專利名稱：電子源及圖像顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將電子發(fā)射元件設(shè)置在矩陣布線的各交點上的電子源的制造方法和利用該電子源構(gòu)成的圖像顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，作為平板型圖像顯示裝置，有人提出了具備在背板上將自發(fā)光型電子發(fā)射元件設(shè)置成矩陣狀的電子源、和具有熒光物質(zhì)的熒光屏的圖像顯示裝置。已知過去的電子發(fā)射元件可大致分為熱電子發(fā)射元件和冷陰極電子發(fā)射元件，其中，冷陰極電子發(fā)射元件有場發(fā)射型(FE型)、金屬/絕緣層/金屬型(MIM型)、表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件等。表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件通過在形成在基板上的小面積的薄膜上產(chǎn)生平行于膜面的電流而產(chǎn)生電子發(fā)射。作為薄膜材料，有人提出了SnO2、Au、In2O3/SnO2、碳等。
圖8A和圖8B示意性地示出了表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的一個結(jié)構(gòu)例。圖中，1為基板，2、3為元件電極，7為元件膜，8為電子發(fā)射部分。此外，圖8A是平面示意圖、圖8B是圖8A的沿8B-8B線的剖面圖。
圖8A和圖8B的電子發(fā)射元件是通過以下方法制成的。即，在基板1上形成元件電極2、3后形成導(dǎo)電性的元件膜7，使該元件電極2、3相連，之后在元件電極2、3之間施加電壓，通過進行被稱為通電成形加工的通電處理使該元件膜7的局部產(chǎn)生破壞、變形、或變質(zhì)，從而形成高電阻的電子發(fā)射部分8。
圖9示意性地示出了用圖8A和圖8B的電子發(fā)射元件構(gòu)成的圖像顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)例。圖中，51為電子源基體、52為X方向布線、53為Y方向布線、54為電子發(fā)射元件、61為背板、62為支持框架、63為玻璃基體、64為熒光膜、65為金屬敷層、66為熒光屏、67為封裝、68為高壓電源。
在圖9所示的在背板61上將自發(fā)光型的電子發(fā)射元件54設(shè)置成矩陣狀的圖像顯示裝置中，為了向多個電子發(fā)射元件54供電而設(shè)置了X方向布線52和Y方向布線53，并且至少在各個布線交叉部分設(shè)置了絕緣層(未圖示)，使雙方的布線不產(chǎn)生短路。
在這種圖像顯示裝置的X方向布線52和Y方向布線53的交叉部分中，有時在隔著絕緣層而位于其上下的布線之間會產(chǎn)生短路。產(chǎn)生短路的部位能依次修復(fù)。例如，作為與上述圖像顯示裝置的布線形狀不同的、在隔著半導(dǎo)體層而位于其上下的導(dǎo)電層中產(chǎn)生短路時的修復(fù)例，特開平9-266322號公報提出了利用激光的修復(fù)方法。
可是，如果將特開平9-266322號公報中記載的修復(fù)方法原樣地用于上述圖像顯示裝置中上下布線之間的短路的修復(fù)，則其修復(fù)作業(yè)的時間效率較低，若要提高效率，有時會殘留下多個短路部分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題是針對利用矩陣布線驅(qū)動多個電子發(fā)射元件的電子源、以及用該電子源構(gòu)成的圖像顯示裝置，提供具有高效率地修復(fù)矩陣布線的交叉部分的短路部分的工序的制造方法。
