專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示板(PDP)，尤其涉及一種在驅(qū)動(dòng)等離子顯示板時(shí)可以防止相鄰單元產(chǎn)生誤放電，而提高圖像質(zhì)量的等離子顯示板。
這些顯示裝置中的PDP利用氣體放電原理，具有可方便地制成大尺寸顯示板的優(yōu)點(diǎn)。三電極交流表面放電PDP是一種典型的PDP，其包括如

圖1所示的三個(gè)電極，并由交流電壓驅(qū)動(dòng)。
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的三電極交流表面放電PDP的放電單元包括形成在上基板10上的第一電極12Y和第二電極12Z，以及形成在下基板18上的地址電極20X。
第一電極和第二電極12Y和12Z由透明材料制成，可以讓放電單元發(fā)出的光通過。由金屬材料制成的總線電極13Y和13Z平行于并位于第一和第二電極12Y和12Z的后表面。該總線電極13Y和13Z用于向具有高電阻的第一和第二電極12Y和12Z提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
上介電層14和鈍化膜16形成在具有第一和第二電極12Y和12Z的上基板10上。在上介電層14上形成有等離子放電時(shí)產(chǎn)生的壁電荷。鈍化膜16防止等離子放電時(shí)產(chǎn)生的濺射對上介電層14的破壞，同時(shí)，增加第二電極的發(fā)射效率。鈍化膜16通常是氧化鎂MgO。
下介電層22和隔條24形成在具有地址電極20X的下基板18上，且下介電層22和隔條24的表面上涂有磷光體26。地址電極20X與第一和第二電極12Y和12Z交叉。隔條24與地址電極20X平行，防止紫外線和可見光泄漏到相鄰的放電單元中，其中紫外線和可見光是由放電產(chǎn)生的。
磷光體26被等離子放電產(chǎn)生的紫外線激發(fā)，產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)可見光中的一種。在上/下基板和隔條之間的放電空間中注入有用于氣體放電的惰性混合氣體，如He+Ne，He+Xe或He+Ne+Xe。
如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的PDP中，每個(gè)放電單元中第一和第二電極相對。第一電極12Y被施加復(fù)位脈沖、掃描脈沖和第一保持脈沖。第二電極12Z被施加第二保持脈沖。
當(dāng)向第一電極12Y施加復(fù)位脈沖時(shí)，放電單元被初始化。當(dāng)向第一電極12Y施加掃描脈沖時(shí)，地址電極20X被施加與掃描脈沖同步的數(shù)據(jù)脈沖。此時(shí)，在施加有掃描脈沖和數(shù)據(jù)脈沖的放電單元中發(fā)生地址放電。
放電單元中發(fā)生地址放電后，把第一和第二保持脈沖交替地施加給第一和第二電極12Y和12Z。若把第一和第二保持脈沖施加給第一電極12Y和第二電極12Z，則在發(fā)生了地址放電的放電單元中將產(chǎn)生保持放電。保持放電的放電時(shí)間由灰度值確定，從而根據(jù)灰度值顯示圖像。
另一方面，現(xiàn)有技術(shù)的PDP中，在每個(gè)放電單元中，第一和第二電極12Y和12Z相互面對，具有大的面積。這樣，若第一和第二電極12Y和12Z面積較大，則浪費(fèi)大量功率，因此PDP的放電效率下降。為克服該缺點(diǎn)，提出了一種如圖3所示的PDP。
如圖3所示，現(xiàn)有技術(shù)的另一實(shí)施例的PDP具有三角形結(jié)構(gòu)，其中放電單元上下相互臨近，各構(gòu)成一個(gè)像素。換句話說，在現(xiàn)有技術(shù)的該實(shí)施例的PDP中，位于第n(n為大于1的自然數(shù))行上的R子像素和B子像素與位于第n+1或n-1行上的G子像素組成一個(gè)像素。
該現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施例的PDP包括地址電極40X、與地址電極40X交叉的第一和第二電極32Y和32Z、以及在第一和第二電極32Y和32Z上形成的第一和第二總線電極33Y和33Z。
第一和第二電極32Y和32Z包括與地址電極40X垂直的第一和第二主電極32A和32C，以及從第一和第二主電極32A和32C上以地址電極40X相同方向延伸的第一和第二輔助電極32B和32D。
第一輔助電極32B形成在第一主電極32A的兩邊，第二輔助電極32D和第一輔助電極32B一樣，形成在第二主電極32C的兩邊。
在構(gòu)成一個(gè)像素的放電單元中，地址電極40X包括在與第一和第二主電極32A和32C交叉的直線上形成的地址主電極40A，以及在與地址主電極40A交叉的方向上延伸預(yù)定寬度的地址輔助電極40B。
