專(zhuān)利名稱：交流型等離子體顯示板和形成地址電極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及交流(AC)型等離子體顯示板(PDP)，尤其涉及具有成型的地址電極的AC型PDP，以便在不增加驅(qū)動(dòng)電壓和放電延遲時(shí)間的情況下能夠增加光效能，以及尤其涉及一種在后襯底上形成地址電極的方法。
背景技術(shù)：
通過(guò)使用放電來(lái)形成圖像的PDP提供優(yōu)良的顯示性能，例如亮度或視角，因此，PDP的使用日益增加。在PDP中，將直流電壓或交流電壓施加給電極，并且直流電壓或交流電壓使電極之間的氣體發(fā)生放電。在氣體放電期間輻射出紫外線，導(dǎo)致熒光物質(zhì)的激發(fā)。該激發(fā)的熒光物質(zhì)輻射出可見(jiàn)光。
根據(jù)放電類(lèi)型，PDP可以分為直流(DC)型PDP或交流(AC)型PDP。DC型PDP包括完全暴露于放電空間的電極。在DC型PDP中，電荷直接從一個(gè)電極移動(dòng)到相對(duì)的電極。在AC型PDP中，至少一個(gè)電極被電介質(zhì)層覆蓋，并且通過(guò)壁(wall)電荷而不是相對(duì)電荷之間的電荷的直接移動(dòng)來(lái)產(chǎn)生放電。
根據(jù)電極的排列，PDP也可以分為相對(duì)放電型PDP或表面放電型PDP。在相對(duì)放電型PDP中，在前襯底上形成一對(duì)維持電極中的一個(gè)，在后襯底上形成一對(duì)維持電極中的另一個(gè)，并且在垂直軸方向上發(fā)生放電。在表面放電型PDP中，在同一襯底上形成一對(duì)維持電極，并且在該襯底的一個(gè)平面上發(fā)生放電。
相對(duì)放電型PDP提供高光效能，但是缺點(diǎn)在于熒光層容易被等離子體損壞并且對(duì)于放電需要高電壓。因此，近來(lái)廣泛使用表面放電型PDP。
圖1和2示出了傳統(tǒng)的AC型PDP。在圖2中，僅將前襯底旋轉(zhuǎn)90°，以更好理解傳統(tǒng)AC型PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
參考圖1和2，傳統(tǒng)的AC型PDP包括彼此面對(duì)的后襯底10和前襯底20。
在后襯底10的上表面上以條狀排列多個(gè)地址電極11，并且用白色的第一電介質(zhì)層12掩蓋該多個(gè)地址電極11。在第一電介質(zhì)12的上表面上形成多個(gè)阻擋條13，用于防止放電單元14之間的電、光干擾。在由阻擋條13限定的放電單元14的內(nèi)表面上分別形成預(yù)定厚度的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色熒光層15。將放電氣體，例如Ne、Xe、或Ne和Xe的混合體注入放電單元14。
前襯底20足夠透明來(lái)發(fā)送可見(jiàn)光，通常由玻璃制成，并且與具有阻擋條13的后襯底10結(jié)合。在前襯底20的下表面上以條狀形成成對(duì)的維持電極21a和21b，從而維持電極與地址電極11成直角。維持電極21a和21b通常由透明的電導(dǎo)材料形成，例如銦錫氧化物(ITO)，從而它們能夠發(fā)送可見(jiàn)光。為了減小維持電極21a和21b的線性電阻，在維持電極21a和21b的下表面分別形成由金屬制成的總線電極22a和22b，例如總線電極22a和22b比維持電極21a和21b窄。維持電極21a和21b以及總線電極22a和22b隱埋在透明的第二電介質(zhì)層23中。第二電介質(zhì)層23的下表面被保護(hù)層24覆蓋，保護(hù)層24使第二電介質(zhì)層23避免了由于等離子體粒子的濺射引起的損壞，并發(fā)射二次電子來(lái)降低放電電壓和維持電壓。保護(hù)層24通常由氧化鎂(MgO)來(lái)制成。
用于驅(qū)動(dòng)具有這種結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)等離子體顯示板的定時(shí)可以分為復(fù)位周期、地址周期、和維持周期。在復(fù)位周期期間，復(fù)位每個(gè)放電單元14的充電狀態(tài)，從而簡(jiǎn)單地尋址充電單元14。在地址周期期間，在選擇的放電單元14中，在地址電極11和一個(gè)維持電極21b(也就是Y電極)之間發(fā)生地址放電。這時(shí)，在選擇的放電單元14中累積壁電荷。在維持周期期間，在所選擇的其中形成壁電荷的放電單元14中，在Y電極21b與另一個(gè)維持電極21a(也就是X電極)之間發(fā)生維持放電。在維持放電期間，通過(guò)從放電氣體產(chǎn)生的紫外線來(lái)激發(fā)所選擇的放電單元14的熒光層15，并且該熒光層15輻射可見(jiàn)光。當(dāng)通過(guò)前襯底20輻射可見(jiàn)光時(shí)，形成用戶可以識(shí)別的圖像。
