開口部分側(cè)邊上，并具有一個或多個斜度；以及第二凹槽部分，其為U形，并與第一凹槽部分連接。結(jié)果，本發(fā)明內(nèi)部屏蔽可以使得源于大地磁場或外部電路的不希望磁場集中在長側(cè)面部分上和角部分上而不在短側(cè)面部分上。因此，源自大地磁場或外部電路的不希望磁場可通過該內(nèi)部屏蔽相對電子射束通行而被有效地屏蔽隔離。
圖8a是按照本發(fā)明第四優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽示意圖。圖8b是圖8a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分的示意圖。圖8c是圖8a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分的示意圖。相同的標(biāo)號所指示的構(gòu)件在它們的結(jié)構(gòu)和功能方面和那些在本發(fā)明第一優(yōu)選實施例中相同標(biāo)號的構(gòu)件是相同的。
參見圖8a，圖8b和圖8c，按照本發(fā)明第四優(yōu)選實施例的內(nèi)部屏蔽970具有凹槽部分686，其由本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的該短側(cè)面部分672的凹槽部分676修改而成，并且具有和本發(fā)明第一優(yōu)選實施例一樣的長側(cè)面部分671的凹槽部分675。該短側(cè)面部分672的凹槽部分686包括第三凹槽部分686a和第四凹槽部分686b。該第三凹槽部分686a被以第三斜度從該短側(cè)面部分672的在小開口部分674側(cè)邊上的四個點678朝向該相應(yīng)的短側(cè)面部分672的大開口部分673凹切為第6深度D6。該第四凹槽部分686b被以第四斜度0凹切并與第三凹槽部分686a相連接。
此處，該第三和第四斜度就是該第三和第四凹槽部分從相應(yīng)點678在與該短側(cè)面部分672的中軸線691成正交角的方向上的長度(即該第三和第四傾斜部分的水平分量)相對該第三和第四傾斜部分686a、686b在平行于該短側(cè)面部分672的中軸線691的方向上的長度(即該第三和第四傾斜部分的垂直分量)的比率的絕對值。該第三凹槽部分686a的第三斜度具有一無窮大值。該第三凹槽部分686a的角度是在該圖中為0度。該0度角度是在所述點678處相對于該短側(cè)面部分672的軸線693的夾角。此處，作為優(yōu)選，該短側(cè)面部分672的凹槽部分686的深度即第六深度D6是在該短側(cè)面部分672的高度的20％到40％的范圍內(nèi)。
另一方面，該長側(cè)面部分671的凹槽部分675包括該含有第一和第二傾斜部分675c、675d的第一凹槽部分675a和第二凹槽部分675b。該第一凹槽部分675a和第二凹槽部分675b被構(gòu)造為和本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的所述第一和第二凹槽部分是相同的結(jié)構(gòu)方式。為避免重復(fù)說明，該凹槽部分675的詳細描述就在此省去了。只在附圖中描繪了該凹槽部分675以為解釋方便。然而，顯而易見的是，本發(fā)明的第二和第三優(yōu)選實施例的所述凹槽部分685、695都可適合于替代這個凹槽部分675。
圖9a是按照本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽示意圖。圖9b是圖9a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分示意圖。圖9c是圖9a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖。相同標(biāo)號所揭示的構(gòu)件在它們的結(jié)構(gòu)和功能方面與那些在本發(fā)明第一優(yōu)選實施例中相同標(biāo)號的構(gòu)件是相同的。