此外，在該現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施例的PDP的上表面上，有第二輔助電極32B，其交替地從第一主電極32A上延伸出來，還有第一介電層44B，上介電層和保護(hù)膜順序地沉積在整個(gè)上基板上，覆蓋第二輔助電極32B。
等離子放電產(chǎn)生的壁電荷通過第一介電層44B上的上介電層而積聚，其通過鈍化膜而防止被等離子放電時(shí)產(chǎn)生的濺射所破壞，同時(shí)，提高了第二電極的發(fā)射效率。
在PDP的下表面上，形成有與第一和第二電極32Y和32Z交叉的第一到第三電極42A、42B和42C，整個(gè)下基板上覆蓋地址電極42A、42B和42C的第二介電層44A，以及下表面上方向與第一到第三地址電極42A、42B和42C相同的水平隔條46B。第二介電層44A和水平隔條46B的表面上涂有磷光體(未顯示)。第一到第三地址電極42A、42B和42C中位于兩邊的第一和第三地址電極42A和42C是從地址主電極40A上向著第一和第二電極32Y和32Z的方向延伸的地址輔助電極40B，第二地址電極42B是地址電極主電極40A。隔條46B平行于第一到第三地址電極42A、42B和42C，防止放電產(chǎn)生的紫外線和可見光泄漏到相鄰的放電單元中。
該現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施例的PDP中，隔條46的上部是矩形的。
圖5到圖12顯示了當(dāng)給圖4所示的PDP施加單位電壓時(shí)的等電勢表面。
如圖5到圖12所示，PDP上基板上的第二輔助電極32B的寬度是185μm，位于下基板兩邊的第一和第二地址電極42A、42C的寬度是150μm，第二地址電極42B的寬度是70μm，其位于第一和第三地址電極42A和42C之間，其中沒有地址輔助電極40B。在上基板上閉合的水平隔條46B的高度是120μm，水平隔條46B的介電常數(shù)是12。此時(shí)，第二輔助電極32B包括位于水平隔條46B左側(cè)的第一-第二輔助電極32B1，和位于其右側(cè)的第二-第二輔助電極32B2。
此外，圖5到圖12中，若所施加的電壓是0V，表示沒有施加電壓，1V表示施加了指定的電壓，-1.2V表示施加了反向電壓，其電壓絕對值高于1V。
如圖5到圖7所示，PDP的第一-第二輔助電極32B1和第一及第三地址電極42A和42C被施加了0V的電壓，即沒有施加電壓，僅向第二地址電極42B施加1V電壓。此時(shí)，包括第一和第三地址電極42A和42C的放電單元處于關(guān)閉狀態(tài)(此后稱為關(guān)閉單元)，若該關(guān)閉單元被開啟，則認(rèn)為發(fā)生了誤放電。
比較圖5和圖6，若第二地址電極42B被施加了數(shù)據(jù)電壓，則含有第一和第三地址電極42A、42C的關(guān)閉單元的最大電場(最大電場位于隔條66的上部和第一介電層之間)在圖6的情況為Emax＝1.55×10-2，其中水平隔條46B和第一介電層44B之間存在空氣間隙，最大電場在圖5的情況下為Emax＝8.8×10-3，其中不存在空氣間隙。因此，在水平隔條46B和第一介電層44B之間存在空氣間隙的情況下，更有可能發(fā)生誤放電。
圖7顯示了水平隔條46B和第一介電層44B之間空氣間隙較大的情況。此時(shí)，與圖6的最大電場(Emax＝1.55×10-2)相比，圖7中關(guān)閉單元的最大電場(Emax＝1.48×10-2)變化不大。圖7中，電場的方向垂直于水平隔條46B和第一介電層44A之間的等電勢面。這種情況下，空氣間隙中的電場(I)導(dǎo)致帶電粒子根據(jù)其極性向上或向下運(yùn)動(dòng)。
如圖6和圖7所示，PDP的第一-第二輔助電極32B1、第二-第二輔助電極32B2和第三地址電極42C被施加了0V的電壓，即沒有施加電壓，第一和第二地址電極42A和42B被施加了1V的數(shù)據(jù)電壓。圖6顯示了水平隔條46B和第一介電層44B之間沒有空氣間隙的情況，圖7顯示了水平隔條46B和第一介電層44B之間有空氣間隙的情況。
當(dāng)將圖6中包含第三地址電極42C的關(guān)閉單元的最大電場強(qiáng)度與圖7進(jìn)行比較時(shí)，如圖3和圖4所示，電場強(qiáng)度高于圖7，即，有空氣間隙時(shí)的電場強(qiáng)度(Emax＝1.48×10-2)高于沒有空氣間隙時(shí)的電場強(qiáng)度(Emax＝8.85×10-3)。