在上述的傳統(tǒng)PDP中，每個(gè)阻擋條13的高度(H)極大地影響著光效能。換句話說(shuō)，當(dāng)每個(gè)阻擋條13的高度(H)增加時(shí)，每個(gè)放電單元14中的放電空間增大，從而增加了光效能。相反，當(dāng)每個(gè)阻擋條13的高度(H)減少時(shí)，一對(duì)維持電極21a和21b與地址電極11之間的間隔變窄。因此，地址電極11的電場(chǎng)干擾在維持電極21a和21b之間發(fā)生的維持放電，并且諸如電子或離子的帶電粒子被容易地吸附到阻擋條13，從而降低了光效能。如上所述，在傳統(tǒng)的PDP中，隨著每個(gè)阻擋條13的高度(H)增加，光效能增加。
然而，如果每個(gè)阻擋條13的高度(H)等于或大于180微米，則由于放電單元14的深度的增加，會(huì)出現(xiàn)陰影效應(yīng)和陷入諧振，并且與第一電介質(zhì)層12接觸的熒光層15的一部分會(huì)變薄。從而光效能降低許多。
因此，最好是每個(gè)阻擋條13的高度(H)盡可能在180微米的限制之內(nèi)。
而且，當(dāng)每個(gè)阻擋條13的高度(H)增加時(shí)，每個(gè)地址電極11與一對(duì)維持電極21a和21b之間的間隔增加，從而地址電壓增加。因此，向PDP的驅(qū)動(dòng)器IC施加了額外負(fù)載，從而阻礙了PDP的穩(wěn)定工作。具體地，如果每個(gè)阻擋條13的高度(H)增加10微米，則地址電壓增加大約5V，地址放電延遲時(shí)間約增加7％，并且地址電壓的裕量(margin)略微降低。
考慮上述問(wèn)題，通常將傳統(tǒng)PDP的每個(gè)阻擋條13的高度(H)設(shè)定為約120微米，并且不能再高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種交流型等離子體顯示板(PDP)，其中成型地址電極，使得即使當(dāng)阻擋條的高度增加，驅(qū)動(dòng)電壓也不會(huì)增加，從而提高了光效能。
本發(fā)明也提供一種在后襯底上形成AC型PDP的地址電極的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種等離子體顯示板，包括后襯底和前襯底、多個(gè)地址電極、第一和第二電介質(zhì)層、多個(gè)維持電極、保護(hù)層、以及多個(gè)阻擋條。相互面對(duì)安裝后襯底和前襯底，在所述后襯底和前襯底之間形成放電單元。在所述后襯底上以條狀形成地址電極。在所述后襯底上形成第一電介質(zhì)層，并且所述第一電介質(zhì)層隱埋了所述地址電極。在所述后襯底上以條狀形成并成對(duì)排列多個(gè)維持電極，從而所述多個(gè)維持電極與所述地址電極交叉成直角。在所述后襯底上形成第二電介質(zhì)層，并且所述第二電介質(zhì)層隱埋了所述維持電極。在所述第二電介質(zhì)層的下表面上形成保護(hù)層。在所述前和后襯底之間安置多個(gè)阻擋條，用于限定所述放電單元。每個(gè)阻擋條的側(cè)邊用熒光層覆蓋。每個(gè)所述地址電極包括在所述放電單元正下方放置的厚部分和位于相鄰厚部分之間的薄部分，所述厚部分比所述薄部分厚。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述地址電極的每個(gè)厚部分的厚度為5到7微米。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述地址電極的厚部分比所述薄部分厚10到30微米。在這種情況下，每個(gè)阻擋條的高度在130到160微米的范圍內(nèi)。
更好地，所述地址電極的厚部分比所述薄部分實(shí)質(zhì)厚20微米。在這種情況下，每個(gè)所述阻擋條的厚度實(shí)質(zhì)是140微米。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，所述厚部分等于或大于所述薄部分的寬度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種形成地址電極的方法，在等離子體顯示板的后襯底上交替排列著每個(gè)地址電極中的，厚和薄部分。在所述方法中，在所述后襯底上放置第一掩屏，所述第一掩屏具有條狀的第一開(kāi)口。通過(guò)使用所述第一掩屏將金屬漿印在所述襯底上，來(lái)形成第一金屬層。干燥所述第一金屬層。將第二掩屏放置在所述后襯底上，所述第二掩屏具有在對(duì)應(yīng)于所述厚部分的位置上形成的第二開(kāi)口。通過(guò)使用所述第二掩模將金屬漿印在所述第一金屬層上，來(lái)形成第二金屬層。干燥所述第二金屬成，并且對(duì)所述第一和第二金屬層塑化。
