專利名稱：偏轉(zhuǎn)線圈及其使用的過飽和扼流圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種安裝在電視顯像管或顯示裝置等的陰極射線管(CRT)內(nèi)的偏轉(zhuǎn)線圈，特別是涉及一種改進用于調(diào)焦、校正光柵失真的過飽和扼流圈的結(jié)構(gòu)的偏轉(zhuǎn)線圈。
背景技術(shù)：
眾所周知，在偏轉(zhuǎn)線圈中，為了提高會聚特性、獲得沒有光柵失真的偏轉(zhuǎn)特性，而裝備了各種校正部件。過飽和扼流圈是偏轉(zhuǎn)校正部件的一個。作為一個例子，特開2000-173497公報上記載了一種具有過飽和扼流圈的偏轉(zhuǎn)線圈。
圖35是表示記載在上述公報上的過飽和扼流圈的俯視圖。在圖35中，飽和控制線圈22繞在鼓形鐵心21上。在該鼓形鐵心21的兩個外側(cè)配置有作為鼓形鐵心的過飽和鐵心23a～23d，在過飽和鐵心23a～23d上分別繞有阻抗控制線圈24a～24d。在過飽和鐵心23a～23d的兩個外側(cè)配置有施加磁偏置的磁鐵25a、25b。
如圖35所示的過飽和扼流圈其連接如圖36所示。阻抗控制線圈24a～24d全部串聯(lián)連接，該阻抗控制線圈24a～24d與并聯(lián)連接的水平偏轉(zhuǎn)線圈12a、12b串聯(lián)連接。飽和控制線圈22與串聯(lián)連接的一對垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b串聯(lián)連接。根據(jù)上述連接，如圖35所示的過飽和扼流圈可以校正如圖37所示的在屏幕左右方向的中央和左右端部的各大致中央部位發(fā)生的縱向光柵的枕形失真。
如圖35所示的現(xiàn)有過飽和扼流圈將飽和控制線圈22和阻抗控制線圈24a～24d繞在鼓形鐵心21以及過飽和鐵心23a～23d等五個鼓形鐵心上，它們與兩個磁鐵25a、25b共同組裝在盒體內(nèi)，從而存在部件數(shù)量多、耗費大量組裝工時的問題。此外，即使過飽和扼流圈安裝在偏轉(zhuǎn)線圈上之后，也必須對從五個線圈引出的電線進行如圖36所示的連線，從而存在導致組裝工時增多的問題。由此，具有如圖35所示的過飽和扼流圈的偏轉(zhuǎn)線圈存在成本升高的問題。
本發(fā)明就是鑒于上述問題而提出的，其目的是提供一種低成本的過飽和扼流圈以及使用該過飽和扼流圈的偏轉(zhuǎn)線圈，該偏轉(zhuǎn)線圈具有與現(xiàn)有技術(shù)同等以上的偏轉(zhuǎn)校正特性，同時減少了部件數(shù)量和組裝工時。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明具有以下構(gòu)成。
(a)一種偏轉(zhuǎn)線圈，具有水平偏轉(zhuǎn)線圈12a、12b，垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b以及用于校正偏轉(zhuǎn)特性的過飽和扼流圈，其特征在于，上述過飽和扼流圈由以下部件構(gòu)成至少一個過飽和鐵心1、1a、1b；阻抗控制線圈2a、2b，繞在上述過飽和鐵心上，與上述水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；至少一個磁鐵5、5a、5b，對上述過飽和鐵心施加磁偏置；磁心3，與上述過飽和鐵心和上述磁鐵共同形成封閉磁路；飽和控制線圈4，繞在上述磁心上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流。此外，還具有使上述飽和控制線圈產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)飽和控制磁場的方向在屏幕上側(cè)偏轉(zhuǎn)時和屏幕下側(cè)偏轉(zhuǎn)時的方向相同的裝置8、9、10。
(b)一種過飽和扼流圈，用于校正偏轉(zhuǎn)特性，其特征在于，由以下部件構(gòu)成至少一個過飽和鐵心1a、1b；阻抗控制線圈2a、2b，繞在上述過飽和鐵心上，與水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；至少一個磁鐵5、50，對上述過飽和鐵心施加磁偏置；磁心3，與上述過飽和鐵心和上述磁鐵共同形成封閉磁路；線圈架14，安裝在上述磁心上；飽和控制線圈4，繞在上述線圈架上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流；盒體20，容納繞有上述阻抗控制線圈的上述過飽和鐵心和上述磁鐵。上述磁心和繞有上述飽和控制線圈的上述線圈架構(gòu)成第一部件100，該第一部件安裝在上述盒體內(nèi)。
(c)一種偏轉(zhuǎn)線圈，具有水平偏轉(zhuǎn)線圈12a、12b，垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b以及用于校正偏轉(zhuǎn)特性的過飽和扼流圈，其特征在于，上述過飽和扼流圈由以下部件構(gòu)成至少一個過飽和鐵心1a、1b；阻抗控制線圈2a、2b，繞在上述過飽和鐵心上，與水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；至少一個磁鐵5、50，對上述過飽和鐵心施加磁偏置；磁心3，與上述過飽和鐵心和上述磁鐵共同形成封閉磁路；線圈架14，安裝在上述磁心上；飽和控制線圈，繞在上述線圈架上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流；盒體20，容納繞有上述阻抗控制線圈的上述過飽和鐵心和上述磁鐵。上述磁心和繞有上述飽和控制線圈的上述線圈架構(gòu)成第一部件100，該第一部件安裝在上述盒體內(nèi)。此外，還具有使上述飽和控制線圈產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)飽和控制磁場的方向在屏幕上側(cè)偏轉(zhuǎn)時和屏幕下側(cè)偏轉(zhuǎn)時的方向相同的裝置8、9、10。


圖1是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第一實施方式的俯視圖。
圖2是表示如圖1所示的第一實施方式的連接示例的電路圖。
圖3是表示如圖1所示的第一實施方式的連接示例的電路圖。
圖4是表示用于說明在本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈中使用的過飽和扼流圈的動作的屏幕上的偏轉(zhuǎn)點的圖。
圖5是用于說明在本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈中使用的過飽和扼流圈的動作的特性圖。
圖6是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第二實施方式的俯視圖。
圖7是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第三實施方式的俯視圖。
圖8是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第四實施方式的俯視圖。
圖9是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第五實施方式的俯視圖。
圖10是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第六實施方式的俯視圖。
圖11是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第七實施方式的俯視圖。
圖12是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第八實施方式的俯視圖。
