專利名稱：分配器和分配方法，等離子處理系統(tǒng)和方法，以及l(fā)cd的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種分配器和等離子處理系統(tǒng)，更具體地，涉及使用兩個方形波導管的電磁波分配器，和使用該分配器的等離子處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在諸如LCD(液晶顯示器)的平板顯示器和半導體裝置的制造業(yè)中，廣泛使用等離子處理系統(tǒng)來執(zhí)行諸如蝕刻、灰化和CVD(化學氣相沉積)。在等離子處理系統(tǒng)中，可使用微波等離子處理系統(tǒng)，其向處理容器中提供微波以電離、激發(fā)或離解處理容器中的氣體，由此生成等離子體。
圖11是顯示傳統(tǒng)等離子處理系統(tǒng)的整體配置的縱截面圖。該等離子處理系統(tǒng)包括有底的圓柱形的從頂部看去為方形的處理容器1。處理容器1由諸如Al的金屬制成。載物臺2被放置在處理容器1的底表面的中央部分。LCD的基板3等被配置在載物臺2的上表面上作為目標對象。載物臺2通過匹配箱4被連接到高頻電源5。
用于真空排氣的排氣口6形成于處理容器1的底表面的外圍部分。通過其導入空氣的導入口7形成在處理容器1的側(cè)壁上。當?shù)入x子處理系統(tǒng)被用作蝕刻系統(tǒng)時，諸如Ar的等離子氣體和諸如CF4的反應(yīng)氣體被引入。
處理容器1的上部開口由石英玻璃等制成的電介質(zhì)板8封閉，因此在通過上部開口導入微波時能保持處理容器1中的減壓。O形環(huán)被置于處理容器1的側(cè)壁的上表面和電介質(zhì)板8之間，以保證處理容器1的氣密性。
將微波供應(yīng)到處理容器1中的微波供應(yīng)裝置110被配置于電介質(zhì)板8上方。
圖12是顯示傳統(tǒng)微波供應(yīng)裝置110的配置的橫截面圖。微波供應(yīng)裝置110包括微波振蕩器120、微波分配器130和天線裝置150。
天線裝置150具有多個輻射波導管151A、151B、151C、151D、151E，和151F。輻射波導管151A至151F中的每個都由方形波導管形成。方形波導管是這樣的波導管垂直于它的軸的截面是長方形，并且能夠用傳輸模式TE10傳輸微波。在傳輸模式TE10下，磁場的形成平行于管壁，即，與包括截面的長邊的寬壁平行，而電場的形成平行于管壁，即，與包括截面的短邊的窄壁平行。多個輻射槽152形成于輻射波導管151A至151F中的每個的寬壁中。輸入到輻射波導管151A至151F中的每個的微波，經(jīng)過輻射槽152被輻射到處理容器1中，并被用于生成等離子體。
由電介質(zhì)(相對介電常數(shù)為εr(＞1))制成的波延遲部件153被配置于輻射波導管151A至151F中的每個內(nèi)。這使管內(nèi)波長λg變成1/(εr)1/2，從而，基于管內(nèi)波長λg設(shè)置的輻射槽152之間的距離被縮短，以使得等離子體的密度的分布均一化。
微波分配器130具有方形微波波導管131和方形饋電波導管141，并將從微波振蕩器120輸入的微波分配到天線裝置150的輻射波導管151A至151F。微波波導管131的輸入端連接到微波振蕩器120，而其輸出端連接到饋電波導管141的一個窄壁141A的中央部分。兩個微波波導管131和141通過其相互連通的連通孔132形成于窄壁141A的中央部分(例如，參照Masamitsu Nakajima，“微波工程(MicrowaveEngineering)”，Morikita Shuppan，p.132)。饋電波導管141與輻射波導管151A至151F通過其連通的多個開口143形成于饋電波導管141的另一個窄壁141B中。
如果一些開口143與允許與微波波導管131連通的連通孔132相對，即使部分相對，通過開口143輸出到輻射波導管的微波增加，并且輻射波導管151A至151F之間的微波的分布變得不均一?？勺児怅@147A和147B形成于微波波導管131和饋電波導管141的連接部分處，以使連通孔132縮窄到比微波波導管131的管寬小，從而使得允許與微波波導管131連通的連通孔132不與允許與輻射波導管151A至151F連通的開口143相對。
微波波導管131的內(nèi)部中空，并且波延遲部件153被配置于饋電波導管141中。