如圖8和圖9所示，PDP的第一-第二輔助電極32B1、第二-第二輔助電極32B2以及第三地址電極42C被施加了0V的電壓，即沒有施加電壓，第一和第二地址電極42A和42B被施加了1V的數(shù)據(jù)電壓。圖8顯示當(dāng)水平隔條46B和第一介電層44B之間沒有空氣間隙時(shí)的等電勢面，包含第三地址電極42C的關(guān)閉單元的最大電場強(qiáng)度Emax為9.02×10-3。圖9顯示了當(dāng)水平隔條46B和第一介電層44B之間的空氣間隙為25μm時(shí)的等電勢面，包含第三地址電極42C的關(guān)閉單元的最大電場強(qiáng)度Emax為1.52×10-2。
如圖10所示，PDP的第一-第二輔助電極32B1、第二-第二輔助電極32B2以及第三地址電極42C被施加了0V的電壓，即沒有施加電壓，僅第一地址電極42A被施加了1V的數(shù)據(jù)電壓。這種情況下，圖10顯示了當(dāng)水平隔條46B和第一介電層44B之間沒有空氣間隙時(shí)的等電勢面，包含第三地址電極42C的關(guān)閉單元的最大電場強(qiáng)度Emax為9.4×10-3。
從圖5到圖9中可以看出，水平隔條46B和第一介電層44B之間有無空氣間隙是誤放電的重要因素。換句話說，當(dāng)出現(xiàn)空氣間隙時(shí)，最大電場強(qiáng)度較高。此外，通過圖6和圖7可以看到，空氣間隙附近的最大電場強(qiáng)度不會(huì)隨空氣間隙的尺寸而顯著變化。
縱覽圖6、圖7和圖9，若水平隔條46B和第一介電層44B之間存在空氣間隙，則由于施加在水平隔條46B下部的第二地址電極42B上的電壓在放電單元內(nèi)的空氣間隙附近形成了強(qiáng)電場，從而會(huì)產(chǎn)生干擾。比較圖8和圖10，當(dāng)向位于水平隔條46B下部的第二地址電極42B施加0V的電壓時(shí)，不產(chǎn)生干擾。
圖11顯示了向現(xiàn)有技術(shù)的放電單元施加單位電壓時(shí)的等電勢面。
如圖11所示，PDP的第一-第二輔助電極32B1、第二-第二輔助電極32B2被施加了-1.2V的電壓，第三地址電極42C被施加了0V的電壓，第一和第二地址電極42A和42B被施加了1V的數(shù)據(jù)電壓。這種情況下，包含第一地址電極42A的放電單元被開啟(此后稱為開啟單元)，含有第三地址電極42C的單元由于沒有施加電壓從而是關(guān)閉單元。此外，圖11顯示了當(dāng)水平隔條46B和第一介電層44B之間的空氣間隙為5μm時(shí)的等電勢面。
圖12顯示了左右放電單元中形成的電場的相對強(qiáng)度。
如圖12所示，當(dāng)如圖11所示的水平隔條46B和第一介電層44B之間存在空氣間隙時(shí)，PDP中含有第三地址電極42C的關(guān)閉單元的最大電場強(qiáng)度看起來幾乎等于第一地址電極42A被施加了數(shù)據(jù)電壓的放電單元的最大電場強(qiáng)度，且水平隔條46B的上部為矩形。這種情況下，關(guān)閉單元非常可能被開啟，即由于向周圍的關(guān)閉單元的列電極施加的脈沖，空氣間隙周圍會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)電場，導(dǎo)致產(chǎn)生不希望的放電，因此，圖像質(zhì)量下降。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種能夠減少干擾的等離子顯示板。
為達(dá)到本發(fā)明的上述和其他目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的等離子顯示板的特征在于，隔條的邊部低于隔條的中部。
放電單元包括以三角形排列的紅、綠、藍(lán)放電單元。
隔條包括第一隔條和與第一隔條垂直連接的第二隔條。
此處，隔條的至少一部分的上端為圓形。
此處，隔條的至少一部分的上端邊緣為階階梯。
此處，隔條的至少一部分的上端邊緣為凹面。
該等離子顯示板還包括多個(gè)形成在第一基板上的第一電極；多個(gè)形成在與第一基板相對的第二基板上的第二電極，與第一電極交叉，基板之間存在放電空間；在第一基板上覆蓋第一電極的第一介電層；在第一介電層上形成的鈍化膜；在第二基板上形成的覆蓋第二電極的第二鈍化層；以及在第二介電層和隔條上形成的磷光體。
第一電極包括金屬總線電極；以及與金屬總線電極連接且寬度大于金屬總線電極的透明電極。
透明電極包括主電極；從主電極上向放電單元延伸出來的輔助電極，其中輔助電極從主電極的兩邊曲折地延伸。
第二電極包括主電極；以及從主電極兩邊延伸出來且至少其一部分與第一電極交迭的輔助電極。
隔條為條狀，其中央部分為凸的。
隔條為條狀，其上端邊緣為階階梯。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面的等離子顯示板的特征在于，介電常數(shù)值隨隔條的不同部分而不同。
此處，隔條的邊緣部分低于隔條的中心部分。
隔條包括第一隔條和與第一隔條垂直連接的第二隔條。