本發(fā)明的第一方面是一種電子源的制造方法，該電子源具有多條上層布線、隔著絕緣層與上述上層布線交叉的多條下層布線、以及分別與上述上層布線和上述下層布線連接的多個電子發(fā)射元件，上述制造方法的特征在于，包括在基板上形成上述下層布線、上述絕緣層、上述上層布線的工序，以及在該形成工序之后去除包含上述下層布線與上述上層布線的交叉部分的上述兩條布線的短路部分的、上述上層布線的一部分區(qū)域的工序，其中，上層布線被去除的上述一部分區(qū)域在上述下層布線的寬度方向超出該下層布線的兩個邊、在上述上層布線的寬度方向至少沒有超出該上層布線的一個邊。
本發(fā)明的優(yōu)選實施方式包括下述組成。
去除上層布線的一部分區(qū)域的工序是對該一部分區(qū)域照射激光。特別是激光照射分多次進行，或者射束點的外周部分的輸出小于內(nèi)側(cè)部分、或者在激光照射期間至少變更一次照射激光的射束點。
上述布線的去除工序是機械切削工序。
上述布線的去除工序是進行機械切削之后照射激光的工序。
本發(fā)明的第二個方面是圖像顯示裝置的制造方法，該圖像顯示裝置具備電子源以及發(fā)光部件，所述電子源具有多條上層布線、隔著絕緣層與上述上層布線交叉的多條下層布線、以及在上述上層布線和下層布線的各個交點具有與各布線連接的元件電極的電子發(fā)射元件；所述發(fā)光部件通過從上述電子發(fā)射元件發(fā)射出的電子的撞擊而發(fā)光，上述制造方法的特征在于利用本發(fā)明上述的電子源的制造方法制造上述電子源。
本發(fā)明可以高效率地且比較可靠地去除與下層布線短路的部分。
因此，根據(jù)本發(fā)明可以高效率地制造、并更加廉價地提供可靠性高的圖像顯示裝置。


圖1是用本發(fā)明的制造方法制造的電子源的一例的平面示意圖；圖2A及圖2B是圖1的修復(fù)區(qū)域的局部放大圖；圖3是圖1的修復(fù)區(qū)域的局部放大圖；圖4是表示上層布線寬度比下層布線寬度窄的矩陣布線的修復(fù)區(qū)域的圖；圖5是表示上層布線與下層布線斜著交叉的矩陣布線的修復(fù)區(qū)域的圖；圖6是表示上層布線與下層布線斜著交叉的矩陣布線的修復(fù)區(qū)域的圖；圖7是用實施例1制作的矩陣布線的交叉部分的剖面示意圖；圖8A及8B是表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的一例的示意圖；圖9是用圖8的電子發(fā)射元件構(gòu)成的圖像顯示裝置的面板的概略結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式
下面參照附圖舉例詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。該實施方式所記載的部件的尺寸、材質(zhì)、形狀、相對配置等，只要沒有特別記載，就不限定于下述記載范圍。
圖1是用本發(fā)明的制造方法制造的電子源的一例的平面示意圖。圖中，1為基板，2、3為元件電極，7為元件膜，8為電子發(fā)射部分，10為下層布線，11為絕緣層，12為上層布線，13為在絕緣層11產(chǎn)生的短路部分，14為為了修復(fù)而去除了上層布線12的一部分的區(qū)域(修復(fù)區(qū)域)。
用本發(fā)明的制造方法制造的電子源具有在基板1上的多條下層布線10、隔著絕緣層11與上述下層布線10交叉的多條上層布線12、以及具有在上層布線12和下層布線10的交叉部分與各布線連接的元件電極2、3的電子發(fā)射元件。各電子發(fā)射元件由元件電極2、3和具有電子發(fā)射部分8的元件膜7構(gòu)成。
圖2A及圖2B是圖1的電子源的包含下部的上層布線12與下層布線10的中央列的交叉部分的修復(fù)區(qū)域14的周邊部分的局部放大圖，圖3是包含上部的上層布線12與下層布線10的右列的交叉部分的修復(fù)區(qū)域14的周邊部分的放大圖。此外，在圖2A及圖2B、圖3中省略了與電子發(fā)射元件有關(guān)的部件。在圖2A及圖2B中，圖2B是沿圖2A的2B-2B線的剖面圖。
