專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示板(PDP)，具體地說，涉及具有改進(jìn)了發(fā)光效率的等離子顯示板。
背景技術(shù)：
類似于在日本專利公開號為1998-172442文獻(xiàn)中所公開的等離子顯示板(PDP)，包括下襯底，彼此平行設(shè)置在下襯底上表面上的尋址電極，覆蓋該尋址電極的下介電層，形成在下介電層上的障壁，形成在下介電層上表面上以及障壁側(cè)壁上的熒光層，與下襯底平行設(shè)置的上襯底，設(shè)置在上襯底下表面上的維持放電電極對，覆蓋維持放電電極對的上介電層，以及覆蓋上介電層的保護(hù)層。維持放電電極對包括X電極和Y電極，并且X電極包括總線電極和透明電極，Y電極包括總線電極和透明電極。
在該PDP中，用一個維持放電電極對和兩個相鄰的障壁來確定一個次像素。通過在尋址電極和Y電極之間的尋址放電，來選擇出用于發(fā)光的次像素，并通過在所選次像素的X電極和Y電極之間發(fā)生維持放電，而使次像素發(fā)光。更具體的，在維持放電期間，填充在該次像素中的放電氣體發(fā)射出紫外線，并且該紫外線激發(fā)熒光層發(fā)射出可見光。由熒光層所發(fā)射出的光在PDP上顯示出圖像。
為了增強PDP的光發(fā)射效率，用于產(chǎn)生維持放電的空間必須足夠大從而可激發(fā)放電氣體，熒光層的表面面積必須寬，并且阻礙熒光層發(fā)射出可見光的結(jié)構(gòu)必須最小化。
然而，在該PDP中，用于產(chǎn)生放電的空間很小，因為維持放電僅在臨近于保護(hù)層的X電極和Y電極之間的空間中發(fā)生，而熒光層的表面面積也不是特別寬，并且透過上襯底的可見光大約減少到僅是由熒光層所發(fā)射出光的60％，因為保護(hù)層、上介電層、透明電極以及總線電極可對由螢光層所發(fā)射出的可見光進(jìn)行吸收和反射。
為了增加熒光層的表面面積，如圖2中所示，在次像素中形成有中央障壁，并且也可在該中央障壁的側(cè)表面上形成有熒光層。然而，我們發(fā)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)并不是預(yù)期的，因為中央障壁會妨礙X電極和Y電極之間的維持放電。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的一個目的是提供一種改善了光發(fā)射效率的等離子顯示板。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種等離子顯示板(PDP)可包括上襯底；下襯底，其與上襯底平行設(shè)置；多個上障壁，由設(shè)置在上襯底和下襯底之間的電介質(zhì)材料層構(gòu)成，上障壁與上襯底和下襯底一起確定出放電單元；多個上放電電極，設(shè)置在上障壁中以包圍放電單元；多個下放電電極，其與上放電電極分離并且設(shè)置在上障壁中以包圍放電單元；多個下障壁，設(shè)置在上障壁和下襯底之間；多個中央障壁，設(shè)置在放電單元中；多個熒光層，形成在下障壁側(cè)表面和中央障壁側(cè)表面之間；和填充在放電單元中的放電氣體。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，PDP可包括上襯底；下襯底，其與上襯底平行設(shè)置；多個上障壁，由設(shè)置在上襯底和下襯底之間的電介質(zhì)材料構(gòu)成，上障壁與上襯底和下襯底一起確定出放電單元；多個上放電電極，設(shè)置在上障壁中以包圍放電單元；多個下放電電極，其與上放電電極分離并且設(shè)置在上障壁中以包圍放電單元；多個下障壁，設(shè)置在上障壁和下襯底之間；熒光層，在其上形成有多個用于增加表面面積、并設(shè)置在放電單元內(nèi)的突起；和填充在放電單元中的放電氣體。
根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，提供了改善了光發(fā)射效率的PDP。
并且，另一方面，提供一種PDP，其易于排出雜質(zhì)氣體并易于填充放電氣體。
另一方面，還提供一種通過降低尋址電壓而改善了光發(fā)射效率的PDP。


通過參考附圖而對其實施例的詳細(xì)描述，可表現(xiàn)出本發(fā)明的上述和其他特征以及優(yōu)點，其中圖1是等離子顯示板(PDP)切去一部分后的分解斜視圖；圖2是沿圖1中剖面線II-II所形成的橫截面圖，以顯示中央障壁的布置；圖3是本發(fā)明第一實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖4A是沿圖3中剖面線IV-IV所形成的局部橫截面圖；圖4B是從圖4A的橫截面圖抽出的更詳細(xì)的圖；圖5是表示在圖3所示PDP中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖；圖6是第一實施例的第一改進(jìn)方案的橫截面圖；圖7是表示在第一實施例的第一改進(jìn)方案中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖；圖8是第一實施例的第二改進(jìn)方案的橫截面圖；圖9是表示在第一實施例的第二改進(jìn)方案中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖11是沿圖10中剖面線XI-XI所形成的局部橫截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖13是沿圖12中剖面線XIII-XIII所形成的局部橫截面圖；圖14是表示在圖12所示PDP中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖；
