專利名稱：等離子體顯示屏的制造方法以及基板保持件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對于作為大畫面、既薄又輕的顯示裝置所知道的等離子體顯示屏(以下，記為PDP)用基板進(jìn)行成膜的PDP的制造方法以及基板保持件。
背景技術(shù)：
PDP通過由氣體放電發(fā)生紫外線，用該紫外線激勵(lì)熒光體發(fā)光，進(jìn)行圖像顯示。
在PDP中，大致區(qū)分為在的驅(qū)動(dòng)方式方面有AC型和DC型，在放電方式方面有面放電型和相對放電型，由于高清晰度、大畫面以及伴隨著結(jié)構(gòu)的簡單性產(chǎn)生的制造簡便性，當(dāng)前在三電極結(jié)構(gòu)的AC型中面放電型的PDP是主流。AC型面放電的PDP由前面板和背面板構(gòu)成。前面板在玻璃等的基板上具有由掃描電極和維持電極構(gòu)成的顯示電極，覆蓋在其上面的電介質(zhì)層，和進(jìn)而覆蓋在該電介質(zhì)層上面的保護(hù)層，另一方面，背面板具有多個(gè)地址電極，覆蓋在其上面的電介質(zhì)層，電介質(zhì)層上的間壁，和設(shè)置在電介質(zhì)層上和間壁側(cè)面上的熒光體層。把前面板與背面板相對配置使得顯示電極與地址電極正交，在顯示電極與地址電極的交叉部分形成放電單元。
這樣的PDP與液晶屏相比較能夠進(jìn)行高速的顯示。另外，從視野角寬，易于大型化，進(jìn)而由于是自發(fā)光型因此顯示品質(zhì)高等理由出發(fā)，最近在平板型顯示屏中特別引人注目，作為在大量人群聚集的場所的顯示裝置或者在家庭中用于欣賞大畫面圖像的顯示裝置，在各種用途中使用。
在以上的結(jié)構(gòu)中，例如，通過蒸鍍或者濺射等的成膜方法形成前面板的保護(hù)層或者顯示電極，背面板的數(shù)據(jù)電極等的例子，例如公開在株式會(huì)社電子雜志發(fā)行的2001年FPD工藝學(xué)大全中(2000年10月25日，p576-580，p585-p588，p598-p600，p629-p648)。
如上所述，在對于PDP的前面板以及背面板的基板進(jìn)行成膜時(shí)，例如，為了對基板連續(xù)成膜這樣的目的，用基板保持件保持基板的同時(shí)，使基板保持件接觸或者連接傳送輥、鋼絲、鏈條等傳送裝置，在傳送基板的同時(shí)進(jìn)行成膜。
從而，由于是這樣的傳送形態(tài)，因此基板保持件成為比基板更大的尺寸，進(jìn)而，基板保持件被基板覆蓋的部分以外的區(qū)域中也被成膜而附著膜。在該區(qū)域中，如果反復(fù)成膜，所附著的膜增厚，則膜的一部分脫落，成為成膜裝置內(nèi)的灰塵發(fā)生源。因此，成膜裝置的灰塵被卷入到膜中，或者混入到膜的原材料中，對膜質(zhì)或者膜的均勻性產(chǎn)生不良影響。
作為解決上述問題的方法，有在附著的膜的厚度變厚而脫落之前定期地清除附著在基板保持件上的膜的方法。但是，PDP的畫面尺寸例如是42英寸或者50英寸等的大畫面，基板也成為重。因此，基板保持件的體積也很大，成為具有能夠支撐大尺寸且很重的基板并且穩(wěn)定傳送的剛性的重物。從而，在清除上述那樣的膜時(shí)，基板保持件的操作成為重體力勞動(dòng)，成為操作困難而且效率差的主要原因。另外，清除操作需要把基板保持件從成膜工藝的流程中取出進(jìn)行，在清除膜的期間必須中斷成膜工藝，成為阻礙生產(chǎn)效率的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的問題而產(chǎn)生的，目的在于為了實(shí)現(xiàn)使用了PDP的顯示裝置的良好圖像顯示，在對于PDP用基板的成膜中，抑制對于膜質(zhì)產(chǎn)生不良影響的成膜裝置內(nèi)的灰塵的發(fā)生。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的PDP的制造方法是把PDP的基板保持在基板保持件上進(jìn)行成膜的PDP的制造方法，把具有多個(gè)框體的第1基板保持件放置在第2基板保持件上，用第1基板保持件的框體保持基板以及虛擬基板進(jìn)行成膜。
