專利名稱：等離子顯示板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到等離子顯示板及其制造方法，尤其涉及到等離子顯示板及其制造方法，其中，通過防止錯誤放電，圖像的質(zhì)量能夠被改善。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在各種平板顯示設(shè)備已經(jīng)被開發(fā)，它們能夠減少由于陰極射線管的缺點造成的大重量和大體積。這些平板顯示設(shè)備包括液晶顯示器(LCD)、場致發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示板(以后稱為“PDP”)、電致發(fā)光(EL)顯示設(shè)備等等。
在它們中間，PDP是使用氣體放電的顯示設(shè)備并，在能夠被容易地制造成大尺寸的面板上具有競爭優(yōu)勢。典型PDP的實例包括具有三個電極和用AC電壓驅(qū)動的三電極AC表面放電型PDP，如在圖3中所示。
在圖1中表示的PDP的放電單元包括一個形成在下襯底18上的編址電極12X，和形成在上襯底10的下側(cè)面上的一對維持電極，即一個掃描/維持電極12Y和一個普通維持電極12Z。圖1中，下襯底18以它旋轉(zhuǎn)180°表示。
用于累積壁電荷的下介電層22被形成在下襯底18上，下襯底18具有形成在上面的編址電極12X。屏蔽肋24被形成在下介電層22上。磷層20被覆蓋在下介電層22和屏蔽肋24的表面上。屏蔽肋24用于防止放電生成的紫外線和可見光線向著鄰近的放電單元泄漏。磷層20被在氣體放電時生成的紫外線激勵，以生成紅、綠和藍色可見光線中的任何一種。一種惰性氣體被注入設(shè)置在上/下襯底10和18以及屏蔽肋24之間的放電空間中。
形成在上襯底10的下側(cè)面上的一對維持電極12Y和12Z，由透明電極12a和總線電極12b組成并與編址電極12X交叉。
為了屏蔽由放電單元提供的光線，透明電極12a由透明導(dǎo)電材料形成?？偩€電極12b補償透明電極12a的導(dǎo)電率，由于相對高的阻抗性能，透明電極12a具有低的導(dǎo)電率。
上介電層14和保護膜16被形成在上襯底10上，在襯底10中一對維持電極12Y和12Z被形成。上介電層14具有在放電時累積在上面的壁電荷。保護膜16用于防止由于等離子放電時產(chǎn)生的濺射對上介電層14的破壞，并且也增加二級電子的放電效率。保護膜通常由氧化鎂(MgO)形成。
具有上述結(jié)構(gòu)的這樣的放電單元被在編址電極12X和掃描/維持電極12Y之間的相對著的放電選擇，并且通過在一對維持電極12Y和12Z之間的表面放電的裝置維持放電。
在這一放電單元中，通過在維持放電時生成的紫外線磷層20被發(fā)光，使得可見光線被發(fā)射到放電單元的外邊。結(jié)果，放電單元控制放電被維持的時間長度以實現(xiàn)灰度級(也稱為“灰度”)，因而其放電單元被安排成矩陣形式的PDP顯示圖像。
圖4到7說明用于制造常規(guī)的等離子顯示板的下襯底的方法。
通過光學(xué)方法、印刷方法等手段，如在圖4中所示，編址電極12X被形成在下襯底18上。具有按照一個混合比率細粉末狀態(tài)的氧化物與PbO或非PbO玻璃細粉混合的混合粉末與有機溶劑混合的糊劑，被覆蓋在下襯底18上，在其下襯底18中，通過絲網(wǎng)印刷方法形成編址電極12X。此后，在給定的溫度下，覆蓋在下襯底18上的糊劑被燒結(jié)形成下介電層22在下襯底18上，下襯底18具有形成其上的編址電極12X，如在圖5中所示。
通過絲網(wǎng)印刷方法、噴砂方法、壓制方法等等，屏蔽肋24被形成在下介電層22上，如在圖6中所示。
此后，磷層20被形成在通過絲網(wǎng)印刷方法、印刷方法及其類似的方法形成屏蔽肋24和下介電層22的襯底上，如在圖7中所示。
通過密封處理(未示出)，如此形成的PDP的下襯底被緊密地粘接到上襯底。