圖15是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的改進(jìn)方案的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖16A是沿圖15中剖面線XVI-XVI所形成的局部橫截面圖；圖16B是從圖16A的橫截面圖抽出的更詳細(xì)的圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖18是沿圖17中剖面線XVIII-XVIII所形成的局部橫截面圖；圖19是表示在圖17所示PDP中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖21是沿圖20中剖面線XXI-XXI所形成的局部橫截面圖；圖22是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖23是沿圖22中剖面線XXIII-XXIII所形成的局部橫截面圖；具體實施方式
圖1是等離子顯示板(PDP)切去一部分后的分解斜視圖；圖2是沿圖1中剖面線II-II所形成的橫截面圖。
參考圖1，PDP100包括下襯底121，彼此平行設(shè)置在下襯底121上表面121a上的尋址電極122，覆蓋該尋址電極122的下介電層123，形成在下介電層123上的障壁124，形成在下介電層123上表面上以及障壁124側(cè)壁128上的熒光層125，與下襯底121平行設(shè)置的上襯底111，設(shè)置在上襯底111下表面上的維持放電電極對114，覆蓋維持放電電極對114的上介電層115，以及覆蓋上介電層115的保護(hù)層116。維持放電電極對114包括X電極112和Y電極113，并且X電極112包括總線電極112a和透明電極112b，Y電極113包括總線電極113a和透明電極113b。
在該PDP中，用一個維持放電電極對114和兩個相鄰的障壁124來確定一個次像素。通過在尋址電極122和Y電極113之間的尋址放電，來選擇出用于發(fā)光的次像素，并通過在所選次像素的X電極112和Y電極113之間發(fā)生維持放電，而使次像素發(fā)光。更具體的說，在維持放電期間，填充在該次像素中的放電氣體發(fā)射出紫外線，并且該紫外線激發(fā)熒光層125發(fā)射出可見光。由熒光層125所發(fā)射出的光在PDP100上顯示出圖像。
為了增強PDP的光發(fā)射效率，用于產(chǎn)生維持放電的空間必須足夠大從而可激發(fā)放電氣體，熒光層的表面面積必須寬，并且阻礙熒光層發(fā)射出可見光的結(jié)構(gòu)必須最小化。
然而，在該PDP100中，用于產(chǎn)生放電的空間很小，因為維持放電僅在臨近于保護(hù)層116的X電極112和Y電極113之間的空間中發(fā)生，而相應(yīng)的熒光層125的表面面積也不是特別寬，并且透過上襯底111的可見光大約是由熒光層所發(fā)射出光的60％，這是因為保護(hù)層116、上介電層115、透明電極112b、113b以及總線電極112a、113a可對由熒光層125所發(fā)射出的可見光進(jìn)行吸收和反射。
如圖2中所示，為了增加熒光層125的表面面積，在次像素中形成有中央障壁126，并且也可在該中央障壁126的側(cè)表面128上形成熒光層125。然而，我們發(fā)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)并不是希望的，因為中央障壁126會妨礙X電極112和Y電極113之間由弧形箭頭表示的維持放電。
通過參考在其中表示出了本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明進(jìn)行更為完整地描述。
參考圖3到5對第一實施例進(jìn)行描述。
圖3是本發(fā)明第一實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖4是沿圖3中剖面線IV-IV所形成的局部橫截面圖；圖5是表示在圖3所示PDP中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖。
根據(jù)第一實施例的PDP200包括上襯底211；下襯底221，其位于與上襯底所在平面平行的平面上；多個上障壁215，從上襯底211的下表面向下延伸；嵌入每個上障壁215的上放電電極213和下放電電極212；多個下障壁224，從下襯底221朝著對應(yīng)的上障壁215向上延伸；中央障壁227，與相鄰的下障壁224間隔并設(shè)置在中央；熒光層225；以及放電氣體，其填充在上襯底211下表面211a和熒光層225之間的空間。下障壁224與上障壁215對齊，確定出每個放電單元226的內(nèi)部空間。
將下襯底221設(shè)置在與上襯底211所在平面平行的平面上，并且下襯底221和上襯底211都是由例如玻璃的透明材料構(gòu)成的。如圖1和2所示的維持放電電極對114和如圖1和2所示用于覆蓋該維持放電電極對114的上介電層115都不被設(shè)置在限定出放電單元226的上襯底211下表面211a上。從而，熒光層225所發(fā)射的超過80％的可見光可透過上襯底211，其后將對此進(jìn)行描述。
在上襯底211下表面211a上形成上障壁215，該上障壁215由電介質(zhì)構(gòu)成，并與上襯底211和下襯底221一起確定出放電單元226。在圖5中，以矩陣形狀排列放電單元226，但是本發(fā)明并不局限于此，也可將放電單元226排列成金字塔形。而且，在圖3中，放電單元226的橫截面是矩形的，但是本發(fā)明并不局限于此，其橫截面可以是例如三角形或五角形的多邊形，或圓形，或橢圓形。在特定實施例中，放電單元226可具有不規(guī)則且不同的橫截面形狀。