依據(jù)這樣的制造方法，能夠抑制在成膜過程中從基板保持件脫落而發(fā)生的灰塵，實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的膜質(zhì)。
附圖的簡單說明圖1是示出使用了本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造方法的PDP的概略結(jié)構(gòu)的剖面斜視圖。
圖2是示出在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造方法中使用的成膜裝置的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3A是示出在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造中使用的第1基板保持件的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3B是圖3A的A-A剖面圖。
圖4A是示出在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造中使用的第2基板保持件的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4B是圖4A的A-A剖面圖。
圖5A是示出在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造中使用的基板保持件的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5B是圖5A的A-A剖面圖。
圖6是示出在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造中使用的基板保持件的保持單元的概略結(jié)構(gòu)的斜視圖。
圖7是示出在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造中使用的基板保持件的保持單元的其它概略結(jié)構(gòu)的斜視圖。
圖8是示出在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造中使用的基板保持件的保持單元的其它概略結(jié)構(gòu)的斜視圖。
圖9是示出在本發(fā)明實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造中使用的基板保持件的保持單元的其它概略結(jié)構(gòu)的斜視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，使用


根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造方法。
首先，說明PDP結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)中的PDP的制造方法所制造的PDP的概略結(jié)構(gòu)的剖面斜視圖。
PDP1的前面板2具有由形成在前面一側(cè)的例如玻璃等的透明而且絕緣的基板3的一個(gè)主面上的掃描電極4和維持電極5構(gòu)成的顯示電極6，覆蓋該顯示電極6的電介質(zhì)層7，和進(jìn)而覆蓋該電介質(zhì)層7的例如由MgO形成的保護(hù)層8。掃描電極4和維持電極5以降低電阻為目的，采用在透明電極4a、5a上疊層了由金屬材料例如由Ag等構(gòu)成的母線電極4b、5b的結(jié)構(gòu)。