為了使得在重置放電時的壁電荷的形成容易，常規(guī)的PDP的上介電層包括高介電常數(shù)的材料，例如Pb(鉛)、Zr(鋯)、TiO3、等等，并且，屏蔽肋也包含高介電常數(shù)的材料，例如Pb(鉛)、Zr(鋯)、TiO3等等。因此，在重置放電時，許多壁電荷被形成在屏蔽肋24的側(cè)面以及上介電層14上。然而，因為不需要的壁電荷被形成在PDP的屏蔽肋上，并且，形成在掃描/維持電極12Y中的壁電荷通過這些壁電荷被去除，錯誤的放電頻繁發(fā)生。
更具體地說，在重置期間，放電發(fā)生在掃描/維持電極12Y和普通維持電極12Z之間以及在掃描/維持電極12Y和編址電極12X之間。因此，在重置期間，分別地，負極性的壁電荷被形成在掃描/維持電極12Y中，正極性的壁電荷被形成在普通維持電極12Z中，并且，正極性的壁電荷被形成在編址電極12X中。
上述中，屏蔽肋24由具有高介電常數(shù)的材料形成。因此，在重置期間，壁電荷甚至被形成在屏蔽肋24中，如在圖8中所示。在這種情況中，形成在屏蔽肋24上的壁電荷45，以與鄰接的電極相反的極性形成。于是，它用于抵銷電極的壁電荷55。即通過形成在屏蔽肋24上的壁電荷45，形成在電極上的壁電荷55的量被減少。
于是，因為在重置期間壁電荷不是充足地形成在電極上，所以不穩(wěn)定的編址放電發(fā)生。因為這一原因，光的波形A由于該編址放電發(fā)生抖動，如在圖9中所示。因此，發(fā)生一個問題因為錯誤的放電發(fā)生在PDP中，所以圖像的質(zhì)量被降低，這影響面板的圖像質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的一個目的是至少要解決背景技術(shù)存在的問題和缺點。
本發(fā)明的一個目的是提供一種PDP及其制造方法，其中，通過防止錯誤放電，圖像的質(zhì)量被改善。
為了獲得上述的目的，按照本發(fā)明的一個方面，提供一種具有多個放電單元的等離子顯示板，包括屏蔽肋，通過屏蔽肋放電空間被確定在上襯底和下襯底之間；和形成在每一個屏蔽肋上的低介電常數(shù)的氧化物膜。
按照本發(fā)明的另一個方面，還提供一種制造等離子顯示板的方法，包括步驟形成屏蔽肋在下襯底上，使得放電空間被在上襯底和下襯底之間的屏蔽肋確定；和形成低介電常數(shù)的氧化物膜在每一個屏蔽肋上。
按照本發(fā)明的PDP及其制造方法，因為錯誤放電不發(fā)生，所以等離子顯示板的圖像的質(zhì)量被改善。
參考下面的附圖將詳細描述本發(fā)明，其中，相似的標記指相似的部件。
圖1是表示常規(guī)的三電極AC型等離子顯示板的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2表示常規(guī)的等離子顯示板的條型屏蔽肋。
圖3表示常規(guī)的等離子顯示板的格子型屏蔽肋。
圖4到7說明用于制造常規(guī)的等離子顯示板的下襯底的方法。
圖8表示形成在常規(guī)的等離子顯示板的屏蔽肋上的壁電荷的構(gòu)成。
圖9表示由圖8中所示的形成在屏蔽肋上的壁電荷產(chǎn)生的光的波形的抖動。
圖10是表示按照本發(fā)明的實施例的等離子顯示板的放電單元的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
圖11說明具有在圖10中所示的輔助放電空間的格子型屏蔽肋。
圖12到15表示制造在圖10中所示的等離子顯示板的上襯底的方法。
圖16到20表示制造在圖10中所示的等離子顯示板的下襯底的方法。
具體實施例方式
參考附圖，以更詳細的方式，將說明本發(fā)明的優(yōu)選的實施例。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種具有多個放電單元的等離子顯示板，包括屏蔽肋，通過屏蔽肋，放電空間被確定在上襯底和下襯底之間；和形成在每一個屏蔽肋上的低介電常數(shù)的一個氧化物膜。
