專利名稱：高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)及等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種使前板(front plate)及后板(rear plate)緊密封合的等離子顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，各種新型平面顯示器(flat panel display；FPD)不斷地開發(fā)設(shè)計出來，例如液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)、有機(jī)發(fā)光顯示器(organic light emitting diode，OLED)及等離子顯示器，有漸漸取代傳統(tǒng)陰極射線管(cathode ray tube；CRT)的趨勢。其中，等離子顯示器是一種藉由氣體放電來產(chǎn)生發(fā)光的平面顯示器，其最大的特色是輕、薄、易大型化且無視角問題。
等離子顯示面板主要是利用電極放電累積電荷的方式進(jìn)行顯示，由于具有大屏幕、高容量以及能夠顯示全彩(full-color)影像，是未來最具潛力的平面顯示器。
一般等離子顯示器是在前基板及后基板皆制作完成之后將前基板反轉(zhuǎn)過來并覆蓋在后基板上，然后將前基板與后基板封合(sealing)起來，以形成封閉的放電單元(discharge cell)，由于封合的緊密程度會影響后續(xù)抽真空及灌入放電氣體的工藝合格率，并會影響各放電單元之間的隔離效果。
傳統(tǒng)的等離子顯示器的封合方式以涂布方式形成于后板、前板或兩者的四周，請參考圖1，顯示現(xiàn)有等離子顯示器的前基板及后基板的封合方法示意圖。該等離子顯示器10包含一前基板12及一后基板14，彼此面對面設(shè)置。其中，該后基板14具有多個阻隔壁16(barrier rib)配置于后基板14上表面的一預(yù)定區(qū)域上，而一封合層18以涂布方式形成于該后基板14的阻隔壁16外圍、前板四周或兩者的四周。接著，將前基板12及后基板14進(jìn)行對位及組合，使封合層18將兩基板暫時固定。之后，將暫時固定的前基板12及后基板14放入高溫爐內(nèi)，加熱至450℃的溫度，在冷卻之后，前基板12及后基板14即可完全固定并緊密封合在一起。
然而，封合后，前基板12及后基板14之間的密封強(qiáng)度決定于該封合層18在前基板12及后基板14之間所形成的幾何形狀。如果封合材料的幾何形狀不良，如圖2a至圖2c所示，易導(dǎo)致該等離子顯示裝置的密封強(qiáng)度不足，而在進(jìn)行后續(xù)熱壓著時，易產(chǎn)生破片的現(xiàn)象發(fā)生，使得合格率降低。
因此，對于封合層18在前基板12及后基板14之間所形成的幾何形狀及結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步的改良與設(shè)計，以增加等離子顯示裝置的密封強(qiáng)度，是一項非常重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明的主要目的在于針對封合材料的幾何形狀及結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良及設(shè)計，以提供一種高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，以使兩基板緊密黏合，避免在接下來工藝因封合強(qiáng)度不足而導(dǎo)致破片或基板分離等問題。
本發(fā)明的另一目的是提供一種使前基板與后基板之間具有高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，藉由調(diào)整封合材料(sealing material)與等離子顯示裝置的相對關(guān)系，使其前基板與后基板之間的封合材料具有優(yōu)選的幾何形狀及結(jié)構(gòu)，以大幅改善其密封強(qiáng)度及耐熱壓著的特性，進(jìn)一步提高等離子顯示裝置的工藝合格率。
為獲致上述的目的，本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，包括一第一基板，該第一基板具有一第一表面；以及一第二基板，配置于該第一基板的上方，并以一封裝材料與該第一基板接合，該第二基板以一第二表面與該第一基板的第一表面相對，且該第二表面向外延伸的邊界為一第一界線，而該第一表面具有一第二界線位于該第一界線沿法線方向于第一基板的對應(yīng)處，其中，該封裝材料與第一基板接觸區(qū)域向基板邊緣延伸的終點為一第三界線，而該第三界線與第一表面邊界的距離不大于該第二界線與第一表面邊界的距離；該封裝材料與第二基板接觸的區(qū)域向基板邊緣延伸的終點為一第四界線，而該第四界線與第一表面的垂直距離不小于該第一界線與第一表面的垂直距離。
根據(jù)本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，其中該第一基板的面積范圍不小于該第二基板的面積范圍，且該第一基板完全包含第二基板所相對應(yīng)的范圍。