另外，背面板9具有形成在背面一側(cè)的例如玻璃等的絕緣性基板10的一個(gè)主面上的地址電極11，覆蓋該地址電極11的電介質(zhì)層12，設(shè)置在電介質(zhì)層12上的在相鄰的地址電極11之間相當(dāng)?shù)奈恢玫拈g壁13，和間壁13之間的熒光體層14R、14G、14B。
前面板2與背面板9把間壁13夾在中間，使得顯示電極6與地址電極11正交地相對配置，由密封構(gòu)件(未圖示)密封圖像顯示區(qū)以外的周圍。在形成于前面板2與背面板9之間的放電空間15中，例如以66.5kPa(500Torr)的壓力封入Ne-Xe5％的放電氣體。而且，放電空間15的顯示電極6與地址電極11的交叉部分成為放電單元16(單位發(fā)光區(qū))。
其次，參照圖1、圖2對于上述的PDP1說明其制造方法。
前面板2在基板3上首先條紋形地形成掃描電極4以及維持電極5。具體地講，使用蒸鍍或者濺射等的成膜工藝在基板3上形成ITO膜等。然后，通過用光刻法等進(jìn)行構(gòu)圖，條紋形地形成透明電極4a、5a。進(jìn)而，從其上表面開始，使用蒸鍍或者濺射等的成膜工藝形成例如由Ag等形成的膜，然后，通過用光刻法等構(gòu)圖，條紋形地形成母線電極4b、5b。通過以上方法，能夠形成由條紋形的掃描電極4以及維持電極5構(gòu)成的顯示電極6。
接著，用電介質(zhì)層7覆蓋以上那樣形成的顯示電極6。電介質(zhì)層7例如用絲網(wǎng)印刷等涂敷包含鉛系玻璃材料的膏以后，通過在預(yù)定的溫度(例如560℃)，預(yù)定的時(shí)間(例如20分鐘)下燒結(jié)，形成預(yù)定的層厚(例如大約20μm)。作為包含上述鉛系玻璃材料的膏，例如使用PbO(70wt％)，B2O3(15wt％)，SiO2(10wt％)以及Al2O3(5wt％)和有機(jī)粘合劑(例如，在α-萜品醇中溶解了10％的乙基纖維素的材料)的混合物。這里，所謂有機(jī)粘合劑是在有機(jī)溶劑中溶解了樹脂的材料。除去乙基纖維素以外作為樹脂還能夠使用丙烯酸類樹脂，作為有機(jī)溶劑還能夠使用正丁基卡必醇等。進(jìn)而，在這樣的有機(jī)粘合劑中還可以混入分散劑(例如三油酸甘油酯)。
接著，用保護(hù)層8覆蓋以上那樣形成的電介質(zhì)層7。保護(hù)層8例如由MgO等構(gòu)成，通過蒸鍍或者濺射等成膜工藝，保護(hù)層8形成為預(yù)定的厚度(例如大約0.5μm)。
另一方面，背面板9在基板10上條紋形地形成地址電極11。具體來講，在基板10上，用蒸鍍或者濺射法等的成膜工藝形成地址電極11的材料例如由Ag形成的膜，然后，使用光刻法等構(gòu)圖。
接著，用電介質(zhì)層12覆蓋地址電極11。電介質(zhì)層12例如在通過絲網(wǎng)印刷涂敷了例如包含鉛系玻璃材料的膏以后，通過在預(yù)定的溫度(例如560℃)，預(yù)定的時(shí)間(例如20分鐘)下燒結(jié)，形成為預(yù)定的厚度(例如大約20μm)那樣的形成。
接著，例如條紋形地形成間壁13。間壁13與電介質(zhì)層12相同，例如用絲網(wǎng)印刷法等按照預(yù)定的圖形反復(fù)涂敷包含鉛系玻璃材料的膏以后，通過燒結(jié)而形成。這里，間壁13的間隙尺寸例如在32英寸～50英寸的HD-TV的構(gòu)造下，是130μm～240μm左右。
而且，在間壁13與相鄰的間壁13之間的溝槽中，形成由發(fā)光為紅色(R)，綠色(G)以及藍(lán)色(B)的各種顏色的熒光體粒子構(gòu)成的熒光體層14R、14G以及14B。熒光體層14R、14G以及14B通過涂敷由各種顏色熒光體粒子和有機(jī)粘合劑構(gòu)成的膏狀的熒光體墨水，把該熒光體墨水在例如在400～590℃的溫度下燒結(jié)，燒結(jié)成有機(jī)粘合劑，使各熒光體粒子粘接而形成。
