專利名稱：半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件領(lǐng)域用于制造或處理半導(dǎo)體的方法或設(shè)備中的掃瞄工具的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片，特別是涉及一種掃瞄式電子顯微鏡的匹配(match)與校正(calibration)的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片。
背景技術(shù)：
通常在半導(dǎo)體制程中，在一些制程步驟之后，都會(huì)使用掃瞄式電子顯微鏡(SEM tool)來觀察晶圓上的圖案是否有與預(yù)期的目標(biāo)相符合。而且，在使用掃瞄式電子顯微鏡觀察晶圓圖案時(shí)，通常會(huì)先利用標(biāo)準(zhǔn)校正片來對(duì)掃瞄式電子顯微鏡作匹配(match)以及校正(calibration)的動(dòng)作，以確保掃瞄式電子顯微鏡所呈現(xiàn)的結(jié)果不會(huì)產(chǎn)生偏差。
而一般掃瞄式電子顯微鏡的校正的方法，是利用具有標(biāo)準(zhǔn)圖案的標(biāo)準(zhǔn)校正片來進(jìn)行。請(qǐng)參閱圖1，是現(xiàn)有習(xí)知的用于校正掃瞄式電子顯微鏡的標(biāo)準(zhǔn)校正片的剖面示意圖。該現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)校正片，是由一晶圓100以及晶圓100上的一膜層102所構(gòu)成，且膜層102具有一標(biāo)準(zhǔn)圖案104a或104b。特別是，標(biāo)準(zhǔn)圖案104a或104b的側(cè)壁都是垂直狀的側(cè)壁。之后，將該晶圓100置于掃瞄式電子顯微鏡中以進(jìn)行掃瞄，即可取得標(biāo)準(zhǔn)圖案104a或104b在其圖案邊緣處所反應(yīng)出的訊號(hào)(如箭頭所示之處)。然后，利用所取得的訊號(hào)值來作掃瞄式電子顯微鏡的校正。
然而，當(dāng)以上述的方法作校正之后，使用校正后的掃瞄式電子顯微鏡來觀察具有接觸窗開口的膜層時(shí)，卻仍然會(huì)產(chǎn)生明顯的偏差。這是因?yàn)?，通常在膜層中所形成的接觸窗開口的輪廓會(huì)由上往下縮小，而且接觸窗開口底部的尺寸才是其關(guān)鍵尺寸。而以現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)校正片進(jìn)行校正與匹配，只能對(duì)標(biāo)準(zhǔn)圖案表面，即X方向與Y方向的位置作匹配與校正，但卻無法對(duì)Z方向(深度的方向)作校正與匹配。因此，若是以現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)校正片作校正之后，利用校正后的掃瞄式電子顯微鏡觀察接觸窗開口時(shí)還是會(huì)有偏差的情形發(fā)生。
由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決現(xiàn)有的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片的缺陷，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服上述現(xiàn)有的掃瞄工具的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片存在的缺陷，而提供一種新的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，所要解決的主要技術(shù)問題是使其可以解決利用現(xiàn)有習(xí)知的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片校正掃瞄式電子顯微鏡之后，因無法對(duì)Z方向作校正與匹配，因此仍存在有偏差的問題，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其包括以下步驟提供具有一標(biāo)準(zhǔn)圖案的一晶圓，其中該標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁是呈斜坡狀；以及利用一掃瞄工具掃瞄該晶圓上的該標(biāo)準(zhǔn)圖案，以取得一訊號(hào)，該訊號(hào)是表現(xiàn)出該標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁處的位置，利用該訊號(hào)即能對(duì)該掃瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其中所述的晶圓是為一測(cè)試晶圓。
前述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其中所述的晶圓是為一產(chǎn)品晶圓。
前述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其中所述的掃瞄工具是為一掃瞄式電子顯微鏡。
前述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其中所述的標(biāo)準(zhǔn)圖案是為一開口圖案，且該開口圖案是為由上往下縮小的開口圖案。
