專利名稱：陰極射線管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陰極射線管裝置。特別是涉及對偏轉(zhuǎn)線圈的會聚特性進行了改進的陰極射線管裝置。
背景技術(shù)：
作為個人計算機的OS，隨著以微軟公司制的視窗等為代表的多畫面顯示環(huán)境的普及，在用于計算機的顯示器中的陰極射線管裝置中，屏幕周邊部的高分辨率成為重要的技術(shù)課題。
作為決定分辨率的要素之一，可列舉出表示屏幕面上藍色、綠色和紅色發(fā)光用電子束的象差誤差(以下，稱為“會聚失調(diào)”)的會聚特性。
在顯示器用陰極射線管裝置中，其屏幕面上的會聚失調(diào)在制造工序中被調(diào)整到0.25mm左右。在這種情況下，特別是在屏幕面的角部上，藍色發(fā)光用電子束和紅色發(fā)光用電子束之間的會聚失調(diào)的調(diào)整比較容易，而綠色發(fā)光用電子束和藍色發(fā)光用電子束或者紅色發(fā)光用電子束之間的會聚失調(diào)的調(diào)整困難，這是眾所周知的。
其原因是，在調(diào)整屏幕面的角部上的會聚(以下，稱為“動態(tài)會聚”)時，雖然從偏轉(zhuǎn)線圈的屏幕一側(cè)開口部插入安裝在短長方形樹脂制平板前端部上的含有鐵氧體粉的樹脂制軟磁性片，但其含有鐵氧體粉的樹脂制軟磁性片的特性是相對于綠色會聚失調(diào)的調(diào)整靈敏度非常低。因此，為了獲得良好的會聚特性，要預(yù)先將屏幕面的角部上的綠色會聚失調(diào)設(shè)計得較小。特別是，將屏幕面四邊的角部上綠色會聚向外側(cè)偏離的狀態(tài)稱為HGB，對HGB修正的現(xiàn)有技術(shù)說明如下。
在現(xiàn)有的陰極射線管裝置用的偏轉(zhuǎn)線圈中，例如專利文獻1等所公開的，在偏轉(zhuǎn)線圈20的電子槍一側(cè)設(shè)置附加的一組專用修正線圈(副線圈)23和24(圖21)。然后，通過垂直偏轉(zhuǎn)電路(未圖示)產(chǎn)生全波整流電流，通過使磁性線圈(未圖示)的磁通變化而在連接于專用修正線圈23和24上的線圈中產(chǎn)生電流，電流在專用修正線圈23和24中流動。因此，在專用修正線圈23和24中產(chǎn)生特殊的磁場，通過這種特殊的磁場對HGB進行修正。
專利文獻1特許第3053841號公報說明書。
但是，根據(jù)上述的現(xiàn)有技術(shù)，存在僅僅為了對HGB進行修正的目的而必須要附加地裝載專用修正線圈23和24的問題。而且，還存在必須要在偏轉(zhuǎn)線圈內(nèi)輔助電路中特別增設(shè)上述的修正電流發(fā)生用的電流。由于這種增設(shè)的必要性，電流損失增大，制造成本大幅度上升，偏轉(zhuǎn)線圈、陰極射線管等的設(shè)計負擔也增大。
而且，通過上述的作用改進HGB的量取決于電路中流動的電流量，另一方面，由于要將水平偏轉(zhuǎn)功率的增加和電路損失抑制到最小限度，所以作為HGB的改進量，尚不能說非常充分。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種陰極射線管裝置，不必裝載附加修正線圈，而且不需特別的修正電流發(fā)生用的修正電路，動態(tài)會聚失調(diào)的調(diào)整容易，具有良好的會聚特性。
為了達到上述目的，本發(fā)明所涉及的陰極射線管裝置為一種包括具有玻璃面板和連接在玻璃面板后部上的玻璃錐管的陰極射線管本體，設(shè)置在陰極射線管本體后部上的電子槍，具有配置在陰極射線管本體的后部外周上的水平偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置在水平偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)上的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、和鐵氧體鐵心的偏轉(zhuǎn)線圈的陰極射線管裝置，水平偏轉(zhuǎn)線圈由導線卷繞而成，在從電子槍一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到電子槍一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置為止的第一區(qū)域，從電子槍一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到屏幕一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點為止的第二區(qū)域，以及從屏幕一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到屏幕一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置為止的第三區(qū)域上，在垂直于管軸的剖面上，分別以第一區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ1，第二區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ2，第三區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ3為中心，以規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分上的導線的線密度小于第一部分之外的第二部分上的導線的線密度，第一部分的繞組角度θ1、繞組角度θ2、以及繞組角度θ3滿足公式2。