圖13是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第九實施方式的俯視圖。
圖14是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十實施方式的俯視圖。
圖15是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的十一實施方式的俯視圖。
圖16是表示在屏幕左右方向的中央發(fā)生的弓形失真的圖。
圖17是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十二實施方式的俯視圖。
圖18是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十三實施方式的俯視圖。
圖19是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十四實施方式的俯視圖。
圖20是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十五實施方式的俯視圖。
圖21是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十六實施方式的俯視圖。
圖22是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十七實施方式的俯視圖。
圖23是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十八實施方式的俯視圖。
圖24是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十九實施方式的基本構(gòu)成的俯視圖。
圖25是表示作為第十九實施方式的過飽和扼流圈的一部分的第一部件100的透視圖。
圖26是表示作為第十九實施方式的過飽和扼流圈的一部分的第一部件100的透視圖。
圖27是表示作為第十九實施方式的過飽和扼流圈的一部分的第一部件100的俯視圖。
圖28是表示作為第十九實施方式的過飽和扼流圈的一部分的盒體20的透視圖。
圖29是表示作為第十九實施方式的過飽和扼流圈的一部分的盒體20的透視圖。
圖30是表示將第一部件100向盒體20內(nèi)安裝的中途的狀態(tài)的透視圖。
圖31是表示已將第一部件100安裝在盒體20內(nèi)的狀態(tài)的透視圖。
圖32是表示對圖31的狀態(tài)組裝了其他部件的狀態(tài)的透視圖。
圖33是表示第十九實施方式的過飽和扼流圈整體的透視圖。
圖34是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第二十實施方式的透視圖。
圖35是表示現(xiàn)有的過飽和扼流圈的分解透視圖。
圖36是表示現(xiàn)有的過飽和扼流圈的連接實例的電路圖。
圖37是表示縱向光柵的枕形失真的圖。
具體實施例方式
以下參照附圖，對本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈進行說明。圖1是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第一實施方式的俯視圖，圖2和圖3是表示如圖1所示的第一實施方式的連接示例的電路圖，圖4是表示用于說明在本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈中使用的過飽和扼流圈的動作的屏幕上的偏轉(zhuǎn)點的圖，圖5是用于說明在本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈中使用的過飽和扼流圈的動作的特性圖，圖6～圖15是分別表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第二～第十一實施方式的俯視圖，圖16是表示在屏幕左右方向的中央發(fā)生的弓形失真，圖17～圖23是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十二～第十八實施方式的俯視圖，圖24是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第十九實施方式的基本構(gòu)成的俯視圖，圖25和圖26是表示作為第十九實施方式的過飽和扼流圈的一部分的第一部件100的透視圖，圖27是表示作為第十九實施方式的過飽和扼流圈的一部分的第一部件100的俯視圖，圖28和圖29是表示作為第十九實施方式的過飽和扼流圈的一部分的盒體20的透視圖，圖30是表示將第一部件100向盒體20內(nèi)安裝的中途狀態(tài)的透視圖，圖31是表示已將第一部件100安裝在盒體20內(nèi)狀態(tài)的透視圖，圖32是表示對圖31的狀態(tài)組裝了其他部件狀態(tài)的透視圖，圖33是表示第十九實施方式的過飽和扼流圈整體的透視圖，圖34是表示用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第二十實施方式的透視圖。在圖2和圖3中與圖36相同的部分標以相同的標號。(第一實施方式)在圖1中，在作為鼓形鐵心的過飽和鐵心1a、1b上分別繞有阻抗控制線圈2a、2b。在過飽和鐵心1a、1b之間配置有產(chǎn)生磁偏置的磁鐵5。過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5配置在大致為コ字狀的磁心3的兩個腳部31、32之間。磁心3的軀干30上繞有飽和控制線圈4。通過過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5以及磁心3，形成封閉磁路6。
如圖1所示的第一實施方式的過飽和扼流圈的連接如圖2和圖3所示。首先，在圖2中，阻抗控制線圈2a、2b串聯(lián)連接，該阻抗控制線圈2a、2b與并聯(lián)連接的水平偏轉(zhuǎn)線圈12a、12b串聯(lián)連接。流過水平偏轉(zhuǎn)線圈12a、12b的水平偏轉(zhuǎn)電流全部流過阻抗控制線圈2a、2b。
飽和控制線圈4與二極管電橋電路8的輸出(兩個輸出端子之間)連接，該二極管電橋電路8與串聯(lián)連接的一對垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b串聯(lián)連接。二極管電橋電路8同與垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b串聯(lián)連接的電阻7是并聯(lián)連接的。流過垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b的垂直偏轉(zhuǎn)電流幾乎全部流過飽和控制線圈4。
二極管電橋電路8是使飽和控制線圈4產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)飽和控制磁場在屏幕上側(cè)偏轉(zhuǎn)和屏幕下側(cè)偏轉(zhuǎn)時方向相同的裝置。飽和控制線圈4產(chǎn)生的磁場被設(shè)定為與磁鐵5產(chǎn)生的磁場方向相反。此外，阻抗控制線圈2a、2b卷繞成使其產(chǎn)生彼此方向相反的磁場。
接下來，對圖3所示的連接示例進行說明。阻抗控制線圈2a、2b與圖2同樣串聯(lián)連接，該阻抗控制線圈2a、2b與并聯(lián)連接的水平偏轉(zhuǎn)線圈12a、12b串聯(lián)連接。流過水平偏轉(zhuǎn)線圈12a、12b的水平偏轉(zhuǎn)電流全部流過阻抗控制線圈2a、2b。