如上所述，在傳統(tǒng)等離子處理系統(tǒng)中，由于可變光闌147A和147B形成于微波波導管131和饋電波導管141的連接部分處，所以管寬在該連接部分處是狹窄的，并且能夠通過該連接部分的頻帶變窄。具體而言，在中空微波波導管131被連接到其中配置有波延遲部件153的饋電波導管141的情況下，管中的相對介電常數(shù)差異越大，頻帶變窄的趨勢就越典型。由此，當微波振蕩器120的振蕩頻率僅發(fā)生微小改變時，不能通過兩個波導管131和141的連接部分而被反射的能量增加。因而，在包括波導管131和141的微波分配器130中的反射損失增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決以上問題，并且本發(fā)明的目的是降低在輸入分配器的諸如微波的電磁波的頻率改變時出現(xiàn)的反射損失。
為了達到以上目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種分配器，其特征在于包括輸出電磁波的振蕩器、被連接到振蕩器的第一方形波導管，和具有多個開口的第二方形波導管，其中，第一方形波導管和第二方形波導管通過在第一方形波導管和第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔互相連通。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種等離子處理系統(tǒng)，其特征在于包括在其上放置目標對象的載物臺、容納載物臺的處理容器、具有多個帶有槽的輻射波導管的天線裝置，和將電磁波分配到輻射波導管的信號分離器，信號分離器包括輸出電磁波的振蕩器、連接到振蕩器的第一方形波導管，和通過多個形成于其中的開口連接到輻射波導管中的每個的一端的第二方形波導管，其中，第一方形波導管和第二方形波導管通過在第一方形波導管和第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔互相連通。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種分配方法，其特征在于包括以下步驟將在第一方形波導管中傳播的電磁波通過在第一方形波導管和第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔導入第二方形波導管；和將導入第二方形波導管中的電磁波通過在第二方形波導管中形成的多個開口分配到多個波導管。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種等離子處理方法，其特征在于包括以下步驟將在第一方形波導管中傳播的電磁波通過在第一方形波導管和第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔導入第二方形波導管；將導入第二方形波導管的電磁波通過在第二方形波導管中形成的多個開口分配到多個輻射波導管；將導入輻射波導管的電磁波通過在輻射波導管中的每個中形成的槽供應(yīng)到處理容器；和使用由供應(yīng)到處理容器的電磁波產(chǎn)生的等離子體處理放置于處理容器中的目標對象。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種LCD的制造方法，其特征在于包括以下步驟將在第一方形波導管中傳播的電磁波通過在第一方形波導管和第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔導入第二方形波導管；將導入第二方形波導管中的電磁波經(jīng)過在第二方形波導管中形成的多個開口分配到多個輻射波導管；將導入輻射波導管的電磁波通過在輻射波導管中的每個中形成的槽供應(yīng)到處理容器；和使用由供應(yīng)到處理容器的電磁波產(chǎn)生的等離子體對處理容器中配置的LCD基板的表面進行諸如蝕刻、灰化、氧化、氮化或CVD的處理。


圖1是顯示根據(jù)第一實施例的等離子處理系統(tǒng)的整體配置的縱截面圖；圖2是顯示微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖；圖3是顯示微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖；圖4是顯示用于連接結(jié)構(gòu)的數(shù)值分析的各個部分的尺寸的視圖；圖5是關(guān)于連接結(jié)構(gòu)的反射損失的曲線圖；圖6是顯示根據(jù)第二實施例的微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖；圖7是顯示根據(jù)第三實施例的微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖；圖8是顯示根據(jù)第四實施例的微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖；圖9是顯示根據(jù)第五實施例的微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖；圖10是顯示輻射微波的終端和其附近區(qū)域的放大圖；圖11是顯示傳統(tǒng)等離子處理系統(tǒng)的整體配置的縱截面圖；