所述第一掩屏是#325網(wǎng)孔網(wǎng)，并且在第一金屬層形成步驟將所述第一金屬層形成為大約10微米的厚度，所述第二掩屏是#80-#100網(wǎng)孔網(wǎng)。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，還提供一種形成地址電極的方法，在等離子體顯示板的后襯底上交替排列著每個(gè)地址電極中的厚和薄部分。在所述方法中，將掩屏放置在所述后襯底上。所述掩屏具有在對(duì)應(yīng)于所述薄部分的位置上形成的第一開(kāi)口和在對(duì)應(yīng)于所述厚部分的位置上形成的第二開(kāi)口。通過(guò)使用所述掩模將金屬漿印在所述后襯底上，來(lái)形成金屬層。干燥和塑化所述金屬層。
其中形成所述第一開(kāi)口的掩屏的部分是#325網(wǎng)孔網(wǎng)，以及形成所述第二開(kāi)口的掩屏的部分是#80-#100網(wǎng)孔網(wǎng)。
在上述的兩種方法中，將所述第二開(kāi)口形成得比所述第一開(kāi)口寬，從而所述厚部分的寬度比所述薄部分的寬度大。
所述金屬漿由銀、金、和銅中的一種形成。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明，光效能隨著阻擋條的高度的增加而增加。即使當(dāng)阻擋條變得更高時(shí)，地址電極和維持電極之間的間隔也不會(huì)增加，因此地址電壓不增加。


通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得明顯，其中圖1示出了傳統(tǒng)交流(AC)型等離子體顯示板(PDP)的部分透視圖；圖2示出了圖1的傳統(tǒng)AC型PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的垂直截面；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的AC型PDP的部分透視圖；圖4和5示出了圖3的AC型PDP的部分垂直截面；
圖6示出了圖3的地址電極的透視圖；圖7示出了圖3的地址電極的修改示例的透視圖；圖8示出了阻擋條處于不同高度時(shí)的光效能和亮度相對(duì)于維持電壓的圖；圖9示出了阻擋條處于不同高度時(shí)的光效能和放電功率相對(duì)于維持電壓的圖；圖10示出了維持電壓和點(diǎn)火(firing)電壓相對(duì)于阻擋條的高度的圖；圖11示出了當(dāng)阻擋條的高度變化時(shí)地址放電延遲時(shí)間的變化圖；圖12示出了當(dāng)阻擋條的高度變化時(shí)地址電壓裕量的變化圖；圖13A到13G示出了用于對(duì)在后襯底上形成地址電極的第一方法的步驟進(jìn)行說(shuō)明的橫截面視圖；圖14A和14B分別示出了在第一方法中使用的第一和第二掩屏(screenmask)的部分透視圖；和圖15示出了在后襯底上形成地址電極的第二方法中使用的掩屏的部分透視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖來(lái)更全面地描述根據(jù)本發(fā)明的交流(AC)型等離子體顯示板(PDP)，在附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。在附圖中，相同的參考標(biāo)記表示相同的組件。
圖3、4和5分別是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的AC型PDP的垂直截面的透視圖。圖6是圖3的地址電極的透視圖。
參考圖3到6，根據(jù)本發(fā)明的AC型PDP包括相互面對(duì)安裝的后襯底110和前襯底120。后襯底110和前襯底120相互以預(yù)定間隔分離，并且在它們之間具有多個(gè)放電單元114。
后襯底110可以由玻璃制成。在后襯底110的上表面以條狀來(lái)形成多個(gè)地址電極111。地址電極111可以由高電導(dǎo)率和低電阻率的金屬材料制成，例如銀、鋁、或銅。每個(gè)地址電極111包括薄部分111a和厚部分111b，這將在后面詳細(xì)描述。
在后襯底110的上表面上形成的第一電介質(zhì)層112中隱埋地址電極111。第一電介質(zhì)層112由白色的電介質(zhì)材料形成，從而反射從放電單元114輻射的可見(jiàn)光。
在第一電介質(zhì)層112的上表面上形成多個(gè)阻擋條113，從而限定放電單元114，以便防止相鄰放電單元114之間的電學(xué)、光學(xué)干擾的出現(xiàn)。將諸如氖氣、氙氣、或氖和氙的混合氣的放電氣體注入由阻擋條113限定的放電單元114中。在相鄰的阻擋條113的相對(duì)側(cè)、以及位于阻擋條113之間的第一電介質(zhì)層112的上表面的一部分上形成預(yù)定厚度的紅(R)、綠(G)、或藍(lán)(B)色熒光層115。
