專利名稱：：常壓離子源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及利用亞穩(wěn)原子和分子常壓電離分析物。亞穩(wěn)原子和分子(M*)是長(zhǎng)壽命受激狀態(tài)物質(zhì)。在電暈放電或者輝光放電時(shí)，產(chǎn)生亞穩(wěn)物質(zhì)。產(chǎn)生受激狀態(tài)物質(zhì)的其他方法包括電子碰撞、光電離以及高能顆粒與反應(yīng)物的相互受控作業(yè)。受激狀態(tài)物質(zhì)與基態(tài)物質(zhì)之間的撞擊可能導(dǎo)致基態(tài)物質(zhì)電離，而且因?yàn)楸环Q為彭寧(Penning)電離的過程釋放電子，例如M*+N->N++M+e-等式1
背景技術(shù)：
因?yàn)槭褂弥T如63Ni、241Am和3H的放射性材料產(chǎn)生的調(diào)整問題和安全問題以及其他問題，所以要尋找用于諸如離子遷移率光譜分析儀(mobilityspectrometer)的分析儀器的非放射性離子源。(請(qǐng)參考Tuner等人的標(biāo)題為“CoronaDischargeIonSourceforAnalyticalInstruments”的第6,225,623號(hào)美國(guó)專利和Doring的標(biāo)題為“IonMobilitySpectrometerwithNon-RadioactiveIonSource”的第2002/0185593號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公開。)常壓電離(API)質(zhì)譜儀或者離子遷移率光譜分析儀(IMS)或者化學(xué)試劑監(jiān)測(cè)器(CAM)的某種現(xiàn)有電暈放電離子源使分析物(包括溶劑、空氣和其他污染物)進(jìn)入含有放電探針的區(qū)域。這樣產(chǎn)生了幾個(gè)問題1.在空氣內(nèi)存在氧或者其他污染物導(dǎo)致電極降質(zhì)。2.難以在存在污染物時(shí)保持放電，要求高電位或者脈沖電位。3.空氣中的電暈放電導(dǎo)致形成諸如NO2-、NO3-以及有關(guān)族離子(clusterion)的物質(zhì)。這些離子可以降低反應(yīng)物離子的靈敏性(C.A.Hill和C.L.P.Thomas，Analyst，2003，128，pp.55-60)，而且可能干擾檢測(cè)諸如硝基炸藥的含有硝基官能團(tuán)的反應(yīng)物產(chǎn)生的NO2-、NO3-，或者氯化物離子干擾氯酸鹽推進(jìn)劑和火箭發(fā)動(dòng)機(jī)或者磷酸鹽干擾化學(xué)戰(zhàn)有關(guān)的化合物的情況。4.使空氣和分析物進(jìn)入放電區(qū)限制了用于控制化學(xué)背景的性質(zhì)從而控制離子形成化學(xué)性質(zhì)的概率。Taylor等人的標(biāo)題為“CoronaDischargeIonizationSource”的第5,684,300號(hào)美國(guó)專利和Turner等人的標(biāo)題為“CoronaDischargeIonizationSourceforAnalyticalInstruments”的第6,225,623號(hào)美國(guó)專利描述了電暈放電離子源，但是沒有描述用于將產(chǎn)生放電的區(qū)域與引入分析物的區(qū)域分離開的裝置。還請(qǐng)參考Zhao等人的論文“LiquidSampleInjectionUsingAtmosphericPressureDirectCurrentGlowDischargeIonizationSource”Anal.Chen.，64，pp.1426-1433，1992。Bertrand等人的標(biāo)題為“MetastableAtomBombardmentSource”的第6,124,675號(hào)美國(guó)專利公開了一種在質(zhì)譜儀內(nèi)以降低的壓力工作、用于產(chǎn)生離子的亞穩(wěn)原子源。所公開的設(shè)備基本上要求降低的壓力，而未描述將亞穩(wěn)原子用于常壓電離質(zhì)譜儀或者離子遷移率光譜分析儀的裝置。Tsuchiya等人的標(biāo)題為“ApparatusforProducingSampleIons”的第4,546,253號(hào)美國(guó)專利描述了一種利用亞穩(wěn)原子由在位于電暈放電的下游的輻射源(emitter)探針尖端引入的樣品產(chǎn)生離子的方法。這種技術(shù)要求將樣品放置在強(qiáng)電場(chǎng)輻射源探針之上或者附近。請(qǐng)參考Otsuka等人的論文“AnInterfaceforLiquidChromatograph/LiquidIonizationMassSpectrometer”AnalyticalSciences，Vol.4，October1988。本發(fā)明避免使用位于電暈放電源的下游的高電位輻射源探針。此外，本發(fā)明提供了一種用于采樣中性分析物分子，而不限制重新定位它們位于其上的表面中的分析物的裝置。例如，可以直接采樣紙幣中的柯卡因以及軍事領(lǐng)域表面中的化學(xué)/生物戰(zhàn)制劑，而且不需要擦洗原處，或者溶劑沖洗該表面。在每次重新定位樣品時(shí)，分析物分子均丟失(對(duì)于水平掃描濃度為30％至100％)。因此，始終優(yōu)選進(jìn)行直接表面采樣。