根據(jù)本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，其中該第一表面與該第二表面板之間具有多個阻隔壁。
基于本發(fā)明的另一目，本發(fā)明所述的一種使前基板與后基板之間具有高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，至少包括一第一基板，該第一基板具有一第一表面；以及一第二基板，該第二基板以一第二表面與該第一基板的第一表面相對，并以一封裝材料層及多個阻隔壁與該第一基板接合，且該第二表面向外延伸的邊界為一第一界線，而該第一表面具有一第二界線位于該第一界線延法線方向于第一基板的對應(yīng)處，其中，該封裝材料層與第一基板接觸區(qū)域向基板邊緣延伸的終點為一第三界線，而該第三界線與第一表面邊界的距離不大于該第二界線與第一表面邊界的距離；該封裝材料層與第二基板接觸的區(qū)域向基板邊緣延伸的終點為一第四界線，而該第四界線與第一表面的垂直距離不小于該第一界線與第一表面的垂直距離。
根據(jù)本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其中該第一基板可為一前板，而該第二基板可為一后板；另一方面，該第一基板亦可為一后板，而該第二基板亦可為一前板。
根據(jù)本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其中該第一基板的面積范圍不小于該第二基板的面積范圍，且該第一基板完全包含第二基板所相對應(yīng)的范圍。
為使本發(fā)明的上述目的、特征能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1顯示現(xiàn)有等離子顯示器的封合方法示意圖；圖2a至圖2c顯示傳統(tǒng)等離子顯示面板的前基板及后基板封合結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3顯示根據(jù)本發(fā)明所述的等離子顯示裝置的第一基板及第二基板經(jīng)對位合并后的剖面示意圖；圖4a至圖4e顯示根據(jù)本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度等離子顯示裝置的優(yōu)選附圖標(biāo)記說明10 等離子顯示器12 前基板14 后基板 16 阻隔壁18 封合層 20 熒光層100等離子顯示器102第一基板104第二基板110阻隔壁112第一表面114第二表面116第二基板側(cè)面120封合材料132第一接觸區(qū) 134第二接觸區(qū)A1 第四界線A2 第六界線B1 第三界線B2 第五界線C 第一表面邊緣P1 第一界線P2 第二界線具體實施方式
本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)及包含該結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置，其特點在于當(dāng)封合材料的幾何形狀及結(jié)構(gòu)與第一基板及第二基板的相互關(guān)系符合本發(fā)明所述的兩基板封合結(jié)構(gòu)時，其封合強(qiáng)度及耐熱壓著性將大幅改善。以下，將配合附圖并以等離子顯示裝置為例，來詳細(xì)說明本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)。
首先，請參照圖3，顯示一等離子顯示裝置其第一基板及第二基板經(jīng)對位合并后的剖面示意圖，用來進(jìn)一步解釋本發(fā)明中各部件的定義及相對關(guān)系。該等離子顯示裝置100具有一第一基板102及一第二基板104，該第一基板102具有一第一表面112，而第二基板104具有一第二表面114，該第二表面114相對于該第一表面112，且該第一基板102與該第二基板104之間具有多個阻隔壁110，兩基板之間的距離可為50μm至250μm。其中，該第二表面114向外延伸至邊緣之處定義為一第一界線P1，而該第一表面112亦具有一第二界線P2位于該第一界線P1沿法線方向于第一基板的對應(yīng)處，該第一界線P1及該第二界線P2的連線垂直于該第一表面112。
請參考圖4a至圖4e，顯示符合本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度兩基板封合結(jié)構(gòu)，其運(yùn)用在等離子顯示裝置的優(yōu)選實施例。該等離子顯示裝置100具有一封合材料120配置于該第一基板102的第一表面112及該第二基板104的第二表面114之間，而該封合材料120分別與該第一表面112及該第二表面114接觸。其中，該第一基板102可為等離子顯示裝置的后板，該第二基板104可為等離子顯示裝置的前板，而該封合材料120可為一封合玻璃(sealing frit)或是一膠材。