公式2
θ1≥θ2≥θ3根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于可僅通過水平線圈磁場控制HGB，并且可有效地降低HGB，所以動態(tài)會聚失調(diào)調(diào)整容易，可獲得良好會聚特性的陰極射線管裝置。
而且，在具有同樣結(jié)構(gòu)的陰極射線管裝置中，即使是在垂直于管軸的剖面上，以水平方向為0°的繞組角度為中心，在規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分位于第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域中的至少兩個區(qū)域上，其兩個區(qū)域中位于電子槍一側(cè)的區(qū)域上的第一部分的繞組角度大于位于屏幕一側(cè)的區(qū)域上的第一部分的繞組角度的結(jié)構(gòu)，也可以具有同樣的效果。
另外，在具有同樣結(jié)構(gòu)的陰極射線管裝置中，即使是在垂直于管軸的剖面上，以水平方向為0°的繞組角度為中心，在規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分位于第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域中的任一個區(qū)域上的結(jié)構(gòu)，也可以具有同樣的效果。
而且，本發(fā)明所涉及的陰極射線管裝置最好是規(guī)定的角度范圍是以繞組角度為中心在±2°的范圍隔開的部分。
而且，本發(fā)明所涉及的陰極射線管裝置最好是在第一部分上，在水平偏轉(zhuǎn)線圈上形成有規(guī)定形狀的凹部。
而且，本發(fā)明所涉及的陰極射線管裝置最好是第一部分的水平偏轉(zhuǎn)線圈的厚度小于水平偏轉(zhuǎn)線圈的最大厚度的40％。
而且，本發(fā)明所涉及的陰極射線管裝置最好是繞組角度θ1為35°≤θ1≤65°，繞組角度θ2為25°≤θ2≤55°，繞組角度θ3為15°≤θ3≤45°。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明所涉及的陰極射線管裝置，可大幅度改進屏幕面上的對角周邊部出現(xiàn)的HGB值，穩(wěn)定地持續(xù)生產(chǎn)線圈，同時可實現(xiàn)高品質(zhì)的偏轉(zhuǎn)線圈。因此，可獲得其制造成品率高，僅有線圈的離散性值的偏轉(zhuǎn)線圈離散性，減少了50％以上的離散性，動態(tài)會聚失調(diào)調(diào)整容易，具有良好的ITC調(diào)整能率的會聚特性的陰極射線管裝置。
圖1為本發(fā)明的實施方式所涉及的陰極射線管裝置的俯視圖。
圖2為從下方觀看本發(fā)明的實施方式所涉及的陰極射線管裝置中水平偏轉(zhuǎn)線圈時的附圖。
圖3為本發(fā)明的實施方式所涉及的陰極射線管裝置中水平偏轉(zhuǎn)線圈的縱向剖視圖。
圖4為HGB圖形的說明圖。
圖5為電子槍一側(cè)的區(qū)域中電子束的排列及水平偏轉(zhuǎn)磁場的說明圖。
圖6為垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)(上偏轉(zhuǎn)時)的說明圖。
圖7為電子束軌跡的說明圖。
圖8為偏轉(zhuǎn)線圈中垂直磁場的分布圖。
圖9為修正后的HGB圖形的說明圖。
圖10為中間區(qū)域中電子束的排列及水平偏轉(zhuǎn)磁場的說明圖。
圖11為屏幕一側(cè)的區(qū)域中電子束的排列及水平偏轉(zhuǎn)磁場的說明圖。
圖12為表示本實施方式所涉及的陰極射線管裝置中采用水平偏轉(zhuǎn)線圈的三維形狀時的HGB變化量的附圖。
圖13為表示大致直徑方向的厚度比率和會聚失調(diào)HGB的改進值的關(guān)系的附圖。
圖14為表示本實施方式所涉及的陰極射線管裝置中采用水平偏轉(zhuǎn)線圈的三維形狀時的HGB改進效果的附圖。
圖15為現(xiàn)有的陰極射線管裝置中偏轉(zhuǎn)線圈周邊部的立體圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式所涉及的陰極射線管裝置加以說明。圖1為本發(fā)明的實施方式所涉及的陰極射線管裝置的俯視圖。