此處，第一和第二隔條中任何一個(gè)的下端的介電常數(shù)值低于其上端的介電常數(shù)值。
第一和第二隔條中任何一個(gè)的下端的介電常數(shù)值小于12，除下端外其他區(qū)域的介電常數(shù)值為12或更大。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面的等離子顯示板的特征在于，隔條的上端與基板相對，其間具有空氣間隙，且隔條上端邊緣與第一基板之間的空氣間隙不同于隔條中心部分與第一基板之間的空氣間隙。
此處，介電常數(shù)值隨隔條的不同部位而不同。
此處，隔條的邊緣部分低于隔條的中心部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面的等離子顯示板的特征在于，隔條的上端與基板相對，其間具有空氣間隙，介電常數(shù)值隨隔條的部位不同而不同，且隔條的邊緣部分低于隔條的中心部分。
圖1是透視圖，顯示了現(xiàn)有技術(shù)的三電極交流表面放電等離子顯示板；圖2顯示了圖1所示的PDP的電極結(jié)構(gòu)；圖3是平面圖，顯示了現(xiàn)有技術(shù)另一個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)PDP的電極結(jié)構(gòu)；圖4是剖面圖，顯示了沿圖3中“A-A”線剖開的結(jié)構(gòu)；
圖5到圖11分別顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，向放電單元施加單位電壓時(shí)的等電勢面；圖12顯示了當(dāng)向圖11所示的地址電極施加數(shù)據(jù)電壓時(shí)，左右放電單元內(nèi)形成的電場的相對強(qiáng)度；圖13顯示了本發(fā)明的等離子顯示板的電極結(jié)構(gòu)；圖14是剖視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的沿圖13中“B-B”線剖開的等離子顯示板；圖15是剖視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的沿圖13中“B-B”線剖開的等離子顯示板；圖16顯示了當(dāng)向圖15所示的地址電極施加數(shù)據(jù)電壓時(shí)，左右放電單元內(nèi)形成的電場的相對強(qiáng)度；圖17是剖視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的沿圖13中“B-B”線剖開的等離子顯示板；圖18是透視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的具有條狀隔條的PDP的下基板結(jié)構(gòu)；圖19A是截面圖，顯示了圖18所示的上端為圓形的條狀隔條；圖19B是截面圖，顯示了圖18所示的上端為階階梯的條狀隔條；以及圖19C是截面圖，顯示了圖18所示的上端為凹形的條狀隔條。
優(yōu)選實(shí)施例說明參照圖13到圖19C，下文將描述本發(fā)明的實(shí)施例。
如圖13所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示板PDP具有三角形結(jié)構(gòu)，其中放電單元在上面/下面相互鄰接，各構(gòu)成一個(gè)像素。換言之，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP中，位于第n(n是大于1的自然數(shù))行的R子像素和B子像素與位于第(n+1)或(n-1)行的G子像素構(gòu)成一個(gè)像素。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP包括下基板上的地址電極60X，上基板上與地址電極60X交叉的第一和第二電極52Y、52Z，以及形成在第一和第二電極52Y和52Z上的第一和第二總線電極53Y、53Z。
第一和第二電極52Y、52Z包括形成在地址電極60X的垂直方向上的第一和第二主電極52A、52C，以及從第一和第二主電極52A、52C延伸出來的第一和第二輔助電極52B、52D。
第一輔助電極52B依次或曲折地形成在第一主電極52A的兩邊。換言之，如果與第n個(gè)地址電極60X交叉的第一輔助電極62B從第一主電極62A的第一邊延伸出來，則與第n+1個(gè)地址電極60X交叉的第一輔助電極52B從第一主電極52A的第二邊延伸出來。
與第一輔助電極52B一樣，在第二主電極52C的第一和第二邊依次形成第二輔助電極52D。同時(shí)，與第一主電極52A相對地形成第二主電極52C。換言之，如果與第n地址電極60X交叉的第一輔助電極52B從第一主電極52A的第一邊延伸出來，則與第n地址電極60X交叉的第二輔助電極52D從第二主電極52C的第二邊延伸出來。