發(fā)明內(nèi)容概括地說，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種常壓電離源或者接口，包括第一常壓室，具有承載氣體入口、第一電極、以及反電極，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生電暈放電或者輝光放電；第二常壓室，具有與第一室連通的端口；以及可選擇的第三常壓室，具有與第二室連通的端口，存在位于第二室與第三室之間的所述端口的透鏡電極，第三室具有承載氣體的出氣口和位于該出氣口上的可選擇的電極。將放電限制在第一室內(nèi)。第一電極優(yōu)選與端口基本對(duì)準(zhǔn)。設(shè)置電源，以分別在每個(gè)電極上保持選擇的電位。在第二室或者第三室的出口，可以存在導(dǎo)電的網(wǎng)格。有利的是，第三室可以是可拆卸地插入第二室的插口內(nèi)的細(xì)長(zhǎng)玻璃管。常壓源或者接口可以用于形成用于以正離子模式或者負(fù)離子模式工作的分光儀或者其他儀器的正離子或者負(fù)離子。通常，在分析物接觸受激狀態(tài)物質(zhì)時(shí)，同時(shí)產(chǎn)生負(fù)離子和正離子。某些分析物是親電子的，因此，趨向于捕獲電子，以產(chǎn)生帶負(fù)電分析物離子，這樣可以檢測(cè)和識(shí)別這些分析物。其他分析物具有質(zhì)子或者正離子親和性，因此，例如，通過采集質(zhì)子[M+H]+，被電離。這樣引導(dǎo)選擇以正離子模式或者負(fù)離子模式工作的儀器。電源優(yōu)選使透鏡電極以及該電極位于出氣口，以在不轉(zhuǎn)換第一電極和反電極的情況下，轉(zhuǎn)換極性。這樣可以在正離子模式與負(fù)離子模式之間迅速選擇電離源。必須使第一電極和反電極保持足以產(chǎn)生放電的電位。反電極還用于過濾電離物質(zhì)。產(chǎn)生放電所需的第一電極與反電極之間的電位差取決于承載氣體和第一電極的形狀，因此，通常是幾百伏，比如400或者1,200伏。但是，對(duì)于小電子結(jié)構(gòu)，例如平板等離子體屏幕電視使用的電子結(jié)構(gòu)，小電壓足夠了。第一電極，例如，探針電極可以具有正電位或者負(fù)電位。反電極通常接地，或者其極性與探針電極的極性相反。這是以正離子模式工作或者以負(fù)離子模式工作的情況。在正離子模式下，透鏡電極可以在地電位與正幾百伏之間，以濾除承載氣體內(nèi)的負(fù)離子。此外，在負(fù)離子模式下，該透鏡電極在地電位與負(fù)幾百伏之間，以濾除承載氣體中的正離子。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，靠近以正離子模式工作的帶電顆粒檢測(cè)器，例如，質(zhì)譜儀、離子遷移率光譜分析儀，或者化學(xué)試劑監(jiān)測(cè)器的入口，上面的段落描述的裝備設(shè)置了第三室出口。以正離子模式設(shè)置電極。含有受激狀態(tài)物質(zhì)、從第三室的出氣口排出的氣體通過或者位于靠近以負(fù)離子模式工作的檢測(cè)器的入口的分析物。承載氣體內(nèi)的亞穩(wěn)物質(zhì)與該分析物反應(yīng)，以形成正離子，從而進(jìn)行分析。分析物分子發(fā)生離子分子反應(yīng)，以形成諸如[M+H]+的物質(zhì)。例如，分析物的形式可以是通過開口的蒸氣、位于表面上的固態(tài)形式或者吸入液體的形式。根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，上述裝備設(shè)置了靠近進(jìn)入帶電顆粒檢測(cè)器的入口的第三室的出口。以負(fù)離子模式設(shè)置電極。含有受激狀態(tài)物質(zhì)、從第三室的出氣口排出的氣體通過或者位于靠近以負(fù)離子模式工作的檢測(cè)器的入口的分析物。承載氣體內(nèi)的亞穩(wěn)物質(zhì)與該分析物反應(yīng)，以形成負(fù)離子，從而進(jìn)行分析。例如，分析物的形式可以是通過開口的蒸氣、位于表面上的固態(tài)形式或者吸入液體的形式。根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例，以“嗅探器”模式使用上述裝備，其第三室的出口靠近帶電顆粒檢測(cè)器的入口。出口的電極可以包括網(wǎng)格，而且保持地電位或者負(fù)電位，或者處于利用直流電壓偏置的AC電位，以使反應(yīng)物質(zhì)離解，從而保證作為亞穩(wěn)物質(zhì)的電子源碰撞網(wǎng)格。通過與氣體分子碰撞，獲得的電子被迅速冷卻(降溫)到熱能。以負(fù)離子模式設(shè)置電極。含有受激狀態(tài)物質(zhì)、從第三室的出氣口排出的氣體通過或者位于常壓分析物，而不位于強(qiáng)磁場(chǎng)內(nèi)，但是靠近帶電顆粒檢測(cè)器的，例如，其中之一以負(fù)離子模式工作的質(zhì)譜儀或者離子遷移率光譜分析儀的入口。承載氣體內(nèi)的電子被分析物捕獲，以形成通過氣體碰撞冷卻的負(fù)離子。例如，分析物的形式可以是通過開口的蒸氣、位于表面上的固態(tài)形式或者吸入液體的形式。除了網(wǎng)格電極保持為正，而且從出口排出的氣體與分析物形成正離子，從而在正離子模式下進(jìn)行分析之外，第四實(shí)施例與“嗅探器”模式的第三實(shí)施例相同。根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例，提供了一種常壓電離源或者接口，它包括第一常壓室，具有承載氣體入口、其內(nèi)的電極、以及反電極，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)物質(zhì)、離子、電子、熱原子和分子以及原子團(tuán)(radical)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；第二常壓室，與第一室相鄰，而且具有進(jìn)入第一室的端口，具有用于冷卻反應(yīng)氣體的可選擇的入口和可選擇的出口；以及第三常壓室，與第二室相鄰，而且具有進(jìn)入第二室的端口以及承載氣體的入口和亞穩(wěn)物質(zhì)的相互作用電離產(chǎn)物的出口，該電極與各端口大致對(duì)準(zhǔn)。