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等離子顯示板及其驅(qū)動方法

文檔序號:2848057閱讀:206來源:國知局
專利名稱:等離子顯示板及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及等離子顯示板,更具體地說,本發(fā)明涉及適于提高對比度的等離子顯示板。
參考

圖1,傳統(tǒng)的3電極AC表面放電PDP包括第一電極Y和第二電極Z,設(shè)置在上基板10上;以及地址電極X,設(shè)置在下基板18上。第一電極Y和第二電極Z包括透明電極12Y和12Z;以及金屬總線電極13Y和13Z,其線寬度比透明電極12Y和12Z的線寬度窄,它們分別設(shè)置在透明電極12Y和12Z的一邊。
透明電極12Y和12Z通常是形成在上基板10上的銦錫氧化物(ITO)。金屬總線電極13Y和13Z通常是形成在透明電極12Y和12Z上的諸如鉻(Cr)的金屬,從而降低了由具有高電阻的透明電極12Y和12Z引起的電壓降。在其上平行設(shè)置有第一電極Y和第二電極Z的上基板10上,介電設(shè)置有上介電層14和保護(hù)膜16。介電等離子體放電時產(chǎn)生的壁電荷累積在上介電層14上。保護(hù)膜16介電防止由于等離子體放電期間的濺射而破壞上介電層14,并可以提高二次電極的發(fā)射效率。此保護(hù)膜16通常由氧化鎂(MgO)制成。
下介電層22和阻擋片24形成型在其上設(shè)置有地址電極X的下基板18上。下介電層22和阻擋片24的表面涂布有熒光層26。在和第一電極Y和第二電極Z交叉的方向上形成地址電極X。與地址電極20Z平行地形成阻擋片24以防止放電產(chǎn)生的紫外線和可見光泄漏到相鄰的放電單元。在等離子體放電期間產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光層26,從而產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)可見光之一。將惰性混合氣體注入到上基板10和下基板18以及阻擋片24限定的放電空間內(nèi)。
這種PDP驅(qū)動一個幀,可以將該幀劃分為具有不同放電頻率的各種子場來表示圖像的灰度級。再將每個子場劃分為初始化周期,用于初始化整個場;地址周期,用于選擇掃描線并從選擇的掃描線中選擇單元;以及保持周期,根據(jù)放電頻率實(shí)現(xiàn)灰度級。
在此,將初始化周期劃分為具有上斜坡波形的建立間隔和具有下斜坡波形的關(guān)閉間隔。例如,在希望顯示256灰度級的圖像時,將等于1/60秒(即16.67毫秒)的幀間隔劃分為8個子場SF1至SF8,如圖2所示。將8個子場SF1至SF8中的每個子場劃分為初始化周期、地址周期以及保持周期,如上所述。在此,每個子場的初始化周期和地址周期子場都是相等的,而在各個子場中保持周期子場按照2n(其中n=0、1、2、3、4、5、6和7)增加,從而根據(jù)灰度級顯示圖像。
圖3是對圖1所示電極施加的驅(qū)動信號的波形圖。
參考圖3,將PDP劃分為初始化周期,用于初始化整個場;地址周期,用于選擇單元;以及保持周期,使選擇的單元保持放電,以進(jìn)行驅(qū)動。
在初始化周期,在建立間隔中,將從比放電初始電壓低的第一電壓Vs緩慢上升到比放電初始電壓高的第二電壓Vr的上斜坡波形施加到所有第一電極Y。此上斜坡波形會在整個場的單元內(nèi)產(chǎn)生微弱的建立放電,從而在該單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。
將建立放電劃分為表面放電,在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生;以及反向放電,在第一電極Y與地址電極Z之間產(chǎn)生。在此,表面放電會在第一電極Y上產(chǎn)生負(fù)壁電荷,而在第二電極Z上產(chǎn)生正壁電荷。此外,反向放電在第一電極Y上產(chǎn)生負(fù)壁電荷,而在地址電極X上產(chǎn)生正壁電荷。同時,表面放電發(fā)出的大部分光到達(dá)觀察者。這樣就增加了作為非顯示周期中的初始化周期的發(fā)光量,因此在某種程度上惡化了對比度特性。
在關(guān)閉間隔內(nèi),在施加了上斜坡波形后,將從比上斜坡波形的峰值電壓(即第二電壓Vr)低的第一電壓Vs緩慢下降的下斜坡波形施加到第一電極Y。如果將下斜坡波形施加到第一電極Y,則在該單元內(nèi)會出現(xiàn)微弱的擦除放電,從而擦除建立放電產(chǎn)生壁電荷和空間電荷的寄生電荷,并在整個場的單元內(nèi)均勻地留下地址放電所需的壁電荷。