在構(gòu)成一個(gè)像素的放電單元內(nèi)，地址電極60X包括與第一和第二主電極52A、52C交叉的地址主電極60A，以及沿與地址主電極60A交叉方向延伸出預(yù)定寬度的地址輔助電極60B。
在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例PDP的上表面上有第二輔助電極52B，其從第一主電極52A交替延伸出來，還有第一介電層64B，上介電層和保護(hù)膜順序地沉積在整個(gè)上基板上，覆蓋第二輔助電極52B。
等離子放電產(chǎn)生的壁電荷通過第一介電層64B上的上介電層而積聚，通過鈍化膜來防止由于等離子放電產(chǎn)生的濺射而導(dǎo)致的自身損壞，同時(shí)，提高了二次電子的發(fā)射效率。
在PDP的下表面形成有與第一和第二電極52Y和52Z交叉的第一到第三地址電極62A、62B、62C，在整個(gè)下基板上覆蓋地址電極62A、62B和62C的第二介電層64A，以及分隔放電單元的隔條66。
第二介電層64A和水平隔條66B表面涂有磷光體(未顯示)。第一到第三地址電極62A、62B和62C中位于兩邊的第一和第三地址電極62A和62C是從地址主電極60A向著第一和第二電極52Y和52Z的方向交替延伸出來的地址輔助電極60B，以及第二地址電極62B是地址電極主電極60A。
隔條66包括垂直隔條66A和與垂直隔條66A垂直相連的水平隔條66B。垂直隔條66A與第一到第三地址電極62A、62B、62C交叉，水平隔條66B與第一到第三地址電極62A、2B、62C平行，其上端為圓形。同時(shí)，水平隔條66B的上端為圓形，其中心區(qū)域凸起。因此，水平隔條66B的邊緣比水平隔條66B的中心區(qū)域低。
隔條66的上端與上基板相對，它們之間具有空氣間隙。因此，水平隔條66B的上端邊緣和上基板之間的空氣間隙不同于水平隔條66B的上端中心區(qū)域和上基板之間的空氣間隙。
另一方面，如圖15所示，在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP的上表面有第二輔助電極52B，其從第一主電極52A交替延伸出來的，還有第一介電層64B，從而上介電層和保護(hù)膜沉積在整個(gè)上基板上，覆蓋第二輔助電極52B。等離子放電產(chǎn)生的壁電荷通過第一介電層64B上的上介電層而積聚，通過鈍化膜防止了由于等離子放電產(chǎn)生的濺射而導(dǎo)致的自身損壞，同時(shí)，提高了二次電子的發(fā)射效率。
在PDP的下表面形成有與第一和第二電極52Y和52Z交叉的第一到第三地址電極62A、62B、62C，在整個(gè)下基板上覆蓋電極62A、62B和62C的第二介電層64A，以及分隔放電單元的隔條66。
第二介電層64A和水平隔條66B表面涂有磷光體(未顯示)。第一到第三地址電極62A、62B和62C中位于兩邊的第一和第三地址電極62A和62C是從地址主電極60A向著第一和第二電極52Y和52Z的方向延伸出來的地址輔助電極60B，以及第二地址電極62B是地址電極主電極60A。
隔條66包括垂直隔條66A和與垂直隔條66A垂直相連的水平隔條66B。垂直隔條66A與第一到第三地址電極62A、62B、62C交叉，以及水平隔條66B與第一到第三地址電極62A、62B、62C平行，其上端邊緣有大約20μm的階梯或倒角。此時(shí)，水平隔條66B的上端邊緣是階梯狀的。這種隔條66可以防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見光線泄漏到相鄰的放電單元。同時(shí)，需要階梯或倒角的區(qū)域是隔條垂直于地址電極的區(qū)域。因此，水平隔條66B的邊緣比水平隔條66B的中心區(qū)域低。
隔條66的上端與上基板相對，它們之間具有空氣間隙。因此，水平隔條66B的上端邊緣和上基板之間的空氣間隙不同于水平隔條66B的上端中心區(qū)域和上基板之間的空氣間隙。
在如圖14和圖15所示的隔條結(jié)構(gòu)中，圖16顯示了當(dāng)數(shù)據(jù)電壓被施加到地址電極時(shí)，在左右放電單元內(nèi)形成的電場的相對強(qiáng)度。
首先，如圖14和圖15所示，位于PDP上基板的第二輔助電極52B的寬度是185μm，位于下基板兩邊的第一和第三地址電極62A、62C的寬度是150μm。第二地址電極62B的寬度是70μm，其位于第一和第三地址電極62A與62C之間，其中沒有地址輔助電極60B。在下基板上閉合的隔條66的高度是120μm，隔條66的介電常數(shù)是12。另外，上基板和下基板的每個(gè)電極上所形成的第一和第二介電層64的厚度是30μm。同時(shí)，以水平隔條66為基準(zhǔn)，第二輔助電極52B包括位于其左邊的第一—第二輔助電極52B1，以及位于其右邊的第二—第二輔助電極52B2。水平隔條66B和第一介電層64B之間的空氣間隔是5μm。