根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例，提供了一種常壓電離源或者接口，它包括第一室，具有承載氣體入口、其內(nèi)的電極、以及反電極，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生輝光放電或者電暈放電；以及第二室，與第一室相鄰，而且具有電子和/或者亞穩(wěn)物質(zhì)的出氣口，該電極與各端口大致對(duì)準(zhǔn)。在該說明書和所附權(quán)利要求使用的常壓意味著接近環(huán)境壓力，比如400至1,400托。這可以包括加壓飛行器和潛沒的潛艇。對(duì)于實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用，環(huán)境壓力可以降低到700至800托的范圍內(nèi)。在引入接口之前，或者在位于接口上時(shí)加熱承載氣體，以便從表面上將分析物汽化或者解吸為氣相。優(yōu)選提供一種可調(diào)的調(diào)節(jié)器，用于從承載嵌入氣流內(nèi)的電子并通過改變氣壓使其加速開始，調(diào)節(jié)氣壓，以控制電離電子能量的速度。根據(jù)下面參考附圖所做的詳細(xì)說明，本發(fā)明的進(jìn)一步特征和其他目的和優(yōu)點(diǎn)變得顯而易見，附圖包括圖1是根據(jù)本發(fā)明包括對(duì)準(zhǔn)室C1、C2和C3的常壓源的原理圖；圖2是與質(zhì)譜儀有關(guān)的常壓源的原理圖；圖3是包括3個(gè)室以及用于將亞穩(wěn)物質(zhì)變換為電子的格柵的常壓源或者設(shè)備的原理圖；圖4是僅具有兩個(gè)室的簡(jiǎn)化常壓設(shè)備的原理圖；圖5是以2∶1比例示出的根據(jù)本發(fā)明常壓接口或者設(shè)備的透視圖；圖6是與圖5相同的剖開透視圖；圖7是圖6所示透視圖的細(xì)部圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的常壓設(shè)備或者常壓源的電源的電路原理圖；圖9是進(jìn)入圖2所示室C1的放電區(qū)的氮承載氣體的質(zhì)譜；圖10是其中室內(nèi)空氣引入圖2所示室C1內(nèi)的氮承載氣體流的質(zhì)譜；圖11是其中室內(nèi)空氣引入圖2所示室C3內(nèi)的質(zhì)譜；圖12是引入室C3內(nèi)的diethylmethylphosphonothiolate的質(zhì)譜；圖13是引入室C3內(nèi)的六氟苯的質(zhì)譜；圖14是其中消除了背景離子、與圖9所示質(zhì)譜類似的質(zhì)譜；圖15是其中空氣引入室C3內(nèi)的質(zhì)譜；圖16是其中硝基苯引入室C3內(nèi)的質(zhì)譜；圖17和18分別是硝基甲烷和硝基苯的正離子質(zhì)譜；圖19是使用圖3的原理圖所示接口的空氣質(zhì)譜；圖20是使用圖3的原理圖所示接口的磷酸甲乙酯的質(zhì)譜；圖21是使用圖3的原理圖所示接口的磷酸二乙甲酯(DEMP)的質(zhì)譜；圖22是使用圖3的原理圖所示接口的DEMP(正離子)的質(zhì)譜；圖23是使用圖3的原理圖所示接口的TNT(負(fù)離子)的質(zhì)譜；以及圖24(a)是沉積在航空登機(jī)通道上的TNT的質(zhì)譜，而圖24(b)是該登機(jī)通道的質(zhì)譜。在登機(jī)通道靠近該源時(shí)，對(duì)基線產(chǎn)生正偏差。具體實(shí)施例方式圖1利用原理圖示出本發(fā)明通用的實(shí)現(xiàn)。例如，該設(shè)備在第一常壓室C1內(nèi)設(shè)置了N個(gè)對(duì)其施加電位的探針電極，承載氣體通過入口G1引入該第一常壓室C1內(nèi)，而從氣密出口O1流出。電極N可以是點(diǎn)、線、面或者彎曲的電極。探針電極是點(diǎn)電極的一個(gè)例子，而調(diào)整翼(trimblade)是線電極的例子。的確，在第一常壓室內(nèi)存在同一種極性的多個(gè)探針或者其他電極，這種排列對(duì)化學(xué)試劑監(jiān)測(cè)器尤其有用。在使用多個(gè)電極(N)時(shí)，可以觀察到檢測(cè)靈敏性相應(yīng)提高。反電極E0含有孔，氣體和充電顆?？梢酝ㄟ^該孔。設(shè)置電位(例如，地電位)，以在電極N與反電極E0中間產(chǎn)生電暈放電或者輝光放電。該電極可以是建立負(fù)電位的陰極，或者是建立正電位的陽極。在放電過程中，形成正離子、電子以及亞穩(wěn)受激狀態(tài)原子。附加電極E1位于可選擇的第二室C2的出口，該第二室C2具有密閉氣體入口G2和密閉氣體出口O2。電極E1還確定第三室C3的入口，最終電極E2位于第三室C3的出口。在一個(gè)當(dāng)前實(shí)現(xiàn)中，承載氣體以正壓從汽缸進(jìn)入室C1。這樣使亞穩(wěn)受激狀態(tài)原子進(jìn)入室C2和C3。在該實(shí)現(xiàn)中，各室的體積約為1立方厘米。各室之間的小孔的直徑約為3mm，而且以約每分鐘幾毫升數(shù)量級(jí)流過該小孔。本申請(qǐng)人使用的承載氣體是氦氣和氮?dú)?。P-10氣體(90％氬氣+10％甲烷)和He/Ne混合氣體是可能的承載氣體。此外，還可以考慮氬氣和氪氣。的確，其亞穩(wěn)狀態(tài)高于分析物的狀態(tài)的任何氣體或者混合氣體均是可能的承載氣體。在室C1內(nèi)發(fā)生電暈放電或者輝光放電。在室C1和室C3之間，室C2提供可選擇的緩沖區(qū)，而且可以可選擇的引入單獨(dú)冷卻氣體或者反應(yīng)氣體。例如，冷卻氣體包括利用亞穩(wěn)原子可以電離以產(chǎn)生正離子或者電子的氣體。通過進(jìn)一步撞擊可以熱化該電子。二氧化碳、甲烷以及空氣是冷卻氣體的例子。反應(yīng)氣體是利用離子分子反應(yīng)適當(dāng)區(qū)別離子高峰的氣體。通常，可以將少量反應(yīng)氣體，例如，氨(促進(jìn)銨離子吸附到正離子上)，或者產(chǎn)生氯化物離子(例如，負(fù)離子的二氯甲烷、氯仿(chloroform)或者四氯化碳)的氣體添加到冷卻氣體中。添加氯化物離子顯示將檢測(cè)多硝基炸藥顯著增強(qiáng)幾個(gè)數(shù)量級(jí)。