前述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其中所述的標(biāo)準(zhǔn)圖案是為一凸起圖案。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，是用以校正半導(dǎo)體用的一掃瞄工具，該標(biāo)準(zhǔn)校正片包括一晶圓；以及一標(biāo)準(zhǔn)圖案，配置于該晶圓上，其中該標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁是呈斜坡狀，且該標(biāo)準(zhǔn)圖案的尺寸是為一關(guān)鍵尺寸。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，其中所述的晶圓是為一測(cè)試晶圓。
前述的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，其中所述的晶圓是為一產(chǎn)品晶圓。
前述的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，其中所述的標(biāo)準(zhǔn)圖案是為一開口圖案，且該開口圖案是為由上往下縮小的開口圖案，該開口圖案底部的尺寸是為該關(guān)鍵尺寸。
前述的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，其中所述的標(biāo)準(zhǔn)圖案是為一凸起圖案。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，該方法是首先提供具有一標(biāo)準(zhǔn)圖案的一晶圓，其中該標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁是呈斜坡狀。之后利用一掃瞄工具掃瞄晶圓上的標(biāo)準(zhǔn)圖案，以取得一訊號(hào)，該訊號(hào)是表現(xiàn)出標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁處的位置，且利用訊號(hào)即能對(duì)掃瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正。
由于本發(fā)明的方法不但能對(duì)掃瞄工具作X方向與Y方向的校正，而且還能對(duì)Z方向作校正，因此，可以改善現(xiàn)有技術(shù)因無法校正Z方向而使掃瞄工具仍有偏差的問題。
本發(fā)明還提出了一種標(biāo)準(zhǔn)校正片，其是用以校正半導(dǎo)體用的一掃瞄工具，該標(biāo)準(zhǔn)校正片是由一晶圓以及配置于晶圓上的一標(biāo)準(zhǔn)圖案所構(gòu)成，其中標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁是呈斜坡狀，且標(biāo)準(zhǔn)圖案的尺寸是為一關(guān)鍵尺寸。倘若標(biāo)準(zhǔn)圖案為一開口圖案，則開口圖案是由上往下縮小，且其底部尺寸即為關(guān)鍵尺寸。
由于本發(fā)明將標(biāo)準(zhǔn)校正片的標(biāo)準(zhǔn)圖案設(shè)計(jì)成具有斜坡狀側(cè)壁的標(biāo)準(zhǔn)圖案，藉由該斜坡狀側(cè)壁的設(shè)計(jì)可以對(duì)掃瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正，因此可以解決現(xiàn)有的校正方法因無法校正Z方向，而會(huì)產(chǎn)生明顯偏差的情形。
綜上所述，本發(fā)明特殊的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，可以解決現(xiàn)有的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片校正掃瞄式電子顯微鏡之后，因無法對(duì)Z方向作校正與匹配而仍存在有偏差的問題。其具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，在校正方法及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上確屬創(chuàng)新，在方法、結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大改進(jìn)，較現(xiàn)有的校正方法及其標(biāo)準(zhǔn)校正片具有增進(jìn)的功效，且在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知的用于校正掃瞄式電子顯微鏡的標(biāo)準(zhǔn)校正片的剖面示意圖。
圖2是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的用于校正掃瞄式電子顯微鏡的標(biāo)準(zhǔn)校正片的剖面示意圖。
圖3是利用圖2的標(biāo)準(zhǔn)校正片進(jìn)行掃瞄式電子顯微鏡校正的訊號(hào)示意圖。
圖4是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的用于校正掃瞄式電子顯微鏡的標(biāo)準(zhǔn)校正片的剖面示意圖。
圖5是利用圖4的標(biāo)準(zhǔn)校正片進(jìn)行掃瞄式電子顯微鏡校正的訊號(hào)示意圖。
100、200晶圓 102、202膜層104a、104b標(biāo)準(zhǔn)圖案 204、204a標(biāo)準(zhǔn)圖案206、206a；側(cè)壁302、304波峰訊號(hào)502、504波峰訊號(hào) 310a、310b波峰訊號(hào)起始處510a、510b波峰訊號(hào)起始處 312a、312b波峰訊號(hào)結(jié)束處512a、512b波峰訊號(hào)結(jié)束處 D關(guān)鍵尺寸具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片其具體的校正方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