另外，向第一-第二輔助電極52B1、第二-第二輔助電極52B2施加-1.2V的電壓，向第三地址電極62C施加0V的電壓，向第一和第二地址電極62B和62C施加1V的數(shù)據(jù)電壓。這種情況下，包含第一地址電極62B的放電單元被開啟(此后稱為開啟單元)，含有第三地址電極62C的單元由于沒有施加電壓從而是關(guān)閉單元。(此后稱為關(guān)閉單元)。
在這種情況里，包含第三地址電極62C的單元，即關(guān)閉單元的最大電場強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于包含第一地址電極62A的單元，即開啟單元的最大電場強(qiáng)度Emax，(減小到大約1/2)。因此，可以防止相鄰單元的誤放電。換言之，水平隔條66B的上端是圓形的或階梯/倒角形的，因此，使開啟單元的最大電場強(qiáng)度變?nèi)?，從而緩和電場的集中分布?br> 另一方面，如圖17所示，在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的PDP的上表面有第二輔助電極52B，其從第一主電極52A交替地延伸出來的，還有第一介電層64B，上介電層和保護(hù)膜順序地沉積在整個(gè)上基板上，覆蓋第二輔助電極52B。等離子放電產(chǎn)生的壁電荷通過第一介電層64B上的上介電層而積聚，通過鈍化膜而防止由于等離子放電產(chǎn)生的濺射而導(dǎo)致的自身損壞，同時(shí)，提高了二次電子的發(fā)射效率。
在PDP的下表面形成有與第一和第二電極52Y和52Z交叉的第一到第三地址電極62A、62B、62C，在整個(gè)下基板上覆蓋電極62A、62B和62C的第二介電層64A，以及分隔放電單元的隔條66。
第二介電層64A和水平隔條66B表面涂有磷光體(末顯示)。第一到第三地址電極62A、62B和62C中位于兩邊的第一和第三地址電極62A和62C是從地址主電極60A向著第一和第二電極52Y和52Z的方向延伸出來的地址輔助電極60B，以及第二地址電極62B是地址電極主電極60A。
隔條66包括垂直隔條66A，以及與垂直隔條66A垂直相連的水平隔條66B。垂直隔條66A與第一到第三地址電極62A、62B、62C交叉，水平隔條66B與第一到第三地址電極62A、62B、62C平行。
在本發(fā)明中的水平隔條66B中，其鄰近第二地址電極62B的下端和除下端以外的其它區(qū)域有不同的介電常數(shù)。換言之，與水平隔條66B的上端比較，其下端由低介電常數(shù)的材料制成。在圖17中，水平隔條66B下端的介電常數(shù)是12或更低(例如，空氣的介電常數(shù)＝1)，水平隔條的下端以外的區(qū)域的介電常數(shù)，即上端，是12或更大。同時(shí)，水平隔條66B的介電常數(shù)小于垂直隔條66A的介電常數(shù)，即介電常數(shù)12。
因此，施加在第二地址電極62B上的所有電壓幾乎全部施加在由低介電常數(shù)材料制成的區(qū)域上。在圖17中在第二地址電極62B周圍用黑色區(qū)域進(jìn)行了標(biāo)注。也就是說，其說明了等電勢表面集中在第二地址電極62B的周圍，第二地址電極62B周圍的電場強(qiáng)度較強(qiáng)。因此，如圖17所示，與其它情況相比，最大電場強(qiáng)度(Emax＝8.85×10-3)較小，發(fā)生鄰近放電單元誤放電的可能性減小。
此外，如圖17中所述，即使在水平隔條66B的下端和第二地址電極62B之間具有空氣間隙的情況下，也可防止由于施加在相鄰放電單元的列電極上的脈沖而可能產(chǎn)生的放電，因此提高了圖像質(zhì)量。
另一方面，如圖18所示，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的PDP包括位于上基板的上基板電極(未顯示)，位于上基板上覆蓋上基板電極的上介電層(未顯示)，位于上介電層上的鈍化膜(未顯示)，位于與上基板相對的下基板150上的地址電極160X，上下基板之間具有放電空間，位于下基板上覆蓋地址電極160X的下介電層164，位于并垂直于下介電層164、用于分隔放電單元的隔條166，以及位于下介電層164和隔條166上的磷光體126。
上電極包括位于上基板上相互平行的一對保持電極(未顯示)。上介電層具有等離子放電時(shí)積聚的壁電荷，鈍化膜可以防止等離子放電時(shí)氣體離子濺射對保持電極對和上介電層的損壞，從而延長了PDP的壽命，并可提高二次電子的發(fā)射效率。
下基板150的地址電極160X與保持電極對交叉。向地址電極160X提供數(shù)據(jù)信號(hào)以選擇要顯示的單元。