該等離子顯示板的氧化物膜至少包括氧化硅和氧化鎂之一。
該等離子顯示板還包括一個形成在上襯底的下側(cè)面上的第一電極；和一個以在第一電極上延伸的方式形成在上襯底的下側(cè)面上的第二電極。
該等離子顯示板屏蔽肋包括第一屏蔽肋，第一屏蔽肋安置成與第一和第二電極平行，并具有一個輔助放電空間；和第二屏蔽肋，第二屏蔽肋安置成與第一屏蔽肋交叉。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供一種制造等離子顯示板的方法，包括步驟形成屏蔽肋在下襯底上，使得放電空間被在上襯底和下襯底之間的屏蔽肋確定；和形成一個低介電常數(shù)的氧化物膜在每一個屏蔽肋上。
該方法的氧化物膜至少包括氧化硅和氧化鎂之一。
該方法還包括步驟形成第一電極在上襯底上；和以在第一電極上延伸的方式形成第二電極在上襯底的下側(cè)面上。
該方法的形成屏蔽肋的步驟包括步驟形成第一屏蔽肋，第一屏蔽肋安置成與第一和第二電極平行，并具有一個輔助放電空間，和形成第二屏蔽肋，第二屏蔽肋與第一屏蔽肋交叉。
下面，參考附圖10到20，將以更詳細的方式說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖10是表示按照本發(fā)明的實施例的PDP(等離子顯示板)的放電單元的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。圖11說明具有在圖10中所示的輔助放電空間的格子型屏蔽肋。
參考圖10，按照本發(fā)明的實施例的PDP的放電單元包括形成在下襯底118上的編址電極112X，和形成在上襯底110的下側(cè)面上的一對維持電極，即掃描/維持電極112Y和普通維持電極112Z。
用于壁電荷累積的下介電層122被形成在下襯底118的表面上，編址電極112X被形成在下襯底118上。與總線電極112b重疊的格子型屏蔽肋124被形成在下介電層122上。氧化物膜145被形成在格子型屏蔽肋124上。磷層120被覆蓋在氧化物膜145和下介電層122之間的表面上。
如在圖11中所示，格子型屏蔽肋124用于防止放電產(chǎn)生的紫外線和可見光線由向著鄰近的放電單元泄漏。格子型屏蔽肋124包括平行于維持電極對112Y和112Z的水平屏蔽肋124a，和與維持電極對112Y和112Z交叉的垂直屏蔽肋124b。在格子型屏蔽肋124的水平屏蔽肋124a中，上下彼此相鄰的放電單元被插入在它們之間的輔助放電單元115分開。垂直屏蔽肋124b分開左右相互鄰接的放電單元。
在編址放電時，由于在鄰接放電單元中的掃描/維持電極112Y和普通維持電極112Z之間的電壓差，起動粒子(priming particle)被產(chǎn)生在輔助放電單元115中，并且，隨后被提供到下次將被選取的鄰接的放電單元。壁電荷充分地形成在放電單元中，對此，起動粒子通過起動效應(yīng)被提供，因此，有助于編址放電。即由常規(guī)的屏蔽肋抵消的壁電荷的量被起動粒子補償。因此，由于常規(guī)的不穩(wěn)定的編址放電造成的PDP的錯誤放電不會發(fā)生。
氧化物膜145由具有低的介電常數(shù)的氧化硅(SiO2)和氧化鎂(MgO)中的至少之一形成。它使得形成在屏蔽肋124的側(cè)邊上的壁電荷的量最少。實際上，包含高的介電常數(shù)材料的屏蔽肋124被連續(xù)地連接到低的介電常數(shù)的材料的氧化物膜145。換言之，當屏蔽肋124和氧化物膜145被連續(xù)地連接時，屏蔽肋124和氧化物膜145的電荷的總量被減少。因此，由于與現(xiàn)有技術(shù)相比較形成在屏蔽肋124上的壁電荷的量顯著地減少，所以，形成在電極中的壁電荷也被減少或最少化。于是，由于不穩(wěn)定的編址放電造成的PDP的錯誤放電不會產(chǎn)生。