為了解決現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)圖案因其側(cè)壁為垂直側(cè)壁，而僅能針對(duì)X方向與Y方向的位置作校正，無法對(duì)Z方向進(jìn)行校正，當(dāng)利用掃瞄工具掃瞄接觸窗開口圖案時(shí)，仍會(huì)產(chǎn)生偏差的問題，本發(fā)明特別提出一種半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其用于校正掃瞄工具的校正的標(biāo)準(zhǔn)校正片，該標(biāo)準(zhǔn)校正片上的標(biāo)準(zhǔn)圖案具有斜坡狀側(cè)壁，因此，該標(biāo)準(zhǔn)圖案除了可以針對(duì)X方向與Y方向的位置作校正與匹配之外，更可以對(duì)Z方向作校正與匹配，現(xiàn)詳細(xì)說明如下。
請(qǐng)參閱圖2所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種晶圓上的標(biāo)準(zhǔn)圖案的剖面示意圖。本發(fā)明的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，包括一晶圓200以及晶圓200上的一膜層202，其中膜層202中具有一標(biāo)準(zhǔn)圖案204。在一較佳實(shí)施例中，該膜層202例如是一介電層或是一導(dǎo)電層，較佳的是使用介電層。該標(biāo)準(zhǔn)圖案204例如是一開口圖案，且標(biāo)準(zhǔn)圖案204的側(cè)壁206是為斜坡狀。
在此，標(biāo)準(zhǔn)圖案204的側(cè)壁206是為斜坡狀，且標(biāo)準(zhǔn)圖案204是為由上往下縮小的開口圖案。換言之，其底部尺寸較頂部尺寸小，而且，可以將該標(biāo)準(zhǔn)圖案的底部尺寸D設(shè)定成該制程的關(guān)鍵尺寸(例如是接觸窗開口的關(guān)鍵尺寸)。
請(qǐng)參閱圖3所示，是利用圖2的標(biāo)準(zhǔn)校正片進(jìn)行掃瞄式電子顯微鏡校正的訊號(hào)示意圖。將圖2的標(biāo)準(zhǔn)校正片放置在掃瞄工具(例如是掃瞄式電子顯微鏡)中掃瞄，以進(jìn)行校正與匹配時(shí)，將會(huì)在對(duì)應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)圖案204的側(cè)壁206處量測(cè)到波峰訊號(hào)302、304，其中該波峰訊號(hào)302、304是表現(xiàn)出開口圖案204由其頂部310a、310b處至底部312a、312b處的位置。較詳細(xì)的說明是，對(duì)應(yīng)于開口圖案204的頂部處310a是為波峰訊號(hào)302開始之處，而對(duì)應(yīng)于開口204的底部處312a是為波峰訊號(hào)302結(jié)束之處。同樣的，對(duì)應(yīng)于開口204的頂部處310b是為波峰訊號(hào)304開始之處，而對(duì)應(yīng)于開口204的底部處312b是為波峰訊號(hào)304結(jié)束之處。因此，藉由波峰訊號(hào)302、304的起始處310a、310b的位置，可以對(duì)掃瞄式電子顯微鏡作X方向以及Y方向的校正，而藉由波峰訊號(hào)302、304的結(jié)束處312a、312b的位置，可以對(duì)掃瞄式電子顯微鏡作Z方向的校正，而且波峰訊號(hào)302、304的結(jié)束處312a、312b之間的距離D即表示開口204底部的尺寸D，也就是該制程的關(guān)鍵尺寸。
因此，倘若使用本發(fā)明的標(biāo)準(zhǔn)校正片來校正掃瞄式電子顯微鏡，則除了可以對(duì)X方向以及Y方向的位置作校正之外，還可以對(duì)Z方向作校正。如此一來，當(dāng)利用該標(biāo)準(zhǔn)校正片校正之后的掃瞄式電子顯微鏡，掃瞄接觸窗開口圖案時(shí)，便可以較精確的反應(yīng)出接觸窗開口的位置，而使得接觸窗開口能較精確的與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)。
值得一提的是，上述的標(biāo)準(zhǔn)校正片可以是一測(cè)試晶圓，亦可以是一產(chǎn)品晶圓。換言之，該標(biāo)準(zhǔn)校正片可以在一空白的晶圓上形成上述的標(biāo)準(zhǔn)圖案，或是在一產(chǎn)品晶圓上的特定位置形成上述的標(biāo)準(zhǔn)圖案。
另外，在上述實(shí)施例中是以開口圖案作為標(biāo)準(zhǔn)圖案來作說明，事實(shí)上，本發(fā)明的標(biāo)準(zhǔn)圖案亦可以是凸起圖案，如圖4所示。
請(qǐng)參閱圖4所示，是依照本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的用于校正掃瞄式電子顯微鏡的標(biāo)準(zhǔn)校正片的剖面示意圖。在圖4中，該標(biāo)準(zhǔn)校正片是包括一晶圓200以及配置在晶圓200上的一標(biāo)準(zhǔn)圖案204a所構(gòu)成，其中該標(biāo)準(zhǔn)圖案204a的側(cè)壁206a是成斜坡狀。