如圖2A及圖2B所示，本發(fā)明的修復(fù)區(qū)域14是將上層布線12的一部分去除掉而露出絕緣層11的部分。
在本發(fā)明中，修復(fù)區(qū)域14在上層布線12的寬度方向的最大寬度Rov小于上層布線12的寬度Wov，即，如該圖所示，修復(fù)區(qū)域14在上層布線12的寬度方向至少沒有超出上層布線12的一個邊，因此，在該修復(fù)工序中不用擔心上層布線12會斷線。而且，在本發(fā)明中，修復(fù)區(qū)域14在下層布線10的寬度方向上的最大寬度Run大于等于下層布線10的寬度Wun。即，如圖所示，修復(fù)區(qū)域14在下層布線10的寬度方向超出了下層布線10的兩個邊，因此，通過修復(fù)可以可靠地切斷短路部分13與上層布線12的電連接。在圖2A、2B和圖3中，Rov＜Wov、且Run Wun。
在本發(fā)明中，作為修復(fù)工序的具體方法，可以舉出利用激光照射的方法以及機械切削的方法。
利用激光照射來去除短路部分的上層布線12的一部分時，為了滿足本發(fā)明的對修復(fù)區(qū)域14的寬度的規(guī)定，優(yōu)選分多次、斷續(xù)地進行激光照射。重復(fù)頻率優(yōu)選小于1000Hz。此時，可以減小對去除的上層布線12投入的單位時間的激光能量。
而且，分多次進行激光照射時，優(yōu)選使激光的射束點的外周部分(從最外周向中心5-10％的區(qū)域)的輸出小于內(nèi)側(cè)部分的輸出。這樣，通過調(diào)整射束點的外周部分和內(nèi)側(cè)部分的輸出，可以使對修復(fù)區(qū)域14的邊界部分投入的單位時間的激光能量少于修復(fù)區(qū)域14的內(nèi)側(cè)部分。
進而，在多次進行激光照射期間，可以通過至少變更一次射束點，使對修復(fù)區(qū)域14的邊界部分投入的單位時間的激光能量少于修復(fù)區(qū)域14的內(nèi)側(cè)部分。
此外，通過機械切削來去除短路部分的上層布線12的一部分時，可以使用鋒利的刀狀的工具。如圖3所示，修復(fù)區(qū)域14在上層布線12的寬度方向靠近端部時，比像圖2A、2B那樣在上層布線12的寬度方向靠近中央時加工容易，適合于機械的切削方法。
在本發(fā)明中，在上述機械切削工序后，可以通過激光照射工序?qū)⑿迯?fù)區(qū)域14的邊界部分的尖銳的邊沿倒圓。也可以將機械切削和激光照射混合使用。
雖然在圖1-圖3中示出了上層布線12的寬度Wov比下層布線10的寬度Wun寬的形態(tài)，但本發(fā)明也可以如圖4所示，即，Wun＞W(wǎng)ov。在該形態(tài)中也是，Run Wun、Rov＜Wov，如圖4所示，修復(fù)區(qū)域14至少沒有在上層布線12的寬度方向超出上層布線12的一個邊，因此在該修復(fù)工序中不必擔心上層布線12會斷線，而且，修復(fù)區(qū)域14在下層布線10的寬度方向超出了下層布線10的兩個邊，所以，通過修復(fù)能夠可靠地切斷短路部分13與上層布線12的電連接。
此外，雖然在圖1-圖3中示出了上層布線12與下層布線10正交的形態(tài)，但本發(fā)明不限于此，在設(shè)計上還包含上層布線12與下層布線10斜著交叉的形態(tài)。具體表示在圖5、圖6中。無論是哪種形態(tài)，都是Run Wun、Rov＜Wov，依舊與上述各例一樣，如圖5、6所示，修復(fù)區(qū)域14在上層布線12的寬度方向至少沒有超出上層布線12的一個邊，因此在該修復(fù)工序中不用擔心上層布線12會斷線，而且，修復(fù)區(qū)域14在下層布線10的寬度方向超出了下層布線10的兩個邊，所以，通過修復(fù)能夠可靠地切斷短路部分13與上層布線12的電連接。
在本發(fā)明中，修復(fù)區(qū)域14的形狀不限于圖1、圖2A及圖2B、圖4、圖5那樣的大致長方形或圖3、圖6那樣的大致長方形的切口形狀，也可以是例如大致橢圓形等那樣的廣義的圓形、大致梯形或大致平行四邊形等廣義的四邊形、廣義的多角形、或?qū)⑸鲜鲂螤罱M合而成的任意的形狀。