該第一表面112以一第一接觸區(qū)132與該封合材料120相連，而第一接觸區(qū)132向第一基板102邊緣延伸的終點被定義為一第三界線B1，且第一接觸區(qū)132向第一基板102內(nèi)側(cè)延伸的終點則被定義為一第五界線B2；而第二表面114以一第二接觸區(qū)134與該封合材料120相連，第二接觸區(qū)134向第二基板104邊緣延伸的終點被定義為一第四界線A1，且第二接觸區(qū)134向第二基板104內(nèi)側(cè)延伸的終點則被定義為一第六界線A2。而該封合材料120的幾何形狀及與該第一基板102及第二基板的相對關(guān)系說明如下本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其封合材料120的第三界線B1與第一表面邊緣C的距離不大于該第二界限P2與第一表面邊緣C的距離，也就是說，第三界線B1與第一表面邊緣C的距離可等于該第二界限P2與第一表面邊緣C的距離，如圖4a及圖4b所示，而該第三界線B1與第一表面邊緣C的距離亦可小于該第二界限P2與第一表面邊緣C的距離，如圖4c、圖4d及圖4e所示。另外，該封合材料120的第四界線A1，其與第一表面102的垂直距離不小于該第一界線P1至第一表面的垂直距離，也就是說，該第四界線A1至第一表面112的垂直距離可與第一界線P1至第一表面112的垂直距離相等，如圖4a及圖4c所示，且亦可大于第一界線P1至第一表面112的垂直距離，如圖4b、圖4d及圖4e所示。
另一方面，封合材料120的第六界線A2的水平位置可與該第五界線B2相同，如圖4a、圖4d及圖4e所示，而該第六界線A2的水平位置亦可在第五界線B2的水平位置的右側(cè)，如圖4b所示，或是在該第五界線B2的水平位置的左側(cè)，如圖4c所示。而封合材料120的包含第四界線A1與第三界線B1的表面及包含第六界線A2與第四界線A1的表面，可分別為一平面、弧面或是不規(guī)則的表面。
該封合材料120的第三界線B1至第五界線B2的距離及第四界線A1至第六界線A2的距離，兩者之中至少有一大于0.5mm，而且，該封合材料120的水平最短距離不小于該第三界線B1至第五界線B2的距離及第四界線A1至第六界線A2的距離之中的較小者的二分之一。
本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其第一基板或是第二基板的側(cè)面，除了可為垂直該第一表面或是第二表面的平面外，如圖4a至圖4e所示；而在本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例中，該第二基板的側(cè)面116亦可為與該第二表面114構(gòu)成一銳角，如圖5a至圖5e所示，亦可構(gòu)成一鈍角，如圖6a至圖6e所示，而且在本發(fā)明其它優(yōu)選實施例中，該第二基板的側(cè)面116還可為一弧面，如圖7a至圖7e所示，或是其它不規(guī)則的表面。
請參考表1，顯示在等離子顯示器工藝中，具有不同封合結(jié)構(gòu)的等離子顯示器在進(jìn)行后續(xù)熱壓著步驟時其各自的合格率。由表1中可清楚得知，現(xiàn)有技術(shù)的兩基板封合結(jié)構(gòu)(如圖2a-2c所示)其破裂損失(crack loss)高達(dá)4成，相反的，符合本發(fā)明所述的封合結(jié)構(gòu)在進(jìn)行熱壓著步驟時其破裂損失近乎小于0.1％。
表1


綜上所述，本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，藉由封合材料(sealing material)在等離子顯示裝置的前基板與后基板之間構(gòu)成特定的幾何形狀及結(jié)構(gòu)，以大幅改善其密封強(qiáng)度及耐熱壓著的特性，避免在接下來工藝中發(fā)生因封合強(qiáng)度不足而導(dǎo)致破片或基板分離等問題，進(jìn)一步提高等離子顯示裝置的工藝合格率。
本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的封合結(jié)構(gòu)不僅適用于等離子顯示裝置的封裝上，亦適用于其它利用兩基板封合的顯示裝置上，像是液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光顯示器及場發(fā)射顯示器皆適用于本發(fā)明所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明雖結(jié)合優(yōu)選實施例披露如上，然其并非用來限定本發(fā)明的范圍，任何本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以所附權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，包括一第一基板，該第一基板具有一第一表面；以及一第二基板，配置于該第一基板的上方，并以一封裝材料與該第一基板接合，該第二基板以一第二表面與該第一基板的第一表面相對，且該第二表面向外延伸的邊界為一第一界線，而該第一表面具有一第二界線位于該第一界線沿法線方向于第一基板的對應(yīng)處，其中，該封裝材料與第一基板接觸區(qū)域向基板邊緣延伸的終點為一第三界線，而該第三界線與第一表面邊界的距離不大于該第二界線與第一表面邊界的距離；該封裝材料與第二基板接觸的區(qū)域向基板邊緣延伸的終點為一第四界線，而該第四界線與第一表面的垂直距離不小于該第一界線與第一表面的垂直距離。