隔條166為條狀，并平行于地址電極160X，可防止放電產(chǎn)生的紫外線泄漏到相鄰放電單元中，因此可防止相鄰放電單元之間的光電干擾。
隔條166的上端為圓形，如圖19A所示。換句話說，隔條166的上端中心區(qū)域外凸。因此，隔條166的邊緣低于隔條166的中心區(qū)域。
隔條166的上端與上基板相對，其間具有空氣間隙。因此，隔條166的上端和上基板之間的空氣間隙不同于隔條166的上端中心區(qū)域和上基板之間的空氣間隙。
下介電層164和隔條166的表面涂有磷光體126，產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)可見光中的任何一種。此外，在上基板、下基板150和隔條166之間的氣體放電空間中注入用于放電的混合氣體，諸如He+Xe、Ne+Xe、He+Xe+Ne。
另一方面，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP中，如圖19B所示，隔條166上端的邊部有大約20μm的階梯或倒角。換句話說，隔條166的上端邊緣為階階梯。該隔條166可防止放電產(chǎn)生的紫外線和可見光泄漏到相鄰放電單元中。此時(shí)，需要階梯或倒角的區(qū)域是隔條垂直于地址電極的區(qū)域。因此，隔條166的邊緣低于隔條166的中心區(qū)域。隔條166的上端與上基板相對，其間具有空氣間隙。因此，隔條166的上端邊緣和上基板之間的空氣間隙不同于隔條166的上端中心區(qū)域和上基板之間的空氣間隙。
這種情況下，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP中，隔條166的上端為圓形或階梯/倒角，因此，關(guān)閉單元的最大電場強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于開啟單元的最大電場強(qiáng)度Emax(降低為大約1/2)。因此，可以防止相鄰單元之間的誤放電。換句話說，隔條166的上端為圓形或階梯/倒角，因此，開啟單元的最大電場強(qiáng)度減小，從而可緩和電場的集中分布。
另一方面，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP中，隔條166的下端和除此之外的其他區(qū)域具有不同的介電常數(shù)，換句話說，與上端相比，隔條166的下端由介電常數(shù)低的材料制成。因此，隔條166的下端的介電常數(shù)為12或更小(例如，空氣的介電常數(shù)＝1)，隔條166除下端區(qū)域之外的其他區(qū)域，即上端的介電常數(shù)為12或更大。
因此，所有施加給地址電極的電壓幾乎全部施加在由低介電常數(shù)材料制成的區(qū)域上。因此，等電勢面集中于地址電極周圍，電場強(qiáng)度在地址電極周圍很大。因此，相鄰放電單元之間產(chǎn)生誤放電的幾率降低了。
另一方面，在本發(fā)明實(shí)施例的PDP中，隔條166在其上端具有凹槽，如圖19C所示。該隔條166可防止放電產(chǎn)生的紫外線和可見光泄漏到相鄰單元中，并增加其消耗率。因此，隔條166的邊緣低于隔條166的中心區(qū)域。隔條166的上端與上基板相對，其間具有空氣間隙。因此，隔條166的上端邊緣和上基板之間的空氣間隙與隔條166的上端中心區(qū)域和上基板之間的空氣間隙不同。
綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示板的水平隔條的上端為圓形或倒角，可以防止相鄰單元之間的誤放電。
此外，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示板的水平隔條靠近地址電極的下端由低介電常數(shù)的材料制成，可以防止相鄰單元之間的干擾，從而提高圖像質(zhì)量。
此外，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示板在水平隔條的下部內(nèi)形成有空氣間隙，從而可以防止向相鄰的關(guān)閉單元的電極施加脈沖時(shí)產(chǎn)生的誤放電，提高圖像質(zhì)量。
雖然根據(jù)附圖所示的特定優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的變化。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)該僅由權(quán)利要求及其等同物來限定。
權(quán)利要求