此外，本發(fā)明的修復(fù)工序可以在形成元件電極2、3、下層布線10、絕緣層11、上層布線12之后且在形成元件膜7之前進行，但不限于此，也可以在下層布線與上層布線產(chǎn)生短路時進行。因此，與元件電極2、3和元件膜7等的形成時點沒有關(guān)系，完全不受其限制。
下面舉例說明利用本發(fā)明制造的電子源以及圖像顯示裝置的各部件，但是本實施方式中記載的部件的尺寸、材質(zhì)、形狀以及相對配置等，只要沒有特別說明，就不限于下述記載的范圍內(nèi)。
基板1可以利用石英玻璃、降低了Na等的雜質(zhì)含量的玻璃、藍板玻璃、在藍板玻璃上疊層了利用濺射法等形成的SiO2的玻璃基板、氧化鋁等陶瓷以及Si基板等。
元件電極2、3可以使用一般的導(dǎo)電性材料。例如可以從Ni、Cr、Au、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu、Pd等金屬或合金及Pd、Ag、Au、RuO2、Pd-Ag等金屬或金屬氧化物和玻璃等構(gòu)成的印刷導(dǎo)體，或In2O3-SnO2等透明導(dǎo)體及多晶硅等半導(dǎo)體材料等中適當?shù)剡x擇。
構(gòu)成元件膜7的材料可以從Pd、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cu、Cr、Fe、Zn、Sn、Ta、W、Pb等金屬、PdO、SnO2、In2O3、PbO、Sb2O3等氧化物、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4等硼化物、TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC、WC等碳化物、TiN、ZrN、HfN等氮化物以及Si、Ge等半導(dǎo)體、碳等中適當?shù)剡x擇。
電子發(fā)射部分8是通過對元件膜7進行通電處理而形成的高電阻的龜裂而形成的，依賴于元件膜7的膜厚、膜質(zhì)、材料及通電處理條件等。
此外，雖然圖8A及圖8B的電子發(fā)射元件是在形成元件電極2、3之后形成了元件膜7，但本發(fā)明也可以在形成元件膜7之后形成元件電極2、3。
在本發(fā)明的電子源的制造方法中，下層布線10及上層布線12可以由利用真空蒸鍍法、印刷法、濺射法等形成的導(dǎo)電性金屬等構(gòu)成。布線的材料、膜厚、寬度可以適當?shù)卦O(shè)計。此外，將下層布線10和上層布線12隔開的絕緣層11可以由利用真空蒸鍍法、印刷法、濺射法等形成的SiO2等構(gòu)成。
下層布線10對應(yīng)于圖9中的X方向布線52、上層布線12對應(yīng)于Y方向布線53，可以分別作為外部端子Dox1-Doxm、Doy1-Doym而引出。
X方向布線52與用于選擇沿X方向排列的電子發(fā)射元件54的行的、施加掃描信號的未圖示的掃描信號施加部分連接。而Y方向布線53則與用于按照輸入信號對沿Y方向排列的電子發(fā)射元件54的各列進行調(diào)制的未圖示的調(diào)制信號生成部分連接。施加在各電子發(fā)射元件上的驅(qū)動電壓，作為施加在該元件上的掃描信號和調(diào)制信號的差電壓來提供。
在圖9中，51為設(shè)置有多個電子發(fā)射元件54的電子源基體、61為固定電子源基體51的背板、66為在玻璃基體63的內(nèi)表面上形成了由熒光物質(zhì)等發(fā)光物質(zhì)構(gòu)成的熒光膜64和作為陽極電極的金屬敷層65的熒光屏(圖像形成部件)。62為支持框架，利用燒結(jié)玻璃等將背板61和熒光屏66連接在支持框架62上。67為封裝，例如在大氣或氮氣中、在400-500℃的溫度范圍內(nèi)燒結(jié)10分鐘以上，密封而形成。