前襯底120足夠透明來(lái)發(fā)送可見(jiàn)光，因此通常由玻璃制成。在前襯底120的下表面上以條狀形成維持電極對(duì)121a和121b，從而它們與地址電極111交叉成直角。維持電極121a和121b由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成，因此它們可以傳送從放電單元114輻射的可見(jiàn)光。因?yàn)镮TO具有相對(duì)高的阻抗，因此維持電極121a和121b具有高的線性阻抗。為了減少維持電極121a和121b的高線性阻抗，在維持電極121a和121b的下表面上分別形成由具有優(yōu)良電導(dǎo)率的金屬材料組成的總線電極122a和122b，以這樣的方式在每個(gè)維持電極121a和121b下表面的一條邊緣上形成每個(gè)總線電極?？偩€電極122a和122b比維持電極121a和121b窄。
維持電極121a和121b以及總線電極122a和122b被隱埋于在前襯底120的下表面上形成的第二電介質(zhì)層123中。第二電介質(zhì)層123由可以傳送可見(jiàn)光的透明電介質(zhì)材料形成。第二電介質(zhì)層123的下表面被保護(hù)層124覆蓋，該保護(hù)層防止第二電介質(zhì)層123和維持電極121a和121b由于等離子體粒子的濺射引起的損壞，并輻射出二次電子來(lái)降低放電電壓和維持電壓。保護(hù)層124可以由一氧化鎂(MgO)形成。
本發(fā)明中的每個(gè)阻擋條113的高度(HB)比傳統(tǒng)PDP的每個(gè)阻擋條的高度要高。更具體地，可以將每個(gè)阻擋條113的高度(HB)設(shè)定為比傳統(tǒng)PDP的大10微米到40微米，也就是每個(gè)阻擋條113的高度(HB)大約是130到160微米。最好是，將每個(gè)阻擋條113的高度(HB)設(shè)定為大約140微米，比傳統(tǒng)PDP的大幾乎20微米。如上所述，當(dāng)每個(gè)阻擋條113的高度增加時(shí)，光效能提高，維持電壓下降。這將在后面通過(guò)參考圖8、9和10來(lái)進(jìn)行描述。
如上所述，每個(gè)地址電極111包括多個(gè)薄部分111a和多個(gè)厚部分111b。厚部分111b在對(duì)應(yīng)于放電單元114的位置上排列。換句話說(shuō)，按預(yù)定間隔以一個(gè)厚部分111b位于一對(duì)維持電極121a和121b之下的這種方式排列多個(gè)厚部分111b。每個(gè)薄部分111a位于相鄰厚部分111b之間。因此，通過(guò)交替排列薄部分111a和厚部分111b來(lái)形成地址電極111。
可以將薄部分111a形成為與傳統(tǒng)PDP相同的厚度，例如大約5到7微米的厚度。然而，厚部分111b最好比薄部分111a的厚度(Ta)厚大約10到30微米。根據(jù)每個(gè)阻擋條113的高度(HB)來(lái)合適地確定每個(gè)厚部分111b的厚度(Tb)。更具體地，當(dāng)每個(gè)阻擋條113的高度(HB)增加時(shí)，厚部分111b變得更厚。如果每個(gè)阻擋條113的高度(HB)大約是140微米，其比傳統(tǒng)PDP的厚度大20微米，則每個(gè)厚部分111b的厚度(Tb)比每個(gè)薄部分111a的厚度(Ta)厚大約20微米。每個(gè)厚部分111b可以比每個(gè)薄部分111a寬。
如上所述，如果地址電極111的厚部分111b比薄部分111a厚，則即使每個(gè)阻擋條113的高度(HB)增加，每對(duì)維持電極121a和121b與每個(gè)地址電極111之間的間隔可以保持常規(guī)間隔而不增加。因此，即使增加每個(gè)阻擋條113的高度(HB)來(lái)提高光效能，與傳統(tǒng)地址電壓相比，地址電壓也不增加，從而防止了對(duì)PDP的驅(qū)動(dòng)器IC施加額外負(fù)載。
在根據(jù)本發(fā)明的地址電極111的結(jié)構(gòu)中，地址放電延遲時(shí)間不從常規(guī)時(shí)間增加。這將在后面參考圖11來(lái)描述。
而且，因?yàn)榫哂斜〔糠?11a和厚部分111b的地址電極111將放電單元114互相更精確地區(qū)分開(kāi)來(lái)，因此能夠更安全地防止相鄰放電單元114之間的電、光干擾。
而且，如圖4和5所示，熒光層115由于上面描述的地址電極111的結(jié)構(gòu)而具有曲線，并且相應(yīng)地?zé)晒鈱?15的表面積增加。因此，PDP的亮度提高。