1.一種具有用于分隔放電單元的隔條的等離子顯示板，其中隔條的邊緣部分低于隔條的中心部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中，放電單元包括以三角形排列的紅、綠、藍(lán)放電單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示板，其中，隔條包括第一隔條；以及與第一隔條垂直連接的第二隔條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中，隔條的至少一部分的上端為圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中，隔條的至少一部分的上端為階梯形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中，隔條的至少一部分具有凹的上端邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，還包括多個(gè)形成在第一基板上的第一電極；多個(gè)形成在與第一基板相對的第二基板上的第二電極，與第一電極交叉，第一和第二基板之間具有放電空間；在第一基板上覆蓋第一電極的第一介電層；在第一介電層上形成的鈍化膜；在第二基板上形成的覆蓋第二電極的第二鈍化層；以及在第二介電層和隔條上形成的磷光體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其中，第一電極包括金屬總線電極；以及與金屬總線電極相連且寬度大于金屬總線電極的透明電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子顯示板，其中，透明電極包括主電極；以及從主電極上向放電單元延伸的輔助電極，其中，輔助電極從主電極的兩邊曲折地延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其中，第二電極包括主電極；以及從主電極兩邊延伸出來且其至少一部分與第一電極交迭的輔助電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中，隔條是條狀，其中心部分是凸的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中，隔條是條狀，其上端邊緣是階梯形。
13.一種具有用于分隔放電單元的隔條的等離子顯示板，其中隔條各部分的介電常數(shù)值不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子顯示板，其中，隔條的邊部低于隔條的中心部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子顯示板，其中，隔條包括第一隔條；以及與第一隔條垂直連接的第二隔條。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子顯示板，其中，第一和第二隔條中任何一個(gè)的下端的介電常數(shù)值小于其上端的介電常數(shù)值。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子顯示板，其中，第一和第二隔條中任何一個(gè)的下端的介電常數(shù)值小于12，除下端之外的其他區(qū)域的介電常數(shù)值為12或更大。
18.一種具有用于分隔放電單元的隔條的等離子顯示板，其中，隔條的上端與一個(gè)基板相對，其間具有空氣間隙，且隔條上端邊緣與第一基板之間的空氣間隙與隔條中心部分與第一基板之間的空氣間隙不同。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示板，其中，隔條不同部分的介電常數(shù)值不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示板，其中，隔條的邊緣部分低于隔條的中心部分。
21.一種具有用于分隔放電單元的隔條的等離子顯示板，其中，隔條的上端與第一基板相對，其間具有空氣間隙，隔條不同部分的介電常數(shù)值不同，且隔條的邊緣部分低于隔條的中心部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在驅(qū)動(dòng)等離子顯示板時(shí)能防止相鄰單元產(chǎn)生誤放電而提高圖像質(zhì)量的等離子顯示板。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示板包括用于分隔放電單元的隔條，其中隔條的邊緣部分低于隔條的中心部分。
文檔編號(hào)H01J17/16GK1442873SQ0310688
公開日2003年9月17日 申請日期2003年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月6日
發(fā)明者安泳準(zhǔn), 金重均, 姜鳳求 申請人:Lg電子株式會(huì)社