磷層120被在等離子放電時生成的紫外線激勵，以產(chǎn)生紅、綠和藍的可見光線中的任何一種。一種用于氣體放電的惰性氣體被注入形成在上/下襯底110和118以及屏蔽肋124之間的放電空間中。
形成在上襯底110的下側(cè)面上的維持電極對112Y和112Z中的每一個，由透明電極112a和總線電極112b組成并與編址電極112X交叉。
由放電單元提供的光線通過的透明電極112a由透明導(dǎo)電材料形成。總線電極112b，以在透明電極112a上延伸的方式，形成在上襯底110的下側(cè)面上，并補償透明電極112a的導(dǎo)電率，由于相對高的阻抗性能，透明電極12a具有低的導(dǎo)電率。
形成在水平屏蔽肋124a里的輔助放電空間115之間的總線電極112b之間的距離d2，窄于在每一個放電單元內(nèi)，即在主放電空間內(nèi)，的透明電極112a之間的距離d1。通過形成在輔助放電空間115里的總線電極112b之間的距離d2窄于在主放電空間里的透明電極112a之間的距離d1，就能夠容易地甚至以相對低的電壓形成起動粒子。
上介電層114和保護膜116被形成在維持電極對112Y和112Z被形成在上面的上襯底110上。在等離子放電時生成的壁電荷被累積在上介電層114上。保護膜116用于防止由于在等離子放電時產(chǎn)生的濺射對上介電層114的損壞，并增加二級電子的放電效率。保護膜116通常由氧化鎂(MgO)制成。
這樣結(jié)構(gòu)的放電單元被在編址電極112X和掃描/維持電極112Y之間的相對放電選擇，并且通過在一對維持電極112Y和112Z之間的表面放電維持放電。在這一放電單元中，通過在維持放電時生成的紫外線，磷層120發(fā)光，使得可見光線被發(fā)射到放電單元的外邊。結(jié)果，放電單元控制放電被維持的時間長度以實現(xiàn)灰度，并且，放電單元被安排成矩陣形式的PDP顯示圖像。
如果，在按照本發(fā)明的實施例的PDP中，輔助放電空間115被形成在格子型屏蔽肋124的水平屏蔽肋124a里。因此，通過在掃描/維持電極112Y和普通維持電極112Z之間的電壓差，起動粒子被生成。起動粒子被提供到下一次將被選取的鄰接的放電單元，由常規(guī)的屏蔽肋抵銷的壁電荷的量被起動粒子補償。
另外，在按照本發(fā)明的實施例的PDP中，低介電常數(shù)的氧化物膜145被形成在高介電常數(shù)的屏蔽肋124上。因此，形成在屏蔽肋124的側(cè)邊上的壁電荷的量被最小化。
如此，通過使得形成在屏蔽肋124上的壁電荷的量最少，并由輔助放電空間115生成的起動粒子補償被減少的壁電荷的量，PDP不生成由于不穩(wěn)定的編址放電引起的錯誤放電。于是，因為錯誤放電被防止，所以，在PDP中的圖像質(zhì)量能夠被改善。
圖12到15表示制造在圖10中所示的等離子顯示板的上襯底的方法。
參考圖12，透明導(dǎo)電材料被沉積在上襯底110上，并且，然后，被形成圖案以形成透明電極112a?？偩€電極材料被形成在具有形成在上面的透明電極112a的上襯底110上，并且，然后，被形成圖案以形成總線電極112b，總線電極112b在透明電極112a上延伸，如在圖13中所示。參考圖14，通過絲網(wǎng)印刷方法等，上介電層114被形成在具有形成在上面的總線電極112b的上襯底110上。作為保護層材料的氧化鎂被覆蓋在上介電層114上，形成保護膜116，如在圖15中所示。
圖16到20表示制造在圖10中所示的等離子顯示板的下襯底的方法。
通過光學(xué)方法、印刷方法等，如在圖16中所示，編址電極112X首先被形成在下襯底118上。具有與PbO或非PbO玻璃細粉末混合的細粉末狀態(tài)的氧化物的混合粉末按照一個混合比率與有機溶劑混合，所得的糊劑，被覆蓋在具有通過絲網(wǎng)印刷方法形成在上面的編址電極112X的下襯底118上。此后，在給定的溫度下，覆蓋在下襯底118上的糊劑被燒結(jié)形成下介電層122在具有形成在上面的編址電極112X的下襯底118上，如在圖17中所示。