圖12是顯示傳統(tǒng)等離子處理系統(tǒng)的配置的橫截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將參照附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。在以下附圖中，與圖11和12中所示的那些組成元件相對應(yīng)的組成元件，用與圖11和12中所示的相同的附圖標記來表示，而在適當?shù)臅r候?qū)÷云湔f明。
第一實施例圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的等離子處理系統(tǒng)的整體配置的縱截面圖。該等離子處理系統(tǒng)具有載物臺2，在載物臺2上放置作為目標對象的LCD基板3等；有底的圓柱形的處理容器1，其容納載物臺2，并且當從頂部看時呈方形；電介質(zhì)板8，其封閉處理容器1的上部開口；以及微波供應(yīng)裝置10，其將作為電磁波的微波從外部經(jīng)過電介質(zhì)板8供應(yīng)到處理容器1內(nèi)。
圖2和3是顯示微波供應(yīng)裝置10的配置的橫截面圖。圖2是顯示沿著圖1的線II-II’的方向所取的截面，圖3顯示通過從圖2中去除波延遲部件所得到的配置。一些組成元件如功能塊所示。
微波供應(yīng)裝置10包括微波振蕩器20、微波分配器30和天線裝置50。
微波振蕩器20是這樣的震蕩器其輸出具有例如2.45GHz的頻率的微波，并且由例如磁控管組成。
微波分配器30將從微波振蕩器20輸入的微波分配到天線裝置50的多個輻射波導管51A、51B、51C、51D、51E和51F。后面將對該分配方案進行詳細說明。
天線裝置50的輻射波導管51A至51F中的每個都由方形波導管構(gòu)成。每個方形波導管的輸入端(一端)連接到微波分配器30，而其終端(另一端)被短路。多個輻射槽52形成于每個方形波導管的寬壁(H-表面)。作為輻射槽52的一個實例，采用圖3中所示的十字槽。十字槽由一對在它們的中央位置垂直交叉以輻射圓形極化波的兩個槽組成。十字槽以管波長λg的大約自然數(shù)倍的間隔配置。如圖2所示，由電介質(zhì)(其具有相對介電常數(shù)為εr(＞1))構(gòu)成的波延遲部件53被配置在輻射波導管51A至51F的每個內(nèi)。輻射波導管51A至51F沿著垂直于管軸(微波的行進方向)的寬度方向排列，形成有輻射槽52的輻射波導管51A至51F的寬壁與載物臺2相對。
在具有上述配置的等離子處理系統(tǒng)中，從微波振蕩器20輸出的微波，由微波分配器30分配到天線裝置50的輻射波導管51A至51F。從輻射波導管51A至51F的輸入端導入的微波，在向終端傳播時，通過形成于寬壁上的多個輻射槽52被逐漸輻射，并且通過電介質(zhì)板8傳輸并被供應(yīng)到處理容器1中。供應(yīng)到處理容器1中的微波的電場加速電子電離、激發(fā)和離解處理容器1中的氣體，從而生成等離子體。通過等離子體，載物臺2上的LCD基板3的表面受到諸如蝕刻、灰化、氧化、氮化和CVD的處理。
現(xiàn)將對微波分配器30的配置進行進一步說明。微波分配器30具有由第一方形波導管組成的微波波導管31和由第二方形波導管組成的饋電波導管41，第一方形波導管引導從微波振蕩器20輸入的微波，第二方形波導管將從微波波導管31導入的微波分配到輻射波導管51A至51F。
微波波導管31的輸入端(一端)被連接到微波振蕩器20，而其終端(另一端)34被短路。
微波波導管31和饋電波導管41被配置成互相平行，使得微波波導管31的一個窄壁(E表面)31A與饋電波導管41的一個窄壁(E表面)41A相對。期望的是，窄壁31A和41A相互接觸，或如圖2和3中所示，由一個導電板63構(gòu)成。連通孔32形成于窄壁31A和41A中，以允許兩個微波波導管31和41相互連通。盡管連通孔32大致為矩形，其還可以是其它形狀。根據(jù)本實施例，連通孔32位于饋電波導管41的窄壁41A的中央部分。在微波波導管31中傳播的微波，通過連通孔32被導入饋電波導管41。