2.如權(quán)利要求1所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，其中該第一表面與該第二表面板之間具有多個阻隔壁。
3.如權(quán)利要求1所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，其中第一表面與該第二表面板的距離50～250μm。
4.如權(quán)利要求1所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，其中該第二基板的側(cè)表面為一平面。
5.如權(quán)利要求1所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，其中該第二基板的側(cè)表面為一弧面。
6.如權(quán)利要求1所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，該封合材料為一封合玻璃(sealing frit)。
7.如權(quán)利要求1所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，該封合材料為一膠材。
8.如權(quán)利要求1所述的高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)，其中該第一基板為一透明基板。
9.高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，包括一第一基板，該第一基板具有一第一表面；以及一第二基板，該第二基板以一第二表面與該第一基板的第一表面相對，并以一封裝材料層及多個阻隔壁與該第一基板接合，且該第二表面向外延伸的邊界為一第一界線，而該第一表面具有一第二界線位于該第一界線沿法線方向于第一基板的對應(yīng)處，其中，該封裝材料層與第一基板接觸區(qū)域向基板邊緣延伸的終點為一第三界線，而該第三界線與第一表面邊界的距離不大于該第二界線與第一表面邊界的距離；該封裝材料層與第二基板接觸的區(qū)域向基板邊緣延伸的終點為一第四界線，而該第四界線與第一表面的垂直距離不小于該第一界線與第一表面的垂直距離。
10.如權(quán)利要求9所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其中第一表面與該第二表面板的距離50～250μm。
11.如權(quán)利要求9所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其中該第二基板的側(cè)表面為一平面。
12.如權(quán)利要求9所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其中該第二基板的側(cè)表面為一弧面。
13.如權(quán)利要求9所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，該封合材料為一封合玻璃(sealing frit)。
14.如權(quán)利要求9所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，該封合材料為一膠材。
15.如權(quán)利要求9所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其中該第一基板為一前板，而該第二基板為一后板。
16.如權(quán)利要求9所述的高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，其中該第一基板為一后板，而該第二基板為一前板。
全文摘要
本發(fā)明公開一種高密封強(qiáng)度的兩基板封合結(jié)構(gòu)及包含該結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置。主要目的在于針對封合材料的幾何形狀及結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良及設(shè)計，以提供一種高密封強(qiáng)度的等離子顯示裝置，以使該等離子顯示裝置的前板及后板緊密黏合，避免在接下來工藝因封合強(qiáng)度不足而導(dǎo)致破片或基板分離等問題。該封合結(jié)構(gòu)包括具有第一表面的第一基板；以及第二基板，配置于第一基板的上方，并以一封裝材料與第一基板接合，該第二基板以一第二表面與第一基板的第一表面相對，且第二表面向外延伸的邊界為一第一界線，而該第一表面具有一第二界線位于第一界線沿法線方向于第一基板的對應(yīng)處。
文檔編號H01J17/02GK1545120SQ200310118199
公開日2004年11月10日 申請日期2003年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月25日
發(fā)明者陳柏丞, 吳俊翰 申請人:友達(dá)光電股份有限公司