圖1中，陰極射線管本體36由玻璃面板37和連接在玻璃面板37后部上的玻璃錐管38構(gòu)成。陰極射線管本體36的后部上設(shè)置有電子槍。而且，在陰極射線管本體36的后部外周上安裝有由卷繞成鞍型的水平偏轉(zhuǎn)線圈39，設(shè)置在水平偏轉(zhuǎn)線圈39外側(cè)上的鞍型垂直偏轉(zhuǎn)線圈40，以及設(shè)置在垂直偏轉(zhuǎn)線圈40外側(cè)上的鐵氧體鐵心41構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)線圈42。
圖2為從下方僅觀看不圖示一根一根線圈銅線而簡化了的水平偏轉(zhuǎn)線圈39的附圖。而且，圖3為圖2中所示的水平偏轉(zhuǎn)線圈39的A-A向縱向剖視圖。圖3中，繞組角度θ是以水平軸方向(X方向)作為0°，朝向垂直軸方向(Y方向)的角度規(guī)定的，而且，圖示出由位于外側(cè)的線圈銅線的包絡(luò)線表示水平偏轉(zhuǎn)線圈39的區(qū)域(以下，稱為“殼體”)。另外，殼體相當于與卷繞組圈銅線而形成水平偏轉(zhuǎn)線圈時的模具形狀。
即，本實施方式所涉及的陰極射線管裝置中的水平偏轉(zhuǎn)線圈39的形狀如圖2所示，呈下述的鞍型形狀，即，從電子槍一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置221和水平磁場強度為最大的位置223的中間點222起、到電子槍一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置221為止的區(qū)域(以下，稱為“電子槍一側(cè)的區(qū)域”)3，從電子槍一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置221和水平磁場強度為最大的位置223的中間點222起、到屏幕一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置225和水平磁場強度為最大的位置223的中間點為止的區(qū)域(以下，稱為“中間區(qū)域”)4，以及從屏幕一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置225和水平磁場強度為最大的位置223的中間點224起、到屏幕一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置225為止的區(qū)域(以下，稱為“屏幕一側(cè)的區(qū)域”)5(Z的正向)，將沿著錐管的形狀形成的圓錐形狀切成一半。
這樣，如圖3所示，具有下述的特征，即，將以繞組角度θ為中心，在規(guī)定的角度范圍內(nèi)隔開殼體的第一部分31(左傾斜的斜線部)上的導線的線密度比殼體上第一部分31以外的第二部分(右傾斜的斜線部)上的導線的線密度低。作為第一部分31上的導線的線密度相對于第二部分32低的結(jié)構(gòu)，例如可以通過形成使水平偏轉(zhuǎn)線圈的一部分下凹而形成凹部的部分(以下，稱為“三維形狀”)來實現(xiàn)。在此，線密度表示以管軸(Z軸)的斷面將偏轉(zhuǎn)線圈切斷時單位面積上的線的比例。
另外，導線的線密度低于第二部分32的第一部分31設(shè)計成在電子槍一側(cè)的區(qū)域3上其繞組角度θ1是在35°≤θ1≤65°的范圍內(nèi)，在中間區(qū)域4上其繞組角度θ2是在25°≤θ2≤55°的范圍內(nèi)，在屏幕一側(cè)的區(qū)域5上其繞組角度θ3是在15°≤θ3≤45°的范圍內(nèi)。即具有下述特征在電子槍一側(cè)的區(qū)域3、中間區(qū)域4、以及屏幕一側(cè)的區(qū)域5上設(shè)置的凹部上，卷繞成凹部隨著從電子槍一側(cè)的區(qū)域3朝向屏幕一側(cè)的區(qū)域5而逐漸變化。
而且，該三維形狀的特征與圖3一樣，即，在本發(fā)明的實施方式所涉及的陰極射線管裝置中的水平偏轉(zhuǎn)線圈的縱向剖視圖中，在相對于繞組角度θ以±2 °隔開的同心圓狀單元處的殼體部分中與管軸相垂直的剖面上的水平偏轉(zhuǎn)線圈的大致直徑方向(以管軸為中心的大致圓形中的直徑方向)的厚度為相對于與圖3中所示的管軸相垂直的剖面上的水平偏轉(zhuǎn)線圈的大致直徑方向的最大厚度13的40％不到的厚度14。
在此，圖4為表示HGB圖形的附圖，表示出在屏幕面的右邊中央部和左邊中央部上，綠色發(fā)光用電子束21和藍色發(fā)光用電子束以及紅色發(fā)光用電子束22相一致，另一方面，在角部上，綠色發(fā)光用電子束21呈現(xiàn)相對于藍色發(fā)光用電子束以及紅色發(fā)光用電子束22，上下部分向外側(cè)偏離的狀態(tài)。這種HGB圖形出現(xiàn)于例如對HCR進行修正的情況下，屏幕面越平越顯著。
以下，對修正HGB的原理加以說明。
HGB可以認為是在電子束向屏幕面的對角周邊部偏轉(zhuǎn)時，水平軸上的主枕形磁場的控制稀薄而產(chǎn)生的。因此，為了改進這種HGB，在電子束向?qū)侵苓叢科D(zhuǎn)時，進一步強調(diào)主枕形磁場即可。
強調(diào)主枕形磁場只能是在對角磁場上同時強調(diào)對角周邊部上的筒形磁場，作為基本的考慮方法，可認為是對角周邊部、即電子束越接近偏轉(zhuǎn)線圈，其效果越明顯。