把以上那樣制作的前面板2與背面板9重疊成使得前面板2的顯示電極6與背面板9的地址電極11正交，圖像顯示區(qū)以外的邊緣中插入例如密封用玻璃等的密封構(gòu)件，通過把該密封構(gòu)件在例如450℃左右下燒結(jié)10～20分鐘密封。而且，在一旦把放電空間15內(nèi)排氣成高真空(例如1.1×10-4Pa)以后，通過以預(yù)定的壓力封入例如He-Xe系，Ne-Xe系的惰性氣體等的放電氣體來制作PDP1。
如上所述，在PDP的制造工藝中，成膜工藝被大量使用。因此，對于該成膜工藝，以用蒸鍍形成由MgO形成的的保護(hù)層8的構(gòu)造作為例子，使用圖2所示的成膜裝置結(jié)構(gòu)的一例進(jìn)行說明。圖2是示出用于形成保護(hù)層8的成膜裝置20的概略結(jié)構(gòu)的剖面圖。
成膜裝置20由對于PDP1的基板3蒸鍍MgO，形成MgO薄膜的保護(hù)層8的蒸鍍室21；用于在投入到蒸鍍室21之前，把基板3預(yù)加熱的同時(shí)進(jìn)行預(yù)排氣的基板投入室22；和用于在蒸鍍室21中的蒸鍍結(jié)束以后，把取出的基板3冷卻的基板取出室3構(gòu)成?；逋度胧?2、蒸鍍室21、基板取出室23的每一個(gè)都成為了能夠把內(nèi)部做成真空環(huán)境的密閉結(jié)構(gòu)，各個(gè)室獨(dú)立分別具備真空排氣系統(tǒng)24a、24b和24c。
另外，貫通基板投入室22，蒸鍍室21、基板取出室23，設(shè)置傳送輥、鋼絲、鏈條等形成的傳送單元25。在成膜裝置20外部(外氣)與基板投入室22之間，基板投入室22與蒸鍍室21之間，蒸鍍室21與基板取出室23之間，基板取出室23與成膜裝置20外部之間分別用可開閉的隔片26a、26b、26c、26d隔開。通過傳送單元25的驅(qū)動(dòng)與隔片26a、26b、26c和26d的開閉的聯(lián)動(dòng)，把基板投入室22、蒸鍍室21和基板取出室23的各自真空度的變動(dòng)抑制在最小限度。使基板3從成膜裝置20的外部開始按照基板投入室22、蒸鍍室21和基板取出室23的順序通過，在各個(gè)室中進(jìn)行預(yù)定的處理，然后，傳送到成膜裝置20的外部。
另外，在基板投入室22和蒸鍍室21的各個(gè)室中，分別設(shè)置用于加熱基板3的加熱燈泡27a、27b。
另外，作為裝置結(jié)構(gòu)除去上述的結(jié)構(gòu)以外，可以是例如，根據(jù)基板3的溫度分布的設(shè)定條件，在基板投入室22與蒸鍍室21之間有一個(gè)或一個(gè)以上的用于加熱基板3的基板加熱室的結(jié)構(gòu)，另外也可以是在蒸鍍室21與基板取出室23之間有一個(gè)或一個(gè)以上的基板冷卻室的結(jié)構(gòu)等。
另外，在蒸鍍室21中設(shè)置用于使得所蒸鍍的MgO不會(huì)由于氧缺少而而變?yōu)镸g。導(dǎo)入含氧氣體的導(dǎo)入單元28，用于使蒸鍍時(shí)的環(huán)境成為氧環(huán)境，進(jìn)而，在蒸鍍室21中，設(shè)置加入了作為蒸鍍源29a的MgO粒子的爐床(hearth)29b，電子槍29c，和施加磁場的偏轉(zhuǎn)磁鐵(未圖示)等。從電子槍29c照射的電子束29d由于由偏轉(zhuǎn)磁鐵發(fā)生的磁場而偏轉(zhuǎn)，照射到蒸鍍源29a上，發(fā)生作為蒸鍍源29a的MgO的蒸汽流29e。而且，使發(fā)生的蒸汽流29e在基板3的表面沉積形成MgO的保護(hù)層8。另外，該蒸汽流29e在不需要時(shí)能夠用擋板29f遮斷。