上障壁215可由電介質(zhì)構(gòu)成，該電介質(zhì)可防止在彼此相鄰的上放電電極213和下放電電極212之間發(fā)生短路，也可防止當(dāng)維持放電電極212和213與帶電粒子碰撞時維持放電電極212和213發(fā)生損壞。該電介質(zhì)可以是PbO，B2O3，或SiO2。
再參考圖3和圖4，可通過保護(hù)層216覆蓋上障壁215?？赏ㄟ^淀積MgO層來形成該保護(hù)層216。當(dāng)?shù)矸e該保護(hù)層216時，可將該保護(hù)層216淀積在上障壁215下表面215c’上(參見圖4A、B)以及限定出放電單元226的上襯底211下表面211a上。形成在上障壁215下表面215c’上以及上襯底211下表面211a上的該保護(hù)層216不會對根據(jù)本實施例的PDP200的運行產(chǎn)生不利影響。而且，形成在上障壁215下表面215c’上以及上襯底211下表面211a上的該保護(hù)層216有利于二次電子的發(fā)射。
再參考圖4A、B以及圖3和圖5，包圍住放電單元226的上放電電極213和下放電電極212在上障壁215中彼此分離地設(shè)置。為了在上障壁215中設(shè)置上放電電極213和下放電電極212，在上襯底211下表面211a上形成第一上障壁層215a，在第一上障壁層215a上形成上放電電極213，在第一上障壁層215a上形成覆蓋上放電電極213的第二上障壁層215b，在第二上障壁層215b上形成下放電電極212，并可在第二上障壁層215b上形成覆蓋下放電電極212的第三上障壁層215c。如果需要的話，在特定實施例中，可將第一上障壁層215a、第二上障壁層215b和第三上障壁層215c都層疊為多于兩層，例如，為了制造厚層。
在上放電電極213和下放電電極212之間發(fā)生用于顯示圖像的維持放電。上放電電極213和下放電電極212可由例如鋁或銅的導(dǎo)電金屬構(gòu)成，并且其后將對其進(jìn)行描述的尋址電極222也可由導(dǎo)電金屬構(gòu)成。
如圖3所示，在根據(jù)本實施例的PDP200中，將上放電電極213，下放電電極212，和尋址電極222以如圖5中所示的方式對它們進(jìn)行排列，上放電電極213和下放電電極212具有梯子形狀的側(cè)板和橫檔，并且將尋址電極222設(shè)置在位于中央障壁227正下方處的下襯底221上表面221a上，以后將對中央障壁進(jìn)行描述。成對地形成上放電電極213和下放電電極212，并且它們在彼此平行方向中延伸。尋址電極222向與上放電電極213和下放電電極212的寬度交叉的方向延伸。電極的上述結(jié)構(gòu)使得上放電電極213和下放電電極212之一與尋址電極222之間發(fā)生放電，并在上放電電極213和下放電電極212之間發(fā)生放電。
由尋址放電和維持放電所操作的PDP的放電單元通常包括一對稱為X和Y電極的維持放電電極，以及尋址電極222。尋址放電是發(fā)生在Y電極和尋址電極222之間的放電。由此，在本實施例中，在將尋址電極222設(shè)置在上放電電極213和下放電電極212的下面的情況中，下放電電極212可以是Y電極。如果下放電電極212是Y電極，則上放電電極213可以是X電極。
在本實施例中，上放電電極213和下放電電極212包圍著放電單元226，不象常規(guī)的PDP設(shè)計中采用的維持放電電極112和113。因此，與常規(guī)設(shè)計相比，用于發(fā)生維持放電的空間相對比較大，因為沿著該放電單元226的周長發(fā)生維持放電。由此，根據(jù)本實施例的PDP的發(fā)光效率高于按照常規(guī)的PDP設(shè)計的PDP的發(fā)光效率。
在根據(jù)本實施例PDP200的放電單元226中，可減少在維持放電期間(如圖4A的弧形箭頭所示)發(fā)生的由帶電粒子所造成的向熒光層225上的離子濺射，這是因為維持放電僅發(fā)生在上部(即放電單元226接近于上襯底211的部分上)，由此，降低因為熒光層225衰退所產(chǎn)生的永久圖像粘結(jié)。
在中央障壁227和尋址電極222之間設(shè)置介電層223。通過將其覆蓋在尋址電極222上，介電層223可防止尋址電極222由于放電期間與帶電粒子碰撞所產(chǎn)生的損壞。介電層223可以由PbO、B2O3或SiO2構(gòu)成，因為介電層223必須是由可誘發(fā)帶電粒子的介電材料構(gòu)成。
在上障壁215和下襯底221之間設(shè)置下障壁224，更具體的說，是在上障壁215和介電層223之間。下障壁224確定出包括有紅色熒光材料的熒光層的區(qū)域、包括有藍(lán)色熒光材料的熒光層的區(qū)域以及包括有綠色熒光材料的熒光層的區(qū)域。
下障壁224不必具有與上障壁215相同的形狀。如圖3中所示，在本實施例中，下障壁224具有連續(xù)的條狀，該形狀具有在PDP制造處理中易于使雜質(zhì)氣體排放并易于填充放電氣體到放電單元226的優(yōu)點。
雖然上障壁215和下障壁224具有不同的形狀，但是可將它們形成一體。在圖3中，在上襯底211下表面211a上形成上障壁215，并在介電層223上形成下障壁224，但是也可在上障壁215的下表面215c’上形成該下障壁224(如圖4A、B)。然而，在后面的這種結(jié)構(gòu)中，下障壁224具有朝向下方的錐形，而不像圖3中所示的倒錐形。作為參考，一體地形成上障壁215和下障壁224并不意味著在單一處理步驟中同時形成它們，而是意味著若不執(zhí)行附加步驟，如使上障壁215和下障壁224沿著下表面215c’分開的步驟，它們就不會分離。