以下，對本發(fā)明的實施方式所涉及的陰極射線管裝置的效果，分成電子槍一側(cè)的區(qū)域3、中間區(qū)域4以及屏幕一側(cè)的區(qū)域5順序說明。
首先，對電子槍一側(cè)的區(qū)域3加以說明。圖5為對于與管軸相垂直的剖面，將電子槍一側(cè)的區(qū)域3上的電子束排列以及水平偏轉(zhuǎn)磁場的樣子模式化后表示的。如圖5所示，在電子槍一側(cè)的區(qū)域3上，水平偏轉(zhuǎn)磁場比較接近于整齊的磁場，垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)受到較強影響。
在此，垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)為在圖1中所示的偏轉(zhuǎn)線圈電子槍一側(cè)的后端61上，如圖6所示，N極/S極上下對稱地設(shè)置U字形的硅鋼板62，通過垂直偏轉(zhuǎn)電流在垂直輔助修正線圈63中流動而對彗差象差進行修正。即，在電子槍一側(cè)的后端61上，通過將綠色發(fā)光用電子束21比藍色發(fā)光用電子束以及紅色發(fā)光用電子束22在Y方向上更加向上拉，可對彗差象差進行修正。
但是，這種修正效果越是在接近于電子槍的區(qū)域越顯著，如圖7所示，可知，向管軸方向(正的z方向)射出的綠色發(fā)光用電子束21的軌道(實線部分)與藍色發(fā)光用電子束以及紅色發(fā)光用電子束22的軌道(虛線部分)相比，隨著從電子槍一側(cè)的區(qū)域3進入屏幕一側(cè)的區(qū)域5，在Y方向上變化量減小。
圖8(a)和圖8(b)表示以橫軸為Y方向，以縱軸為垂直磁場強度，從垂直磁場強度為最大的位置起，以Z＝5(mm)逐漸變化時的垂直磁場分布。另外，圖8(a)表示在電子槍一側(cè)變化的情況，圖8(b)表示在屏幕一側(cè)變化的情況。
在圖8(a)和圖8(b)中，100表示垂直磁場強度為最大的位置，101表示垂直磁場強度為最大的位置和電子槍一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置的中間點，102表示垂直磁場強度為最大的位置和屏幕一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置的中間點。而且，在圖8(a)和圖8(b)中，將從電子槍一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置起到中間點101為止的區(qū)域作為電子槍一側(cè)的區(qū)域103，將從中間點101起到中間點102為止的區(qū)域作為屏幕一側(cè)的中間區(qū)域104，將從中間點102起到屏幕一側(cè)的水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置為止的區(qū)域作業(yè)屏幕一側(cè)的區(qū)域105。
如圖8(a)和圖8(b)所示，在電子槍一側(cè)的區(qū)域103中，表示枕形磁場的圖形，在中間區(qū)域104中，表示筒形磁場的圖形。而且，在屏幕一側(cè)的區(qū)域105中，表示弱筒形磁場的圖形。
因此，不僅在電子槍一側(cè)的區(qū)域的后端61上，在從電子槍一側(cè)的區(qū)域3朝向屏幕一側(cè)的區(qū)域5的寬闊區(qū)域上，連續(xù)地作用有與圖6所示的垂直磁場相反的力。而且，對于賦予電子束的力的大小，綠色發(fā)光用電子束21要比藍色發(fā)光用電子束以及紅色發(fā)光用電子束22大。
因此，如圖7所示，綠色發(fā)光用電子束21在電子槍一側(cè)的區(qū)域3上，在Y方向上被向上方(與管軸分離的方向)拉伸，隨著從電子槍一側(cè)進入屏幕一側(cè)，向接近管軸的方向被拉伸(Y的絕對值減小)。
根據(jù)圖5可知，在電子槍一側(cè)的區(qū)域3上，幾乎未作用有水平枕形磁場，僅僅作用有垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)。因此，垂直方向(Y方向)的綠色發(fā)光用電子束21的位置位于紅色發(fā)光用電子束以及藍色發(fā)光用電子束22的位置的稍上方。
利用作用的垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的效果，可對BGB進行修正。即，當假定存在圖5中所示的區(qū)域80(圖中的斜線部分)時，則如圖5中所示的空心箭頭所示，綠色發(fā)光用電子束21承受的力與紅色發(fā)光用電子束以及藍色發(fā)光用電子束22承受的力相比，在水平的正方向上要大。
但是，在本實施方式中，由于實際上排除了區(qū)域80，即形成凹部，所以電子束從垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)承受的力成為朝向水平的負方向的實心箭頭，綠色發(fā)光用電子束21承受的力與紅色發(fā)光用電子束以及藍色發(fā)光用電子束22承受的力相比，在水平的正方向上要小。本效果可認為是電子束的軌跡越接近區(qū)域80，其效果越大。