在以上的成膜裝置20中，在保持在基板保持件30上的狀態(tài)下進(jìn)行基板3的傳送。而且，基板保持件30由保持基板3的第1基板保持件31和用其外周部保持第1基板保持件31的同時(shí)，通過與成膜裝置20的傳送單元25接觸或者連接來傳送基板保持件30的整體的第2基板保持件32構(gòu)成，通過傳送基板保持件30的整體，進(jìn)行基板3的傳送。
其次，使用圖3～圖5說明基板保持件30。
圖3A示出第1基板保持件31的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖3B示出圖3A中的A-A剖面圖。另外，圖4A示出第2基板保持件32的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖4B示出圖4A中的A-A剖面圖。另外，圖5A是由第1基板保持件31保持基板3和虛擬基板35，進(jìn)而，由第2基板保持件32保持第1基板保持件31的基板保持件30的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。另外，圖5B是圖5A中的A-A剖面圖。
如圖3所示，第1基板保持件31是排列了多個(gè)用其周邊部分保持基板3那樣的板形物體的框體33的結(jié)構(gòu)。這里，作為排列了多個(gè)框體33的結(jié)構(gòu)，能夠舉出例如，通過組合多個(gè)每一個(gè)都是框形的物體構(gòu)成的構(gòu)造，或者組合直線形的物體構(gòu)成梯子形的構(gòu)造，或者通過切削板形的物體設(shè)置孔而構(gòu)成的構(gòu)造等各種各樣的結(jié)構(gòu)。這里，框體33具有用于保持基板3那樣的板形物體的保持單元34。
圖6作為保持單元34一例的概略結(jié)構(gòu)放大地示出框體33的一部分。如圖6所示，框體33把其剖面形狀做成L形或者倒T形，框體33的橫條部分構(gòu)成為從下方支撐基板3那樣的板形物體的支撐單元34a。另外，框體33的縱條部分作為限制基板3那樣的板形物體的面方向位置的限制單元34b發(fā)揮作用。由此，基板3那樣的板形物體通過嵌入到限制單元34b中，放置在支撐單元34a上進(jìn)行保持，框體33兼作為保持單元34。
另外，作為保持單元34的其它結(jié)構(gòu)，也可以是圖7所示結(jié)構(gòu)。即，能夠舉出由設(shè)置在框體33下面一側(cè)的從下方支撐基板3那樣的板形物體的支撐單元34a和限制基板3那樣的板形物體的面方向位置的限制單元34b的框體33的框部構(gòu)成的，基板3那樣的板形物體通過嵌入到限制單元34b中，放置在支撐單元34a上進(jìn)行保持的結(jié)構(gòu)。
另外，作為保持單元34的其它結(jié)構(gòu)，也可以是圖8所示的結(jié)構(gòu)。即，能夠舉出由設(shè)置在框體33上面一側(cè)的限制基板3那樣的板形物體的面方向位置的限制單元34b和從下方支撐基板3那樣的板形物體的支撐單元34a，即框體33的框部而構(gòu)成?；?那樣的板形物體通過嵌入到限制單元34b中，放置在支撐單元34a上進(jìn)行保持的結(jié)構(gòu)。
而且，在第1基板保持件31中，通過具有上述那樣的保持單元34的框體33保持作為成膜對象物的基板3和用于沉積來自成膜裝置20的爐床29b的蒸汽流29e中飛散到基板3以外的區(qū)域的部分的虛擬基板35。反過來可以說，如果能夠沉積飛散到基板3以外的區(qū)域的部分，則在所有的框體33中就不需要保持虛擬基板35。
另外，如圖4所示，第2基板保持件32用其外周部分保持第1基板保持件31。而且，在該狀態(tài)下，通過與成膜裝置20的傳送單元25接觸或者連接，傳送基板保持件30的整體。因此，第2基板保持件32成為通過第1基板保持件31可靠地保持基板3的同時(shí)，具有為了實(shí)現(xiàn)其傳送的穩(wěn)定性所需要的強(qiáng)度的結(jié)構(gòu)。