如上所述，封裝67由熒光屏66、支持框架62、背板61構(gòu)成。背板61主要是為了增加基體51的強度而設(shè)置的，因此，基體51本身的強度很強時，可以不需另外設(shè)置背板61。即，可以在基體51上直接封接支持框架62，由熒光屏66、支持框架62以及基體51構(gòu)成封裝67。另一方面，也可以通過在熒光屏66與背板61之間設(shè)置稱為隔離物的未圖示的支持體來構(gòu)成對大氣壓具有足夠強度的封裝67。
本發(fā)明的圖像顯示裝置除了電視廣播的顯示裝置、電視會議或計算機等的顯示裝置以外，還可以用作使用感光性磁鼓等構(gòu)成的光打印機的圖像顯示裝置。
實施例1制作了圖1所示的電子源的矩陣布線。在本例中，1個像素的尺寸為橫向205μm、縱向615μm，下層布線10的寬度Wun約為50μm、厚度約為20μm，絕緣層11在上層布線12的寬度方向的寬度約為470μm、厚度約為40μm，上層布線12的寬度Wov約為380μm、厚度約為8μm，并在該像素尺寸中有效地設(shè)置了元件電極2、3。元件電極2、3的厚度約為0.05μm。下面詳細描述制作工序。
首先，在主成分為玻璃的基板1(使用從堿石灰玻璃中降低了堿成分的PD200)上形成以Ti作為底襯的Pt膜，并利用光刻及刻蝕法制成所需的形狀，形成元件電極2、3。
接著，使用以Ag為主成分、含有少量的PbO系玻璃的感光膏，進行成膜(網(wǎng)板印刷)、曝光(具有下層布線圖形的負性光掩模)、顯影(在純水中添加了約4％的碳酸鈉的顯影液)、燒結(jié)(480℃)，形成下層布線10。在該狀態(tài)下，下層布線10與元件電極2接觸，可以通電。此時的下層布線10的寬度方向的截面如圖7所示，成為兩端部上方的邊沿產(chǎn)生了凸起的形狀(即邊沿卷曲)的狀態(tài)。
接著，使用以PbO或B2O3玻璃為主成分的感光膏，進行成膜(網(wǎng)板印刷)、曝光(具有絕緣層圖形的負性光掩模)、顯影(在純水中添加了約4％的碳酸鈉的顯影液)、燒結(jié)(480℃)，形成絕緣層11。
使用以Ag為主成分、含有少量的PbO系玻璃的印刷糊料，進行網(wǎng)板印刷(使用具有上層布線圖形的網(wǎng)板)、燒結(jié)(480℃)，形成上層布線12。通過對以該狀態(tài)形成在基板1上的下層布線10和上層布線12適當?shù)剡M行通電，比較電阻值，適當?shù)剡M行觀察(利用光學手法等)，探索并確定了短路部分。
在本例中，如圖1所示，有兩處短路部分。在像本例那樣使用了感光膏的下層布線10中，一般多少都會產(chǎn)生邊沿卷曲，因此，在高度局部變高的布線的寬度方向的兩個端部，下層布線10與上層布線12發(fā)生短路的概率高，在本例中也是在這種地方發(fā)生的短路。對這種短路部分實施了修復(fù)工序。
對于短路部分，設(shè)定射束點的尺寸，使得修復(fù)區(qū)域14的尺寸最終滿足本發(fā)明的關(guān)于最大寬度的規(guī)定。具體是，因為下層布線10的寬度Wun為50μm，所以，使下層布線寬度方向的射束點的尺寸為80μm，因為上層布線12的寬度Wov為380μm，所以，使上層布線寬度方向的射束點的尺寸為100μm，以脈沖的形式分多次照射激光(YAG第二高次諧波波長λ＝532nm)。激光是附帶Q開關(guān)的脈沖激勵式激光，將Q開關(guān)頻率設(shè)為1Hz、將平均輸出設(shè)為5×10-4W左右、將能量密度設(shè)為3×10J/cm2左右，去除了一部分絕緣層11和一部分上層布線12。修復(fù)區(qū)域的尺寸是分別具有與上層布線寬度方向及下層布線寬度方向平行的邊的長方形，下層布線寬度方向的最大寬度Run為70μm、上層布線寬度方向的最大寬度Rov為90μm，如圖2A及2B、圖3所示。
最終的修復(fù)區(qū)域14的尺寸之所以比射束點的尺寸小一圈，可能是因為，利用激光部分地去除上層布線12時，在作為去除部分的邊界部分的上層布線12的端部，激光的瞬間的加熱冷卻使作為Ag粒子(直徑為0.幾μm～十幾μm)的集合的布線的Ag粒子融化，成為整體狀的Ag，因熱傳導(dǎo)性能提高而使得利用照射激光能的加工越來越難，因此加工尺寸越來越小。