在地址周期,將負(fù)掃描脈沖Scan順序地施加到第一電極Y,同時,將正的數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X。將掃描脈沖Scan與數(shù)據(jù)脈沖data之間的電壓差值添加到初始化周期中產(chǎn)生的壁電荷上,從而在施加了數(shù)據(jù)脈沖data的單元內(nèi)產(chǎn)生地址放電。在由地址放電而選擇的單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。同時,在關(guān)閉間隔和地址周期中,將具有保持電壓電平Vs的正直流電壓施加到第二電極Z。
在保持周期,將保持脈沖sus交替地施加到第一電極Y和第二電極Z。然后,將由地址放電選擇的單元內(nèi)的壁電荷添加到保持脈沖sus,從而在每次施加保持脈沖sus時,在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生表面放電形狀的保持放電。最后,在擦除周期,將具有小脈沖寬度的擦除斜坡波形erase施加到第二電極Z以擦除保持放電。
這種傳統(tǒng)的PDP在所有子場中重復(fù)初始化周期、地址周期以及保持周期以顯示所期望的圖像。然而,傳統(tǒng)PDP的缺陷在于,因?yàn)槌跏蓟芷谥械慕⒎烹?具體地說,表面放電)所產(chǎn)生的光,降低了對比度。換句話說,因?yàn)閷α炼炔黄鹱饔玫慕⒎烹姰a(chǎn)生的寄生光,降低了PDP的對比度。
例如,由5個子場驅(qū)動的PDP的全白亮度接近154cd/m2。此時,復(fù)位放電產(chǎn)生的光的亮度接近0.75cd/m2。因此,由5個子場驅(qū)動的傳統(tǒng)PDP的對比度系數(shù)小,接近1∶205。同樣,由10個子場驅(qū)動的傳統(tǒng)PDP的對比度系數(shù)也小,接近1∶300。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些以及其它目的,根據(jù)本發(fā)明一個方面的驅(qū)動等離子顯示板的方法包括在多個子場中的至少一個子場的初始化周期中使第一電極和第二電極中至少一個保持浮動狀態(tài)的步驟。
該方法進(jìn)一步包括步驟在多個子場中的所述至少一個子場的初始化周期中,將復(fù)位脈沖施加到第一電極;以及在多個子場中的所述至少一個子場的初始化周期中,使第二電極浮動。
該方法進(jìn)一步包括步驟將擦除脈沖施加到第一電極和第二電極中的至少一個電極以擦除在保持周期中產(chǎn)生的保持放電。
在該方法中,施加到第一電極的所述復(fù)位脈沖被劃分為以某個斜率上升的上升沿、保持升高的電壓的保持范圍以及以某個斜率下降的下降沿。
在此,在所述上升沿期間,第二電極浮動。
也可以是,在一部分的所述上升沿期間,第二電極浮動。
也可以是,在所述上升沿期間以及所述保持范圍期間,第二電極浮動。
也可以是,在一部分的所述上升沿和所述保持范圍期間,第二電極浮動。
一種根據(jù)本發(fā)明另一個方面的驅(qū)動等離子顯示板的方法包括步驟在多個子場中的至少一個子場的初始化周期中,將第一復(fù)位脈沖施加到第一電極;以及在多個子場中的至少一個子場的初始化周期中,將第二復(fù)位脈沖施加到第二電極,其中第一復(fù)位脈沖和第二復(fù)位脈沖具有同樣的電壓值。
該方法進(jìn)一步包括步驟將擦除脈沖施加到第一電極和第二電極中的至少一個電極以擦除在保持周期中產(chǎn)生的保持放電。
在此,施加到第一電極的所述第一復(fù)位脈沖被劃分為以某個斜率上升的上升沿、保持升高的電壓的保持范圍以及以某個斜率下降的下降沿。
也可以是,僅在所述上升沿期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
也可以是,僅在一部分的所述上升沿期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
也可以是,在所述上升沿期間以及在所述保持范圍期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
也可以是,在一部分的所述上升沿和所述保持范圍期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
一種根據(jù)本發(fā)明又一個方面的等離子顯示板包括第一電極,在至少一個子場的初始化周期中,對其施加復(fù)位脈沖;以及第二電極,在所述至少一個子場的所述初始化周期中使其浮動。
在該等離子顯示板中,施加到第一電極的所述復(fù)位脈沖被劃分為以某個斜率上升的上升沿、保持升高的電壓的保持范圍以及以某個斜率下降的下降沿。
在此,僅在所述上升沿期間使第二電極浮動。
也可以是,在一部分的所述上升沿期間使第二電極浮動。
也可以是,在所述上升沿期間以及在所述保持范圍期間使第二電極浮動。
也可以是,在一部分的所述上升沿和所述保持范圍期間使第二電極浮動。
一種根據(jù)本發(fā)明又一個方面的等離子顯示板包括第一電極,在至少一個子場的初始化周期中對其施加第一復(fù)位脈沖;以及第二電極,在所述至少一個子場的所述初始化周期中對其施加第二復(fù)位脈沖,其中第一復(fù)位脈沖和第二復(fù)位脈沖具有同樣的電壓值。
在該等離子顯示板中,施加到第一電極的所述第一復(fù)位脈沖被劃分為以某個斜率上升的上升沿、保持升高的電壓的保持范圍以及以某個斜率下降的下降沿。