如上所述，在電子槍一側(cè)的區(qū)域3上，通過形成上述的凹部，可將圖4中所示的HGB圖形修正成圖9所示。
另外，作為HGB圖形的修正方式，并不僅限于排除區(qū)域80，即形成凹部的方式，也可以是在殼體內(nèi)設(shè)置空洞部，或者在該空洞部中夾入絕緣物的結(jié)構(gòu)。而且，即使是不形成凹部，而是使圖3中所示的第一部分31上的繞組數(shù)少于第二部分32上的繞組數(shù)的結(jié)構(gòu)，即減小繞組密度的結(jié)構(gòu)，也可以使第一部分31的線密度小于第二部分32的線密度。因此，根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠起到上述的效果。
以下，對中間區(qū)域4上的效果加以說明。圖10為模式化表示與管軸相垂直的剖面上中間區(qū)域4上的電子束的排列和水平偏轉(zhuǎn)磁場的樣子。
在中間區(qū)域4上，水平偏轉(zhuǎn)磁場為弱枕形磁場，垂直偏轉(zhuǎn)效果也比電子槍一側(cè)的區(qū)域3稍弱。在此，由于水平偏轉(zhuǎn)枕形磁場強力作用，所以如圖10所示，水平方向(X方向)上的綠色發(fā)光用電子束21的位置為藍色發(fā)光用以及紅色發(fā)光用電子束22的位置的外側(cè)，另外，由于還作用有弱的垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)，所以垂直方向(y方向)上的綠色發(fā)光用電子束21的位置也位于藍色發(fā)光用電子束以及紅色發(fā)光用電子束22的位置的稍上側(cè)。
這樣，與電子槍一側(cè)的區(qū)域3的情況相同，可進行HGB修正。即，當假定存在圖10所示的區(qū)域81(圖中斜線部分)時，則如圖10中所示的空心箭頭那樣，綠色發(fā)光用電子束21承受的力與藍色發(fā)光用以及紅色發(fā)光用電子束22承受的力相比，在水平的正方向上增大。
但是，在本實施方式中，由于排除了區(qū)域81，即形成凹部，所以三條電子束承受的力成為朝向水平的負方向的實心箭頭，而綠色發(fā)光用電子束21承受的力與紅色發(fā)光用以及藍色發(fā)光用電子束22承受的力相比，在水平的正方向上要小。本效果可認為是電子束的軌跡越接近區(qū)域81越大。
如上所述，即使在中間區(qū)域4上，通過在水平偏轉(zhuǎn)線圈的一部分上設(shè)置凹部，也可以將圖4中所示的HGB圖形修正成圖9中所示的HGB圖形。
另外，作為HGB的修正方式，并不僅限于排除區(qū)域81，即形成凹部的方式，也可以是在殼體內(nèi)設(shè)置空洞部，或者在該空洞部中夾入絕緣物的結(jié)構(gòu)。而且，即使是不形成凹部，而是使圖3中所示的第一部分31上的繞組數(shù)少于第二部分32上的繞組數(shù)的結(jié)構(gòu)，即減小繞組密度的結(jié)構(gòu)，也可以使第一部分31的線密度小于第二部分32的線密度。因此，根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠起到上述的效果。
以下，對屏幕一側(cè)的區(qū)域5的效果加以說明。圖11為模式化表示與管軸相垂直的剖面上屏幕一側(cè)的區(qū)域5上的電子束的排列和水平偏轉(zhuǎn)磁場的樣子。在屏幕一側(cè)的區(qū)域5上，水平偏轉(zhuǎn)磁場為弱枕形磁場，垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)效果也比電子槍一側(cè)的區(qū)域3弱很多。
在此，由于水平偏轉(zhuǎn)枕形磁場作用，所以如圖11所示，水平方向(X方向)上的綠色發(fā)光用電子束21的位置為藍色發(fā)光用以及紅色發(fā)光用電子束22的位置的更外側(cè)。另外，由于還作用有弱很多的垂直預(yù)備偏轉(zhuǎn)，所以垂直方向(y方向)上的綠色發(fā)光用電子束21的位置也位于藍色發(fā)光用以及紅色發(fā)光用電子束22的位置的稍上側(cè)。
這樣，與電子槍一側(cè)的區(qū)域3的情況相同，可進行HGB修正。即，當假定存在圖11所示的區(qū)域82(圖中斜線部分)時，則如區(qū)域82上所示的空心箭頭那樣，綠色發(fā)光用電子束21承受的力與紅色發(fā)光用以及藍色發(fā)光用電子束22承受的力相比，在水平的正方向上增大。
但是，在本實施方式中，由于排除了區(qū)域82，即形成凹部，所以三條電子束承受的力成為朝向水平的負方向的實心箭頭，而綠色發(fā)光用電子束21承受的力與紅色發(fā)光用以及藍色發(fā)光用電子束22承受的力相比，在水平的正方向上減小。本效果可認為是電子束的軌跡越接近區(qū)域82越大。
如上所述，即使在屏幕一側(cè)的區(qū)域5上，通過在水平偏轉(zhuǎn)線圈的一部分上設(shè)置凹部，也可以將圖4中所示的HGB圖形修正成圖9中所示的HGB圖形。