飽和控制線圈4由將兩根電線成雙股狀纏繞在一起的兩個線圈構(gòu)成。彼此方向相反的二極管9、10與該兩個飽和控制線圈4串聯(lián)連接。兩個飽和控制線圈4和二極管9、10與串聯(lián)連接的一對垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b串聯(lián)連接。兩個飽和控制線圈4和二極管9、10的串聯(lián)電路同與垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b串聯(lián)連接的電阻7是并聯(lián)連接的。流過垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b的垂直偏轉(zhuǎn)電流幾乎全部流過飽和控制線圈4。
二極管9、10是使飽和控制線圈4產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)飽和控制磁場在向屏幕上側(cè)偏轉(zhuǎn)和向屏幕下側(cè)偏轉(zhuǎn)時方向相同的裝置。與圖2相同，飽和控制線圈4產(chǎn)生的磁場被設(shè)定為與磁鐵5產(chǎn)生的磁場方向相反，阻抗控制線圈2a、2b卷繞成使其產(chǎn)生彼此方向相反的磁場。圖2和圖3的過飽和扼流圈的動作相同。
以下參照圖4和圖5，對該過飽和扼流圈的動作進行說明。圖4表示CRT的屏幕上的偏轉(zhuǎn)位置。圖5的橫軸H表示施加在繞有阻抗控制線圈2a、2b的過飽和鐵心1a、1b上的磁場，縱軸L表示阻抗控制線圈2a、2b的電感。圖4的C點，即當向屏幕的中心偏轉(zhuǎn)時，水平偏轉(zhuǎn)電流和垂直偏轉(zhuǎn)電流均未流過，所以只有磁鐵5產(chǎn)生的磁場HDC產(chǎn)生作用，阻抗控制線圈2a、2b的動作點為圖5的P1。
當向圖4的MR點偏轉(zhuǎn)時，由于阻抗控制線圈2a、2b卷繞成使其產(chǎn)生的磁場HM彼此方向相反，所以阻抗控制線圈2a的動作點為Ma1，阻抗控制線圈2b的動作點為Mb1。當向圖4的R點偏轉(zhuǎn)時，由于阻抗控制線圈2a、2b產(chǎn)生的磁場HR的作用，阻抗控制線圈2a的動作點為Ra1，阻抗控制線圈2b的動作點為Rb1。
接下來，當向圖4的T點偏轉(zhuǎn)時，由于不流過水平偏轉(zhuǎn)電流，此外如上所述，由垂直偏轉(zhuǎn)電流而使飽和控制線圈4產(chǎn)生的磁場HV與磁鐵5產(chǎn)生的磁場HDC方向相反，所以動作點為P2。當向圖4的TTR點偏轉(zhuǎn)時，阻抗線圈2a的動作點為Ma2，阻抗線圈2b的動作點為Mb2。同樣，當向圖4的TR點偏轉(zhuǎn)時，阻抗線圈2a的動作點為Ra2，阻抗線圈2b的動作點為Rb2。
因此，圖4的各偏轉(zhuǎn)點的過飽和扼流圈的電感為MR點的電感LMR＝Ma1+Mb1R點的電感LR＝Ra1+Rb1TTR點的電感LTTR＝Ma2+Mb2TR點的電感LTR＝Ra2+Rb2由于LTR＞LR，所以圖4的TR點的水平偏轉(zhuǎn)量小于圖4的R點的水平偏轉(zhuǎn)量，從而左右端部的縱線光柵的枕形失真減小。同樣，由于LTTR＞LMR，所以圖4的TTR點的水平偏轉(zhuǎn)量小于圖4的MR點的水平偏轉(zhuǎn)量，從而中央與左右端部之間的大致中央部分的縱線光柵的枕形失真也減小。此時，由于(LTTR-LMR)＞(LTR-LR)，所以中央與左右端部之間的大致中央部分比左右端部的改善量大，從而可以校正圖37所示的縱線光柵的枕形失真。(第二實施方式)參照圖6，對用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第二實施方式進行說明。在圖6中，對與圖1實質(zhì)上相同的部分標以相同的標號。在圖6中，繞有阻抗控制線圈2a、2b的過飽和鐵心1a、1b在圖6的上下方向上并列配置，在其一側(cè)(這里為右側(cè))配置有磁鐵5。過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5配置在大致為コ字形的磁心3的兩個腳部31、32之間。磁心3的軀干30上繞有飽和控制線圈4。通過過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5以及磁心3，形成封閉磁路6。
如圖6所示的過飽和扼流圈的連接與圖2和圖3相同。根據(jù)該第二實施方式，也可以校正圖37所示的縱線光柵的枕形失真。(第三實施方式)參照圖7，對用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第三實施方式進行說明。在圖7中，對與圖1實質(zhì)上相同的部分標以相同的標號。在圖7中，過飽和鐵心1具有與兩個鼓形鐵心形成一個整體的形狀，兩個繞線部分上繞有阻抗控制線圈2a、2b。在過飽和鐵心1的一側(cè)(這里為右側(cè))配置有磁鐵5。過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5配置在大致為コ字形的磁心3的兩個腳部31、32之間。磁心3的軀干30上繞有飽和控制線圈4。通過過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5以及磁心3，形成封閉磁路6。
如圖7所示的過飽和扼流圈的連接與圖2或圖3相同。根據(jù)該第三實施方式，也可以校正圖37所示的縱線光柵的枕形失真。(第四實施方式)參照圖8，對用于本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的過飽和扼流圈的第四實施方式進行說明。在圖8中，對與圖1實質(zhì)上相同的部分標以相同的標號。在圖8中，繞有阻抗控制線圈2a、2b的過飽和鐵心1a、1b在圖8的左右方向上并列配置，并且配置有磁鐵5a、5b，將上述過飽和鐵心1a、1b夾在中間。過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5a、5b配置在大致為コ字形的磁心3的兩個腳部31、32之間。磁心3的軀干30上繞有飽和控制線圈4。通過過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5a、5b以及磁心3，形成封閉磁路6。
如圖8所示的過飽和扼流圈的連接與圖2和圖3相同。根據(jù)該第四實施方式，也可以校正圖37所示的縱線光柵的枕形失真。
由于以上說明的第一～第四實施方式的過飽和扼流圈的任何一個都形成封閉磁路6，所以可以減少阻抗控制線圈的數(shù)量，減少磁鐵的數(shù)量，實現(xiàn)小型化。此外，也可以減少阻抗控制線圈和飽和控制線圈的匝數(shù)，減少使用的電線量。通過第一～第四實施方式的過飽和扼流圈，可以減少構(gòu)成部件，控制組裝工時和成本的上升，而且可以獲得優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的偏轉(zhuǎn)校正特性。因此，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈具有優(yōu)良的偏轉(zhuǎn)校正特性(枕形失真校正特性)，同時可實現(xiàn)低成本。
第一～第四實施方式的過飽和鐵心1、1a、1b與磁鐵5、5a、5b之間、過飽和鐵心1、1a、1b與磁心3之間，磁鐵5、5a、5b與磁心3之間既可以彼此接觸，如果在不明顯減小偏轉(zhuǎn)校正效果的范圍內(nèi)，也可以有若干間隙。本發(fā)明不限于以上說明的實施方式，在不違背本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，可以進行各種變更。