再參考圖4A、B，在放電單元226中設(shè)置中央障壁227，更具體的說，是在放電單元226的中心部分設(shè)置中央障壁227。中央障壁227的高度H1不低于下障壁224的高度H2，并至少不低于上放電電極213的高度H3。在圖2中所示的PDP中，如果在次像素中設(shè)置中央障壁126，則中央障壁126就會不希望地阻礙形成在維持放電電極112和113之間的放電路徑。然而，在本實施例中，將不會阻礙形成在維持放電電極213和212之間的放電路徑，因為將維持放電電極213和212設(shè)置在了放電單元226的旁邊。即，維持放電電極213和212都限制在放電單元226周圍。因而，沒有中央障壁會阻礙維持放電電極213和212的相鄰部分間的路徑。
在每個放電單元226中形成熒光層225，更具體的說，在介電層223的上表面223a上、在下障壁224側(cè)表面224a上以及中央障壁227側(cè)表面227a上。通過涂覆熒光膏后對其進(jìn)行干燥和烘烤而形成該熒光層225，其中將用于發(fā)射紅光的熒光材料、用于發(fā)射藍(lán)光的熒光材料、用于發(fā)射綠光的熒光材料混合在溶劑中，并粘結(jié)在介電層223的上表面223a上、在下障壁224側(cè)表面224a上以及中央障壁227側(cè)表面227a上。用于發(fā)射紅光的熒光材料可以是Y(V，P)O4:Eu，用于發(fā)射藍(lán)光的熒光材料可以是BAM:Eu，用于發(fā)射綠光的熒光材料可以是Zn2SiO4:Mn，和YBO3:Tb。
首先，可以了解在本實施例中，熒光層225的表面面積是足夠?qū)拸V的，因為不僅在下障壁224側(cè)表面224a上形成有熒光層225，在中央障壁227側(cè)表面227a上也形成有熒光層225。由此，充分增加了用于通過接受由放電氣體所產(chǎn)生的紫外線而發(fā)射出可見光的總面積，在后面將對此進(jìn)行描述。其次，形成在中央障壁227側(cè)表面227a上的熒光層225可接受大量的紫外線，因為側(cè)表面227a鄰近放電空間(參見圖4A、B中箭頭所示圓形抽出部分)，從而發(fā)射出大量的可見光。上述兩個情況可顯著增加PDP200的發(fā)光效率。
如果中央障壁227的高度H1不低于上放電電極213的高度H3，則可將激發(fā)熒光層225的熒光材料的紫外線數(shù)量最大化，因為該紫外線主要是響應(yīng)填充在最鄰近于上放電電極213和下放電電極212的每個單元226空間中的放電氣體而射出的。
將放電氣體填充在每個放電單元226形成的空間中。放電氣體可以是包括5-15％Xe的Ne-Xe混合氣體，但如果需要的話，可用He替代一部分Ne。
以下對PDP200的運行進(jìn)行描述。通過在尋址電極222和下放電電極212之間提供尋址電壓Va而在它們之間發(fā)生尋址放電，并對其中可發(fā)生維持放電的放電單元226進(jìn)行選擇，作為尋址放電的結(jié)果。放電單元226的選擇表示在上障壁215上(如果由保護(hù)層216覆蓋該上障壁215，則在該保護(hù)層216上)壁電荷的積蓄，以便可在鄰近于上放電電極213和下放電電極212的區(qū)域上發(fā)生放電(如圖4的弧形箭頭所示)。當(dāng)發(fā)生尋址放電時，與下放電電極212鄰近的區(qū)域上積蓄陽離子，在接近于上放電電極213的區(qū)域上積蓄電子。
在尋址放電停止之后，當(dāng)在所選擇的放電單元226中的下放電電極212和上放電電極213之間提供維持放電電壓Vs時，通過積蓄在與下放電電極212鄰近的區(qū)域上的陽離子與積蓄在接近于上放電電極213的區(qū)域上的電子進(jìn)行碰撞，而發(fā)生維持放電。當(dāng)維持放電繼續(xù)時，在下放電電極212和上放電電極213之間重復(fù)地提供反向的維持放電電壓Vs。
通過維持放電來增加放電氣體的能級，并通過放電氣體使紫外線發(fā)射，從而將放電氣體已增加的能級降低到維持放電之前的能級。紫外線增加了包含在設(shè)置在相應(yīng)放電單元226內(nèi)的熒光層225中熒光材料的能級，并當(dāng)熒光材料的能級相應(yīng)減少時發(fā)射出可見光。通過由放電單元226發(fā)射出的可見光，在PDP200上顯示彩色可見圖像。
參考圖6和7對第一實施例的第一改進(jìn)方案進(jìn)行描述。
圖6是第一實施例的第一改進(jìn)方案的橫截面圖；圖7是表示在第一實施例的第一改進(jìn)方案中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖。
第一實施例的第一改進(jìn)方案與第一實施例的一個主要區(qū)別在于設(shè)置在放電單元226中的每個尋址電極322具有兩個大致平行且電連接的次尋址電極322a和322b，并且將每個次尋址電極322a和322b均設(shè)置在下襯底221上表面221a上，其中，次尋址電極322a和322b中的一個橫檔定位在中央障壁227與下障壁324之間。尋址電極322嵌入介電層223。
尋址電極322與下放電電極212一起發(fā)生尋址放電。由此，當(dāng)將尋址電極322的322a和322b中的一個橫檔設(shè)置在每個中央障壁227與相鄰下障壁324之間的下襯底221上表面221a上，相對于將尋址電極322直接設(shè)置在中央障壁227正下面時，可改善尋址放電。