另外，作為HGB的修正方式，并不僅限于排除區(qū)域82，即形成凹部的方式，也可以是在殼體內(nèi)設(shè)置空洞部，或者在該空洞部中夾入絕緣物的結(jié)構(gòu)。而且，即使是不形成凹部，而是使圖3中所示的第一部分31上的繞組數(shù)少于第二部分32上的繞組數(shù)的結(jié)構(gòu)，即減小繞組密度的結(jié)構(gòu)，也可以使第一部分31的線密度小于第二部分32的線密度。因此，根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠起到上述的效果。
以下，對電子槍一側(cè)的區(qū)域3、中間區(qū)域4、以及屏幕一側(cè)的區(qū)域5上設(shè)置的凹部的繞組角度θ1、θ2、θ3和HGB的變化量的關(guān)系進行了實驗，其結(jié)果用圖12加以說明。在圖12中，縱軸為HGB的變化量(mm)，橫軸為繞組角度θ1、θ2、θ3(°)。另外，將凹部僅設(shè)置在電子槍一側(cè)的區(qū)域3、中間區(qū)域4、以及屏幕一側(cè)的區(qū)域5中之一上進行了實驗。
而且，符號□表示電子槍一側(cè)的區(qū)域3上HGB的變化量推移，符號△表示中間區(qū)域4上HGB的變化量推移，符號○表示屏幕一側(cè)的區(qū)域5上HGB的變化量推移，在圖12中，在HGB的變化量為負(-)的情況下認為HGB圖形被有效地修正。因此，作為繞組角度的范圍，可知在電子槍一側(cè)的區(qū)域3上最好為35°≤θ1≤65°，在中間區(qū)域4上最好為25°≤θ2≤55°，在屏幕一側(cè)的區(qū)域5上最好為15°≤θ3≤45°。
如上所述，由于從電子槍一側(cè)的區(qū)域3朝向屏幕一側(cè)的區(qū)域5，預(yù)備垂直偏轉(zhuǎn)磁場產(chǎn)生的影響本身是變化的，所以要進行與各區(qū)域相對應(yīng)的繞組角度的設(shè)定。即，隨著從電子槍一側(cè)的區(qū)域3向屏幕一側(cè)的區(qū)域5過渡，預(yù)備垂直偏轉(zhuǎn)磁場所產(chǎn)生的影響減弱，所以繞組角度也最好隨著向屏幕一側(cè)的區(qū)域5過渡而逐漸減小。因此，對于繞組角度θ1、θ2、θ3，最好是公式3的關(guān)系。
公式3θ1≥θ2≥θ3另外，線占空因數(shù)低于50％的部分，即銷孔周邊部分或線圈端部，密集線的偏置情況不能特定，線(線圈)的相對于電子束的偏轉(zhuǎn)磁場理論通常不成立。即，在殼體的斷面面積上銅線不是均勻排列的，而是分別以無序存在的狀態(tài)。在此，線占空因數(shù)表示在偏轉(zhuǎn)線圈以及存在的區(qū)域中線圈實際占有的比例。
在這種狀態(tài)下，由磁場進行控制是困難的，難以預(yù)想對磁場的影響，所以，關(guān)于本實施方式所涉及的三維形狀，最好是線占空因數(shù)為50％以上。
圖13為表示大致直徑方向上的厚度比率(相對于垂直于管軸的剖面上的最大厚度的厚度比率)和會聚失調(diào)HGB的改進值的關(guān)系的視圖。另外，圖13中，a、b、c分別表示中間區(qū)域4上繞組角度約為35°、設(shè)置了凹部的情況下，厚度比率分別為50％、40％、28％的情況。
由圖13可知，HGB的改進情況在厚度比率為40～50％處大幅度提高了，所以可認為與厚度比率小于40％時相比具有效果。
在以上的本實施方式所涉及的陰極射線管裝置中采用水平偏轉(zhuǎn)線圈的三維形狀時的HGB改進效果示于圖14。在圖14中，一般形狀意味著標準的線圈形狀，現(xiàn)有技術(shù)意味著圖15中所示的特許文獻1中所示的使用附加輔助線圈(副線圈)23和24時的實驗數(shù)據(jù)。另外，圖14中的HGB改進數(shù)值是圖9中所示的陰極射線管裝置的屏幕面上左右部分的數(shù)值。
從圖14可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在采用具有本實施方式所涉及的三維形狀的線圈的情況下，HGB也進一步被改進了-0.20(mm)，這可以認為是由于現(xiàn)有技術(shù)是采用修正電流，后進行HGB修正，推測存在結(jié)構(gòu)上或者電流量等產(chǎn)生的限度，而本實施方式中，針對產(chǎn)生HGB的原因，從根本上改進了產(chǎn)生的要因，所以發(fā)揮了更進一步的效果。
而且，如圖14所示，由于可通過線圈單體進行HGB的改進，所以即使對于其離散性的情況，也可以成為現(xiàn)有技術(shù)的50％這樣的單體的小的離散性情況。
權(quán)利要求