但是在以上說明的第一～第四實施方式中，作為磁心3的材質(zhì)，如果考慮成本和加工的難易程度，使用硅鋼板是有效的。在第一～第三實施方式中，由于磁心3與過飽和鐵心1、1a、1b接觸，或者非常接近，所以當使用金屬作為磁心3的材料時，通過過飽和鐵心1、1a、1b產(chǎn)生的水平偏轉(zhuǎn)周期的磁場，將在與磁心3的過飽和鐵心1、1a、1b接觸部分產(chǎn)生渦流而發(fā)熱。當該發(fā)熱成為問題時，可以對第一～第三實施方式進行若干改進，分別如下所述構(gòu)成。(第五實施方式)如圖9所示的第五實施方式是對如圖1所示的第一實施方式進行改進的實施方式，以不產(chǎn)生發(fā)熱問題。在圖9中，與圖1相同的部分標以相同的標號，并省略其說明。如圖9所示，在磁心3的腳部31、32和過飽和鐵心1a、1b之間插入由不易產(chǎn)生渦流的磁體構(gòu)成的磁塊11a、11b。作為一個優(yōu)選的例子，磁塊11a、11b由鐵氧體構(gòu)成。由于磁塊11a、11b介于磁心3的腳部31、32和過飽和鐵心1a、1b之間，所以可以減小在磁心3中產(chǎn)生的渦流，抑制發(fā)熱。而且磁塊11a、11b自身中也不產(chǎn)生渦流，從而磁塊11a、11b不發(fā)熱。
由于即使插入磁塊11a、11b也會保持閉合磁路6，所以對上述過飽和扼流圈的動作(失真的校正特性)沒有任何影響。根據(jù)該第五實施方式，與第一實施方式相比，在不減少失真的校正量的情況下，可以獲得30℃的溫度降低效果。(第六實施方式)如圖10所示的第六實施方式是對如圖6所示的第二實施方式進行改進的實施方式，以不產(chǎn)生發(fā)熱問題。在圖10中，與圖6相同的部分標以相同的標號，并省略其說明。如圖10所示，在磁心3的腳部31、32和過飽和鐵心1a、1b之間插入由不易產(chǎn)生渦流的磁體構(gòu)成的磁塊11。作為一個優(yōu)選的例子，磁塊11由鐵氧體構(gòu)成。由于磁塊11介于磁心3的腳部31、32和過飽和鐵心1a、1b之間，所以可以減小在磁心3中產(chǎn)生的渦流，抑制發(fā)熱。而且磁塊11自身中也不產(chǎn)生渦流，從而磁塊11不發(fā)熱。
由于即使插入磁塊11也會保持封閉磁路6，所以對上述過飽和扼流圈的動作(失真的校正特性)沒有任何影響。根據(jù)該第六實施方式，與第二實施方式相比，在不減少失真的校正量的情況下，可以獲得30℃的溫度降低效果。(第七實施方式)如圖11所示的第七實施方式是對如圖7所示的第三實施方式進行改進的實施方式，以不產(chǎn)生發(fā)熱問題。在圖11中，與圖7相同的部分標以相同的標號，并省略其說明。如圖11所示，在磁心3的腳部31和過飽和鐵心1之間插入由不易產(chǎn)生渦流的磁體構(gòu)成的磁塊11。由于磁塊11介于磁心3的腳部31和過飽和鐵心1之間，所以可以減小在磁心3中產(chǎn)生的渦流，抑制發(fā)熱。而且磁塊11自身中也不產(chǎn)生渦流，從而磁塊11不發(fā)熱。
由于即使插入磁塊11也會保持封閉磁路6，所以對上述過飽和扼流圈的動作(失真的校正特性)沒有任何影響。根據(jù)該第七實施方式，與第三實施方式相比，在不減少失真的校正量的情況下，可以獲得30℃的溫度降低效果。
在第五～第七實施方式中，使用鐵氧體作為磁塊11、11a、11b，但只要是不易產(chǎn)生渦流(或不產(chǎn)生渦流)的磁體，也可以使用其他的材料。當磁心3的材料使用鐵氧體等不產(chǎn)生渦流的材料時，由于不會發(fā)生發(fā)熱問題，所以在這種情況下，沒有必要特別采用第五～第七實施方式，而可以采用第一～第三實施方式。(第八實施方式)如圖12所示的第八實施方式是對如圖10所示的第六實施方式進行改進的實施方式，以獲得更好的溫度降低效果。在圖12中，與圖10相同的部分標以相同的標號，并省略其說明。如圖12所示，在磁心3的腳部31和過飽和鐵心1a、1b之間插入磁塊11a。此外，在磁心3的腳部32和磁鐵5之間也插入磁塊11b。
在第八實施方式中，由于磁鐵5以及磁塊11b介于磁心3的腳部32和過飽和鐵心1a、1b之間，所以可以減小在磁心3的腳部32中產(chǎn)生的渦流，與圖10所示的第六實施方式相比，可以進一步抑制發(fā)熱。根據(jù)該第八實施方式，與第二實施方式相比，在不減少失真的校正量的情況下，可以獲得36℃的溫度降低效果。其溫度降低效果比第六實施方式還要好6℃。(第九實施方式)如圖13所示的第九實施方式是如圖12所示的第八實施方式的變形例，其區(qū)別在于交換了磁鐵5和磁塊11b的位置。即，在過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5之間插入磁塊11b。該第九實施方式的溫度降低效果與第八實施方式大致相同。(第十實施方式)如圖14所示的第十實施方式是對如圖11所示的第七實施方式進行改進的實施方式，以獲得更好的溫度降低效果。在圖14中，與圖11相同的部分標以相同的標號，并省略其說明。如圖14所示，在磁心3的腳部31和過飽和鐵心1之間插入磁塊11a。此外，在磁心3的腳部32和磁鐵5之間插入磁塊11b。
在第十實施方式中，由于磁鐵5以及磁塊11b介于磁心3的腳部32和過飽和鐵心1之間，所以可以減小在磁心3的腳部32中產(chǎn)生的渦流，與圖11所示的第七實施方式相比，可以進一步抑制發(fā)熱。根據(jù)該第十實施方式，與第三實施方式相比，在不減少失真的校正量的情況下，可以獲得36℃的溫度降低效果。其溫度降低效果比第七實施方式還要好6℃。(第十一實施方式)如圖15所示的第十一實施方式是如圖14所示的第十實施方式的變形例，其區(qū)別在于交換了磁鐵5和磁塊11b的位置。即，在過飽和鐵心1和磁鐵5之間插入磁塊11b。該第十一實施方式的溫度降低效果與第十實施方式大致相同。
但是，最近的顯示裝置還組合有各種光柵失真校正功能。由于該光柵失真校正功能而造成的屏幕左右的校正特性的非對稱性等，所以如圖16(A)、(B)所示，會在屏幕左右方向的中央產(chǎn)生縱線光柵的弓形失真的情況。如圖17～圖21所示的實施方式是在上述基本構(gòu)成的基礎(chǔ)上而構(gòu)成的，以校正如圖16(A)、(B)所示的縱線光柵的失真。在圖17～圖21中，與圖1、圖6～圖11相同的部分標以相同的標號，并適當省略其說明。(第十二實施方式)如圖17所示的第十二實施方式是對如圖10所示的第六實施方式改進的實施方式，以校正如圖16(A)、(B)所示的縱線光柵的失真。比較圖17和圖10可知，在圖17所示的第十二實施方式中，使磁鐵5的位置向圖17的下方偏移。即磁鐵5不是與過飽和鐵心1a、1b均等地接觸而配置，而是使其與兩個凸緣不均等地接觸而配置。
由此，磁鐵5與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣接觸的面積彼此是不同的。這樣，施加于過飽和鐵心1a、1b的磁偏置是彼此不同的，繞在過飽和鐵心1a、1b上的阻抗控制線圈2a、2b的電感是彼此不同的。阻抗控制線圈2a的電感大于阻抗控制線圈2b的電感。
如果阻抗控制線圈2a、2b的電感彼此相等，則由于阻抗控制線圈2a、2b卷繞成使其產(chǎn)生彼此方向相反的磁場，所以由飽和控制線圈4的磁場產(chǎn)生的流過阻抗控制線圈2a、2b的感應(yīng)電流互相抵消。但是，在如圖17所示的構(gòu)成中，在阻抗控制線圈2a、2b的電感中產(chǎn)生差時，感應(yīng)電流也產(chǎn)生差，不會互相抵消。
這樣，該感應(yīng)電流流過連接在阻抗控制線圈2a、2b上的水平偏轉(zhuǎn)線圈12a、12b，在屏幕上側(cè)和下側(cè)使電子束向水平方向偏轉(zhuǎn)。其結(jié)果是，如圖16(A)、(B)所示，可以在屏幕上側(cè)和下側(cè)使縱線光柵變?yōu)楣?。因此，有意識地使阻抗控制線圈2a、2b的電感產(chǎn)生不平衡，以使磁鐵5產(chǎn)生的向過飽和鐵心1a、1b的磁偏置變化，抵消在屏幕左右方向的中央的縱線光柵的弓形失真。
由此，如圖17所示的第十二實施方式可以校正如圖16所示的縱線光柵的弓形失真?？v線光柵變化的方向，即究竟成為圖16(A)、(B)中的哪一個，由阻抗控制線圈2a、2b的電感的大小關(guān)系和方向決定。(第十三實施方式)作為對圖17的磁鐵5的替代，如圖18所示的第十三實施方式使用較其長度短的磁鐵50。圖17的磁鐵5具有與過飽和鐵心1a、1b的凸緣的兩端間距離大致相等的長度，但圖18的磁鐵50具有比其兩端間距離短的長度。在圖18的例子中，磁鐵50配置成其長方向的一端與過飽和鐵心1b的凸緣的端部對齊。