圖7示出了圖3的地址電極111的修改示例的透視圖。通過(guò)交替排列多個(gè)薄部分211a和多個(gè)厚部分211b來(lái)形成圖7的地址電極211。薄部分211a和厚部分211b的厚度(Ta)和(Tb)等于薄部分111a和厚部分111b的厚度。然而，在圖7的地址電極211中，每個(gè)厚部分211b具有與每個(gè)薄部分211a相同的寬度。具有這種結(jié)構(gòu)的地址電極211也可以獲得如上所述的相同的效果。
圖8到12是從漢城國(guó)立大學(xué)的碩士論文(標(biāo)題為“Study on the Effect ofBarrier Rib Height on the Discharge Characteristics of an AC PDP”，作者TaejuneKim，2002年2月公開(kāi))中摘取的圖形。
圖8示出了阻擋條處于不同高度時(shí)的光效能和亮度相對(duì)于維持電壓的圖。圖9示出了阻擋條處于不同高度時(shí)的光效能和放電功率相對(duì)于維持電壓的圖。圖8和9的圖形示出了當(dāng)復(fù)位電壓為340V和地址電壓為60V時(shí)光效能、亮度、和放電功率相對(duì)于阻擋條的高度和維持電壓的關(guān)系。
參看圖8的圖形，光效能在阻擋條的高度(HB)是140微米或160微米時(shí)比在阻擋條的高度(HB)是120微米時(shí)高。特別是，當(dāng)阻擋條的高度(HB)是140微米時(shí)，光效能最高。而且，亮度在阻擋條的高度(HB)是140微米或160微米時(shí)比在阻擋條的高度(HB)是120微米時(shí)高。
參看圖9的圖形，放電功率隨著阻擋條的高度(HB)增加而增加，而當(dāng)阻擋條的高度(HB)為140微米時(shí)，光效能最高。
因此，當(dāng)將根據(jù)本發(fā)明的阻擋條形成比傳統(tǒng)阻擋條要高時(shí)，最好大約是140微米時(shí)，能夠達(dá)到具有高亮度的高效率PDP。
圖10示出了當(dāng)復(fù)位電壓和地址電壓分別是340V和60V時(shí)維持電壓和點(diǎn)火電壓相對(duì)于阻擋條的高度的關(guān)系圖。參看圖10的圖形，點(diǎn)火電壓和維持電壓在阻擋條的高度(HB)是150微米或180微米時(shí)比在阻擋條的高度(HB)是120微米時(shí)低。點(diǎn)火電壓和維持電壓隨著阻擋條的高度(HB)增加而降低的原因是放電單元內(nèi)的放電空間隨著阻擋條的高度(HB)增加而變大，從而降低了地址電極的電場(chǎng)與維持放電的干擾，并且減少了被吸收到阻擋條的諸如電子或離子的帶電粒子的數(shù)量。
因此，在本發(fā)明中，如果將阻擋條的高度(HB)設(shè)定得比傳統(tǒng)PDP的高度高時(shí)，即使用比傳統(tǒng)PDP更低的電壓，也能夠發(fā)生維持放電。因此，減少了施加到驅(qū)動(dòng)器IC的負(fù)載，這有助于PDP更穩(wěn)定地工作。
圖11示出了當(dāng)阻擋條的高度變化時(shí)延遲地址放電所需時(shí)間的變化圖。參考圖11，當(dāng)阻擋條的高度(HB)從120微米增加到140微米時(shí)，地址放電延遲時(shí)間通常增加大約150納秒。然而，在本發(fā)明中，由于地址電極包括厚部分，所以即使阻擋條的高度(HB)從120微米增加到140微米，地址電極和維持電極之間的間隔也不會(huì)增加。因此，地址放電延遲時(shí)間不增加。
從而，在根據(jù)本發(fā)明的PDP中，即使阻擋條的高度(HB)增加到140微米，地址放電延遲時(shí)間與阻擋條的高度(HB)增加到120微米時(shí)的地址放電延遲時(shí)間相同。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)快速尋址。
圖12示出了當(dāng)阻擋條的高度變化時(shí)地址電壓裕量的變化圖。參考圖12，當(dāng)阻擋條的高度(HB)從120微米增加到140微米時(shí)，地址電壓(Va)的裕量通常從大約51.2V降低到大約48.2V，也就是，降低了大約3V。地址電壓Va的裕量表示能夠僅在期望的放電單元中出現(xiàn)地址放電的、而不影響相鄰放電單元的地址電壓Va的最大值與最小值之間的差。當(dāng)?shù)刂冯妷篤a的裕量降低時(shí)，需要更精確的控制來(lái)選擇性地導(dǎo)通放電單元，這并不是最好的。然而，在本發(fā)明，由于地址電極包括厚部分，因此即使阻擋條的高度(HB)從120微米增加到140微米，地址電極與維持電極之間的間隔也不會(huì)增加。因此，地址電壓Va的裕量不增加。
尤其是，在本發(fā)明中，由于通過(guò)具有薄和厚部分的地址電極將放電單元彼此更精確地區(qū)分開(kāi)來(lái)，因此相鄰放電單元上的地址電場(chǎng)的影響減少，所以，地址電壓Va的裕量當(dāng)然可能增加。