可通過側(cè)板或第一連接部件322c對兩個次尋址電極322a和322b進(jìn)行連接。第一連接部件322c可預(yù)防次尋址電極322a和322b由于在制造期間所發(fā)生的固定失敗而產(chǎn)生的斷開問題，以及由于局部中斷、不規(guī)則或該次尋址電極322a、322b的不均勻結(jié)構(gòu)而造成的在次尋址電極322a、322b之間產(chǎn)生電壓不均勻的問題。在圖7中，將第一連接部件322c設(shè)置在放電單元226的外面，但是也可將該第一連接部件322c設(shè)置在放電單元226內(nèi)。
在第一改進(jìn)方案中未說明的那些部件大體與在第一實施例的上述說明中描述和圖示的對應(yīng)部件相同。
參考圖8和9對第一實施例的第二改進(jìn)方案進(jìn)行描述。
圖8是第一實施例的第二改進(jìn)方案的橫截面圖；圖9是表示在第一實施例的第二改進(jìn)方案中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖。
第一實施例的第二改進(jìn)方案與第一實施例的主要區(qū)別在于將尋址電極422嵌入上障壁215中，并且該尋址電極422包括與下放電電極212和上放電電極213分離的大致平行的兩個次尋址電極422a和422b或橫檔。
兩個次尋址電極422a和422b嵌入每一個上障壁215，使這兩個次尋址電極422a和422b對應(yīng)于安置在每個放電單元226的相對側(cè)的不同上障壁215上的尋址電極422。
下放電電極212和上放電電極213發(fā)生尋址放電。由此，當(dāng)將尋址電極422如在第二改進(jìn)方案中般的嵌入上障壁215中，而不是將尋址電極422設(shè)置在中央障壁227正下面時，可改善尋址放電的可靠性。
可通過第二連接部件422c對兩個次尋址電極422a和422b進(jìn)行連接，使得在對應(yīng)行的每個尋址電極422有效環(huán)繞在所有放電單元的周圍，如圖9所示。第二連接部件422c可解決次尋址電極422a和422b由于固定失敗而產(chǎn)生的斷開問題，在制造期間為防止由該次尋址電極422a和422b的結(jié)構(gòu)不均勻和不規(guī)則而造成的在次尋址電極422a和422b之間的電壓不均勻發(fā)生時，可發(fā)生上述固定失敗。并且，根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，通過控制次尋址電極422a、422b、422c與放電單元226的壁之間的距離，可沿著圍繞放電單元226的四個連續(xù)表面發(fā)生尋址放電。
在圖8和9中，將尋址電極422設(shè)置在上放電電極213的上面，但也可將該尋址電極422設(shè)置在下放電電極212的下面。如果是將尋址電極422設(shè)置在上放電電極213的上面時，可在尋址電極422和上放電電極213之間發(fā)生尋址放電。另一方面，當(dāng)將尋址電極422設(shè)置在下放電電極212的下面時，可在下放電電極212和尋址電極422之間發(fā)生尋址放電。然而，為了均勻地對大量填充在放電單元226中的放電氣體進(jìn)行激發(fā)，將尋址電極422設(shè)置在上放電電極213的上面是有利的，因為預(yù)期的是將上放電電極213和下放電電極212定位在放電單元226中心的垂直方向中。無論怎樣設(shè)置該尋址電極422，尋址電極422都是與上放電電極213和下放電電極212分離并電絕緣的。
在第二改進(jìn)方案的上述說明中未完全說明的那些部件與在第一實施例中的部件大致相同。
現(xiàn)在將對第一實施例的第三改進(jìn)方案進(jìn)行描述。第一實施例的第三改進(jìn)方案與第一實施例的主要區(qū)別在于在第三改進(jìn)方案中沒有尋址電極222。并不需要具有尋址電極422來發(fā)生放電，因為在任何特定的放電單元226中，兩個放電電極可發(fā)生發(fā)電。
當(dāng)沒有尋址電極222時，上放電電極213在一個方向中延伸，下放電電極212與上放電電極213垂直交叉地延伸。也不需要具有介電層223，因為這里并沒有尋址電極222。由此，在下襯底221上表面221a上形成下障壁224，并在下障壁224側(cè)表面224a、中央障壁227側(cè)表面227a和下襯底221上表面221a上形成熒光層225。
在第三改進(jìn)方案的上述說明中未完全說明的那些部件與在第一實施例中的部件大致相同。
參考圖10和11，將對本發(fā)明第二實施例與第一實施例的主要區(qū)別進(jìn)行描述。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖11是沿圖10中剖面線XI-XI所形成的局部橫截面圖。
第一和第二實施例之間的區(qū)別在于，第二實施例的結(jié)構(gòu)中形成具有與上障壁215相同圖案的下障壁524。參看圖10，上障壁215在水平方向中確定出封閉空間，并且本實施例中的下障壁524也在水平方向中確定出封閉空間。在該實施例中，增加了下障壁524側(cè)表面524a的面積，并由此相應(yīng)增加了熒光層225的面積。結(jié)果，也增加了由放電單元226所發(fā)射出的可見光的數(shù)量，由此改善了PDP500的發(fā)光效率。
在本實施例中，可將上障壁215和下障壁524作為單塊集成電路一體形成，或，也可以分別獨立地形成。當(dāng)分別形成上障壁215和下障壁524時，可在上障壁215和下障壁524之間設(shè)置隔離物528。通過隔離物528維持上障壁215和下障壁524之間具有一定間隔，使在PDP制造處理期間易于排出雜質(zhì)和氣體及填充放電氣體。在圖10中，在下障壁524上形成隔離物528，也可在上障壁215下表面215c’上形成該隔離物528。
當(dāng)將上障壁215和下障壁524以相同圖案形成為一體時，很難確定出上障壁215與下障壁524之間的分界線。如果是這種情況，將從上障壁215和下障壁524之間所選擇的集成障壁215、524的高度的中點視為任意的分界線的平面。