在該第十三實施方式中，磁鐵50也是與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣不均等地接觸，所以施加于過飽和鐵心1a、1b上的磁偏置彼此不同，繞在過飽和鐵心1a、1b上的阻抗控制線圈2a、2b的電感彼此不同。阻抗控制線圈2a的電感大于阻抗控制線圈2b的電感。因此，與第十二實施方式相同，可以校正如圖16所示的縱線光柵的弓形失真。(第十四實施方式)作為圖17的磁鐵5的替代，如圖19所示的第十四實施方式使用彼此大小不同的兩個磁鐵50a、50b。磁鐵50a小于磁鐵50b。磁鐵50b具有與過飽和鐵心1b的凸緣的兩端間距離大致相等的長度，而磁鐵50a具有比過飽和鐵心1a的凸緣兩端間距離短的長度。根據(jù)該第十四實施方式，也可以校正如圖16所示的縱線光柵的弓形失真。(第十五實施方式)如圖20所示的第十五實施方式是對如圖8所示的第四實施方式改進的實施方式，以校正如圖16(A)、(B)所示的縱線光柵的失真。比較圖20和圖8可知，在圖20所示的第十五實施方式中，使磁鐵5a的位置向圖20的下方偏移。在上述構(gòu)成中，施加于過飽和鐵心1a、1b的磁偏置也是彼此不同的，阻抗控制線圈2a的電感大于阻抗控制線圈2b的電感。因此，根據(jù)該第十五實施方式，也可以校正如圖16所示的縱線光柵的弓形失真。(第十六實施方式)作為對圖20的磁鐵5a的替代，如圖21所示的第十六實施方式使用較其長度短的磁鐵50a。磁鐵50a小于磁鐵50b。因此，施加于過飽和鐵心1a、1b的磁偏置彼此不同，阻抗控制線圈2a的電感大于阻抗控制線圈2b的電感。根據(jù)該第十六實施方式，也可以校正如圖16所示的縱線光柵的弓形失真。
在第十二～第十六實施方式中，作為使磁偏置不同的方法，是使與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣接觸的磁鐵的位置偏移，或者使磁鐵的長度不同。但也可以使與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣接觸的磁鐵的厚度或形狀不同，或者使磁化量不同。
在如圖12～圖15所示的第八～第十一實施方式中，當發(fā)生如圖16(A)、(B)所示的屏幕左右方向的中央發(fā)生縱線光柵的弓形失真時，校正該失真，與第十二～第十六實施方式相同，只要使由磁鐵5產(chǎn)生的向過飽和鐵心1a、1b的磁偏置不同即可。
如上所述，如圖12所示的第八實施方式與如圖13所示的第九實施方式相比，其溫度降低效果沒有差別，但在使磁偏置不同而校正縱線光柵的弓形失真時，磁鐵5接近過飽和鐵心1a、1b的第八實施方式其失真校正效果好。因此，就屏幕左右方向的中央的縱線光柵的失真校正效果來說，第八實施方式優(yōu)于第九實施方式。同樣，第十實施方式的失真校正效果優(yōu)于第十一實施方式。(第十七實施方式)當使過飽和扼流圈動作時，過飽和鐵心1、1a、1b以水平偏轉(zhuǎn)周期振動，繞有飽和控制線圈4的磁心3以垂直偏轉(zhuǎn)周期振動，與和它們連接的磁鐵5、5a、5b、50、50a和磁塊11、11a、11b碰撞，產(chǎn)生噪音(蜂鳴音)。如圖22所示的第十七實施方式是改進第六實施方式，抑制蜂鳴音的產(chǎn)生的實施方式。
在圖22中，在過飽和鐵心1a、1b和磁塊11之間、過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5之間，設(shè)有聚酯膠帶15a、15b。作為一個例子，聚酯膠帶15a貼在磁塊11上，聚酯膠帶15b貼在磁鐵5上。由于設(shè)置了聚酯膠帶15a、15b，在過飽和鐵心1a、1b和磁塊11之間，以及過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5之間的部分，在封閉磁路6中形成磁間隙。聚酯膠帶15a、15b的厚度為0.1mm左右，對過飽和扼流圈的動作不會產(chǎn)生特別的影響。
根據(jù)上述構(gòu)成，可以大幅度抑制由于過飽和鐵心1a、1b振動與磁塊11和磁鐵5碰撞而產(chǎn)生的蜂鳴音。也可以使用其他振動吸收物質(zhì)(緩沖材料)來代替聚酯膠帶15a、15b，也可以在過飽和扼流圈的盒體上設(shè)置支撐肋來形成一個空間。(第十八實施方式)在圖23中，在磁心3的腳部31和磁塊11之間、磁心3的腳部32和磁鐵5之間，設(shè)有聚酯膠帶15a、15b。作為一個例子，聚酯膠帶15a貼在磁塊11上，聚酯膠帶15b貼在磁鐵5上。該第十八實施方式也與第十七實施方式相同，可以大幅度抑制蜂鳴音的產(chǎn)生。
在第十七、第十八實施方式中，設(shè)置了封閉磁路6的兩個磁間隙，但如果在過飽和鐵心1a、1b的兩端、磁心3的腳部31和磁塊11之間、磁心3的腳部32和磁鐵5之間的四處中的任何一處設(shè)置磁間隙，都可以降低蜂鳴音。如果增加封閉磁路6的磁間隙的數(shù)量，可以增加蜂鳴音的降低效果。根據(jù)設(shè)置了兩處磁間隙的第十七、第十八實施方式，可以確認能改善到實用上沒有問題的程序。
第十七、第十八實施方式是在如圖10所示的第六實施方式中設(shè)置了用于降低蜂鳴音的聚酯膠帶15a、15b，在其他實施方式中也可以采用完全相同的構(gòu)成。(第十九實施方式)第十九實施方式是當將如圖10所示的第六實施方式的過飽和扼流圈作為實際安裝在偏轉(zhuǎn)線圈上的部件而形成時，一個優(yōu)選結(jié)構(gòu)的例子。首先，對第十九實施方式的過飽和扼流圈的基本構(gòu)成進行說明。在圖24中，在作為鼓形鐵心的過飽和鐵心1a、1b上分別繞有阻抗控制線圈2a、2b。過飽和鐵心1a、1b在圖24的上下方向上并列配置。在過飽和鐵心1a、1b的一側(cè)(這里為右側(cè))配置有施加磁偏置的磁鐵5，在另一側(cè)(這里為左側(cè))配置有由不易產(chǎn)生渦流的磁鐵形成的磁塊11。作為一個優(yōu)選例，磁塊11由鐵氧體構(gòu)成。
過飽和鐵心1a、1b和磁鐵5以及磁塊11配置在大致為コ字形的磁心3的兩個腳部31、32之間。在磁心3的軀干30上安裝有由樹脂形成的線圈架14，包圍在軀干30的中間。線圈架14上繞有飽和控制線圈4。根據(jù)以上的構(gòu)成，通過過飽和鐵心1a、1b、磁鐵5、磁塊11、磁心3，形成如圖中虛線所示的封閉磁路6。該圖24所示的過飽和扼流圈可如圖2和圖3一樣連接。
如圖24的構(gòu)成的磁塊11可以減小在磁心3中產(chǎn)生的渦流，由此可以抑制磁心3的發(fā)熱。而且在磁塊11自身中實際上也不產(chǎn)生渦流，所以磁塊11幾乎不發(fā)熱。由于即使插入磁塊11也會保持封閉磁路6，所以對上述過飽和扼流圈的動作(失真的校正特性)不會產(chǎn)生任何影響。根據(jù)上述構(gòu)成，與沒有磁塊11的構(gòu)成相比，在不減少失真的校正量的情況下，可以獲得大約30℃的溫度降低效果。此外，當可以不考慮發(fā)熱問題時，可以去除磁塊11。
接下來，利用圖25～圖33，對包括第十九實施方式的過飽和扼流圈的盒體的更為具體的構(gòu)成進行詳細說明。首先，圖25～圖27表示由磁心3、飽和控制線圈4以及線圈架14構(gòu)成的第一部件100。圖25和圖26是第一部件100的透視圖，圖27是第一部件100的俯視圖。在圖25、圖26中省略了飽和控制線圈4的圖示。
在利用圖24的說明中，磁心3呈大致的コ字形，但在本實施方式中，腳部31、32不在一個平面上，而是如圖25～圖27所示的形狀。即，腳部31、32從整個軀干30側(cè)開始在大約1/3的地方，在與軀干30大致平行的方向上向內(nèi)側(cè)彎折，而且在大約2/3的地方向與軀干30大致直交的方向彎折。這樣彎折的腳部31、32的各個部分分別被稱為基礎(chǔ)部分31a、32a，中間部分31b、32b，以及前端部分31c、32c。從圖25可知，在前端部分31c、32c上，在其寬度方向的大致中央部分形成狹縫31cs、32cs。