參見圖9a、9b和9c，按照本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的內(nèi)部屏蔽980具有第三凹槽部分696，其由本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的所述短側(cè)面部分672的凹槽部分676修改而成，并且還具有與本發(fā)明第一優(yōu)選實施例相同的所述長側(cè)面部分671的同樣凹槽部分675。該短側(cè)面部分672的第三凹槽部分696被以第三斜度從該短側(cè)面部分672的在小開口部分674側(cè)邊上的所述四點678朝向該相應(yīng)短側(cè)面部分672的大開口部分673凹切到第七深度D7，從而形成該V形結(jié)構(gòu)。該第三凹槽部分696在朝大開口部分671的那側(cè)上具有一銳利點。此處，產(chǎn)生該V形結(jié)構(gòu)的第三凹槽部分696以集中比在短側(cè)面部分672上更多的磁通量于角部分671處。
此處，該第三斜度就是該第三凹槽部分696從相關(guān)點678在與該短側(cè)面部分672中軸線691成正交角的方向上的長度(即該第三傾斜部分的水平分量)相對于該第三凹槽部分696在平行于該短側(cè)面部分672中軸線691的方向上的長度(即該第三傾斜部分的垂直分量)的比率的絕對值。該角度θ5就是在所述點678處相對于軸線693的夾角。此處，作為優(yōu)選，該短側(cè)面部分672的凹槽部分696的深度，即第七深度D7是在該短側(cè)面部分672的高度的20％到40％的范圍內(nèi)。
另一方面，該長側(cè)面部分671的凹槽部分675包括該含有第一和第二傾斜部分675c、675d的第一凹槽部分675a和第二凹槽部分675b。該第一凹槽部分675a和第二凹槽部分675b以與本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的所述第一和第二凹槽部分相同的方式被構(gòu)造。為了避免重復(fù)說明，該凹槽部分675的詳細描述就在此省略了。僅在附圖中描繪了該凹槽部分675以方便解釋。然而，明顯的是，本發(fā)明的第二和第三優(yōu)選實施例的所述凹槽部分685、695都能適于替代該凹槽部分675。
圖10a是按照本發(fā)明第六優(yōu)選實施例的一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽示意圖。圖10b是圖10a的內(nèi)部屏蔽的一長側(cè)面部分示意圖。圖10c是圖10a的內(nèi)部屏蔽的一短側(cè)面部分示意圖。相同標(biāo)號所指示的構(gòu)件在它們的結(jié)構(gòu)和功能方面與那些在本發(fā)明第五優(yōu)選實施例中相同標(biāo)號的構(gòu)件是相同的。
參見圖10a、圖10b和圖10c，按照本發(fā)明第六優(yōu)選實施例的內(nèi)部屏蔽990具有第三凹槽部分706，其由本發(fā)明第五優(yōu)選實施例的所述短側(cè)面部分672的第三凹槽部分696修改而成和具有與本發(fā)明第一優(yōu)選實施例一樣的所述長側(cè)面部分671的凹槽部分675。該短側(cè)面部分672的第三凹槽部分706被以第三斜度從該短側(cè)面部分672的在小開口部分674的側(cè)邊上的所述四個點678朝向該相應(yīng)短側(cè)面部分672的大開口部分673凹切到第八深度D8，于是形成該V形結(jié)構(gòu)。
此處，該第三斜度是該第三凹槽部分706的在與該短側(cè)面部分672的中軸線691成正交角的方向上的長度(即該第三傾斜部分的水平分量)相對于該第三凹槽部分706的在平行于該短側(cè)面部分672中軸線691的方向上的長度(即該第三傾斜部分的垂直分量)的比率的絕對值。該夾角θ5是在點678處相對于軸線693的夾角。此處，作為優(yōu)選，該短側(cè)面部分672的凹槽部分706的深度即第八深度D8，是在該短側(cè)面部分672的高度的20％到40％的范圍內(nèi)。
雖然這個將磁通量集中在尖頭的或銳利的角部分上的原理被應(yīng)用在該第三凹槽部分706上，但是在制造一內(nèi)部屏蔽時有效地形成本發(fā)明的第五優(yōu)選實施例的尖頭部分697是困難的。另外，即使該尖頭部分被成功地制成了，但是這樣尖頭部分在成批生產(chǎn)期間也容易被彎曲或被折損。于是，為了提高工作效能，作為優(yōu)選可修改這種尖頭部分697以變成一個具有一定曲率R的圓角頂部707。