可以認為，若像上述那樣，在修復(fù)工序中使用激光、通過多次施加脈沖來將上層布線去除到所希望的尺寸的方法，則由于因激光產(chǎn)生的急劇加熱和重復(fù)周期的長度而一直到下一次激光照射之前被冷卻，所以即使對使用表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的電子源那樣的厚膜布線，也能加工至絕緣層，而且通過規(guī)定加工尺寸，可以有效且可靠地去除因下層布線的邊沿卷曲的影響而容易在下層布線10的寬度方向的兩個端部產(chǎn)生的短路部分。
此外，利用分多次進行激光照射使加工尺寸逐漸變小的作用，能夠抑制作為修復(fù)區(qū)域14的邊界部分的上層布線端部產(chǎn)生的加工后的布線材料的凸起。與連續(xù)照射激光[重復(fù)頻率高于數(shù)百Hz。YAG第二高次諧波(波長λ＝532nm)附帶Q開關(guān)的脈沖激勵式激光，Q開關(guān)頻率為1kHz、射束寬度為40μm×40μm、平均輸出為7×10-2W左右、能量密度為4J/cm2左右]時相比，具有抑制發(fā)生雜散發(fā)射的效果。
實施例2對尺寸為80μm×80μm的射束點進行了修復(fù)工序。除了調(diào)整其外周部分使其具有輸出比內(nèi)側(cè)部分低5-50％的輸出分布之后再使用之外，其余與實施例1相同。結(jié)果，修復(fù)區(qū)域14的尺寸變?yōu)?，下層布線寬度方向的最大寬度Run為65μm、上層布線寬度方向的最大尺寸Rov為65μm。修復(fù)區(qū)域的尺寸比射束點的尺寸小的理由，一是與實施例1一樣，因為Ag的熱傳導(dǎo)性能提高，二是由于抑制了射束點的外周部分的輸出。
在本例中，通過抑制射束點的外周部分的輸出，與實施例1相比，更加提高了抑制上層布線端部產(chǎn)生的布線材料的凸起的效果。因此，能夠更好地抑制雜散發(fā)射的產(chǎn)生。
實施例3將下層布線寬度方向的射束點尺寸設(shè)為80μm、將上層布線寬度方向的射束點尺寸設(shè)為100μm，以脈沖形式分多次進行激光照射，之后，將下層布線寬度方向的射束點尺寸變更為70μm、將上層布線寬度方向的射束點尺寸變更為90μm，以脈沖形式分多次進行激光照射，形成修復(fù)區(qū)域14，除此之外與實施例1相同地進行了修復(fù)工序。獲得的修復(fù)區(qū)域14的尺寸為，下層布線寬度方向的最大寬度Run為60μm、上層布線寬度方向的最大寬度Rov為80μm。
如此，通過在修復(fù)工序剛開始時，使射束點尺寸為80μm×100μm，中途變更為70μm×90μm，與實施例1相比，更加提高了抑制上層布線端部產(chǎn)生的布線材料的凸起的效果。因此，能夠更好地抑制雜散發(fā)射的產(chǎn)生。
實施例4用與實施例1相同的射束點尺寸(80μm×100μm)，分多次進行激光照射，且使其具有與實施例2相同的輸出分布，進而中途像實施例3那樣變更尺寸(70μm×90μm)進行修復(fù)工序。結(jié)果，獲得的修復(fù)區(qū)域14的尺寸為55μm×75μm。
在本發(fā)明中，通過將激光射束的輸出分布和尺寸變更組合，與實施例2和3相比，更加提高了抑制上層布線端部產(chǎn)生的布線材料的凸起的效果。因此，能夠更好地抑制雜散發(fā)射的產(chǎn)生。
實施例5對于與實施例1一樣地制作的矩陣布線的短路部分，利用機械切削方法進行了修復(fù)工序。具體是，用與通常作為辦公用品使用的裁紙刀相同且尖部更加鋒利的刀具切削去除上層布線12的短路部分，使修復(fù)區(qū)域14的下層布線寬度方向的最大寬度Run成為100μm左右、上層布線寬度方向的最大寬度Rov成為100μm左右。結(jié)果，可以有效地形成修復(fù)區(qū)域14。
