專利名稱：磁控管的輸出裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種磁控管的結(jié)構(gòu)，具體涉及一種磁控管的輸出裝置。
背景技術(shù)：
一般情況下，磁控管是利用連接的電源，在磁控管陰極的燈絲加熱的同時(shí)，釋放出熱電子，在內(nèi)部利用連接的磁鐵形成的磁場(chǎng)，與上述磁場(chǎng)垂直形成電場(chǎng)的作用空間中，熱電子進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，發(fā)出微波，并把微波向外部發(fā)射出去。如圖1所示，磁控管是由安裝在內(nèi)部中間的燈絲形狀的陰極構(gòu)成串聯(lián)型陰極(8)，在陰極(8)的周圍安裝陽(yáng)極(5)，在陰極(8)與陽(yáng)極(5)之間形成作用空間(6)。為向作用空間(6)引入磁束，而分別安裝上部磁軛(16)與下部磁軛(14)，在每個(gè)磁軛(14)、(16)內(nèi)側(cè)安裝永久磁鐵(10)、(17)，在永久磁鐵(10)、(17)上安裝構(gòu)成磁力回路的磁極(15)，在陽(yáng)極(5)的內(nèi)表面，以放射狀安裝多個(gè)葉片(7)，在陽(yáng)極(5)的外周上按一定間隔壓入安裝能把從陽(yáng)極(5)產(chǎn)生的高熱快速向外部釋放的冷卻片(9)。此外，在磁控管的上部磁軛(16)的上側(cè)安裝能把高次諧波(以下簡(jiǎn)稱微波)向外部發(fā)射的天線饋路(4)、排氣管(2)、支撐體(18)、天線陶瓷(3)、天線蓋(1)構(gòu)成磁控管輸出裝置。在下部磁軛(14)的下側(cè)安裝有防止在作用空間(6)產(chǎn)生的不必要高次諧波向電源逆流的阻流圈(12)與電容器(11)的保護(hù)盒(13)。實(shí)際上述磁控管就是由內(nèi)部中央安置的燈絲形狀的串聯(lián)型陰極(8)，與在陰極(8)的周圍安裝的陽(yáng)極(5)形成的一種2極真空管。
下面，對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的磁控管的工作過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明首先，在陰極(8)中產(chǎn)生的熱電子，向在陽(yáng)極(5)上呈放射狀被固定的葉片(7)的尾部與陰極(8)之間的作用空間(6)放射，在葉片(7)與陰極(8)之間形成的電場(chǎng)、永久磁鐵(10)、(17)、上部及下部磁軛(14)、(16)、磁極(15)構(gòu)成的磁力回路中，通過(guò)依據(jù)向作用空間(6)輸入的磁束，進(jìn)行循環(huán)運(yùn)動(dòng)，電子微波向葉片(7)傳遞。之后，微波通過(guò)在排氣管(2)的內(nèi)周壁面上安裝連接在葉片(7)上的天線饋路(4)、天線陶瓷(3)及天線蓋(1)構(gòu)成的磁控管輸出裝置，向外部發(fā)射。此時(shí)，從陰極(8)向作用空間(6)傳送的能源不僅有基本波(2455MHZ)，還有高次諧波。上述高次諧波是指頻率在2455MHZ以上的第二高次諧波(4900MHZ)、第三高次諧波(7350MHZ)、第四高次諧波(9.8GHZ)、第五高次諧波(12.5GHZ)等產(chǎn)生的整數(shù)倍的頻率。上述高次諧波成分，與基本波一起通過(guò)排氣管(2)中的天線饋路(4)被傳送到外部。但是，上述高次諧波具有波長(zhǎng)越短越難切斷的缺點(diǎn)。因此，波長(zhǎng)短的高次諧波泄露到外部，成為引起電磁干擾的一個(gè)原因。特別是第3-4高次諧波大約是在7.35GHZ-9.8GHZ之間，成為電子干擾的主要因素。因此，在通過(guò)上述輸出裝置進(jìn)行發(fā)射的微波中，如圖1所示，為了遏止高次諧波，在輸出裝置內(nèi)安裝了排氣管(2)。但是，因?yàn)榕艢夤?2)的下端一直延長(zhǎng)到天線陶瓷(3)的中間部位，所以具有降低第3-4高次諧波衰減特性的缺點(diǎn)。即，現(xiàn)有技術(shù)的排氣管安置在一直延長(zhǎng)到天線陶瓷的中間部位，以致容限不足，導(dǎo)致在第三高次諧波范圍內(nèi)，不能滿足電磁干擾(EMI)允許值。如圖2所示，利用現(xiàn)有技術(shù)的排氣管的磁控管，所產(chǎn)生的EMI特性，用圓表示高次諧波，例如在第三高次諧波中，具有超過(guò)EMI允許值的缺點(diǎn)。即，在利用現(xiàn)有技術(shù)的排氣管的磁控管的陽(yáng)極衰減值具有在第三高次諧波中超過(guò)了EMI的允許值的缺點(diǎn)。