請(qǐng)參閱圖5所示，是利用圖4的標(biāo)準(zhǔn)校正片進(jìn)行掃瞄式電子顯微鏡校正的訊號(hào)示意圖。當(dāng)將圖4的標(biāo)準(zhǔn)校正片放置在掃瞄工具(例如是掃瞄式電子顯微鏡)中掃瞄，以進(jìn)行校正與匹配時(shí)，將可以在對(duì)應(yīng)側(cè)壁206a處量測(cè)到波峰訊號(hào)502、504，其中波峰訊號(hào)502、504是表現(xiàn)出凸起圖案由底部510a、510b至頂部512a、512b的位置。因此，同樣可以對(duì)掃瞄式電子顯微鏡作X方向、方向以及Z方向的校正。
由于本發(fā)明將標(biāo)準(zhǔn)校正片的標(biāo)準(zhǔn)圖案設(shè)計(jì)成具有斜坡狀側(cè)壁的標(biāo)準(zhǔn)圖案，藉由該斜坡狀側(cè)壁的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以對(duì)掃瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正，因此可以解決現(xiàn)有的校正方法因無法校正Z方向而會(huì)產(chǎn)生明顯偏差的問題。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其特征在于其包括以下步驟提供具有一標(biāo)準(zhǔn)圖案的一晶圓，其中該標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁是呈斜坡狀；以及利用一掃瞄工具掃瞄該晶圓上的該標(biāo)準(zhǔn)圖案，以取得一訊號(hào)，該訊號(hào)是表現(xiàn)出該標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁處的位置，利用該訊號(hào)即能對(duì)該掃瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的晶圓是為一測(cè)試晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的晶圓是為一產(chǎn)品晶圓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的掃瞄工具是為一掃瞄式電子顯微鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的標(biāo)準(zhǔn)圖案是為一開口圖案，且該開口圖案是為由上往下縮小的開口圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，其特征在于其中所述的標(biāo)準(zhǔn)圖案是為一凸起圖案。
7.一種用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，是用以校正半導(dǎo)體用的一掃瞄工具，其特征在于該標(biāo)準(zhǔn)校正片包括一晶圓；以及一標(biāo)準(zhǔn)圖案，配置于該晶圓上，其中該標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁是呈斜坡狀，且該標(biāo)準(zhǔn)圖案的尺寸是為一關(guān)鍵尺寸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，其特征在于其中所述的晶圓是為一測(cè)試晶圓
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，其特征在于其中所述的晶圓是為一產(chǎn)品晶圓。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，其特征在于其中所述的標(biāo)準(zhǔn)圖案是為一開口圖案，且該開口圖案是為由上往下縮小的開口圖案，該開口圖案底部的尺寸是為該關(guān)鍵尺寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，其特征在于其中所述的標(biāo)準(zhǔn)圖案是為一凸起圖案。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法及其用于校正掃瞄工具的標(biāo)準(zhǔn)校正片，該半導(dǎo)體用的掃瞄工具的校正方法，是首先提供具有一標(biāo)準(zhǔn)圖案的一晶圓，其中該標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁是呈斜坡狀。之后利用一掃瞄工具掃瞄晶圓上的標(biāo)準(zhǔn)圖案，以取得一訊號(hào)，該訊號(hào)是表現(xiàn)出標(biāo)準(zhǔn)圖案的側(cè)壁處的位置，利用訊號(hào)即能對(duì)掃瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正。由于本發(fā)明的方法不但能對(duì)掃瞄工具作X方向與Y方向的校正，而且還能對(duì)Z方向作校正，因此，可以改善現(xiàn)有技術(shù)中因無法校正Z方向而使掃瞄工具仍有偏差的問題。
文檔編號(hào)H01J37/28GK1585086SQ0315359
公開日2005年2月23日 申請(qǐng)日期2003年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月18日
發(fā)明者馬嘉淇, 蘇炎輝, 吳敬斌, 連楠梓, 劉信成 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司