作為一個例子，具有上述形狀的磁心3由JIS規(guī)格50A470的厚度t為0.5的電磁鋼板制成，是通過將一片平面狀的鋼板彎折而形成的。在本實施方式中，兩片磁心3a層疊在磁心3的軀干30上，線圈架14包圍著軀干30和磁心3a的三片鋼板。磁心3a是為了獲得作為過飽和扼流圈所希望的校正特性而插入的，其片數(shù)是任意的，也可以根據(jù)情況去除。
線圈架14通過插入成形安裝在軀干30和磁心3a上，但并不限于此。也可以例如通過合頁將自由彎折的部件彎折，嵌入軀干30和磁心3a中而構(gòu)成。
在線圈架14的兩端形成凸緣14a、14b，在該凸緣14a、14b上分別形成用于纏繞繞在線圈架14上的飽和控制線圈4的引線的大致為錨狀的突起14c。此外，在凸緣14a、14b的磁心3的腳部31、32一側(cè)的端部，形成用于嵌入后面說明的第二部件200的盒體20的突起14d、14e。突起14d在設(shè)置凸緣14a、14b的突起14c的一側(cè)的端部向外方向突出，突起14e在凸緣14a、14b的另一側(cè)端部向與凸緣14a、14b的平面平行的方向突出。
接下來，利用圖28～圖33，對由繞有阻抗控制線圈2a、2b的過飽和鐵心1a、1b、磁鐵5、磁塊11以及用于容納上述部件的盒體20構(gòu)成的第二部件200，以及將第一部件100向第二部件200內(nèi)安裝的方法進行說明。
圖28、圖29表示盒體20，圖28是從容納繞有阻抗控制線圈2a、2b的過飽和鐵心1a、1b、磁鐵5以及磁塊11一側(cè)看的透視圖，圖29是從相反一側(cè)看的透視圖。首先，利用圖28對容納側(cè)的詳細構(gòu)造進行說明。如圖28所示，盒體20由容納側(cè)半體20a和蓋側(cè)半體20b構(gòu)成，容納側(cè)半體20a和蓋側(cè)半體20b的連接部分為合頁20c。蓋側(cè)半體20b通過合頁20c，可以對容納側(cè)半體20a自由開閉。作為一個例子，盒體20由合頁20c的彎曲特性優(yōu)良的聚丙烯樹脂一體形成。
容納側(cè)半體20a具有用于容納過飽和鐵心1a、1b的容納室20a1、20a2、用于容納磁鐵5的容納室20a3、以及容納磁塊11的容納室20a4。
這些容納室20a1～20a4的具體構(gòu)成如下。在容納側(cè)半體20a的底部形成兩個立壁20a6，具有與過飽和鐵心1a、1b的各個凸緣分別接觸的傾斜面20a5，在中央的傾斜面20a5之間形成柱狀突起20a7。兩個立壁20a6之間是過飽和鐵心1a、1b的容納室20a1、20a2。容納室20a1、20a2通過柱狀突起20a7被彼此劃分開。兩個立壁20a6的兩個外側(cè)分別是用于容納磁鐵5的容納室20a3和容納磁塊11的容納室20a4。
此外，在容納側(cè)半體20a的合頁20c側(cè)的端部附近形成壁20a8i，在與合頁20c相反一側(cè)的端部附近形成壁20a8o。上述兩個立壁20a6形成于上述壁20a8i和20a8o之間。在與容納側(cè)半體20a的合頁相反一側(cè)的端部形成鉤狀突起。
另一方面，在蓋側(cè)半體20b上形成在與合頁20c相同方向上延伸的細長板狀肋20b1，以及與板狀肋20b1鄰接的細長板狀肋20b2。此外，在蓋側(cè)半體20b上形成散熱用的兩個開口20b3。在蓋側(cè)半體20b的寬度方向的兩個端部形成臺階狀的壁20b4。一對壁20b4之間的距離Lb4比上述磁心3的腳部31、32的前端31c、32c的外側(cè)的間隔Lco(參照圖27)稍大。
此外，在設(shè)置于與蓋側(cè)半體20b的合頁20c相反一側(cè)的端部的壁20b5的內(nèi)面一側(cè)，在壁20b4的附近形成肋20b6。在與蓋側(cè)半體20b的合頁20c相反一側(cè)的端部，在壁20b5的上端面形成嵌合孔20b7。在蓋側(cè)半體20b的寬度方向的兩端，形成用于將該過飽和扼流圈安裝在圖中未表示的基板等上的鉤狀突起20b8。
過飽和鐵心1a、1b、磁鐵5、磁塊11分別容納在容納室20a1～20a4中，當將蓋側(cè)半體20b折疊起來時，蓋側(cè)半體20b上形成的板狀肋20b1與過飽和鐵心1a、1b的各個凸緣上端接觸，容納側(cè)半體20a和蓋側(cè)半體20b將過飽和鐵心1a、1b夾在中間，板狀肋20b2與磁鐵5、磁塊11的上端接觸，容納側(cè)半體20a和蓋側(cè)半體20b將磁鐵5、磁塊11夾在中間。
此時，容納側(cè)半體20a的鉤狀突起20a9插入蓋側(cè)半體20b的嵌合孔20b7中，從而容納側(cè)半體20a和蓋側(cè)半體20b嵌合在一起，蓋側(cè)半體20b成為對著容納側(cè)半體20a關(guān)閉的狀態(tài)。
接下來，利用圖29對與容納側(cè)相反一側(cè)的里面一側(cè)的詳細構(gòu)造進行說明。如圖29所示，在容納側(cè)半體20a的寬度方向的兩端形成導向壁20a10。一對導向壁20a10之間的距離La10與上述線圈架14的凸緣14a、14b的外側(cè)間隔L14(參照圖27)大致相等。與導向壁20a10鄰接的容納側(cè)半體20a里面的底部成為導向面20a11。
第一部件100可以在容納側(cè)半體20a的里面自由滑動。圖30表示將第一部件100在容納側(cè)半體20a的里面安裝、滑動到中途的狀態(tài)。在圖30中省略了繞在線圈架14上的飽和控制線圈4的圖示。第一部件100設(shè)置將有凸緣14a、14b的突起14e的一側(cè)在前面，安裝在容納側(cè)半體20a的里面。此時，導向壁20a10和導向面20a11對凸緣14a、14b進行導向。容納側(cè)半體20a的導向壁20a10和導向面20a11起到作為保持第一部件100自由滑動狀態(tài)的保持裝置的作用。
現(xiàn)在回到圖29，在導向面20a11的內(nèi)側(cè)的容納側(cè)半體20a兩側(cè)的合頁20c一側(cè)的端部，形成孔20a12，與突起14e幾乎無間隙地配合。此外，在導向壁20a10的前側(cè)(插入第一部件100一側(cè))，形成凹部20a13，與凸緣14a、14b的突起14d幾乎無間隙地配合。如圖30所示，當?shù)谝徊考?00滑動到箭頭A所示的最里側(cè)時，則凸緣14a、14b的突起14e嵌入容納側(cè)半體20a的孔20a12中，突起14d嵌入凹部20a13，第一部件100對容納側(cè)半體20a定位。
由此，第一部件100在與容納側(cè)半體20a的底面直交的如圖30所示的箭頭B方向上的位置受到限制。此外，由于突起14d、14e幾乎無間隙地分別嵌入凹部20a13、孔20a12，所以第一部件100在滑動方向(箭頭A方向及其相反方向)上的位置也受到一定程度的限制。此時，第一部件100相對于容納側(cè)半體20a處于被固定的狀態(tài)。突起14d、14e以及與其嵌合的凹部20a13、孔20a12起到將第一部件100臨時固定在容納側(cè)半體20a內(nèi)的臨時固定裝置的作用。
如上所述，第一部件100安裝到容納側(cè)半體20a的里面后，將繞有阻抗控制線圈2a、2b的過飽和鐵心1a、1b、磁鐵5、磁塊11分別放入容納側(cè)半體20a的容納室20a1～20a4中。圖31表示各部件放入容納室20a1～20a4之前的狀態(tài)，圖32表示各部件放入容納室20a1～20a4之后的狀態(tài)。在圖31和圖32中，為了簡化，省略了阻抗控制線圈2a、2b的圖示。
參照圖31、圖32可知，在將第一部件100安裝在容納側(cè)半體20a里面的狀態(tài)下，磁心3的腳部31、32的中間部分31b、32b向容納側(cè)半體20a的內(nèi)側(cè)延伸，一直到容納室20a3、20a4的附近。由此，將第一部件安裝到容納側(cè)半體20a的里面，即使滑動到中途，第一部件100也不會從容納側(cè)半體20a上落下來。磁心3的腳部31、32的前端31c、32c位于容納室20a3、20a4的兩外側(cè)。
磁鐵5的厚度、過飽和鐵心1a、1b的縱向長度以及磁塊11的厚度的總尺寸比腳部31、32的前端31c、32c的內(nèi)側(cè)間隔Lci(參照圖27)稍大。使前端31c、32c的間隔略向外方向撓曲，然后將過飽和鐵心1a、1b、磁鐵5以及磁塊11分別放入容納室20a1～20a4，從而磁心3擠壓保持上述全部部件。