而且，通過用傳送單元25把保持基板3的基板保持件30傳送到成膜裝置20內(nèi)，對于基板3進(jìn)行成膜。由此，由成膜工藝而獲得的膜形成成為在第1基板保持件31的框體33上，由其保持的基板3上以及虛擬基板35上，而通過減小框體33的寬度能夠使形成的膜大部分處在基板3上以及虛擬基板35上。
其次，使用圖1、圖2以及圖5說明成膜流程的一個(gè)例子。首先，如圖5所示，在第1基板保持件31上保持基板3和虛擬基板35，在第2基板保持件32上保持該第1基板保持件31，構(gòu)成基板保持件30。把該基板保持件30投入到如圖2所示那樣的成膜裝置20的基板投入室22中，通過真空排氣系統(tǒng)24a進(jìn)行預(yù)排氣的同時(shí)通過加熱燈泡27a加熱。這里，基板3是形成了顯示電極6和電介質(zhì)層7的狀態(tài)。
如果基板投入室22內(nèi)達(dá)到預(yù)定的真空度，則打開隔片26b的同時(shí)，使用傳送單元25，把已被加熱狀態(tài)的基板3并被保持在基板保持件30上的狀態(tài)下傳送到蒸鍍室21。
在蒸鍍室21中通過加熱燈泡27b加熱基板3，把其保持在預(yù)定溫度。該溫度被設(shè)定為使得顯示電極6或者電介質(zhì)層7不會(huì)發(fā)生熱惡化，例如100℃～400℃左右。而且，在關(guān)閉了擋板29f的狀態(tài)下，在把來自電子槍29c的電子束29d向蒸鍍源29a照射進(jìn)行預(yù)加熱，釋放完蒸鍍源29a的氣體以后，從導(dǎo)入單元28導(dǎo)入含有氧的氣體。在該狀態(tài)下，如果打開擋板29f，則MgO的蒸氣流29e向保持在基板保持件30上的基板3以及虛擬基板35(圖1、2中沒有圖示)照射。其結(jié)果，在保持在第1基板保持件31上的基板3以及虛擬基板35上形成MgO的蒸鍍膜。這時(shí)，第1基板保持件31的框體33由于僅具有在其周邊部分可以放置基板3或者虛擬基板35的寬度，因此形成在框體33上的膜非常少。
形成在基板3上的MgO的蒸鍍膜成為保護(hù)層8。如作為MgO蒸鍍膜的保護(hù)層8的膜厚達(dá)到了預(yù)定的值(例如大約0.5μm)，則關(guān)閉擋板29f，通過隔片26c把基板3向基板取出室23傳送。這里，傳送單元25例如采用僅接觸或者連接基板保持件30的第2基板保持件32的兩個(gè)端部進(jìn)行傳送的結(jié)構(gòu)，由此，在蒸鍍室21中的蒸鍍時(shí)，能夠抑制由于傳送單元25的影響導(dǎo)致在基板3上形成的膜的品質(zhì)方面產(chǎn)生問題。
然后，在基板取出室23中把基板3冷卻到預(yù)定溫度或預(yù)定溫度以下后，從基板保持件30的第1基板保持件31的框體33的保持單元34中取出基板3。這里，在本實(shí)施形態(tài)中，基板3由于是通過放置在設(shè)置在框體33中的支撐單元34a上進(jìn)行保持的結(jié)構(gòu)，因此即使是取出也可以僅通過把基板3向框體33的上方抬起來完成，能夠非常簡單地進(jìn)行該操作。
另外，要求操作基板3而在其表面不發(fā)生傷痕等。從這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，在基板3與保持單元34的特別是支撐單元34a的接觸位置，最好是采用例如圖9所示那樣設(shè)置緩沖構(gòu)件34c的結(jié)構(gòu)。即，作為緩沖構(gòu)件34c，通過使用硬度比基板3的材料低的材料，能夠得到在基板上不產(chǎn)生傷痕的效果。進(jìn)而，通過使用熱傳導(dǎo)率比框體33低的材料，還能夠得到基板3的溫度分布均勻的效果。另外，緩沖構(gòu)件34c最好采用能夠根據(jù)其惡化進(jìn)行更換的結(jié)構(gòu)。