在此,僅在所述上升沿期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
也可以是,在一部分的所述上升沿期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
也可以是,在所述上升沿期間以及在所述保持范圍期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
也可以是,在一部分的所述上升沿和所述保持范圍期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
參考圖4,將根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP劃分為初始化周期,用于對整個場進(jìn)行初始化;地址周期,用于選擇單元;以及保持周期,使選擇單元保持放電以進(jìn)行驅(qū)動。
首先,對第一子場做詳細(xì)說明。
在第一子場的初始化周期中,將初始化脈沖RP施加到第一電極Y。在初始化周期的建立間隔中,將從比放電初始電壓低的第一電壓Vs緩慢上升到比放電初始電壓高的第二電壓Vr的上斜坡波形施加到所有第一電極Y。此上斜坡波形會在整個場的單元內(nèi)產(chǎn)生弱建立放電,從而在該單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。
將建立放電劃分為表面放電,在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生;以及反向放電,在第一電極Y與地址電極X之間產(chǎn)生。在此,表面放電在第一電極Y上產(chǎn)生負(fù)壁電荷,而在第二電極Z上產(chǎn)生正壁電荷。此外,反向放電在第一電極Y上產(chǎn)生負(fù)壁電荷,而在地址電極X上產(chǎn)生正壁電荷。
在關(guān)閉間隔中,在施加了上斜坡波形后,將從比上斜坡波形的峰值電壓(即第二電壓Vr)低的第一電壓Vs緩慢下降的下斜坡波形施加到第一電極Y。如果將下斜坡波形施加到第一電極Y,則在該單元內(nèi)會出現(xiàn)弱擦除放電,從而擦除由建立放電產(chǎn)生的壁電荷和空間電荷的寄生電荷,并在整個場的單元內(nèi)均勻地保留地址放電所需的壁電荷。
在地址周期,將負(fù)掃描脈沖Scan順序地施加到第一電極Y,同時,將正數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X。將掃描脈沖Scan與數(shù)據(jù)脈沖data之間的電壓差加到初始化周期中產(chǎn)生的壁電荷上,從而在施加了數(shù)據(jù)脈沖data的單元內(nèi)產(chǎn)生地址放電。在由地址放電選擇的單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。同時,在關(guān)閉間隔和地址周期中,將具有保持電壓電平Vs的正直流電壓施加到第二電極Z。
在保持周期,將保持脈沖sus交替地施加到第一電極Y和第二電極Z。然后,將由地址放電選擇的單元內(nèi)的壁電荷加到保持脈沖sus上,從而在每次施加保持脈沖sus時,在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生表面放電形狀的保持放電。最后,在擦除周期,將具有小脈沖寬度的擦除斜坡波形erase施加到第二電極Z以擦除保持放電。
以下在將單元劃分為在第一子場中產(chǎn)生了保持放電的放電單元和在第一子場中未產(chǎn)生保持放電的放電單元的情況下,對第二子場的初始化周期進(jìn)行說明。
首先,由第一子場的復(fù)位放電所產(chǎn)生的壁電荷已經(jīng)累積到在第一子場中未產(chǎn)生保持放電的放電單元內(nèi)。換句話說,在地址電極X和第二對電極Z上產(chǎn)生了正壁電荷,而在第一電極Y上產(chǎn)生了負(fù)壁電荷。
此后,在第二子場的初始化周期中,將上斜坡波形和下斜坡波形施加到第一電極Y。此外,在第二子場的初始化周期中,第二電極Z保持浮動狀態(tài)。如果第二電極Z浮動,則第一電極Y上產(chǎn)生與上斜坡波形和下斜坡波形具有同樣形狀的浮動脈沖FP。例如,如圖6所示,在將峰值電平為390V的上斜坡波形和下斜坡波形施加到第一電極Y時,會因?yàn)殡姌O之間的電容干擾等,而在第二電極Z上產(chǎn)生電壓電平約為290V的浮動脈沖FP。
如上所述,如果在初始化周期中在第二電極Z上產(chǎn)生了具有預(yù)期的電壓電平的浮動脈沖FP,則在第一電極Y與第二電極Z之間不產(chǎn)生表面放電。換句話說,如果在第二電極Z上產(chǎn)生了正浮動脈沖FP,則第一電極Y與第二電極Z之間的電壓差不會超過放電初始電壓,這樣,在第二子場的初始化周期中,在第一電極Y與第二電極Z之間就不會產(chǎn)生表面放電。此外,由于地址電極X保持著第一子場的初始化周期中形成的正壁電荷,所以在第一電極Y與第二電極Z之間不產(chǎn)生反向放電。換句話說,第一電極Y與地址電極X之間的電壓差不超過放電初始電壓。因此,在第二子場的初始化周期中,在先前子場中未產(chǎn)生保持放電的放電單元就不會產(chǎn)生表面放電和反向放電。