為了使插入容易且獲得合適的擠壓力，磁鐵5的厚度、過飽和鐵心1a、1b的縱向長度以及磁塊11的厚度的總尺寸與腳部31、32的前端31c、32c的內(nèi)側(cè)間隔Lci的差最好在0.3mm左右。
如上所述，由于在前端31c、32c的寬度方向的大致中央部位形成狹縫31cs、32cs，所以被狹縫31cs、32cs分割的前端31c、32c的各片可以獨立彎曲。由此，各部件的插入變得容易，同時各片可以很好地夾持部件整體。
即，即使過飽和鐵心1a、1b的縱方向的尺寸有一些誤差，也可以吸收該誤差，對各個過飽和鐵心1a、1b施加均勻的擠壓力。由此，不會發(fā)生短方的過飽和鐵心竄動，或者磁鐵5、磁塊11之間產(chǎn)生間隙而無法形成封閉磁路6等問題。
如圖32所示，將各部件放入容納側(cè)半體20a，將阻抗控制線圈2a、2b的引線(未圖示)向規(guī)定位置引出，以合頁20c為中心使蓋側(cè)半體20b向容納側(cè)半體20a方向彎折，并且使鉤狀突起20a9嵌入嵌合孔20b7。由此，如圖33所示，可以獲得將第一部件100和第二部件200一體化的本發(fā)明的過飽和扼流圈。
在圖33的狀態(tài)下，蓋側(cè)半體20b的壁20b4的端面20b41大致與磁心3的腳部31、32的中間部分31b、32b的合頁20c的相反一側(cè)端面接觸，所以第一部件100最終在滑動方向(圖30的箭頭A方向及其相反方向)的位置受到限制。即，在蓋側(cè)半體20b對著容納側(cè)半體20a打開狀態(tài)下，安裝到容納側(cè)半體20a內(nèi)的第一部件100如上所述對上述容納側(cè)半體20a(盒體20)處于臨時固定的狀態(tài)，當使蓋側(cè)半體20b對容納側(cè)半體20a關(guān)閉時，第一部件100相對于盒體20幾乎沒有間隙地固定。
此外，在圖33的狀態(tài)下，蓋側(cè)半體20b的兩個肋20b6大致與容納側(cè)半體20a的壁20a8o的寬度方向的兩個外側(cè)接觸，從而可以防止容納側(cè)半體20a與蓋側(cè)半體20b在寬度方向上的間隙。根據(jù)以上構(gòu)成，即使將第一部件100和第二部件200一體化之后，也可以再次分解第一部件100和第二部件200，但也可以在如圖33所示的過飽和扼流圈上涂覆粘接劑，將過飽和扼流圈整體固定。
根據(jù)上述構(gòu)成，本發(fā)明的過飽和扼流圈以及使用該過飽和扼流圈的偏轉(zhuǎn)線圈可以校正如圖37所示的縱線光柵的枕形失真，具有與現(xiàn)有技術(shù)同等以上的偏轉(zhuǎn)校正特性，同時可以減少部件數(shù)量以及組裝工時，從而實現(xiàn)低成本。(第二十實施方式)第二十實施方式是在上述圖24～圖33基本構(gòu)成的基礎(chǔ)上而構(gòu)成的，以校正如圖16(A)、(B)所示的縱線光柵的弓形失真。在圖34中，與圖25～圖33相同的部分標以相同的標號，并適當省略其說明。
比較圖34和圖32可知，在如圖34所示的第二十實施方式中，作為磁鐵5的替代，使用比其長度短的磁鐵50。圖32的磁鐵5具有與過飽和鐵心1a、1b的凸緣的兩端之間距離大致相等的長度，而圖34的磁鐵50具有比該兩端之間距離短的長度。在圖34的例子中，磁鐵50其縱方向一側(cè)的端部配置成與壁20a8i接觸。
磁鐵50不是與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣均等地接觸，而是配置成與兩個凸緣不均等地接觸。由此，磁鐵50與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣的接觸面積是彼此不同的。從而，施加于過飽和鐵心1a、1b的磁偏置是彼此不同的，繞在過飽和鐵心1a、1b的阻抗控制線圈2a、2b的電感是彼此不同的。
當在如圖34構(gòu)成的阻抗控制線圈2a、2b的電感上產(chǎn)生差異時，感應(yīng)電流中也產(chǎn)生差異，不會互相抵消。由此，如圖16(A)、(B)所示，使屏幕上側(cè)和下側(cè)的縱線光柵變?yōu)楣危瑥亩梢缘窒聊蛔笥曳较虻闹醒氲目v線光柵的弓形失真。
在圖34的第二十實施方式中，作為使磁偏置相異的方法，可以使磁鐵50與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣的接觸面積不同，但也可以使形狀不同的磁鐵與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣接觸，或者使著磁量不同的磁鐵與過飽和鐵心1a、1b的兩個凸緣接觸。
本發(fā)明不限于以上說明的實施方式，在不違背本發(fā)明的要旨范圍內(nèi)，可以進行各種變更。例如，在沒有必要考慮發(fā)熱問題的情況下，也可以不使用磁塊11。當然，如果去除磁塊11，則上述機構(gòu)的構(gòu)成要進行相應(yīng)的修改。
正如以上詳細說明的一樣，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈作為用于校正偏轉(zhuǎn)特性的過飽和扼流圈，包括至少一個過飽和鐵心；阻抗控制線圈，繞在上述過飽和鐵心上，與水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；至少一個磁鐵，對過飽和鐵心施加磁偏置；磁心，與過飽和鐵心和磁鐵共同形成封閉磁路；飽和控制線圈，繞在上述磁心上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流。此外，由于還設(shè)置有使飽和控制線圈產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)飽和控制磁場的方向在屏幕上側(cè)偏轉(zhuǎn)時和屏幕下側(cè)偏轉(zhuǎn)時的方向相同的裝置，所以本發(fā)明具有與現(xiàn)有技術(shù)同等以上的偏轉(zhuǎn)校正特性，同時可以減少部件數(shù)量以及組裝工時，從而實現(xiàn)偏轉(zhuǎn)線圈的低成本。
在上述構(gòu)成的基礎(chǔ)上，通過將不易產(chǎn)生渦流的磁體置于過飽和鐵心和磁心之間，可以大幅度減少發(fā)熱量。此外，在具有多個過飽和鐵心的構(gòu)成中，由于磁鐵對多個過飽和鐵心施加互相不同的磁偏置，所以可以校正屏幕左右方向的中央的縱線光柵的弓形失真。
此外，本發(fā)明的過飽和扼流圈由以下部件構(gòu)成至少一個過飽和鐵心；阻抗控制線圈，繞在上述過飽和鐵心上，與水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；至少一個磁鐵，對過飽和鐵心施加磁偏置；磁心，與過飽和鐵心和磁鐵共同形成封閉磁路；線圈架，安裝在磁心上；飽和控制線圈，繞在上述線圈架上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流；盒體，容納繞有阻抗控制線圈的過飽和鐵心和磁鐵。磁心和繞有飽和控制線圈的線圈架構(gòu)成第一部件，該第一部件安裝在盒體內(nèi)。由此，根據(jù)本發(fā)明，可以減少部件數(shù)量以及組裝工時，實現(xiàn)低成本。
權(quán)利要求