現(xiàn)在參考圖13A到13G以及圖14A和14B來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的在PDP的后襯底上形成上述地址電極的方法。圖13A到13G是圖解說(shuō)明在后襯底上形成地址電極的第一方法的步驟的橫截面視圖。圖14A和14B分別示出了在第一方法中使用的第一和第二掩屏的部分透視圖。
參圖13A，首先，準(zhǔn)備后襯底110?？梢詫㈩A(yù)定厚度的玻璃襯底用作后襯底110。在后襯底110之上放置第一掩屏150。如圖14A所示，第一掩屏150可以是一種不銹鋼網(wǎng)，其中以預(yù)定間隔形成條狀的開(kāi)口151，例如#325網(wǎng)孔的不銹鋼網(wǎng)。這里，#號(hào)表示在1×1平方英寸面積中包含的網(wǎng)孔數(shù)量。當(dāng)#號(hào)增加時(shí)，每個(gè)網(wǎng)孔的尺寸變小。相反，當(dāng)#號(hào)減少時(shí)，每個(gè)網(wǎng)孔的尺寸變大。
如圖13B所示，在第一掩屏150的上表面上涂覆具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬材料，例如Ag漿(P)?？梢允褂肁l或Cu來(lái)代替Ag用作金屬材料。
如圖13C所示，在一個(gè)方向上施加壓力170，同時(shí)將第一掩屏150向下按在后襯底110上，從而將Ag漿(P)擠壓在后襯底110上。然后，滑過(guò)第一掩屏150的開(kāi)口151的Ag漿(P)以預(yù)定厚度被印在后襯底110的上表面上。因此，如圖13D所示，在后襯底110的上表面以條狀形成第一金屬層181，每個(gè)金屬成具有預(yù)定的厚度。
可以根據(jù)第一掩屏150的網(wǎng)孔來(lái)控制每個(gè)第一金屬層181的厚度。換句話說(shuō)，如果第一掩屏150的#號(hào)增加，則每個(gè)網(wǎng)孔的尺寸變小，從而印在后襯底110上的第一金屬層181變薄。相反，如果第一掩屏150的#號(hào)減少，則每個(gè)網(wǎng)孔的尺寸變大，從而印在后襯底110上的第一金屬層181變厚。如上所述，當(dāng)使用#325網(wǎng)孔的不銹鋼網(wǎng)作為第一掩屏150時(shí)，每個(gè)第一金屬層181的厚度大約是10微米。
之后，漿狀的第一金屬層181變干燥。
接著，如圖13E所示，在已經(jīng)形成了第一金屬層181的后襯底110之上放置第二掩屏160。如圖14B所示，第二掩屏160可以是不銹鋼網(wǎng)，其上形成多個(gè)矩形開(kāi)口161，例如#80到#100網(wǎng)孔的不銹鋼網(wǎng)。矩形開(kāi)口161以預(yù)定間隔沿著第一金屬層181排列。矩形開(kāi)口161可以比第一金屬層181寬。隨后，用Ag漿(P)來(lái)涂覆第二掩屏160的上表面。
參考圖13F，在第一金屬層181上形成預(yù)定厚度的第二金屬層182?？梢砸匀鐖D13C所示的相同方式來(lái)形成第二金屬層182。根據(jù)第二掩屏160的網(wǎng)孔可以控制每個(gè)第二金屬層182的厚度。如上所述，當(dāng)#80網(wǎng)孔的不銹鋼網(wǎng)被用作第二掩屏160時(shí)，每個(gè)第二金屬層182的厚度大約為40微米。
之后，干燥漿狀的第二金屬層182，并且對(duì)第一和第二金屬層181和182塑化。塑化將每個(gè)第一金屬層181的厚度減少到大約5到7微米，并將每個(gè)第二金屬層182的厚度減少到大約20微米。然后，如圖13G所示，在后襯底110上形成了根據(jù)本發(fā)明的地址電極111。更具體地，只由第一金屬層181組成的部分形成地址電極111的薄部分111a，由重疊的第一和第二金屬層181和182組成的部分形成第一電極111的厚部分111b。
如果第二掩屏160的每個(gè)開(kāi)口161的寬度與第一掩屏150的每個(gè)開(kāi)口151的寬度相同，則可以形成圖7的地址電極211，該地址電極具有相同寬度的薄部分211a和厚部分211b。如上所述，當(dāng)?shù)谝缓偷诙谄?50和160的#號(hào)變化時(shí)，印在后襯底110上的每個(gè)第一和第二金屬層181和182的厚度變化。因此，可以形成各種厚度的地址電極111的薄和厚部分111a和111b。