同時,在第一子場中產(chǎn)生了保持放電的放電單元中產(chǎn)生低電壓電平的壁電荷。換句話說,由于在產(chǎn)生了保持放電的放電單元中出現(xiàn)擦除放電,并因此重新束縛了壁電荷,所以在產(chǎn)生了保持放電的放電單元中形成電壓電平比未產(chǎn)生保持放電的放電單元低的壁電荷。
此后,在第二子場的初始化周期,將上斜坡波形和下斜坡波形順序施加到第一電極Y。此外,在第二子場的初始化周期,第二電極Z保持浮動狀態(tài)。如上所述,如果第二子場電極Z浮動,則在第二電極Z上產(chǎn)生與上斜坡波形和下斜坡波形具有相同形狀的浮動脈沖FP。
如果在初始化周期中,在第二電極Z上產(chǎn)生了預(yù)期電壓電平的浮動脈沖FP,則在第一電極Y與第二電極Z之間不產(chǎn)生表面放電。換句話說,如果在第二電極Z上產(chǎn)生了正浮動脈沖FP,則第一電極Y與第二電極Z之間的電壓差不超過放電初始電壓,并因此在第二子場的初始化周期中,在第一電極Y與第二電極Z之間不產(chǎn)生表面放電。同時,由于第一子場的擦除放電而在地址電極X上形成了低電壓電平的壁電荷,所以第一電極Y與地址電極X之間的電壓差超過放電初始電壓,并因此在第一電極Y與地址電極X之間產(chǎn)生反向放電。
同時,與第二子場的初始化周期相同的初始化周期適用于第一子場之外的剩余子場。換句話說,第二子場之后的各子場與第二子場具有相同的初始化周期。因此,在第二子場之后的初始化周期中,在先前子場中產(chǎn)生了保持放電的放電單元僅在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生反向放電。反向放電的亮度由下表確定表1

在上表中,放電初始電壓是特定放電單元開始表面放電和反向放電的電壓;放電電壓是所有放電單元產(chǎn)生表面放電和反向放電的電壓;擦除初始電壓是特定放電電壓擦除表面放電和反向放電的電壓;擦除電壓是所有放電單元擦除表面放電和反向放電的電壓。
參考表1,反向放電的放電初始電壓和放電電壓低于表面放電的放電初始電壓和放電電壓。因此,利用高于某個值的電壓差,可以很容易地在第一電極Y與地址電極X之間產(chǎn)生反向放電。反向放電的亮度約為表面放電亮度的42%。這樣,本發(fā)明在初始化周期中僅產(chǎn)生表面放電,因此可以將初始化周期中產(chǎn)生的光降低到最少。
例如,在5子場驅(qū)動PDP的初始化周期中產(chǎn)生的光的亮度為0.1cd/m2。如果由5個子場驅(qū)動的PDP的全白亮度為154cd/m2,則根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的對比率接近1∶1540。此外,10子場驅(qū)動的PDP的對比率接近1∶3000。
根據(jù)本發(fā)明,在第二子場間隔中產(chǎn)生的浮動脈沖FP最好與圖4所示的初始化脈沖RP具有同樣形狀。然而,事實(shí)上,因?yàn)榉烹妴卧淖杩钩煞莺屯獠恳蛩?,如圖5所示,在第二子場間隔中產(chǎn)生的浮動脈沖FP的電壓在下降沿相對于初始化脈沖RP緩慢降低。
在初始化周期之后的地址周期,將負(fù)掃描脈沖Scan順序施加到第一電極Y,同時,將正數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X。將掃描脈沖Scan與數(shù)據(jù)脈沖data之間的電壓差加到初始化周期中產(chǎn)生的壁電壓上,從而在施加了數(shù)據(jù)脈沖data的單元內(nèi)產(chǎn)生地址放電。在由地址放電選擇的單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。同時,在關(guān)閉間隔和地址周期中,將具有保持電壓電平Vs的正直流電壓施加到第二電極Z。
在保持周期,將保持脈沖sus交替施加到第一電極Y和第二電極Z。然后,將由地址放電選擇的單元內(nèi)的壁電壓加到保持脈沖sus上,從而在每次施加保持脈沖sus時,在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生表面放電形狀的保持放電。最后,在擦除周期中,將小脈沖寬度的擦除斜坡波形erase施加到第二電極Z以擦除保持放電。
圖7是在初始化周期中產(chǎn)生的光的波形圖。
參考圖7,在初始化脈沖RP的上斜坡波形和下斜坡波形的所有應(yīng)用范圍內(nèi),傳統(tǒng)PDP PDP1產(chǎn)生特定的光波形。相反,在初始化脈沖RP的下斜坡波形的應(yīng)用范圍內(nèi),根據(jù)本發(fā)明的PDP PDP2不產(chǎn)生任何光波形。因此,本發(fā)明可以將初始化周期中產(chǎn)生的光降低到最少,從而提高了對比度。