可以將分析物引入室C3，通過電極E2上的端口將分析物的離子提取到質(zhì)譜儀常壓接口內(nèi)，或者提取到離子遷移率光譜分析儀漂移區(qū)內(nèi)?？梢约訜嵩撛O(shè)備，或者其任意部分，以有助于在低氣壓下分析化合物并減少樣品轉(zhuǎn)移。圖2示出如果承載氣體(例如，氮?dú)饣蛘吆?流入第一室C1、通過中間室C2，然后，通過電極E2內(nèi)的端口從最終室C3流出，用于比較操作的常壓電離源的特定配置。所有氣體出口O1、O2和O3均被關(guān)閉，而且利用隔膜密封入口G3，以利用氣密注射器注入分析物蒸氣。離子和亞穩(wěn)氣體分子沿從探針電極N的中軸通過電極E0、E1和E2上的端口流動(dòng)。本申請(qǐng)人利用其實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的承載氣體是氦氣和氮?dú)?。它們二者都具有高第一電子電離電位，而且在室溫和室壓下，不與其他元素或者化合物發(fā)生反應(yīng)。因?yàn)樵撛颍渌栊詺怏w，例如，氬氣，氪氣和氙氣是適當(dāng)?shù)某休d氣體。根據(jù)本發(fā)明的放電是電暈放電或者輝光放電。顯然，在放電過程中，電子被加速進(jìn)入承載氣體的原子或者分子，導(dǎo)致附加電子自由，而且以梯級(jí)方式加速。除了使電子自由和產(chǎn)生正離子外，碰撞使能量傳遞到原子和分子，以產(chǎn)生亞穩(wěn)受激狀態(tài)物質(zhì)。輝光放電是發(fā)光放電，而且不通過氣體發(fā)火花。電暈是在高壓下、靠近電導(dǎo)體表面的微弱輝光。通常，輝光放電要求高電位，以啟動(dòng)，但是保持低電壓，然后，“擊穿”。探針電極的電源的內(nèi)部電阻和其他因素限制放電電流。根據(jù)本發(fā)明，不能是可能導(dǎo)致濺蝕或者產(chǎn)生弧光的高電流。圖2的原理圖所示的設(shè)備位于JEOLAccuTOFTM飛行時(shí)間(time-of-flight)質(zhì)譜儀的常壓接口的入口錐形(“小孔”)。在地電位操作該小孔。氮?dú)馔ㄟ^入口G1進(jìn)入第一室C1，然后，從電極E2的出口流出。將探針電極N設(shè)置為足以啟動(dòng)氣體放電的值(通常是900V至1,500V)，而將電極E0、E1和E2設(shè)置為地電位。圖9所示的質(zhì)譜示出承載氣體內(nèi)的背景離子。主要由室C1的放電區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)產(chǎn)生離子。根據(jù)標(biāo)稱質(zhì)量測(cè)量，可以指定它們的元素成分。表1圖10和11示出本發(fā)明的好處。圖10示出通過入口G1將3cc室內(nèi)空氣噴射到的氮?dú)饬髦械男Ч?。?qǐng)注意，NO2-和NO3-的高豐度(abundance)。相反，如果通過G3將3cc室內(nèi)空氣噴入室C3，則產(chǎn)生的主要物質(zhì)是O2-、HCO3-、CO3-、HO3-以及HCO4-，如圖11所示。在這種情況下，不產(chǎn)生大量NO2-或者NO3-或者有關(guān)族離子。如果將親電子的分析物引入入口G3，則可以觀察到特性離子。對(duì)于diethylmethylphosphonothiolate[M-C2H5]-，可以通過直接電離和碎化分析物產(chǎn)生這些離子，如圖12所示，或者通過在室C3內(nèi)使分析物離子與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)可能產(chǎn)生它們，如圖13中的六氟苯所示。該圖示出加成(adduct)離子，例如，[M+N]-、[M+O2]-以及[M+NO2]-。通過控制室C3內(nèi)的中性環(huán)境(利用摻雜或者選擇分析物承載氣體或者溶劑)，可以控制離子形成過程。在負(fù)離子模式下，如果電極E1或者E2升高到更正電位(請(qǐng)參考圖14，圖14示出具有陷獲的負(fù)離子的空氣的質(zhì)譜)，可以從質(zhì)譜中消除圖13所示的背景離子。然而，將反應(yīng)物注入入口G3內(nèi)也產(chǎn)生大反應(yīng)物信號(hào)，因?yàn)樵谑褻3內(nèi)仍存在亞穩(wěn)原子。如等式1所示，利用彭寧電離過程，亞穩(wěn)原子產(chǎn)生電子，然后，通過在幾納秒內(nèi)在常壓下與氣體分子碰撞，獲得的電子被迅速冷卻到熱能。利用親電子反應(yīng)物捕獲這些電子，以產(chǎn)生分析物離子。該分析物離子可以進(jìn)一步與室C3內(nèi)的物質(zhì)反應(yīng)，以產(chǎn)生獲得的質(zhì)譜。不需要通過端口G3，將該分析物引入室C3內(nèi)。例如，僅通過使氣流對(duì)準(zhǔn)美鈔、農(nóng)作物葉子、人指尖、混凝土、瀝青或者機(jī)票表面上的分析物，就可以遠(yuǎn)程采樣分析物。如果將離子源偏置到比質(zhì)譜儀接口的小孔負(fù)的更負(fù)電位，則負(fù)離子被吸引到該小孔，而且信號(hào)強(qiáng)度大于10倍。關(guān)于檢測(cè)硝基甲烷，說明本發(fā)明的良好選擇性。如果將空氣注入現(xiàn)有技術(shù)源的電暈放電區(qū)，則形成大量NO2-、NO3-和有關(guān)族離子(clusterion)。這示于圖10，而且如果希望檢測(cè)諸如硝基甲烷或者硝基炸藥的硝基化合物產(chǎn)生的NO2-和NO3-，則這不是希望的結(jié)果。然而，如果根據(jù)本發(fā)明將空氣噴入室C3內(nèi)，則觀察到不顯著的NO2-、NO3-(參考圖15)，但是NO2-、NO3-是通過入口G3噴入硝基苯時(shí)產(chǎn)生的主要物質(zhì)(請(qǐng)參考圖16)。通過轉(zhuǎn)換質(zhì)譜儀的極性，可以觀察到正離子。硝基甲烷(圖17)和硝基苯(圖18)的正離子質(zhì)譜示出包括最具診斷性的有用[M+H]+離子。