另一方面，該長側(cè)面部分671的凹槽部分675包括該含有第一和第二傾斜部分675c、675d的第一凹槽部分675a和第二凹槽部分675b。該第一凹槽部分675a和所述第二凹槽部分675b被以與本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的第一和第二凹槽部分相同的方式構(gòu)成。為了避免重復(fù)說明，該凹槽部分675的詳細闡述就在此省略了。僅在附圖中，描繪了該凹槽部分675以方便解釋。然而，顯而易見的是，本發(fā)明第二和第三優(yōu)選實施例的所述凹槽部分685、695可適合于替換該凹槽部分675。
如上面已述的，按照本發(fā)明第四、五和六實施例的內(nèi)部屏蔽在短側(cè)面部分的小開口部分側(cè)邊上包含V形凹槽。結(jié)果，這種內(nèi)部屏蔽可以導(dǎo)致源自大地磁場或外部電路的不希望磁場集中在長側(cè)面部分上和角部分上而不是在短側(cè)面部分上。因此，源自大地磁場或外部電路的不希望磁場就能有效地被相對內(nèi)部屏蔽中的電子射束通行區(qū)進行屏蔽。
為了檢驗本發(fā)明內(nèi)部屏蔽的特征，在上述的各種內(nèi)部屏蔽中，選取一種這樣的內(nèi)部屏蔽，其長側(cè)面部分的凹槽部分具有U形的第二凹槽部分而其短側(cè)部分的凹槽部分為V形結(jié)構(gòu)。然后，制造一個配裝了所述選定的內(nèi)部屏蔽的彩色陰極射線管，之后在所述管件分別被轉(zhuǎn)到南向、北向和西向的情況下，測試三個電子射束紅、蘭和綠的著靶變化。
換句話說，在轉(zhuǎn)向北的情況下，測量紅、蘭和綠電子射束在頂部-左邊位置TL，頂部-右邊位置TR，頂部-中央位置TC，底部-左邊位置BL，底部-右邊位置BR，底部-中央BC，中部-左邊位置ML和中部-右邊位置MR處的著靶變化水平方向上為H和垂直方向上為V。而且以相同方式測出比較者的內(nèi)部屏蔽A、B、C的著靶變化。上述測量結(jié)果被描繪在圖11中。
在轉(zhuǎn)向南的情況下，測量紅、蘭和綠電子射束在頂部-左邊位置TL，頂部-右邊位置TR，頂部-中央位置TC，底部-左邊位置BL，底部-右邊位置BR，底部-中央位置BC，中部-左邊位置ML和中部-右邊位置MR處的著靶變化水平方向為H和垂直向為V。而且以相同方式測出比較者的內(nèi)部屏蔽A、B和C的著靶變化。上述測量結(jié)果描繪在圖12中。
另外，在轉(zhuǎn)向西的情況下，測量紅、蘭和綠電子射束在頂部-左邊位置TL，頂部-右邊位置TR，頂部-中央位置TC，底部-左邊位置BL，底部-右邊位置BR，底部-中央位置BC，中部-左邊位置ML和中部-右邊位置MR處的著靶變化水平向為H和垂直向為V。而且以相同方式測量比較者的內(nèi)部屏蔽A、B和C的著靶變化。上述測量結(jié)果在圖13中。
如圖11、12和13所示，本發(fā)明內(nèi)部屏蔽具有相比傳統(tǒng)的比較者的內(nèi)部屏蔽A、B和C為超優(yōu)的特性。
總的在本發(fā)明內(nèi)部屏蔽中，源于大地磁場或外部電路的不希望的磁場能被集中在該長側(cè)面部分上和角部分上而不是短側(cè)面部分上。因此，通過本發(fā)明內(nèi)部屏蔽使得源于大地磁場或外部電路時不希望磁場就能有效地相對電子射束通行任被屏蔽了。
因此，本發(fā)明通過減少電子射束從正常軌道上脫離就可防止失誤著靶。另外，還可防止彩色純度的降級并由此可獲得高質(zhì)量的圖象。
工業(yè)實用性如上所述，按照本發(fā)明的彩色陰極射線管用的內(nèi)部屏蔽包括在該長側(cè)面部分的小開口部分側(cè)邊上的具有一個或多個傾斜部分的凹槽部分以及U形凹槽部分。另外在該短側(cè)面部分的小開口部分側(cè)邊上，形成V形凹槽部分。
結(jié)果，與在短側(cè)面部分上相比有更多的磁通量集中在長側(cè)面部分和角部分上。于是，紅、蘭和綠電子射束就可以有效地被相對于源于大地磁場或外部電路的不希望的磁場進行屏蔽。因此，失誤著靶被防止了。另外，還防止了色純度的降級和進而可獲得高質(zhì)量的圖象。