圖8A至圖8C是用于估計根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例利用驅(qū)動波形驅(qū)動的PDP的可靠性的波形圖。
圖8A是說明在當(dāng)前子場的地址周期內(nèi)不選擇在先前子場中產(chǎn)生了保持放電的放電單元時的運(yùn)行過程的波形圖。
參考圖8A,首先,在先前子場中施加了預(yù)期的驅(qū)動波形后,將初始化脈沖RP施加到第一電極Y。此時,在第二電極Z上產(chǎn)生了浮動脈沖FP,從而利用第一電極Y與地址電極X之間的反向放電,可以產(chǎn)生所要求的光。
此后,如果在地址周期中將數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X,則在放電單元中不產(chǎn)生地址放電。由地址周期中不產(chǎn)生光的這個事實(shí)可見這點(diǎn)。換句話說,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,在初始化周期中在放電單元內(nèi)形成適當(dāng)?shù)谋陔姾?,因此在地址周期中不會出現(xiàn)誤發(fā)。
圖8B是說明在當(dāng)前子場的地址周期中選擇在先前子場中產(chǎn)生了保持放電的放電單元時的運(yùn)行過程的波形圖。
參考圖8B,如果將初始化脈沖RP施加到在先前子場中產(chǎn)生了保持放電的放電單元的第一電極Y,則在第二電極Z上會產(chǎn)生浮動脈沖FP。在此初始化周期,在第一電極Y與地址電極X之間產(chǎn)生反向放電,并且反向放電產(chǎn)生所要求的光。在地址周期中,將數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X,而將掃描脈沖Scan施加到第一電極Y。此時,在該放電單元中出現(xiàn)地址放電,從而在該放電單元中形成所要求的壁電荷。由地址周期中產(chǎn)生光的事實(shí)可見這點(diǎn)。
圖8C是說明在當(dāng)前子場的地址周期中選擇在先前子場中未產(chǎn)生保持放電的放電單元時的運(yùn)行過程的波形圖。
參考圖8C,如果將初始化脈沖RP施加到在先前子場中未產(chǎn)生保持放電的放電單元的第一電極Y,則在第二電極Z上會產(chǎn)生浮動脈沖FP。此時,在放電單元中不會產(chǎn)生反向放電和表面放電。換句話說,在此初始化周期中不會產(chǎn)生光。由初始化周期中產(chǎn)生光的事實(shí)可見這點(diǎn)。在地址周期中,將數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X,而將掃描脈沖Scan施加到第一電極Y。此時,在放電單元中出現(xiàn)地址放電,從而在該放電單元中形成所要求的壁電荷。由地址周期中產(chǎn)生光的事實(shí)可見這點(diǎn)。
圖9是說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子顯示板驅(qū)動方法的波形圖。
參考圖9,根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的第一子場間隔與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例以及傳統(tǒng)驅(qū)動方法的第一子場間隔相同。因此,省略對根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的第一子場間隔的詳細(xì)說明。
在第二子場的初始化周期中,將具有上斜坡波形和下斜坡波形的第一初始化脈沖RP1施加到第一電極Y。事實(shí)上,第一初始化脈沖RP1被劃分為上升沿、保持范圍以及下降沿。此時,以這樣的方式將具有上斜坡波形和下斜坡波形的第二初始化脈沖施加到第二電極Z,即與第一初始化脈沖RP1同步。在此,把施加到第二電極Z的第二復(fù)位脈沖RP2的電壓值設(shè)置為等于第一復(fù)位脈沖RP1的電壓值,以防止在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生電流。換句話說,第一復(fù)位脈沖RP1與第二復(fù)位脈沖RP2具有同樣的形狀。
如果如上所述在初始化周期中將第二復(fù)位脈沖RP2施加到第二電極Z,則在第一電極Y與第二電極Z之間不產(chǎn)生表面放電。換句話說,如果將正的第二復(fù)位脈沖RP2施加到第二電極Z,則第一電極Y與第二電極Z之間的電壓差不會超過放電初始電壓,因此在第二子場的初始化周期中,在第一電極Y與第二電極Z之間不產(chǎn)生表面放電。因此,根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP可以提高對比度。同時,第二子場的初始化周期同樣適用于位于第二子場之后的各子場。