參考圖18，通過絲網(wǎng)印刷方法、噴砂方法、壓制方法等，具有輔助放電空間115的屏蔽肋124被形成在下介電層122被形成在上面的襯底118上。
此后，通過絲網(wǎng)印刷方法等，至少包括氧化硅(SiO2)和氧化鎂(MgO)之一的氧化物膜145被形成在格子型屏蔽肋124上，如在圖19中所示。
通過絲網(wǎng)印刷方法等，磷層120被形成在氧化物膜145被形成在上面的襯底118上，如在圖20中所示。
通過密封處理(未示出)，如此形成的PDP的下襯底被緊密地粘接到上襯底。
按照上述的本發(fā)明的PDP及其制造方法，低介電常數(shù)的氧化物膜被形成在格子型屏蔽肋上。形成在屏蔽肋中形成的壁電荷的量因此被最小化。另外，被形成在屏蔽肋中的壁電荷減少的形成在電極中的壁電荷的量，被生成在輔助放電空間中的起動粒子補償。因此，由于不穩(wěn)定編址放電引起的PDP的錯誤放電不會發(fā)生，所以PDP的圖像質(zhì)量被改善。
雖然本發(fā)明如此被描述，但這是顯而易見的它可以以多種方法進行變化。這樣的變化并不認為偏離了本發(fā)明的精神和范圍。對本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員而言所有這些修改是顯而易見的，將被包括在權(quán)利要求限定的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有多個放電單元的等離子顯示板，包括屏蔽肋，通過屏蔽肋，放電空間被確定在上襯底和下襯底之間；和形成在每一個屏蔽肋上的低介電常數(shù)的氧化物膜。
2.如權(quán)利要求1中所述的等離子顯示板，其中，氧化物膜至少包括氧化硅和氧化鎂之一。
3.如權(quán)利要求1中所述的等離子顯示板，還包括形成在上襯底的下側(cè)面上的第一電極；和以在第一電極上延伸的方式形成在上襯底的下側(cè)面上的第二電極。
4.如權(quán)利要求3中所述的等離子顯示板，其中，屏蔽肋包括第一屏蔽肋，第一屏蔽肋安置成與第一和第二電極平行，并具有輔助放電空間；和第二屏蔽肋，第二屏蔽肋安置成與第一屏蔽肋交叉。
5.一種制造等離子顯示板的方法，包括步驟形成屏蔽肋在下襯底上，使得放電空間被在上襯底和下襯底之間的屏蔽肋確定；和形成低介電常數(shù)的氧化物膜在每一個屏蔽肋上。
6.如權(quán)利要求5中所述方法，其中，氧化物膜至少包括氧化硅和氧化鎂之一。
7.如權(quán)利要求5中所述方法，還包括步驟形成第一電極在上襯底上；和以在第一電極上延伸的方式形成第二電極在上襯底的下側(cè)面上。
8.如權(quán)利要求7中所述的方法，其中，形成屏蔽肋的步驟包括步驟形成第一屏蔽肋，第一屏蔽肋安置成與第一和第二電極平行，并具有一個輔助放電空間；和形成第二屏蔽肋，第二屏蔽肋與第一屏蔽肋交叉。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種等離子顯示板及其制造方法，其中，通過防止錯誤放電，圖像的質(zhì)量能夠被改善。一種按照本發(fā)明的實施例的具有許多放電單元的等離子顯示板包括多個屏蔽肋，通過屏蔽肋，放電空間被確定在上襯底和下襯底之間；和一個形成在每一個屏蔽肋上的低介電常數(shù)的氧化物膜。一種按照本發(fā)明的實施例制造等離子顯示板的方法包括步驟形成屏蔽肋在下襯底上，以使得放電空間被在上襯底和下襯底之間的屏蔽肋確定；和形成一個低介電常數(shù)的氧化物膜在每一個屏蔽肋上。按照本發(fā)明的一種PDP及其制造方法，因為錯誤放電不發(fā)生，所以，等離子顯示板的圖像質(zhì)量被改善。
文檔編號H01J11/24GK1577699SQ200410069079
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月16日
發(fā)明者李炳俊 申請人:Lg電子有限公司