也可根據(jù)對第一實施例的修改來對第二實施例進(jìn)行改進(jìn)。在第二實施例的上述說明中未完全描述的那些部件與在第一實施例中的相應(yīng)部件大致相同。
參考圖12到14，將對本發(fā)明第三實施例與第一、第二實施例的主要區(qū)別進(jìn)行描述。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖13是沿圖12中剖面線XIII-XIII所形成的局部橫截面圖；圖14是表示在圖12所示PDP中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖。
在第三實施例中，中央障壁627的高度H1基本上等于下障壁224的高度H2。并且，上障壁615與上襯底211和下襯底221一起確定出有序陣列的分立的放電單元226，其中該上障壁615包括第一延伸壁615a和與第一延伸壁615a傾斜交叉的第二延伸壁615b。上障壁615和下障壁224由設(shè)置在上襯底211和下襯底221之間的電介質(zhì)材料構(gòu)成，更具體的，是在上襯底211下表面211a上。在圖12中，以正交陣列矩陣形狀排列放電單元226，但并不局限于此，也可以三角形狀對其進(jìn)行排列。
在PDP的常規(guī)設(shè)計中，在執(zhí)行了為形成上襯底111的處理以及為形成下襯底121的單獨的處理之后，由于將不同元件設(shè)置在上襯底111的下表面111a和下襯底121的上表面221a上，必須對兩個襯底111和121進(jìn)行密封。然而，當(dāng)與下襯底221一起將上障壁615和下障壁224一體形成為單塊集成電路時，并不需要用于形成上襯底211的處理步驟，由此，簡化了形成PDP的處理步驟。
中央障壁627可在尋址電極622的方向中延伸，即，平行于下障壁224且與其分離，并平行于第一延伸壁615a，因為所有的中央障壁627通過擴(kuò)大熒光層225的表面面積來增加發(fā)光效率，將在后面對此進(jìn)行描述，并且該中央障壁627的放置必須保護(hù)尋址電極622的放電單元622a使之免于離子濺射導(dǎo)致的損壞。
參考圖13，將尋址電極622的放電單元622a設(shè)置在中央障壁627中。參考圖14，尋址電極622包括嵌入中央障壁627中的放電單元622a和水平連接部件622b，該水平連接部件622b橫穿于上障壁的壁615b之下并連接放電單元226之下的放電單元622a，并且沿著與上放電電極213和下放電電極212的長度和橫檔213a、212a垂直交叉的方向延伸。
尋址電極622的放電單元622a與下放電電極212一起發(fā)生尋址放電。由此，尋址電極622的放電單元622a設(shè)置成與下放電電極212越接近，尋址電壓Va的幅度降低得越多。低的尋址電壓可有效降低功耗，使發(fā)光效率提高。由此，希望將放電單元622a設(shè)置在中央障壁627的上部中，并如果是這樣，放電單元622a的高度H4可滿足以下不等式，H4＞(H/2)。
在本實施例的實踐中，因為將尋址電極622嵌入中央障壁627中，所以在常規(guī)PDP中所含有的下介電層123在此是不必要有的。
在放電單元226中設(shè)有熒光層225，更具體的，是在中央障壁227側(cè)表面227a上以及下障壁224側(cè)表面224a上?？稍谙乱r底221上表面221a上形成熒光層225，但當(dāng)將下障壁224和中央障壁227彼此太靠近地設(shè)置時，也可不形成該熒光層225。
在第三實施例的上述說明中未完全描述的那些元件與在第一實施例中的元件大致相同。
參考圖15和16A、16B，將對本發(fā)明第三實施例的改進(jìn)方案與第三實施例的主要區(qū)別進(jìn)行描述。
圖15是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的改進(jìn)方案的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖16A、16B是沿圖15中剖面線XVI-XVI所形成的局部橫截面圖。
第三實施例的改進(jìn)方案與第三實施例的主要區(qū)別在于在第二延伸壁615b和下襯底221之間設(shè)置有輔助障壁728，更具體的說，輔助障壁728形成于下襯底221上表面221a上，并在輔助障壁728側(cè)表面上形成熒光層225。由于在輔助障壁728側(cè)表面上形成有熒光層225使熒光層225的表面面積更寬，從而增加了可見光的發(fā)射，由此相應(yīng)地改善PDP的發(fā)光效率。
當(dāng)將輔助障壁728的高度設(shè)計成與下障壁224的高度一致時，無需用于形成該輔助障壁728的附加處理步驟，因為可與下障壁224同時形成該輔助障壁728?？蓪⑾抡媳?24、中央障壁627和輔助障壁728形成在一個單塊集成電路上。
可單獨形成上障壁215的第一延伸壁615a和下障壁224。當(dāng)單獨形成第一延伸壁615a和下障壁224時，也可單獨形成第二延伸壁615b和輔助障壁728，并且當(dāng)將第一延伸壁615a和下障壁224形成為一體時，也可將第二延伸壁615b和輔助障壁728形成在一個單塊集成電路上。
圖15和16A、16B中所示的改進(jìn)方案是單獨形成第一延伸壁615a和下障壁224而形成的結(jié)構(gòu)(即當(dāng)單獨形成第二延伸壁615b和輔助障壁728時)。在這個結(jié)構(gòu)中，可在第一延伸壁615a和下障壁224之間或在第二延伸壁615b和輔助障壁728之間設(shè)置隔離物729。通過隔離物729確保在上障壁215和下障壁224之間具有一定間隔，使在PDP制造處理中易于排出雜質(zhì)氣體及填充放電氣體。在圖15中，在下障壁224上形成該隔離物729，也可在上障壁615下表面615c’上形成該隔離物729。