作為選擇,本發(fā)明的第二實(shí)施例可以僅應(yīng)用施加到第二電極Z的上斜坡波形。此外,在將上斜坡波形施加到第一電極Z時,可以僅在部分范圍內(nèi)施加上斜坡波形。此外,還可以僅在保持上斜坡波形和下斜坡波形的保持范圍中將第二復(fù)位脈沖RP2施加到第二電極Z。
在地址周期中,將負(fù)掃描脈沖Scan順序施加到第一電極Y,同時,將正數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X。將掃描脈沖Scan與數(shù)據(jù)脈沖data之間的電壓差加到初始化周期中產(chǎn)生的壁電壓上,從而在施加了數(shù)據(jù)脈沖data的單元內(nèi)產(chǎn)生地址放電。在由地址放電選擇的單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。同時,在關(guān)閉間隔和地址周期中,將具有保持電壓電平Vs的正直流電壓施加到第二電極Z。
在保持周期中,將保持脈沖sus交替施加到第一電極Y和第二電極Z。然后,將由地址放電選擇的單元內(nèi)的壁電壓加到保持脈沖sus上,從而在每次施加保持脈沖sus時,在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生表面放電形狀的保持放電。最后,在擦除周期中,將具有小脈沖寬度的擦除斜坡波形erase施加到第二電極Z以擦除保持放電。
圖10是說明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的等離子顯示板驅(qū)動方法的波形圖。
參考圖10,根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的第一子場間隔與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例以及傳統(tǒng)驅(qū)動方法的第一子場間隔相同。因此,省略了對根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的第一子場間隔的詳細(xì)說明。
在第二子場的初始化周期的建立間隔中,將上斜坡波形施加到第一電極Y。此外,在第二子場的初始化周期的關(guān)閉間隔中,將下斜坡波形施加到第一電極Y。同時,在第二子場的初始化周期的建立間隔中,第二電極Z是浮動的。在此,建立間隔包括一個電壓保持以上升斜率上升的保持范圍。另一方面,在第二子場的初始化周期的關(guān)閉間隔中,第二電極Z不浮動。
如果在建立間隔中第二電極Z浮動,則在第二電極Z上會產(chǎn)生浮動脈沖FP。浮動脈沖FP在建立周期中以所要求的斜率上升,而在關(guān)閉周期中保持升高的電壓。如果在初始化周期的建立間隔中第二電極Z是浮動的,則在第一電極Y與第二電極Z之間不會產(chǎn)生表面放電。換句話說,如果在第二電極Z上產(chǎn)生了正的浮動脈沖FP,則第一電極Y與第二電極Z之間的電壓差不會高于放電初始電壓,這樣,在第二子場的初始化周期中,在第一電極Y與第二電極Z之間就不會產(chǎn)生表面放電。因此,根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP可以提高對比度。同時,第二子場的初始化周期同樣適用于位于第二子場之后的各子場。作為選擇,在以上升斜率上升的范圍內(nèi),第二電極Z可以浮動。換句話說,在電壓保持以上升斜率升高的保持范圍內(nèi)第二電極Z可以不浮動。
在地址周期中,將負(fù)掃描脈沖Scan順序施加到第一電極Y,同時,將正數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X。將掃描脈沖Scan與數(shù)據(jù)脈沖data之間的電壓差加到在初始化周期中產(chǎn)生的壁電壓上,從而在施加了數(shù)據(jù)脈沖data的單元內(nèi)產(chǎn)生地址放電。在由地址放電選擇的單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。同時,在關(guān)閉間隔和地址周期中,將具有保持電壓電平Vs的正直流電壓施加到第二電極Z。
在保持周期中,將保持脈沖sus交替施加到第一電極Y和第二電極Z。然后,將由地址放電選擇的單元內(nèi)的壁電壓加到保持脈沖sus上,從而在每次施加保持脈沖sus時,在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生表面放電形狀的保持放電。最后,在擦除周期,將具有小脈沖寬度的擦除斜坡波形erase施加到第二電極Z以擦除保持放電。
圖11是說明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的等離子顯示板驅(qū)動方法的波形圖。
參考圖11,根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP的第一子場間隔與根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例以及傳統(tǒng)驅(qū)動方法的第一子場間隔相同。因此,省略了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP的第一子場間隔的詳細(xì)說明。