1.一種偏轉(zhuǎn)線圈，具有水平偏轉(zhuǎn)線圈、垂直偏轉(zhuǎn)線圈、用于校正偏轉(zhuǎn)特性的過飽和扼流圈，其特征在于，上述過飽和扼流圈由以下部件構(gòu)成至少一個過飽和鐵心；阻抗控制線圈，繞在上述過飽和鐵心上，與上述水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；至少一個磁鐵，對上述過飽和鐵心施加磁偏置；磁心，與上述過飽和鐵心和上述磁鐵共同形成封閉磁路；飽和控制線圈，繞在上述磁心上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流，此外，還具有使上述飽和控制線圈產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)飽和控制磁場的方向在屏幕上側(cè)偏轉(zhuǎn)時和屏幕下側(cè)偏轉(zhuǎn)時相同的裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，上述裝置是與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈以及上述飽和控制線圈連接的二極管電橋電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，上述飽和控制線圈由并聯(lián)連接的第一和第二線圈構(gòu)成，上述裝置是分別與上述第一和第二線圈彼此反向連接的二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，在上述過飽和鐵心和上述磁心之間，設(shè)置有不易產(chǎn)生渦流的磁體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，具有多個過飽和鐵心，上述磁鐵對上述多個過飽和鐵心施加彼此不同的磁偏置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，上述磁鐵分別與上述多個過飽和鐵心接觸，并使上述磁鐵分別與上述多個過飽和鐵心的接觸面積彼此不同，由此上述磁鐵對上述多個過飽和鐵心施加不同的磁偏置。
7.一種過飽和扼流圈，用于校正偏轉(zhuǎn)特性，其特征在于，由以下部件構(gòu)成至少一個過飽和鐵心；阻抗控制線圈，繞在上述過飽和鐵心上，與水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；至少一個磁鐵，對上述過飽和鐵心施加磁偏置；磁心，與上述過飽和鐵心和上述磁鐵共同形成封閉磁路；線圈架，安裝在上述磁心上；飽和控制線圈，繞在上述線圈架上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流；盒體，容納繞有上述阻抗控制線圈的上述過飽和鐵心和上述磁鐵，上述磁心和繞有上述飽和控制線圈的上述線圈架構(gòu)成第一部件，該第一部件安裝在上述盒體內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的過飽和扼流圈，其特征在于，上述盒體由以下部件構(gòu)成容納側(cè)半體，具有容納繞有上述阻抗控制線圈的上述過飽和鐵心和上述磁鐵的容納室；蓋側(cè)半體，與上述容納側(cè)半體連接，形成為可以對著上述容納側(cè)半體自由開閉，上述容納側(cè)半體具有使上述第一部件保持自由滑動的保持裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的過飽和扼流圈，其特征在于，上述容納側(cè)半體具有將上述第一部件臨時固定在上述容納側(cè)半體的臨時固定裝置，通過將上述蓋側(cè)半體對著上述容納側(cè)半體關(guān)閉，上述第一部件被固定在上述盒體內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任意一項所述的過飽和扼流圈，其特征在于，上述磁心擠壓支持上述過飽和鐵心和上述磁鐵。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10任意一項所述的過飽和扼流圈，其特征在于，具有多個過飽和鐵心，上述磁鐵對上述多個過飽和鐵心施加彼此不同的磁偏置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的過飽和扼流圈，其特征在于，上述磁鐵分別與上述多個過飽和鐵心接觸，并使上述磁鐵分別與上述多個過飽和鐵心的接觸面積彼此不同，由此上述磁鐵對上述多個過飽和鐵心施加不同的磁偏置。
13.一種偏轉(zhuǎn)線圈，具有水平偏轉(zhuǎn)線圈、垂直偏轉(zhuǎn)線圈、用于校正偏轉(zhuǎn)特性的過飽和扼流圈，其特征在于，上述過飽和扼流圈由以下部件構(gòu)成至少一個過飽和鐵心；阻抗控制線圈，繞在上述過飽和鐵心上，與水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；至少一個磁鐵，對上述過飽和鐵心施加磁偏置；磁心，與上述過飽和鐵心和上述磁鐵共同形成封閉磁路；線圈架，安裝在上述磁心上；飽和控制線圈，繞在上述線圈架上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流；盒體，容納繞有上述阻抗控制線圈的上述過飽和鐵心和上述磁鐵，上述磁心和繞有上述飽和控制線圈的上述線圈架構(gòu)成第一部件，該第一部件安裝在上述盒體內(nèi)，此外，還具有使上述飽和控制線圈產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)飽和控制磁場的方向在屏幕上側(cè)偏轉(zhuǎn)時和屏幕下側(cè)偏轉(zhuǎn)時相同的裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，上述盒體由以下部件構(gòu)成容納側(cè)半體，具有容納繞有上述阻抗控制線圈的上述過飽和鐵心和上述磁鐵的容納室；蓋側(cè)半體，與上述容納側(cè)半體連接，形成為相對于上述容納側(cè)半體可以自由開閉，上述容納側(cè)半體具有使上述第一部件保持自由滑動的保持裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，上述容納側(cè)半體具有將上述第一部件臨時固定在上述容納側(cè)半體的臨時固定裝置，通過將上述蓋側(cè)半體對著上述容納側(cè)半體關(guān)閉，上述第一部件被固定在上述盒體內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13至15任意一項所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，上述磁心擠壓支持上述過飽和鐵心和上述磁鐵。
17.根據(jù)權(quán)利要求13至16任意一項所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，具有多個過飽和鐵心，上述磁鐵對上述多個過飽和鐵心施加彼此不同的磁偏置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征在于，上述磁鐵分別與上述多個過飽和鐵心接觸，并使上述磁鐵分別與上述多個過飽和鐵心的接觸面積彼此不同，由此上述磁鐵對上述多個過飽和鐵心施加不同的磁偏置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種低成本的偏轉(zhuǎn)線圈，該偏轉(zhuǎn)線圈設(shè)有過飽和扼流圈，具有與現(xiàn)有技術(shù)同等以上的偏轉(zhuǎn)校正特性，同時減少了部件數(shù)量和組裝工時。過飽和扼流圈由以下部件構(gòu)成過飽和鐵芯1a、1b；阻抗控制線圈2a、2b，繞在過飽和鐵芯1a、1b上，與水平偏轉(zhuǎn)線圈連接；磁鐵5，對過飽和鐵芯1a、1b施加磁偏置；磁芯3，形成封閉磁路6；飽和控制線圈4，繞在磁芯3上，流過垂直偏轉(zhuǎn)電流。飽和控制線圈4產(chǎn)生的垂直偏轉(zhuǎn)飽和控制磁場的方向在屏幕上側(cè)偏轉(zhuǎn)時和屏幕下側(cè)偏轉(zhuǎn)時的方向相同。
文檔編號H01J29/76GK1393904SQ02122590
公開日2003年1月29日 申請日期2002年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月27日
發(fā)明者野澤崇浩, 橫塚克久, 長南雄介 申請人:日本勝利株式會社