這是因?yàn)檩敵鲅b置內(nèi)的排氣管的長(zhǎng)度太長(zhǎng)，一直延長(zhǎng)到天線陶瓷的中間部位，因?yàn)槿菹薏蛔悖瑢?dǎo)致在第三高次諧波范圍內(nèi)超過(guò)了電磁干擾(EMI)的允許值，即，產(chǎn)生了第三高次諧波的衰減能力下降的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是公開(kāi)一種通過(guò)調(diào)節(jié)磁控管輸出裝置內(nèi)的排氣管長(zhǎng)度，來(lái)提高第三高次諧波的衰減能力的磁控管的輸出裝置。本發(fā)明的技術(shù)方案是磁控管輸出裝置包括固定天線蓋的支撐體，與支撐體相連接的天線陶瓷，利用上述支撐體的支撐、其上端安裝在天線蓋的下部，下端從天線陶瓷的上端開(kāi)始，并與之相距一定間隔安裝排氣管，以及能把微波發(fā)射到外部、安裝在排氣管的內(nèi)圓周壁上的天線饋路。上述一定間隔為3-4mm，排氣管的長(zhǎng)度為10±0.2mm。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管的剖面圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的磁控管的電磁干擾(EMI)的特性圖；圖3是本發(fā)明的磁控管的剖面圖；圖4是本發(fā)明的磁控管的輸出裝置的剖面圖；圖5是本發(fā)明的磁控管的排氣管的面圖；圖6是本發(fā)明的磁控管的電磁干擾(EMI)的特性表；圖7是本發(fā)明的磁控管的電磁干擾(EMI)的特性圖。
其中1天線蓋2排氣管3天線陶瓷 4天線饋路5陽(yáng)極 6作用空間7葉片 8陰極9冷卻片10永久磁鐵11電容器 12阻流圈13保護(hù)盒 14下部磁軛15磁極 16上部磁軛17永久磁鐵 18支撐體100排氣管 100-1支撐體300輸出裝置具體施實(shí)方式以下參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明如圖3所示，磁控管包括安裝在內(nèi)部中間的燈絲形狀的陰極構(gòu)成串聯(lián)型陰極(8)，在陰極(8)的周圍安裝陽(yáng)極(5)，在陰極(8)與陽(yáng)極(5)之間形成作用空間(6)，為向作用空間(6)引入磁束，分別安裝上部磁軛(16)與下部磁軛(14)，在每個(gè)磁軛(14)、(16)內(nèi)側(cè)安裝永久磁鐵(10)、(17)，在永久磁鐵(10)、(17)上安裝構(gòu)成磁力回路的磁極(15)，在陽(yáng)極(5)的內(nèi)面，按放射狀安裝多個(gè)葉片(7)，在陽(yáng)極(5)的外圓周面上按一定間隔壓入安裝能把從陽(yáng)極(5)產(chǎn)生的高熱快速向外部釋放的冷卻片(9)。此外，磁控管的上部磁軛(16)上側(cè)，安裝著由利用控制天線蓋(1)的支撐體(100-1)支撐的排氣管(100)；為把微波釋放到外部，在陽(yáng)極(5)的上部及在排氣管(100)的內(nèi)圓周壁上安裝天線饋路(4)，利用支撐體(100-1)與排氣管(100)連接的天線陶瓷(3)構(gòu)成磁控管輸出裝置(300)。
在下部磁軛(14)的下側(cè)，安裝有防止在作用空間(6)中產(chǎn)生的不必要高次諧波向電源逆流的阻流圈(12)、管筒型高壓電容器(11)的保護(hù)盒(13)。其實(shí)，磁控管就是由內(nèi)部中間裝置的燈絲形狀的串聯(lián)型陰極(8)，與在陰極(8)的圓周上安裝的陽(yáng)極(5)而形成的一種2極真空管。本發(fā)明磁控管的工作過(guò)程與現(xiàn)有技術(shù)相同。如圖4所示，與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的特征是磁控管輸出部包括固定天線蓋(1)的支撐體(100-1)，由支撐體(100-1)支撐的排氣管(100)，為把微波釋放到外部，安裝在排氣管的內(nèi)圓周壁上的天線饋路(4)，固定在支撐體(100-1)上、安裝在排氣管(100)的下端的天線陶瓷(3)。排氣管(100)的上端安裝在天線蓋(1)的下部，排氣管(100)的下端利用支撐體(100-1)，從天線陶瓷體(3)的上端開(kāi)始，以一定間隔固定安裝。如圖5所示，排氣管(100)的長(zhǎng)度最好為10±0.2mm，排氣管(100)從天線陶瓷體(3)的上端開(kāi)始，最好以3-4mm的間隔安裝。支撐體(100-1)的高度最好為4±0.1mm。排氣管(100)的下端內(nèi)徑應(yīng)為6.4±0.1mm，外徑應(yīng)為8.0±0.1mm，排氣管(100)的上端外徑應(yīng)為11.5±0.1mm，內(nèi)徑應(yīng)為9.9±0.1mm。從天線陶瓷體(3)的上端開(kāi)始，以一定間隔安裝排氣管(100)，以提高第三高次諧波的衰減能力。如圖6所示，利用現(xiàn)有技術(shù)第三高次諧波的陽(yáng)極衰減值為70.66(dBPW)，利用本發(fā)明第三高次諧波的陽(yáng)極衰減值為54.38(dBPW)。即，使用本發(fā)明的排氣管(100)磁控管比使用現(xiàn)有技術(shù)的排氣管的磁控管，其陽(yáng)極衰減值在第三高次諧波中被改善了15(dB)。如圖7所示，用圓表示高次諧波，在第三高次諧波的范圍內(nèi)滿足了EMI允許值。即，與特性表中表示的相同，上述衰減值為54.38(dBPW)，使用利用本發(fā)明的排氣管(100)的磁控管比使用現(xiàn)有技術(shù)的排氣管的磁控管，其陽(yáng)極衰減值在第三高次諧波中改善了15(dB)。提高了第三高次諧波的衰減能力，滿足了電磁干撓(EMI)允許值。