然后，取下完成蒸鍍的基板3以后的基板保持件30在保持新的未成膜的基板3以后，再次投入到成膜裝置20中。這時(shí)，在第1基板保持件31的虛擬基板35上是附著了MgO膜的狀態(tài)，而根據(jù)該狀態(tài)，即，在判斷為對于虛擬基板35的MgO膜的附著量多，發(fā)生脫落等剝離的狀態(tài)的構(gòu)造下，僅更換虛擬基板35。由此，基板3以外的無用部分上附著的膜能夠在由于脫落等的剝離而成為蒸鍍室21內(nèi)的灰塵之前進(jìn)行清除。另外，依據(jù)本發(fā)明，由于附著在第1基板保持件31的框體33上或者第2基板保持件32上的膜的量減少，因此更換或者清洗的必要性低。這里，虛擬基板35的更換既可以是根據(jù)構(gòu)造進(jìn)行判斷的方式，也可以是根據(jù)過去的數(shù)據(jù)，如果進(jìn)行了預(yù)定次數(shù)的成膜則進(jìn)行更換的定期的方式。另外，既可以同時(shí)更換所有的虛擬基板35，也可以根據(jù)其膜的附著狀況部分地進(jìn)行更換。
這里，虛擬基板35的更換能夠在從基板取出室23取出以后，再次投入到基板投入室22之前進(jìn)行，進(jìn)而，也可以在用框體33保持了基板3的狀態(tài)下僅取出虛擬基板35。由于在該更換中，虛擬基板35也是采用通過放置在設(shè)置在框體33上的支撐單元34a上進(jìn)行保持的結(jié)構(gòu)，因此僅把虛擬基板35向框體33的上方抬起就能夠取出，其操作非常簡單，操作性提高。
即，依據(jù)本實(shí)施形態(tài)，清除基板保持件30的附著在基板3以外區(qū)域上的膜不必從成膜工藝的流程中取出基板保持件30，可以在成膜工藝的流程中，僅通過更換第1基板保持件31的虛擬基板35這樣非常簡單的操作進(jìn)行。從以上的宗旨出發(fā)，最好將虛擬帶板35構(gòu)成為更換時(shí)不會(huì)成為負(fù)擔(dān)的大小或者數(shù)量，根據(jù)該虛擬基板35的大小或數(shù)量構(gòu)成第1基板保持件31的框體33的大小或者數(shù)量。
另外，也可以中斷成膜工藝的流程進(jìn)行用于清除附著在基板保持件30的基板3以外部分上的膜的虛擬基板35的更換。即使是這樣的構(gòu)造下，由于基板保持件30的結(jié)構(gòu)如上所述，因此與使用以往的結(jié)構(gòu)的基板保持件的情況相比也能夠簡單地完成膜的清除操作，成膜工藝中斷的期間也短。
另外，第1基板保持基板31是排列了多框體33的結(jié)構(gòu)而由于成膜裝置20內(nèi)的傳送通過第2基板保持件32進(jìn)行，因此能夠減輕對于穩(wěn)定地傳送以及基板3的影響。
另外，相對于基板3的蒸鍍室21內(nèi)的MgO的蒸鍍既可以在停止傳送的靜止?fàn)顟B(tài)下進(jìn)行，也可以邊傳輸邊進(jìn)行。
另外，成膜裝置20的結(jié)構(gòu)不限于上述結(jié)構(gòu)，對于采用了為了調(diào)整管道等在各個(gè)室之間設(shè)置了緩沖室的結(jié)構(gòu)，設(shè)置了用于加熱和冷卻的腔室的結(jié)構(gòu)或者以批量方式在腔室內(nèi)設(shè)置基板保持件30進(jìn)行成膜的結(jié)構(gòu)等的成膜裝置都能夠得到本發(fā)明的效果。另外，在以批量方式在腔室內(nèi)設(shè)置基板保持件30的構(gòu)造下，可以舉出在腔室內(nèi)設(shè)置的保持單元上設(shè)置基板保持件30或者僅設(shè)置第1基板保持件31的結(jié)構(gòu)。另外，在僅設(shè)置第1基板保持件31的構(gòu)造下，能夠把設(shè)置在腔室內(nèi)的保持單元作為第2基板保持件32。