1.一種陰極射線管裝置，包括具有玻璃面板和連接在上述玻璃面板后部上的玻璃錐管的陰極射線管本體，設(shè)置在上述陰極射線管本體后部上的電子槍，具有配置在上述陰極射線管本體的后部外周上的水平偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置在上述水平偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)上的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、和鐵氧體鐵心的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征是，上述水平偏轉(zhuǎn)線圈由導線卷繞而成，在從電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置為止的第一區(qū)域，從電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點為止的第二區(qū)域，以及從屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置為止的第三區(qū)域上，在垂直于管軸的剖面上，分別以上述第一區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ1，上述第二區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ2，上述第三區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ3為中心，以規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分上的上述導線的線密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述導線的線密度，上述第一部分的繞組角度θ1、繞組角度θ2、以及繞組角度θ3滿足公式1。公式1θ1≥θ2≥θ3
2.一種陰極射線管裝置，包括具有玻璃面板和連接在上述玻璃面板后部上的玻璃錐管的陰極射線管本體，設(shè)置在上述陰極射線管本體后部上的電子槍，具有配置在上述陰極射線管本體的后部外周上的水平偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置在上述水平偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)上的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、和鐵氧體鐵心的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征是，上述水平偏轉(zhuǎn)線圈由導線卷繞而成，在從電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置為止的第一區(qū)域，從電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點為止的第二區(qū)域，以及從屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置為止的第三區(qū)域上，在垂直于管軸的剖面上，以水平方向為0°的繞組角度為中心，在規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分位于上述第一區(qū)域、上述第二區(qū)域、上述第三區(qū)域中的至少兩個區(qū)域上，其兩個區(qū)域中位于電子槍一側(cè)的區(qū)域上的第一部分的繞組角度大于位于屏幕一側(cè)的區(qū)域上的第一部分的繞組角度，并且上述第一部分中的上述導線的線密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述導線的線密度。
3.一種陰極射線管裝置，包括具有玻璃面板和連接在上述玻璃面板后部上的玻璃錐管的陰極射線管本體，設(shè)置在上述陰極射線管本體后部上的電子槍，具有配置在上述陰極射線管本體的后部外周上的水平偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置在上述水平偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)上的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、和鐵氧體鐵心的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征是，上述水平偏轉(zhuǎn)線圈由導線卷繞而成，在從電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置為止的第一區(qū)域上，在垂直于管軸的剖面上，上述第一區(qū)域上以水平方向為0°的繞組角度θ1為中心，在規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分上的上述導線的線密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述導線的線密度。