當(dāng)將第一延伸壁615a和下障壁224形成在單塊集成電路(以及將第二延伸壁615b和輔助障壁728形成在單塊集成電路)時，沒有隔離物729，并在下障壁224上形成第一延伸壁615a，在輔助障壁728上形成第二延伸壁615b。在這種結(jié)構(gòu)中，第一延伸壁615a和第二延伸壁615b的橫截面為收縮形狀，即，隨著延伸壁615a、615b到下襯底221的距離的增加，第一延伸壁615a和第二延伸壁615b的上部逐漸變窄，不像圖15和16A、16B中所示結(jié)構(gòu)那樣。在這些結(jié)構(gòu)中，很難精確確定出上障壁215與下障壁224之間或第二延伸壁615b與輔助障壁728之間的分界線。在這些結(jié)構(gòu)中，可在由第一延伸部件延伸壁615a和下障壁224一體形成的障壁的高度中點，以及由第二延伸壁615b和輔助障壁728一體形成的障壁的高度中點來選擇性地劃分第二延伸部件延伸壁615b和輔助障壁728。
在第三實施例的改進(jìn)方案中未完全描述的那些元件與在第三實施例的上述說明和圖示中的元件大致相同。
參考圖17到19，將對本發(fā)明第四實施例與第三實施例的主要區(qū)別進(jìn)行描述。
圖17是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖18是沿圖17中剖面線XVIII-XVIII所形成的局部橫截面圖；圖19是表示在圖17所示PDP中的電極結(jié)構(gòu)的局部斜視圖。
第三和第四實施例的一個區(qū)別在于中央障壁827的高度H1不低于下放電電極212的高度H5。
如果增加中央障壁827的高度H1，則可相應(yīng)增加形成在中央障壁827側(cè)表面827a上的熒光層225的表面面積，由此改善發(fā)光效率。并且，當(dāng)中央障壁827的高度H1接近于上放電電極213的高度時，由于由填充在與上放電電極213和下放電電極212鄰近的放電單元空間內(nèi)的放電氣體集中地發(fā)射出紫外線，從而可最大限度地激發(fā)磷。
圖18顯示尋址電極的放電單元822a的高度H4等于下放電電極212的高度H5，但是當(dāng)在尋址電極的放電單元822a和下放電電極212之間發(fā)生尋址放電時，該結(jié)構(gòu)是適合的。而當(dāng)在尋址電極822的放電單元822a和上放電電極213之間發(fā)生尋址放電時，希望使尋址電極822的放電單元822a的高度H3等于上放電電極213的高度H6。
如果增加中央障壁827的高度H1，則可將尋址電極822的放電單元822a設(shè)置在比在第三實施例中更高的位置處(即離下襯底211更遠(yuǎn))。由此，尋址電極822的放電單元822a的高度H4可與下放電電極212的高度H5或上放電電極213的高度H6相等。該結(jié)構(gòu)中，減少了用于尋址放電的距離，從而進(jìn)一步降低了尋址電壓Va，這可相應(yīng)使功耗降低并提高發(fā)光效率。
如圖17、18所示，可將位于放電單元226中的中央障壁827的一部分延伸到更高的高度H1，其高于上障壁215的最低處的下表面615c’高度H2，而上障壁215位于放電單元226之外的其他部分不可延伸到高于上障壁215下表面615c’高度，以便接納第二延伸壁615b的最低部分。由此，沿著中央障壁827位于放電單元226之外的上部分而形成凹陷部件凹部827b，該凹部827b可將上障壁615的第二延伸壁615b的最低部分接納到其中。
參考圖17、18、19，當(dāng)尋址電極822的放電單元822a的高度H4高于上障壁215下表面615c’的高度H2時，必須將電連接該放電單元822a的水平連接部件822b設(shè)置在低于上障壁215下表面615c’的高度H2的位置。在這種情況下，通過垂直連接部件822c對放電單元822a和水平連接部件822b進(jìn)行電連接，并將該垂直連接部件822c設(shè)置在中央障壁827的部分中，其中中央障壁827建立在放電單元226中，如圖19所示。
也可如對第三實施例的修改一樣，對第四實施例進(jìn)行改進(jìn)。在第四實施例中未完全描述的那些元件與在第三實施例中的相應(yīng)元件大致相同。
參考圖20和21，將對本發(fā)明第五實施例與在前實施例的主要區(qū)別進(jìn)行描述。
圖20是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖21是沿圖20中剖面線XXI-XXI所形成的局部橫截面圖。
本實施例與在前實施例的一個區(qū)別在于中央障壁927的高度H1可低于下障壁224的高度H2。
因為淀積在中央障壁927側(cè)表面927a上的熒光層225的有效表面面積更大，因而可改善PDP的光反射效率。并且，因為中央障壁927的高度很低，中央障壁927基本上沒有設(shè)置在放電單元226的發(fā)生集中放電的部分。由此，因為降低了在等離子放電期間減少產(chǎn)生粒子的空間的可能性，可在放電單元226的空間內(nèi)可流暢地發(fā)生等離子放電。
在第五實施例中未完全描述的那些元件與在前實施例中的相應(yīng)元件大致相同。
參考圖22和23，將對本發(fā)明第六實施例與在前實施例的主要區(qū)別進(jìn)行描述。
圖22是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的PDP的切去一部分后的分解斜視圖；圖23是沿圖22中剖面線XXIII-XXIII所形成的局部橫截面圖。