權(quán)利要求
1.一種磁控管的輸出裝置，它包括固定天線蓋的支撐體、與支撐體相連接的天線陶瓷、排氣管和安裝在排氣管的內(nèi)圓周壁上的能把微波發(fā)射到外部的天線饋路，其特征在于排氣管由支撐體支撐、其上端位于天線蓋的下部，其下端從天線陶瓷的上端開(kāi)始，以一定間隔固定安裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于排氣管的長(zhǎng)度為10±0.2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于排氣管的下端從天線陶瓷的上端開(kāi)始，以3-4mm的間隔安裝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于支撐體的高度為4±0.1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于排氣管能夠除掉第三高次諧波。
6.一種磁控管的輸出裝置，它包括固定天線蓋的支撐體、與支撐體相連接的天線陶瓷、排氣管和安裝在排氣管的內(nèi)圓周壁上的能把微波發(fā)射到外部的天線饋路，其特征在于排氣管由支撐體支撐、其上端位于天線蓋的下部，其下端從天線陶瓷的上端開(kāi)始，以3-4mm的間隔固定安裝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于排氣管的長(zhǎng)度為10±0.2mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于支撐體的高度為4±0.1mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于排氣管能夠除掉第三高次諧波。
10.一種磁控管的輸出裝置，它包括陰極、安裝在陰極的周圍的陽(yáng)極、在陰極與陽(yáng)極之間形成作用空間，為向作用空間引入磁束，分別安裝上部磁軛與下部磁軛，在每個(gè)磁軛的內(nèi)側(cè)安裝永久磁鐵，在永久磁鐵上安裝構(gòu)成磁力回路的磁極，在陽(yáng)極內(nèi)圓周面上以放射狀安裝多個(gè)葉片，在陽(yáng)極的外圓周面上以一定間隔壓入安裝能把從陽(yáng)極產(chǎn)生的高熱快速向外部釋放的冷卻片，在磁控管的上部磁軛上側(cè)，安裝由利用控制天線蓋的支撐體支撐的排氣管；為把微波釋放到外部，在陽(yáng)極的上部及在排氣管的內(nèi)圓周壁上安裝天線饋路，與支撐體連接的天線陶瓷，在下部磁軛的下側(cè)，安裝有防止在作用空間中產(chǎn)生的不必要高次諧波向電源逆流的阻流圈及管筒型高壓電容器的保護(hù)盒，其特征在于排氣管的上端位于天線蓋的下部，其下端從天線陶瓷的上端開(kāi)始，以一定間隔固定安裝。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于排氣管的長(zhǎng)度為10±0.2mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于排氣管的下端從天線陶瓷的上端開(kāi)始，以3-4mm的間隔安裝。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于支撐體的高度為4±0.1mm。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種磁控管的輸出裝置，其特征在于排氣管能夠除掉第三高次諧波。
全文摘要
本發(fā)明屬于一種磁控管的輸出裝置，它包括固定天線蓋的支撐體，與支撐體相連接的天線陶瓷，利用支撐體的支撐其上端安裝在天線蓋的下部，下端從天線陶瓷的上端開(kāi)始，并與之相距3－4mm的間隔安裝排氣管，以及能把微波發(fā)射到外部、安裝在排氣管的內(nèi)圓周壁上的天線饋路。通過(guò)合理安排排氣管的長(zhǎng)度，以提高三次諧波的衰減能力，滿足電磁干撓(EMI)的允許值。
文檔編號(hào)H01J23/00GK1591748SQ03144169
公開(kāi)日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2003年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月26日
發(fā)明者金民昊 申請(qǐng)人:樂(lè)金電子(天津)電器有限公司