饋電波導管41的兩端被短路。允許饋電波導管41與輻射波導管51A至51F連通的多個開口43形成于與形成有連通孔32的窄壁41A相對的另一個窄壁41B中。被導入到饋電波導管41的微波通過開口43被分配到輻射波導管51A至51F。調(diào)整開口43的寬度，從而均勻地分配微波。連通孔32的寬度被調(diào)整為使開口43將不與連通孔32相對。
因此，即使連通孔32的寬度減小，如上所述，由于連通孔32形成于微波波導管31的窄壁31A和饋電波導管41的窄壁41A中的每個中，所以兩個波導31和41在其連接部分處的寬度不會減小，從而可抑制能夠通過連接部分的頻帶變窄。因此，能夠減少在微波的頻率改變時不能通過連接部分而被反射的能量，并且能夠減少微波分配器30的反射損失。
根據(jù)本實施例，微波波導管31是中空的，而波延遲部件53以和在輻射波導管51A至51F中相同的方式，被配置在饋電波導管41中，使得兩個波導管31和41中的相對介電常數(shù)互相不同。即使在此情況下，如果連通孔32形成于兩個波導管31和41的窄壁31A和41A中，也能夠減小微波分配器30中的反射損失。
在微波分配器30中，引導壁33被配置在微波波導管31中，以從微波波導管31的另一個窄壁31B向連通孔32突出。引導壁33在微波波導管31的上下寬壁之間延伸。如果引導壁33從窄壁31B向連通孔32的大致中央部分垂直突出，則其突出長度h1可被設(shè)置為約為微波波導管31的管內(nèi)波長λg0的1/2。當引導壁33被配置為將微波波導管31中傳播的微波向連通孔32引導時，微波容易通過連通孔32被引導到饋電波導管41。
然而，當配置引導壁33時，它反射微波以生成在微波波導管31中沿反方向行進的反射波。因此，該反射波被微波波導管31的終端34所反射的反射波抵消。例如，引導壁33形成于連通孔32的前表面附近的位置處，并且終端34被置于遠離引導壁33大約管內(nèi)波長λg的1/2的整數(shù)倍的位置處。這能夠抑制微波波導管31和饋電波導管41的連接部分處的反射，以進一步減小微波分配器30的反射損失。
在饋電波導管41中，導體柱45被配置于連通孔32的中央部分附近。導體柱45在饋電波導管41的上下寬壁之間延伸。導體柱45的直徑、位置等可調(diào)節(jié)通過連通孔32被導入饋電波導管41中的微波被分配到饋電波導管的一端或另一端一側(cè)的比例?？梢种茖腽侂姴▽Ч?1中的微波被反射回微波波導管31。因此，微波分配器30的反射損失可被進一步降低。
在饋電波導管41中，多個引導壁44被配置成從窄壁41A向各個開口43突出。引導壁44在饋電波導管41的上下寬壁之間延伸。當引導壁44被配置成將饋電波導管41中傳播的微波引導到開口43時，微波容易通過開口43被導入輻射波導管51A至51F。因此，微波可從微波分配器30被有效地供應(yīng)到輻射波導管51A至51F。
在具有上述配置的微波分配器30中，各個部分的尺寸的設(shè)置如圖4所示。對在微波從微波波導管31被供應(yīng)到饋電波導管41時發(fā)生的反射損失進行數(shù)值分析。結(jié)果，得到如圖5所示的圖表。更具體而言，在中心頻率f0＝2.45GHz時，反射損失為-20dB，而反射損失為-15dB或以下的情況下，相對帶寬為2.3％。因此，可抑制頻帶變窄。
因此，當使用微波分配器30時，發(fā)生在微波頻率改變時的微波分配器30的反射能夠被抑制，并且微波能夠被有效地供應(yīng)到輻射波導管51A至51F。從而，微波能夠被有效地供應(yīng)到處理容器1內(nèi)，并且使用由微波生成的等離子體的處理能夠被有效地執(zhí)行。
根據(jù)本實施例，饋電波導管41和輻射波導管51A至51F是通過分隔箱體的內(nèi)部而形成的，箱體由兩個平板61和62以及側(cè)壁63和側(cè)壁64、65和66組成，兩個平板61和62從頂部看去為方形并且相互平行以遠離互相隔開地配置，側(cè)壁63和側(cè)壁64、65和66連接平板61和62的外圍部分，放置在遠離側(cè)壁63大約λg/2的位置處的隔板67與側(cè)壁63和65平行，并且平行于側(cè)壁64和66放置的五個隔板68分隔側(cè)壁65和隔板67所夾的區(qū)域。平板61和62、側(cè)壁63至66，以及隔板67和68是由諸如銅之類的導體制成的。