圖15示出了在后襯底上形成地址電極的第二方法中使用的掩屏的部分透視圖。參考圖15，在后襯底上形成地址電極的第二方法中，通過(guò)使用單個(gè)掩屏250，將形成地址電極的薄和厚部分的金屬層同時(shí)印在后襯底上。為了這樣做，掩屏250包括第一和第二開(kāi)口251和252。第一開(kāi)口251比第二開(kāi)口252要窄，第一和第二開(kāi)口251和252是互相交替的。為了形成圖7的地址電極211，第一開(kāi)口251和第二開(kāi)口252可以具有相同的寬度。其中形成了第一開(kāi)口251的掩屏250的部分是具有較大#號(hào)的不銹鋼網(wǎng)制成的，例如#325網(wǎng)孔，而形成了第二開(kāi)口252的掩屏250的部分是具有較少#號(hào)的不銹鋼網(wǎng)制成的，例如#80到#100網(wǎng)孔，因此，使用第一開(kāi)口251印在后襯底上的每個(gè)金屬層的厚度大約是10微米，并且使用第二開(kāi)口252印在后襯底上的每個(gè)金屬層的厚度大約是40微米。
除了使用掩屏來(lái)印出金屬層的步驟，根據(jù)本發(fā)明形成地址電極的第二方法與上述的第一方法相同。換句話說(shuō)，當(dāng)使用掩屏250將Ag漿(P)印在后襯底上，干燥Ag漿(P)，并隨后塑化Ag漿(P)時(shí)，形成具有如圖6或7所示的薄和厚部分的地址電極。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的PDP中，將地址電極部分地制成厚的，從而即使當(dāng)阻擋條變得更高時(shí)，地址電極與維持電極之間的間隔也不會(huì)增加。因此，可以獲得高光效能，而不會(huì)增加地址電壓和地址放電延遲時(shí)間。
當(dāng)阻擋條變得更高時(shí)，即使具有比在傳統(tǒng)PDP中使用的維持電壓更低的維持電壓，也能夠發(fā)生維持放電。因此，減少了施加到驅(qū)動(dòng)器IC的負(fù)載，從而有利于PDP更穩(wěn)定的工作。
而且，由于通過(guò)具有薄和厚部分的地址電極將放電單元彼此更精確地區(qū)分開(kāi)來(lái)，所以能夠安全地放置相鄰放電單元之間的電、光干擾。特別是，減少了相鄰放電單元上地址電場(chǎng)的影響，從而增加了地址電壓的裕量。
而且，因?yàn)闊晒鈱泳哂杏捎诘刂冯姌O的結(jié)構(gòu)引起的曲線，它的表面積增加，從而提高了PDP的亮度。
盡管參考本發(fā)明的示例性實(shí)施例特別示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解在不背離由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)上對(duì)本發(fā)明做出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示板，包括相互面對(duì)安裝的后襯底和前襯底，在所述后襯底和前襯底之間形成放電單元；在所述后襯底上以條狀形成的多個(gè)地址電極；在所述后襯底上形成的第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層隱埋了所述地址電極；在所述后襯底上以條狀形成的并成對(duì)排列的多個(gè)維持電極，從而所述多個(gè)維持電極與所述地址電極交叉成直角；在所述后襯底上形成的第二電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層隱埋了所述維持電極；在所述第二電介質(zhì)層的下表面上形成的保護(hù)層；和安置在所述前和后襯底之間的多個(gè)阻擋條，所述多個(gè)阻擋條用于限定所述放電單元，并且具有用熒光層涂覆的側(cè)邊，其中每個(gè)所述地址電極包括在所述放電單元的正下方放置的厚部分和位于相鄰厚部分之間的薄部分，所述厚部分比所述薄部分厚。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述地址電極的每個(gè)厚部分的厚度為5到7微米。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述地址電極的厚部分比所述薄部分厚10到30微米。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中所述地址電極的厚部分比所述薄部分實(shí)質(zhì)厚20微米。
5.如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示板，其中每個(gè)所述阻擋條的高度在130到160微米的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示板，其中每個(gè)所述阻擋條的高度實(shí)質(zhì)是140微米。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述厚部分比所述薄部分寬。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示板，其中所述厚部分的寬度與所述薄部分的寬度相同。