在本實(shí)施形態(tài)中特別對于MgO的成膜進(jìn)行了敘述，而在MgO的成膜時(shí)還發(fā)現(xiàn)了以下的效果。即，由于MgO膜具有對水分或者二氧化碳等的氣體吸附性，因此在蒸鍍時(shí)再次釋放出附著在基板保持件上的MgO膜所吸附的氣體，蒸鍍室的氣壓變動(dòng)，產(chǎn)生難以進(jìn)行良好的MgO膜的成膜的問題。然而，依據(jù)本發(fā)明，由于能夠通過虛擬基板的更換抑制吸附氣體的量，因此能夠容易地實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定地進(jìn)行良好的MgO膜的成膜。
在以上的說明中，作為例子示出了由MgO形成保護(hù)層8的構(gòu)造，但并不限于這種構(gòu)造，對于由ITO或者Ag等形成顯示電極6或者地址電極11的構(gòu)造等的成膜也能夠得到同樣的效果。
另外，在上述的說明中，作為成膜方法，作為例子示出電子束蒸鍍法，而不僅是電子束蒸鍍法，在通過空心陰極方式的離子電鍍以及濺射這樣的成膜方法中，也能夠得到同樣的效果。
如以上所說明的那樣，依據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)在可以簡單地抑制在對于PDP用基板的成膜中，對于膜質(zhì)產(chǎn)生不良影響的成膜裝置內(nèi)的灰塵的發(fā)生的PDP的制造方法中有用，且顯示性能出色的等離子體顯示裝置等。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示屏的制造方法，該方法把等離子體顯示屏的基板保持在基板保持件上進(jìn)行成膜，其特征在于把具有多個(gè)框體的第1基板保持件放置在第2基板保持件上，用上述第1基板保持件的上述框體保持上述基板以及虛擬基板進(jìn)行成膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示屏的制造方法，其特征在于基板以及虛擬基板用框體的周邊部分保持。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示屏的制造方法，其特征在于框體具有放置并保持板形物體的周邊部分的支撐單元；和限制上述板形物體的周邊位置的限制單元，通過把基板以及虛擬基板嵌入到上述限制單元而被保持在上述支撐單元上，用上述框體的周邊部分進(jìn)行保持。
4.一種等離子體顯示屏的基板保持件，該基板保持件在對于等離子體顯示屏的基板進(jìn)行成膜時(shí)使用，其特征在于上述基板保持件具備排列了多個(gè)框體的第1基板保持件；和保持上述第1基板保持件的第2基板保持件，通過上述第1基板保持件的框體保持上述基板的周邊部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示屏的基板保持件，其特征在于框體具有放置并保持板形物體的周邊部分的支撐單元；和限制上述板形物體的周邊位置的限制單元，把基板嵌入到上述限制單元中從而保持在上述支撐單元上。
全文摘要
本發(fā)明是在對于等離子體顯示屏的基板的成膜中，能夠抑制對膜質(zhì)產(chǎn)生不良影響的成膜裝置內(nèi)部的灰塵發(fā)生的等離子體顯示屏的制造方法及其基板保持件。通過具有由從下方支撐的支撐單元和限制基板(3)的面方向位置的限制單元構(gòu)成的保持單元的框體所組成的第1基板保持件(3)以及保持第1基板保持件(31)的第2基板保持件(32)，在保持基板(3)和虛擬基板(35)的同時(shí)進(jìn)行成膜。
文檔編號H01J9/46GK1698154SQ20048000022
公開日2005年11月16日 申請日期2004年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月18日
發(fā)明者高瀨道彥, 篠崎淳, 古川弘之 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社