在此情況下，平板61和62分別構(gòu)成饋電波導管41和輻射波導管51A至51F的側(cè)壁。側(cè)壁63構(gòu)成饋電波導管41的一個窄壁41A。隔板67構(gòu)成饋電波導管41的另一個窄壁41B。側(cè)壁65構(gòu)成輻射波導管51A至51F的終端表面。側(cè)壁64的一部分和側(cè)壁66的一部分構(gòu)成饋電波導管41的兩個端面。側(cè)壁64和66的剩余部分以及隔板68構(gòu)成輻射波導管51A至51F的窄壁。連通孔32形成于側(cè)壁63的中央部分，并且，在隔板67中形成多個開口43。多個輻射槽52形成于與載物臺2相對的平板62中。
第二實施例圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖。該微波供應(yīng)裝置11的微波分配器30A采用從頂部看時呈L形的微波波導管36。微波分配器30A的剩余部分與第一實施例的微波分配器30相同。更具體而言，微波波導管36通過其與饋電波導管41連通的連通孔32，微波波導管36中的引導壁33、微波波導管36的終端34，以及饋電波導管41中的導體柱45都以和第一實施例相同的方式設(shè)置。因此，發(fā)生在微波頻率改變時的微波分配器30的反射損失能夠以與第一實施例中相同的方式被減小。
第三實施例圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖。在該微波供應(yīng)裝置12中，由諸如氧化鋁的具有較高相對介電常數(shù)的電介質(zhì)構(gòu)成的波延遲部件53被配置在輻射波導管51A至51F和饋電波導管41的管內(nèi)，以縮短輻射槽52之間的距離。在微波波導管36中靠近連通孔32的那個區(qū)域中，設(shè)置由諸如石英的相對介電常數(shù)比波延遲部件53低的電介質(zhì)構(gòu)成的波延遲部件37。微波波導管36中的遠離連通孔32的區(qū)域被保留為中空的。
當在連接部分處的相對介電常數(shù)的變化增大時，能夠通過微波波導管36和饋電波導管41的連接部分的頻帶趨于變窄。當微波波導管36中的靠近連通孔32的那個區(qū)域的相對介電常數(shù)被設(shè)置為遠離連通孔32的區(qū)域的相對介電常數(shù)和饋電波導管41中的相對介電常數(shù)之間的值時，可緩和兩個波導管31和41的連接部分處的相對介電常數(shù)的改變，從而可抑制能夠通過連接部分的頻帶變窄。因此，在微波頻率改變時不能通過連接部分而被反射的能量被減少，從而可減小微波分配器30B的反射損失。
可替代地，可使用三種或更多類型的波延遲部件，所以微波波導管36和饋電波導管41中的相對介電常數(shù)改變?nèi)齻€或更多階段。
第四實施例圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖。該微波供應(yīng)裝置13由根據(jù)第二實施例的多個微波供應(yīng)裝置11組合構(gòu)成。更具體而言，微波供應(yīng)裝置13包括八個微波供應(yīng)裝置11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G和11H。微波供應(yīng)裝置11A到11H被配置成，使它們的表面(輻射波導管51A至51F的寬壁)形成一個平面，在它們的表面處形成各個天線裝置50的輻射槽52。在圖8所示的實例中，微波供應(yīng)裝置11A至11D被配置成，使得它們的天線裝置50的側(cè)壁64和66互相相對。這也適用于微波供應(yīng)裝置11E至11H。微波供應(yīng)裝置11A和11E被配置成，使得它們的天線裝置50的側(cè)壁65互相相對。這也適用于微波供應(yīng)裝置11B和11F、11C和11G、以及11D和11H。
如本實施例中所示，當使用多個微波供應(yīng)裝置11A至11H將能量供應(yīng)到處理容器1中時，可使用多個低輸出的振蕩器來實現(xiàn)與通過使用單個高輸出振蕩器所獲得的能量相等同的能量供應(yīng)。即使在必須將大功率供應(yīng)到處理容器1中時，如在使用大口徑的處理容器1執(zhí)行等離子處理的情況，如果使用多個低輸出的價格低的微波振蕩器20，則可減小整個等離子處理系統(tǒng)的制造成本。
在本實施例中，根據(jù)第二實施例的多個微波供應(yīng)裝置11被組合起來。可替代地，可組合根據(jù)其它實施例的多個微波供應(yīng)裝置10、12或14。