實施例6用刀具切削去除按實施例1那樣制作的矩陣布線的短路部分之后，再對修復(fù)區(qū)域14的邊界部分的邊沿的微小凸起照射將射束寬度的尺寸調(diào)整為比用刀具進行的修復(fù)區(qū)域大一圈的激光，一邊去除上層布線12的一部分，一邊用熱對該凸起的前端倒圓。結(jié)果，獲得了邊沿被倒圓的、尺寸約為100μm×100μm的修復(fù)區(qū)域14。因此，能夠更好地抑制雜散發(fā)射的產(chǎn)生。
實施例7如圖4所示，除了下層布線10的寬度Wun為380μm、上層布線12的寬度Wov為50μm，即布線寬度與實施例1的相反之外，與實施例1相同地制作矩陣布線，對短路部分實施與實施例1-4、實施例6相同的修復(fù)工序，使Run成為420μm、Rov成為30μm。結(jié)果，都獲得了與各實施例相同的良好的修復(fù)區(qū)域14，可以抑制雜散發(fā)射的產(chǎn)生。
實施例8如圖5、圖6所示，制作下層布線10的寬度Wun為50μm、上層布線12的寬度Wov為380μm、下層布線10與上層布線12構(gòu)成30度角的矩陣布線，對短路部分實施與實施例1-4、實施例6相同的修復(fù)工序，使Run至少大于等于50μm、成為70μm左右，使Rov至少小于等于380μm、成為120μm左右。結(jié)果，都獲得了與各實施例相同的良好的修復(fù)區(qū)域14，可以抑制雜散發(fā)射的產(chǎn)生。
權(quán)利要求
1.一種電子源的制造方法，該電子源具有多條上層布線、隔著絕緣層與上述上層布線交叉的多條下層布線以及分別與上述上層布線和上述下層布線連接的多個電子發(fā)射元件，所述制造方法的特征在于，包括在基板上形成上述下層布線、上述絕緣層、上述上層布線的工序，以及在該形成工序之后去除包含上述下層布線與上述上層布線的交叉部分的上述兩條布線的短路部分的、上述上層布線的一部分區(qū)域的工序，其中，上層布線被去除的上述一部分區(qū)域在上述下層布線的寬度方向超出該下層布線的兩個邊、在上述上層布線的寬度方向至少沒有超出該上層布線的一個邊。
2.如權(quán)利要求1所述的電子源的制造方法，其中，所述去除上層布線的一部分區(qū)域的工序包括對該一部分區(qū)域進行激光照射。
3.如權(quán)利要求2所述的電子源的制造方法，其中，所述激光照射分多次進行。
4.如權(quán)利要求2所述的電子源的制造方法，其中，所述激光照射的射束點的外周部分比內(nèi)側(cè)部分的輸出小。
5.如權(quán)利要求2所述的電子源的制造方法，其中，在進行所述激光照射期間，至少變更一次照射激光的射束點。
6.如權(quán)利要求1所述的電子源的制造方法，其中，所述去除上層布線的工序是機械切削工序。
7.如權(quán)利要求1所述的電子源的制造方法，其中，所述去除上層布線的工序是機械切削之后進行激光照射的工序。
8.一種圖像顯示裝置的制造方法，該圖像顯示裝置具備電子源和發(fā)光部件，所述電子源具有多條上層布線、隔著絕緣層與上述上層布線交叉的多條下層布線以及具有在上述上層布線和下層布線的各個交點與各布線連接的元件電極的電子發(fā)射元件；所述發(fā)光部件通過從上述電子發(fā)射元件發(fā)射的電子的撞擊而發(fā)光，上述制造方法的特征在于利用權(quán)利要求1-7中任意一項所述的電子源的制造方法制造上述電子源。
全文摘要
一種電子源的制造方法，該電子源利用矩陣布線電連接多個電子發(fā)射元件而進行驅(qū)動，通過部分切除矩陣布線的交叉部分的短路部分上的上側(cè)布線來去除短路部分，可高效率地修復(fù)電連接關(guān)系。
文檔編號H01J9/00GK1652285SQ20051000781
公開日2005年8月10日 申請日期2005年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月2日
發(fā)明者宇田芳己, 石渡和也 申請人:佳能株式會社