在第二子場的初始化周期的建立間隔中,將上斜坡波形施加到第一電極Y。此外,在第二子場的初始化周期的關(guān)閉間隔中,將下斜坡波形施加到第一電極Y。同時,在第二子場的初始化周期的關(guān)閉間隔的一部分中,第二電極Z浮動,而在其余的間隔中不浮動。
如果在一部分的建立間隔中第二電極Z浮動,則在第二電極Z上會產(chǎn)生浮動脈沖FP。例如,在建立間隔的前部、中部以及后部之任一期間,第二電極Z浮動。在第二電極Z浮動時,在第二電極Z上產(chǎn)生以預(yù)期斜率上升的上升電壓。相反,在第二電極Z不浮動時,第二電極Z保持升高的電壓。如果在一部分的建立間隔中第二電極Z浮動,則在第一電極Y與第二電極Z之間不會產(chǎn)生表面放電。換句話說,如果在第二電極Z上產(chǎn)生了正的浮動脈沖FP,則第一電極Y與第二電極Z之間的電壓差不會高于放電初始電壓,這樣,在第二子場的初始化周期中,在第一電極Y與第二電極Z之間就不會產(chǎn)生表面放電。因此,根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的PDP可以提高對比度。同時,第二子場的初始化周期同樣適用于位于第二子場之后的各子場。
在地址周期中,將負(fù)掃描脈沖Scan順序施加到第一電極Y,同時,將正數(shù)據(jù)脈沖data施加到地址電極X。將掃描脈沖Scan與數(shù)據(jù)脈沖data之間的電壓差加到初始化周期中產(chǎn)生的壁電壓上,從而在施加了數(shù)據(jù)脈沖data的單元內(nèi)產(chǎn)生地址放電。在由地址放電選擇的單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。同時,在關(guān)閉間隔和地址周期中,將具有保持電壓電平Vs的正直流電壓施加到第二電極Z。
在保持周期中,將保持脈沖sus交替地施加到第一電極Y和第二電極Z。然后,將由地址放電選擇的單元內(nèi)的壁電壓加到保持脈沖sus上,從而在每次施加保持脈沖sus時,在第一電極Y與第二電極Z之間產(chǎn)生表面放電形狀的保持放電。最后,在擦除周期中,將小脈沖寬度的擦除斜坡波形erase施加到第二電極Z以擦除保持放電。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明,可以將復(fù)位周期中產(chǎn)生的光降低到最少。
盡管利用上述附圖所示的實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明,但是,本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白,本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例,而且在本發(fā)明實(shí)質(zhì)范圍內(nèi),可以對其進(jìn)行各種變化和替換。因此,本發(fā)明的范圍僅由所附權(quán)利要求及其等同物來確定。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動具有多個第一電極和第二電極并且由多個子場構(gòu)成一幀的等離子顯示板的方法,所述方法包括以下步驟在多個子場中的至少一個子場的初始化周期中,使第一電極和第二電極中的至少一個保持在浮動狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,該方法進(jìn)一步包括步驟在多個子場中的所述至少一個子場的初始化周期中,將復(fù)位脈沖施加到第一電極;以及在多個子場中的所述至少一個子場的初始化周期中,使第二電極浮動。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,該方法進(jìn)一步包括步驟將擦除脈沖施加到第一電極和第二電極中的至少一個以擦除在保持周期中產(chǎn)生的保持放電。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中施加到第一電極的所述復(fù)位脈沖被劃分為以某個斜率上升的上升沿、保持升高的電壓的保持范圍以及以某個斜率下降的下降沿。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中在所述上升沿期間,第二電極浮動。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中在一部分的所述上升沿期間,第二電極浮動。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中在所述上升沿期間以及在所述保持范圍期間,第二電極浮動。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中在一部分的所述上升沿以及所述保持范圍期間,第二電極浮動。