不需要改變探針電極N和反電極E0的電位，因?yàn)樵谪?fù)電位和正電位下探針電極N均形成亞穩(wěn)原子。因此，可以在正離子模式與負(fù)離子模式之間迅速轉(zhuǎn)換離子源，而無需高壓轉(zhuǎn)換，高壓轉(zhuǎn)換需要在熄火之后重新起動(dòng)氣體放電的時(shí)間。在正離子模式下，希望偏置電極E1和E2，以致電極E2的電位比小孔的電位更正，因此，增大了小孔的離子流。其他操作模式也是可以的?？梢詫⒃谑褻1內(nèi)放電產(chǎn)生的電子引入室C2，然后，將它冷卻到熱能，以利用室C3內(nèi)的分析物分子進(jìn)行電子捕獲。對(duì)于低溫(subambient)壓力下工作的而且連接到傳統(tǒng)的高真空質(zhì)譜儀離子源的亞穩(wěn)原子離子源，Leymarie和合作者(N.Leymarie，J.-C.Tabet和M.Bertrand，在美國(guó)質(zhì)譜儀學(xué)會(huì)2000年的年會(huì)上發(fā)表)報(bào)告了有關(guān)實(shí)驗(yàn)。然而，該報(bào)告要求減壓源，而且未描述在常壓下與API質(zhì)譜儀或者離子遷移率質(zhì)譜儀組合使用離子源。本發(fā)明利用常壓冷卻室C2的超高電子冷卻效率。在一種實(shí)現(xiàn)中，將利用亞穩(wěn)原子可以電離的氣體，例如，CO2引入室C2，在該室C2內(nèi)，進(jìn)一步冷卻發(fā)射的電子。圖3和4示出其中銅網(wǎng)孔板40用于由亞穩(wěn)物質(zhì)41產(chǎn)生電子的常壓接口的原理圖。已知亞穩(wěn)(matastable)原子和里德伯(Rydberg)原子通過導(dǎo)電網(wǎng)孔釋放電子?？梢允乖摼W(wǎng)孔保持在某個(gè)電位，該電位相當(dāng)于到質(zhì)譜儀接口42的小孔為負(fù)。負(fù)電位排斥電子，離開該網(wǎng)格或者網(wǎng)孔，以致該電子使分析物電離。在這種情況下，分析物不被引入室C3，但是通過在接口與質(zhì)譜儀之間的敞開空間內(nèi)電離，以“嗅探器(sniffer)”模式進(jìn)行分析。該空間接近地電位，或者至少不處于強(qiáng)電場(chǎng)內(nèi)。該建立對(duì)負(fù)離子質(zhì)譜儀特別有效，但是對(duì)正離子質(zhì)譜儀也有效。還可以相對(duì)于E2正偏置網(wǎng)孔，以積聚帶正電的物質(zhì)，例如，正電子或者質(zhì)子。在“嗅探器”模式下，始終存在空氣。圖19所示的質(zhì)譜顯示負(fù)離子模式下的空氣背景光譜。通過在靠近常壓接口的出口和質(zhì)譜儀的入口的空間內(nèi)放置分析物的開式指管(openvial)，產(chǎn)生磷酸甲乙酯和diethylmethylphosphonothiolate的光譜(圖20和圖21所示)。以同樣的方式獲得diethylmethylphosphonothiolate的正離子模式光譜(圖22所示)。圖23示出TNT的負(fù)離子光譜。通過進(jìn)一步進(jìn)行研究，溶解700納克的TNT，然后，將它們放置在航空登機(jī)通道上，使它們干燥一周。在負(fù)電位網(wǎng)格情況下，在“嗅探器”模式，該通道位于常壓接口的正面。觀察到質(zhì)譜(圖24(b))和IMS光譜(圖24(a))?，F(xiàn)在參考圖5，根據(jù)本發(fā)明的常壓離子設(shè)備的物理配置(如圖3的原理圖所示)可以包括管式非導(dǎo)電外殼10，可以由Teflon型塑料(良好的耐溫性)、陶瓷材料或者其他非導(dǎo)電材料制造該管式非導(dǎo)電外殼10。從外殼的一端延伸的是一次性(disposable)玻璃管內(nèi)插件11，其非導(dǎo)電端件13用于使網(wǎng)孔電極或者網(wǎng)格14保持在適當(dāng)位置。利用絕緣導(dǎo)線15，將網(wǎng)孔電極14連接到外殼上的微型插孔17。在外殼10的對(duì)端是包括連接器18的承載氣體入口，連接器18具有用于使柔性管滑板保持在其上的波紋面。微型插孔21、22、23和24通過外殼，用于在外殼10內(nèi)將引線從電源連接到各電極?，F(xiàn)在參考圖6，外殼的內(nèi)部被劃分為第一室和第二室。在每個(gè)軸線的端部，將空心插塞固定到外殼上。在入口端，插塞26具有用于容納入口連接器18的線狀物。在出口端，插塞27設(shè)置內(nèi)部圓環(huán)槽，用于容納維通O環(huán)(VitonO-ring)38，該維通O環(huán)38與玻璃管內(nèi)插件11隔離。非導(dǎo)電隔片30保持探針電極31，探針電極31連接到微型插孔21，而且確定產(chǎn)生電暈放電和輝光放電的第一室。導(dǎo)電隔片與電極護(hù)板32位于外殼內(nèi)，而且與支持該探針的非導(dǎo)電隔片相鄰。導(dǎo)電隔片32連接到微型插孔23。非導(dǎo)電隔片33位于外殼內(nèi)，而且與導(dǎo)電隔片32相鄰，以確定第二室。另一個(gè)導(dǎo)電隔片與電極護(hù)板34位于非導(dǎo)電隔片33附近，以確定第二室的軸向出口端。導(dǎo)電隔片34鄰接玻璃管內(nèi)插件11.該導(dǎo)電隔片連接到微型插孔22。微型插孔24與在軸向延伸到外殼的出口端的電導(dǎo)管連通，其中它連接到微型插孔17。參考圖7，更詳細(xì)示出具有非導(dǎo)電端件13的玻璃管的端部。非導(dǎo)電端件13使網(wǎng)格與直接節(jié)點(diǎn)分離，在網(wǎng)格使難以接觸高壓。該端件的孔使受激狀態(tài)氣體逃逸，以電離分析物。銅洗器39(參考圖7)鄰接玻璃管的端部，而且與引線15焊接在一起。對(duì)著該銅洗器固定的是網(wǎng)格電極14?？招牟ＡЧ?1和網(wǎng)格電極14確定第三室。參考圖8，利用原理圖示出常壓離子源的電源的例子。AC電流通過開關(guān)S1和保險(xiǎn)絲F1，然后，被施加到轉(zhuǎn)換開關(guān)電源SPS。15伏DC輸出施加到濾波電容器C1至電流調(diào)節(jié)器CR。