第五實施例圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的微波供應(yīng)裝置的配置的橫截面圖。該微波供應(yīng)裝置14的天線裝置70具有與第一實施例的輻射波導管51A至51F相似的輻射波導管71A至71F。在以下說明中，輻射波導管71A至71F將用輻射波導管71表示。
圖10是輻射波導管71的終端及其附近的放大圖。輻射波導管71具有駐波驅(qū)動槽72，駐波驅(qū)動槽72位于輻射槽52形成處的輻射波導管71的寬壁的終端一側(cè)中。駐波驅(qū)動槽72是由從輻射波導管71的輸入端向終端行進的行波和由終端向輸入端一側(cè)反射的反射波形成的駐波所驅(qū)動的槽。因此，希望的是，駐波驅(qū)動槽72被配置在駐波的振幅變?yōu)樽畲蟮奈恢?，即，距離終端大約1/2管內(nèi)波長λg的自然數(shù)倍的位置。根據(jù)本實施例，駐波驅(qū)動槽72被配置在距離終端大約λg/2位置處。并且，根據(jù)本發(fā)明，使用十字槽作為駐波驅(qū)動槽72。
當駐波驅(qū)動槽72形成時，由輻射波導管71的終端反射的反射波被向外輻射以減小在管中沿相反方向行進的反射波。因此，由行波驅(qū)動的輻射槽52如所設(shè)計那樣運行。因而，在輻射波導管71中傳播的微波可通過輻射槽52有效地被供應(yīng)到處理容器1中，所以使用由微波產(chǎn)生的等離子體的處理能夠被有效地執(zhí)行。
然而，僅用駐波驅(qū)動槽72，圓形極化波不能從輻射槽52向前表面(輻射槽52形成的寬壁的法線方向)輻射。這可能因為駐波驅(qū)動槽72不能充分減小反射波。鑒于此，根據(jù)本實施例，向輸入端一側(cè)反射一部分行波的反射部件73被配置在駐波驅(qū)動槽72和其鄰近的輻射槽52之間。反射部件73由從輻射波導管71的各個窄壁垂直突出的兩個反射壁73A和73B構(gòu)成。反射壁73A和73B在輻射波導管71的上下寬壁之間延伸。當反射壁73A和73B被配置在駐波驅(qū)動槽72的中央位置和朝向輸入端一側(cè)的距離中央位置大約λg的位置之間的適當?shù)奈恢锰帲⑶艺{(diào)整反射壁73A和73B的突出長度時，由反射壁73A和73B反射的反射波可抵消由輻射波導管71的終端或駐波驅(qū)動槽72所反射的反射波。
可對本實施例進行數(shù)值分析。數(shù)值分析的結(jié)果將被示出。可使用由長度分別為0.286λ0和0.376λ0(λ0自由空間波長)的兩個在它們的中央垂直交叉的十字槽，作為駐波驅(qū)動槽72。輻射波導管71的內(nèi)部和外部的相對介電常數(shù)εr被設(shè)為3.5。如果沒有配置反射壁73A和73B，-10dB的反射會出現(xiàn)在2.45GHz頻率處。與此相反，如果反射壁73A和73B被配置在離駐波驅(qū)動槽72的距離為d1＝0.134λ0的位置處，反射被減小到-30dB或更小。如果駐波驅(qū)動槽72和它相鄰的輻射槽52之間的距離dm被設(shè)為0.855λg，則圓形極化波可向前表面輻射。應(yīng)注意，該圓形極化波具有-2.14dB的軸比和27.4dB的反射系數(shù)。
如此，當配置反射壁73A和73B時，微波可從輻射槽52向前表面輻射。即，天線裝置70可向載物臺2輻射微波。因此，在載物臺2上立即生成等離子體。由此，可簡便地設(shè)計等離子處理系統(tǒng)。
權(quán)利要求
1.一種分配器，其特征在于包括輸出電磁波的振蕩器；被連接到所述振蕩器的第一方形波導管；具有多個開口的第二方形波導管；其中，所述第一方形波導管和所述第二方形波導管通過在所述第一方形波導管和所述第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔互相連通。
2.如權(quán)利要求1所述的分配器，其特征在于，所述第一方形波導管包括引導壁，所述引導壁從所述另一個窄壁向所述連通孔突出，并將在所述第一方形波導管中傳播的電磁波向所述連通孔引導。
3.如權(quán)利要求2所述的分配器，其特征在于，由所述引導壁反射的并在所述方形波導管中沿反方向行進的電磁波，和由所述第一方形波導管的一端反射的電磁波互相抵消。
4.如權(quán)利要求3所述的分配器，其特征在于，所述引導壁被配置成與所述連通孔相對，并且所述第一方形波導管的所述一端被配置在距離所述引導壁所述第一方形波導管的管內(nèi)波長的約1/2的整數(shù)倍的位置處。
5.如權(quán)利要求1所述的分配器，其特征在于，所述第二方形波導管包括配置在所述連通孔附近并在相對的寬壁之間延伸的導體柱。