9.一種驅(qū)動具有多個第一電極和第二電極并且由多個子場構(gòu)成一幀的等離子顯示板的方法,所述方法包括以下步驟在多個子場中的至少一個子場的初始化周期中,將第一復(fù)位脈沖施加到第一電極;以及在多個子場中的至少一個子場的初始化周期中,將第二復(fù)位脈沖施加到第二電極,其中第一復(fù)位脈沖和第二復(fù)位脈沖具有相同的電壓值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,該方法進(jìn)一步包括步驟將擦除脈沖施加到第一電極和第二電極中的至少一個以擦除在保持周期中產(chǎn)生的保持放電。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中施加到第一電極的所述第一復(fù)位脈沖被劃分為以某個斜率上升的上升沿、保持升高的電壓的保持范圍以及以某個斜率下降的下降沿。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中僅在所述上升沿期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中僅在一部分的所述上升沿期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中在所述上升沿期間以及在所述保持范圍期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中在一部分的所述上升沿和所述保持范圍期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
16.一種等離子顯示板,包括第一電極,在至少一個子場的初始化周期中對其施加復(fù)位脈沖;以及第二電極,在所述至少一個子場的所述初始化周期中使其浮動。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子顯示板,其中施加到第一電極的所述復(fù)位脈沖被劃分為以某個斜率上升的上升沿、保持升高的電壓的保持范圍以及以某個斜率下降的下降沿。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示板,其中僅在所述上升沿期間使第二電極浮動。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示板,其中在一部分的所述上升沿期間使第二電極浮動。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示板,其中在所述上升沿期間以及在所述保持范圍期間使第二電極浮動。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子顯示板,其中在一部分的所述上升沿和所述保持范圍期間使第二電極浮動。
22.一種等離子顯示板,包括第一電極,在至少一個子場的初始化周期中對其施加第一復(fù)位脈沖;以及第二電極,在所述至少一個子場的所述初始化周期中對其施加第二復(fù)位脈沖,其中第一復(fù)位脈沖和第二復(fù)位脈沖具有相同的電壓值。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的等離子顯示板,其中施加到第一電極的所述第一復(fù)位脈沖被劃分為以某個斜率上升的上升沿、保持升高的電壓的保持范圍以及以某個斜率下降的下降沿。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子顯示板,其中僅在所述上升沿期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子顯示板,其中在一部分的所述上升沿期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子顯示板,其中在所述上升沿期間以及在所述保持范圍期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的等離子顯示板,其中在一部分的所述上升沿和所述保持范圍期間施加所述第二復(fù)位脈沖。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種適于提高對比度的等離子顯示板驅(qū)動方法。在該方法中,在多個子場中的至少一個子場的初始化周期中,第一電極和第二電極中的至少一個保持浮動狀態(tài)。
文檔編號H01J11/34GK1410960SQ0214436
公開日2003年4月16日 申請日期2002年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月10日
發(fā)明者李銀哲, 李應(yīng)官, 柳在和, 樸正后, 金東弦, 李盛弦 申請人:Lg電子株式會社
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