4.一種陰極射線管裝置，包括具有玻璃面板和連接在上述玻璃面板后部上的玻璃錐管的陰極射線管本體，設(shè)置在上述陰極射線管本體后部上的電子槍，具有配置在上述陰極射線管本體的后部外周上的水平偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置在上述水平偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)上的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、和鐵氧體鐵心的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征是，上述水平偏轉(zhuǎn)線圈由導線卷繞而成，在從電子槍一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的末端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點為止的第二區(qū)域上，在垂直于管軸的剖面上，上述第二區(qū)域上以水平方向為0°的繞組角度θ2為中心，在規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分上的上述導線的線密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述導線的線密度。
5.一種陰極射線管裝置，包括具有玻璃面板和連接在上述玻璃面板后部上的玻璃錐管的陰極射線管本體，設(shè)置在上述陰極射線管本體后部上的電子槍，具有配置在上述陰極射線管本體的后部外周上的水平偏轉(zhuǎn)線圈、設(shè)置在上述水平偏轉(zhuǎn)線圈外側(cè)上的垂直偏轉(zhuǎn)線圈、和鐵氧體鐵心的偏轉(zhuǎn)線圈，其特征是，上述水平偏轉(zhuǎn)線圈由導線卷繞而成，在從屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置和水平磁場強度為最大的位置的中間點起、到屏幕一側(cè)的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的前端位置為止的第三區(qū)域上，在垂直于管軸的剖面上，上述第三區(qū)域上以水平方向為0°的繞組角度θ3為中心，在規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分上的上述導線的線密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述導線的線密度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的陰極射線管裝置，上述規(guī)定的角度范圍是以繞組角度為中心在±2°的范圍隔開的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的陰極射線管裝置，在上述第一部分上，在上述水平偏轉(zhuǎn)線圈上形成有規(guī)定形狀的凹部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陰極射線管裝置，上述第一部分的上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的厚度小于上述水平偏轉(zhuǎn)線圈的最大厚度的40％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的陰極射線管裝置，上述繞組角度θ1為35°≤θ1≤65°。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的陰極射線管裝置，上述繞組角度θ2為25°≤θ2≤55°。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的陰極射線管裝置，上述繞組角度θ3為15°≤θ3≤45°。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陰極射線管裝置，不必搭載附加修正線圈，而且不需要特別的修正電流發(fā)生用的修正電路，動態(tài)會聚失調(diào)調(diào)整容易，具有良好的會聚特性。水平偏轉(zhuǎn)線圈由導線卷繞而成，在垂直于管軸的剖面上，分別以電子槍一側(cè)的區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ1，中間區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ2，屏幕一側(cè)的區(qū)域上的水平方向為0°的繞組角度θ3為中心，以規(guī)定的角度范圍隔開的第一部分上的導線的線密度小于第一部分之外的第二部分上的導線的線密度，第一部分的繞組角度θ1、繞組角度θ2、以及繞組角度θ3滿足θ1≥θ2≥θ3。
文檔編號H01J29/70GK1409353SQ02144479
公開日2003年4月9日 申請日期2002年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月1日
發(fā)明者杉本一宏 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社