通過濾波電容器C2至高壓直流變換器DC-HVDC施加調(diào)整的電流。通過限流電阻器R1，對(duì)該電極施加該設(shè)備的高壓，用于產(chǎn)生電暈放電或者輝光放電。15伏的輸出還施加到多個(gè)通用大電流正電壓調(diào)節(jié)器VR。該電壓調(diào)節(jié)器的輸出施加到濾波電容器C3，以使電流通過高壓直流變換器DC-HVDC2。該變換器的輸出施加到分壓器R7，該分壓器R7用于調(diào)節(jié)透鏡電極的電位。電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域的技術(shù)人員明白如何配置負(fù)輸出電位電路。在此描述的常壓離子源用于將離子引入質(zhì)譜儀和離子遷移率光譜分析儀，用于檢測(cè)并識(shí)別感興趣的分析物，例如，藥品、炸藥、化學(xué)武器、有毒工業(yè)材料等。它是非放射性的，而且在頂空進(jìn)樣過程中，它保證迅速采樣氣體和蒸氣。它還可以迅速直接采樣表面上的化學(xué)品。該特征使得在此描述的離子源非常有效地代替IMS檢測(cè)器上的輻射源?？梢杂行瑫r(shí)使用在此描述的一個(gè)以上的離子源或者設(shè)備。例如，本申請(qǐng)人已經(jīng)進(jìn)行了其中同時(shí)使用兩個(gè)離子源對(duì)質(zhì)譜儀提供離子的實(shí)驗(yàn)。在一種情況下，利用兩個(gè)離子源，以正離子模式分析丙酮。使用兩個(gè)離子源的離子流接近單獨(dú)使用離子源的總離子流。在另一個(gè)實(shí)驗(yàn)中，以負(fù)離子模式檢測(cè)氧離子。此外，使用兩個(gè)離子源的離子流接近單獨(dú)使用離子源的總離子流。在此使用的“常壓電離源”是不需要真空泵的電離源。當(dāng)然，分析器(質(zhì)譜儀)可以要求真空泵，但是可以以稍許高于和低于常壓的壓力，形成離子。盡管根據(jù)專利法的具體要求詳細(xì)說明了本發(fā)明，但是下面的權(quán)利要求限定專利證書要求保護(hù)的內(nèi)容。權(quán)利要求1.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括第一常壓室，具有承載氣體入口、第一電極，位于一端、以及反電極，位于另一端，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；第二常壓室，與第一室相鄰，而且在一端具有進(jìn)入第一室的端口，在另一端具有電極以及承載氣體的出氣口，確定端口的尺寸，以限制流量，所述第一電極和端口基本對(duì)準(zhǔn)；以及用于將從出氣口流出的含有受激狀態(tài)物質(zhì)的氣體與在常壓下接近地電位的分析物相接觸的裝置。2.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括第一常壓室，具有承載氣體入口、其內(nèi)的第一電極、以及反電極，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；第二常壓室，與第一室相鄰，而且在一端具有進(jìn)入第一室的端口，而在另一端具有電極；第三常壓室，與第二室相鄰，而且具有進(jìn)入第二室的端口和承載氣體的出氣口，所述第一電極與端口幾乎對(duì)準(zhǔn)；以及用于將從出氣口流出的含有受激狀態(tài)物質(zhì)的氣體與在常壓下接近地電位的分析物相接觸的裝置。3.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括第一常壓室，具有承載氣體入口、第一電極，位于一端、以及反電極，位于另一端，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；第二常壓室，與第一室相鄰，而且在一端具有進(jìn)入第一室的端口，在另一端具有電極以及承載氣體的出氣口，確定端口的尺寸，以限制流量；以及接地或者帶電網(wǎng)格電極，位于輸出端口，以便在接觸受激狀態(tài)物質(zhì)時(shí)輻射帶電顆粒，所述第一電極和端口基本對(duì)準(zhǔn)。4.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括第一常壓室，具有承載氣體入口、第一電極，位于一端、以及反電極，位于另一端，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；第二常壓室，與第一室相鄰，而且在一端具有進(jìn)入第一室的端口，在另一端具有電極以及承載氣體的出氣口，確定端口的尺寸，以限制流量；以及接地或者帶負(fù)電網(wǎng)格電極，位于輸出端口，以便在接觸受激狀態(tài)物質(zhì)時(shí)輻射電子，所述第一電極和端口基本對(duì)準(zhǔn)。5.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括第一常壓室，具有承載氣體入口、其內(nèi)的第一電極、以及反電極，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；第二常壓室，與第一室相鄰，而且在一端具有進(jìn)入第一室的端口，而在另一端具有電極；第三常壓室，與第二室相鄰，而且具有進(jìn)入第二室的端口和承載氣體的出氣口；以及接地或者帶負(fù)電網(wǎng)格電極，位于輸出端口，以便在接觸受激狀態(tài)物質(zhì)時(shí)輻射電子，所述第一電極和端口大致對(duì)準(zhǔn)。6.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括第一常壓室，具有承載氣體的入口和排氣口、其內(nèi)的第一電極、以及反電極，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；第二常壓室，與第一室相鄰，而且在一端具有進(jìn)入第一室的流量限制端口而在另一端具有電極，而且具有用于可選擇的冷卻反應(yīng)氣體的入口和出口；第三常壓室，與第二室相鄰，而且具有進(jìn)入第二室的流量限制端口，而且具有分析氣體或者蒸氣的入口和出口；以及承載氣體和分析氣體或者蒸氣的相互作用的電離產(chǎn)物的出氣口，所述第一電極和端口大致對(duì)準(zhǔn)。