本發(fā)明不局限于上面所述的本發(fā)明的詳細描述及相關(guān)附圖上。而是，顯而易見，本領(lǐng)域里的普通技術(shù)人員可以各種方式對本發(fā)明修改和變型，但仍在不超出所附權(quán)利要求書的要求的本發(fā)明實質(zhì)內(nèi)容的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于彩色陰極射線管的內(nèi)部屏蔽，包括兩個相互面對的長側(cè)面部分和兩個相互面對的短側(cè)面部分，它們在一電子槍側(cè)形成一小開口部分并且在一面板側(cè)形成一大開口部分；還包括多個第一凹槽部分，其被以一個或多個斜度從所述長側(cè)面部分的在小開口部分側(cè)邊上的每個對角點朝向所述長側(cè)面部分的一大開口部分凹切一給定深度；和多個第二凹槽部分，其被以一個圓形形狀凹切一給定深度，且第二凹槽部分與所述第一凹槽部分相連接；其中所述斜度對應(yīng)于所述第一凹槽部分在所述長側(cè)面部分的中軸線方向上的長度相對于所述第一凹槽部分在與所述長側(cè)面部分的中軸線成直角方向上的長度的比率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽，其特征在于所述斜度的絕對值隨著所述第一凹槽部分變得遠離所述長側(cè)面部分的所述小開口部分的側(cè)邊和更接近所述長側(cè)面部分的所述大開口部分的側(cè)邊而變小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)部屏蔽，其特征在于所述第一凹槽部分的每一個包括具有第一斜度的第一傾斜部分和具有第二斜度的第二傾斜部分，所述第二斜度的絕對值小于所述第一斜度的絕對值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)部屏蔽，其特征在于所述第一傾斜部分的所述第一斜度具有一無窮大值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)部屏蔽，其特征在于所述第二凹槽部分是U形結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的內(nèi)部屏蔽，其特征在于包括有多個第三凹槽部分，其被以第三斜度從所述短側(cè)面部分的在所述小開口部分的側(cè)邊上的每個對角點朝向所述短側(cè)面部分的所述大開口部分的側(cè)邊凹切一給定深度，其中所述第三斜度是所述第三凹槽部分在所述短側(cè)面部分的中軸線方向上的長度相對于所述第三凹槽部分在與所述短側(cè)面部分的中軸線成正交方向上的長度的比率；以及多個第四凹槽部分，其被以是零的第四斜度凹切并與所述第三凹槽部分相連接；其中，所述第三和第四斜度就是所述第三和第四凹槽部分在所述短側(cè)面部分的中軸線方向上的長度相對于所述第三和第四凹槽部分在與所述短側(cè)面部分的中軸線成正交方向上的長度的比率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的內(nèi)部屏蔽，其特征在于所述第三凹槽部分的所述第三斜度具有一無窮大值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的內(nèi)部屏蔽，其特征在于包括有所述第三凹槽部分，其是從所述短側(cè)面部分在小開口部分的側(cè)邊上的每個對角點朝向所述短側(cè)面部分的大開口部分側(cè)邊被凹切為V形結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的內(nèi)部屏蔽，其特征在于所述第三凹槽部分的在所述大開口部分側(cè)的每個尖角部分具有一給定的曲率。
全文摘要
本發(fā)明涉及一彩色陰極射線管用內(nèi)部屏蔽。其具有兩個長側(cè)面部分和兩個短側(cè)面部分。兩個長側(cè)面部分的每一個具有一開口部分，該開口部分包括一傾斜部分和U形凹槽邊緣。另外，該開口部分可以包括一垂直部分和U形的凹槽邊緣。兩個短側(cè)面部分的每一個具有一V形開口部分。本發(fā)明的內(nèi)部屏蔽能夠可靠地屏蔽不期望的外部磁場。
文檔編號H01J29/06GK1483215SQ01813322
公開日2004年3月17日 申請日期2001年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月24日
發(fā)明者金亨珍 申請人:Orion電氣株式會社