9.一種形成地址電極的方法，在等離子體顯示板的后襯底上交替排列著每個(gè)地址電極中的厚和薄部分，所述方法包括在所述后襯底上放置第一掩屏，所述第一掩屏具有條狀的第一開(kāi)口；通過(guò)使用所述第一掩屏將金屬漿印在所述襯底上，來(lái)形成第一金屬層；干燥所述第一金屬層；將第二掩屏放置在所述后襯底上，所述第二掩屏具有在對(duì)應(yīng)于所述厚部分的位置上形成的第二開(kāi)口；通過(guò)使用所述第二掩模將金屬漿印在所述第一金屬層上，來(lái)形成第二金屬層；和干燥所述第二金屬層，并且對(duì)所述第一和第二金屬層塑化。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一掩屏是#325網(wǎng)孔網(wǎng)。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在第一金屬層形成步驟將所述第一金屬層形成為大約10微米的厚度，在第一和第二金屬層塑化步驟將每個(gè)所述第一金屬層的厚度減少到5到7微米。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第二掩屏是#80-#100網(wǎng)孔網(wǎng)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在第二金屬層形成步驟將所述第二金屬層形成為大約40微米的厚度，在第一和第二金屬層塑化步驟將每個(gè)所述第二金屬層的厚度減少到大約20微米。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中將所述第二開(kāi)口形成得比所述第一開(kāi)口寬，從而所述厚部分的寬度比所述薄部分的寬度大。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述金屬漿由銀、金、和銅中的一種形成。
16.一種形成地址電極的方法，在等離子體顯示板的后襯底上交替排列著每個(gè)地址電極中的厚和薄部分，所述方法包括將掩屏放置在所述后襯底上，所述掩屏具有在對(duì)應(yīng)于所述薄部分的位置上形成的第一開(kāi)口和在對(duì)應(yīng)于所述厚部分的位置上形成的第二開(kāi)口；通過(guò)使用所述掩屏將金屬漿印在所述后襯底上，來(lái)形成金屬層；和干燥和塑化所述金屬層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述第一開(kāi)口的掩屏的部分是#325網(wǎng)孔網(wǎng)，其中形成所述第二開(kāi)口的掩屏的部分是#80-#100網(wǎng)孔網(wǎng)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在金屬層形成步驟中，通過(guò)所述第一開(kāi)口將每個(gè)所述金屬層部分地形成為大約10微米的厚度，通過(guò)所述第二開(kāi)口將每個(gè)所述金屬層的剩余部分形成為大約40微米的厚度，并且在金屬層干燥和塑化步驟，將每個(gè)所述金屬層的接近10微米厚的部分減少到5到7微米，并且將每個(gè)所述金屬層的接近40微米厚的部分減少到大約10微米。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中將所述第二開(kāi)口形成得比所述第一開(kāi)口寬，從而所述厚部分的寬度比所述薄部分的寬度大。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述金屬漿由銀、金、和銅中的一種形成。
全文摘要
一種交流型等離子體顯示板和形成地址電極的方法。在該交流型等離子體顯示板中，相互面對(duì)安裝后襯底和前襯底。在后襯底和前襯底之間形成放電單元。在后襯底上以條狀形成多個(gè)地址電極。在后襯底上形成第一電介質(zhì)層，并且第一電介質(zhì)層隱埋了地址電極。在后襯底上以條狀形成并成對(duì)排列多個(gè)維持電極，從而多個(gè)維持電極與地址電極交叉成直角。在后襯底上形成第二電介質(zhì)層，并且第一電介質(zhì)層隱埋了維持電極。在第二電介質(zhì)層的下表面上形成保護(hù)層。在前和后襯底之間安置多個(gè)阻擋條，用于限定放電單元。每個(gè)阻擋條側(cè)邊用熒光層涂覆。每個(gè)放電電極包括在放電單元正下方放置的厚部分和位于相鄰厚部分之間的薄部分，厚部分比薄部分厚。
文檔編號(hào)H01J11/24GK1574165SQ200410044628
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月21日
發(fā)明者金起永, 金永模, 樸亨彬, 藏尚勛, 孫承賢, 畑中秀和, 洪禔賢 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社