7.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括第一常壓室，具有承載氣體的入口、其內(nèi)的第一電極、以及反電極，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；至少一個(gè)中間常壓室，與第一室相鄰，而且所述中間常壓室之一具有進(jìn)入第一室的流量限制端口，而且具有用于可選擇的冷卻反應(yīng)氣體的入口；最終常壓室，與所述中間室之一相鄰，具有進(jìn)入中間室的端口，而且具有分析氣體或者蒸氣的入口；以及承載氣體和分析氣體或者蒸氣的相互作用的電離產(chǎn)物的出氣口，所述第一電極和端口基本對(duì)準(zhǔn)。8.根據(jù)權(quán)利要求1至5之任一所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括用于將氣體引入第二室的裝置，利用在第一室內(nèi)產(chǎn)生的受激狀態(tài)物質(zhì)可以電離該氣體，以產(chǎn)生正離子和電子，以致通過進(jìn)一步碰撞熱化該電子。9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、6或者7之任一所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括網(wǎng)格，排列其以接觸受激狀態(tài)物質(zhì)。10.根據(jù)權(quán)利要求1至7之任一所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括用于調(diào)節(jié)所述電極上的電位，以控制電離電子能量的速度的裝置。11.根據(jù)權(quán)利要求1至7之任一所述的設(shè)備，包括用于調(diào)節(jié)承載氣體壓力，以控制電離電子能量的速度的裝置，因?yàn)槌休d嵌入氣流內(nèi)的電子，并通過改變氣壓使其加速。12.根據(jù)權(quán)利要求1至6之任一所述的設(shè)備，其中第二室內(nèi)的電極是透鏡電極。13.根據(jù)權(quán)利要求1至7之任一所述的設(shè)備，其中調(diào)節(jié)電極電位，以促進(jìn)產(chǎn)生正分析物、碎片或者加成離子。14.根據(jù)權(quán)利要求1至6之任一所述的設(shè)備，其中調(diào)節(jié)電極電位，以促進(jìn)產(chǎn)生負(fù)分析物、碎片或者加成離子。15.根據(jù)權(quán)利要求1至6之任一所述的設(shè)備，其中以負(fù)電位偏置第二室內(nèi)的電極，以陷獲正電子并排斥自由電子，從而使離子源處于負(fù)離子模式。16.根據(jù)權(quán)利要求1至6之任一所述的設(shè)備，其中以正電位偏置第二室內(nèi)的電極，以陷獲負(fù)電子并排斥正離子物質(zhì)，并使受激狀態(tài)物質(zhì)通過，從而使離子源處于正離子模式。17.一種產(chǎn)生用于光譜分析的分析物、分析物碎片和/或者分析物加成離子的方法，包括步驟將承載氣體引入第一常壓室，第一常壓室具有第一電極，位于一端、以及反電極，位于另一端，而且對(duì)第一電極和反電極施加電位，以在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；將承載氣體和亞穩(wěn)物質(zhì)引入第二常壓室，其中亞穩(wěn)物質(zhì)與承載氣體發(fā)生反應(yīng)，以產(chǎn)生正離子和熱化電子；以及使第二室出來的承載氣體接觸保持常壓并接近地電位的反應(yīng)物，以形成分析物離子、分析物碎片離子和/或者分析物加成離子。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中承載氣體是氦氣，而使第一電極保持比約負(fù)400伏更負(fù)，而且使反電極保持接近地電位。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中承載氣體是氦氣，而使第一電極保持比約正400伏更正，而且使反電極保持接近地電位。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中承載氣體是氮?dú)?，而且第一電極比約負(fù)1,200伏更負(fù)，而且使反電極保持接近地電位。21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中承載氣體是氮?dú)猓业谝浑姌O比約1,200伏更正，而且使反電極保持接近地電位。22.一種產(chǎn)生用于進(jìn)行光譜分析的分析物、分析物碎片和/或者分析物加成離子的方法，包括步驟將承載氣體引入第一常壓室，第一常壓室具有第一電極，位于一端、以及反電極，位于另一端，而且對(duì)第一電極和反電極施加電位，以在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；將承載氣體和亞穩(wěn)物質(zhì)引入第二常壓室，其中亞穩(wěn)物質(zhì)與承載氣體發(fā)生反應(yīng)，以產(chǎn)生正離子和熱化電子；將承載氣體、正離子和/或者熱化電子引入第三常壓室；以及將氣態(tài)分析物或者汽化分析物引入第三室，以形成分析物離子、分析物碎片離子和/或者分析物加成離子。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中承載氣體是氦氣，使第一電極保持比約負(fù)400伏更負(fù)，而且使反電極保持接近地電位。