6.如權(quán)利要求1所述的信號分離器，其特征在于，所述第一方形波導管和所述第二方形波導管具有不同的相對介電常數(shù)。
7.一種等離子處理系統(tǒng)，其特征在于包括在其上放置目標對象的載物臺；容納所述載物臺的處理容器；具有多個帶有槽的輻射波導管的天線裝置；和將電磁波分配到所述輻射波導管的信號分離器，所述信號分離器包括輸出電磁波的振蕩器，連接到所述振蕩器的第一方形波導管，和第二方形波導管，其通過多個形成于其中的開口，連接到所述輻射波導管中的每個的一端，其中，所述第一方形波導管和所述第二方形波導管通過在所述第一方形波導管和所述第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔互相連通。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子處理系統(tǒng)，其特征在于，所述輻射波導管的每個在其側(cè)壁的另一端上具有駐波驅(qū)動槽，所述駐波驅(qū)動槽由從所述一端向所述另一端行進的行波和從所述另一端向所述一端反射的反射波形成的駐波驅(qū)動。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子處理系統(tǒng)，其特征在于，所述駐波驅(qū)動槽形成于從所述另一端向所述一端距離所述輻射波導管中的相應(yīng)的一個的管內(nèi)波長的約1/2的自然數(shù)倍的位置處。
10.如權(quán)利要求8所述的等離子處理系統(tǒng)，其特征在于，每個所述輻射波導管包括反射部件，所述反射部件從所述駐波驅(qū)動槽看去被配置在所述一端的一側(cè)上，并且，所述反射部件向所述一端反射行波的一部分，以抵消由所述另一端或所述駐波驅(qū)動器槽反射的反射波。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子處理系統(tǒng)，其特征在于，所述反射部件被配置在所述駐波驅(qū)動槽的中央位置和從所述中央位置向所述一端距離所述輻射波導管中的所述相應(yīng)的一個的管內(nèi)波長的約3/2的位置之間的預定位置處。
12.一種分配方法，其特征在于包括以下步驟將在第一方形波導管中傳播的電磁波通過在所述第一方形波導管和第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔導入所述第二方形波導管；和將導入所述第二方形波導管中的電磁波通過在所述第二方形波導管中形成的多個開口分配到多個波導管。
13.一種等離子處理方法，其特征在于包括以下步驟將在第一方形波導管中傳播的電磁波通過在所述第一方形波導管和第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔導入所述第二方形波導管；將導入所述第二方形波導管的電磁波通過在所述第二方形波導管中形成的多個開口分配到多個輻射波導管；將導入所述輻射波導管的電磁波通過在所述輻射波導管中的每個中形成的槽供應(yīng)到處理容器；和使用由供應(yīng)到所述處理容器的電磁波產(chǎn)生的等離子體處理放置于所述處理容器中的目標對象。
14.一種LCD的制造方法，其特征在于包括以下步驟將在第一方形波導管中傳播的電磁波通過在所述第一方形波導管和第二方形波導管中的每個的一個窄壁中形成的連通孔導入所述第二方形波導管；將導入所述第二方形波導管中的電磁波經(jīng)過在所述第二方形波導管中形成的多個開口分配到多個輻射波導管；將導入所述輻射波導管的電磁波通過在所述輻射波導管中的每個中形成的槽供應(yīng)到處理容器；和使用由供應(yīng)到所述處理容器的電磁波產(chǎn)生的等離子體，對所述處理容器中配置的LCD基板的表面進行諸如蝕刻、灰化、氧化、氮化或CVD的處理。
全文摘要
一種分配器(30)，包括連接到微波振蕩器(20)的方形波導管(31)和具有多個在窄壁(41B)中形成的開口(43)的方形波導管(41)。方形波導管(31)是中空的。相對介電常數(shù)為ε
文檔編號H01J37/32GK1926714SQ20048004236
公開日2007年3月7日 申請日期2004年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月10日
發(fā)明者大見忠弘, 后藤尚久, 久我宣裕, 廣江昭彥 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社, 大見忠弘, 后藤尚久