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中承載氣體是氦氣，使第一電極保持比約正400伏更正，而且使反電極保持接近地電位。25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中承載氣體是氮?dú)?，第一電極比約負(fù)1,200伏更負(fù)，而且使反電極保持接近地電位。26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其中承載氣體是氮?dú)?，而且第一電極比約正1,200伏更正，而且使反電極保持接近地電位。27.一種產(chǎn)生用于進(jìn)行光譜分析的分析物、分析物碎片和/或者分析物加成離子的方法，包括步驟將承載氣體引入第一常壓室，第一常壓室具有第一電極，位于一端、以及反電極，位于另一端，而且對(duì)第一電極和反電極施加電位，以在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；使承載氣體和亞穩(wěn)物質(zhì)射向被偏置的網(wǎng)格電極，以產(chǎn)生電子或者離子；以及然后在常壓下，使承載氣體接觸反應(yīng)物，以形成分析物離子、分析物碎片離子和/或者分析物加成離子。28.一種產(chǎn)生用于對(duì)在接近常溫和地電位的表面上的分析物進(jìn)行光譜分析的分析物、分析物碎片和/或者分析物加成離子的方法，包括步驟將承載氣體引入第一常壓室，第一常壓室具有第一電極，位于一端、以及反電極，位于另一端，而且對(duì)第一電極和反電極施加電位，以在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；使承載氣體和亞穩(wěn)物質(zhì)射向以負(fù)電位偏置的網(wǎng)格電極，從而導(dǎo)致在被亞穩(wěn)物質(zhì)沖擊時(shí)，發(fā)出電子；以及然后使承載氣體和發(fā)出的電子射向在常壓下而且接近地電位的表面，以形成分析物離子、分析物碎片離子和/或者分析物加成離子。29.一種用于替換帶電顆粒檢測(cè)器內(nèi)的放射源的方法，包括除去放射源，并利用用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備代替它，該非放射性常壓設(shè)備包括第一常壓室，具有承載氣體入口、其內(nèi)的第一電極、以及反電極，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電；以及至少一個(gè)中間常壓室，與第一室連通，而且具有進(jìn)入第一室的流量限制端口，并具有分析氣體或者蒸氣的入口，以及與帶電顆粒檢測(cè)器連通的出氣口。30.根據(jù)權(quán)利要求1至7所述的設(shè)備，其中位于第二室的另一端的電極連接到電源，反電極該電源可以轉(zhuǎn)換該電極的極性而不改變第一電極和反電極的極性，因此可以迅速將該設(shè)備從正離子模式變更為負(fù)離子模式，反之亦然。31.一種產(chǎn)生用于對(duì)在接近常溫和地電位的表面上的分析物進(jìn)行光譜分析的分析物、分析物碎片和/或者分析物加成離子的方法，包括同時(shí)使用一個(gè)以上的如權(quán)利要求1所述的非放射性常壓電離設(shè)備的步驟。32.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括常壓室，具有承載氣體入口、以及用于在承載氣體中產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的裝置；以及用于使含有受激狀態(tài)物質(zhì)的氣體接觸在常壓下接近地電位的分析物的裝置。33.一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備，包括常壓室，具有承載氣體入口、以及用于在承載氣體中產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的裝置；以及接地或者帶電網(wǎng)格電極，用于在接觸受激狀態(tài)物質(zhì)時(shí)，發(fā)出改變的顆粒；以及用于使含有所述帶電顆粒的氣體接觸在常壓下接近地電位的分析物的裝置。34.一種用于產(chǎn)生進(jìn)行光譜分析的分析物、分析物碎片和/或者分析物加成離子的方法，包括步驟將承載氣體引入常壓室，而且在所述承載氣體中產(chǎn)生亞穩(wěn)常壓中性受激狀態(tài)物質(zhì)；以及使來自該室的承載氣體接觸以常壓和接近地電位保持的分析物，以形成分析物離子、分析物碎片離子和/或者分析物加成離子。35.一種產(chǎn)生用于進(jìn)行光譜分析的分析物、分析物碎片和/或者分析物加成離子的方法，包括步驟將承載氣體引入常壓室，以產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)；使承載氣體和亞穩(wěn)物質(zhì)射向被偏置的網(wǎng)格電極，以產(chǎn)生電子或者離子；以及然后使承載氣體接觸在常壓下的反應(yīng)物，以形成分析物離子、分析物碎片離子和/或者分析物加成離子。全文摘要一種用于電離分析物的非放射性常壓設(shè)備包括第一常壓室，具有承載氣體入口、第一電極，位于一端、以及反電極，位于該室另一端，用于在產(chǎn)生亞穩(wěn)中性受激狀態(tài)物質(zhì)的承載氣體內(nèi)產(chǎn)生放電?？蛇x擇的，設(shè)置網(wǎng)格，以通過接觸受激狀態(tài)物質(zhì)，產(chǎn)生電子或者離子。在常壓、接近地電位情況下，含有其產(chǎn)生的受激狀態(tài)物質(zhì)或者電子的承載氣體射向分析物，以形成分析物離子。文檔編號(hào)H01J49/10GK1768411SQ200480009229公開日2006年5月3日申請(qǐng)日期2004年3月12日優(yōu)先權(quán)日2003年4月4日發(fā)明者羅伯特·B·科迪,詹姆斯·A·拉臘梅申請(qǐng)人:Jeol美國(guó)公司