本實施例與在前實施例的一個區(qū)別在于在第六實施例中中央障壁是不必要的。
在PDP的常規(guī)設(shè)計中，存在著由于熒光層125的光滑表面而帶來的熒光層125的表面面積不足的問題。然而，在根據(jù)第六實施例的PDP中，由于熒光層1025表面的不規(guī)則和厚度的波動而形成的突起1025a被紫外線穿透，有效地增加了熒光層1025的表面面積。由此，增加了可見光的發(fā)射，因為通過增加熒光層1025的表面面積而更有效地實現(xiàn)在紫外線和熒光層1025之間所發(fā)生的碰撞。從而，改善了PDP的發(fā)光效率。
在第六實施例中未完全描述的那些元件與在前實施例中的元件大致相同。
雖然參考其典型實施例已對本發(fā)明進(jìn)行了具體顯示和說明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的是，無需違背本發(fā)明如通過后面權(quán)利要求所限定的精神和范圍，可在形式上和細(xì)節(jié)上對其進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示板(PDP)，其包括上襯底；下襯底，其與上襯底平行設(shè)置；多個上障壁，其由設(shè)置在上襯底和下襯底之間的電介質(zhì)構(gòu)成，該上障壁與上襯底和下襯底一起確定出多個放電單元；多個上放電電極，其設(shè)置在上障壁中，以包圍放電單元；多個下放電電極，其與上放電電極分離，并設(shè)置在上障壁中，以包圍放電單元；多個下障壁，其設(shè)置在上障壁和下襯底之間；多個中央障壁，其設(shè)置在放電單元中；多個熒光層，形成在下障壁側(cè)表面與中央障壁側(cè)表面之間；和放電氣體，其填充在放電單元中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中中央障壁的高度低于下障壁的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中中央障壁的高度基本上等于下障壁的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中中央障壁的高度高于下障壁的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中的等離子顯示板，其中中央障壁的高度不低于上放電電極的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中將中央障壁設(shè)置在放電單元的中心處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中在下襯底上表面上形成下障壁和中央障壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中上障壁包括第一延伸壁和與第一延伸壁交叉的第二延伸壁。
9.根據(jù)權(quán)利要求8中的等離子顯示板，其中中央障壁平行于第一延伸壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求8中的等離子顯示板，進(jìn)一步包括設(shè)置在第二延伸壁和下襯底之間的輔助障壁，并且進(jìn)一步將所述熒光層形成在輔助障壁側(cè)表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10中的等離子顯示板，其中輔助障壁的高度等于下障壁的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10中的等離子顯示板，其中將下障壁，中央障壁，和輔助障壁形成為一體。
13.根據(jù)權(quán)利要求10中的等離子顯示板，其中在第一延伸壁和下障壁之間或在第二延伸壁和輔助障壁之間設(shè)置隔離物。
14.根據(jù)權(quán)利要求10中的等離子顯示板，其中將第一延伸壁和下障壁形成為一體，并將第二延伸壁和輔助障壁形成為一體。
15.根據(jù)權(quán)利要求8中的等離子顯示板，其中中央障壁位于放電單元內(nèi)的部分的高度不低于下放電電極的高度，并且在中央障壁位于放電單元外的其他部分上形成凹部，該凹部可將第二延伸壁接納到其中。
16.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中下放電電極在與上放電電極所延伸方向交叉的方向中延伸。
17.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，進(jìn)一步包括在與下放電電極和上放電電極所延伸方向交叉的方向中延伸的尋址電極，并且上放電電極和下放電電極彼此平行地延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17中的等離子顯示板，其中尋址電極包括設(shè)置在中央障壁中的放電單元，和連接該放電單元的水平連接部件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18中的等離子顯示板，其中放電單元的高度不低于下放電電極的高度，水平連接部件的高度低于放電單元的高度，并且通過在中央障壁中的垂直連接部件對該放電單元和該水平連接部件進(jìn)行連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求18中的等離子顯示板，其中將放電單元設(shè)置在中央障壁的上部中。
21.根據(jù)權(quán)利要求17中的等離子顯示板，其中將尋址電極設(shè)置在下襯底中位于中央障壁正下方的上表面上，在尋址電極和中央障壁之間設(shè)置介電層，并且進(jìn)一步將熒光層形成在介電層上表面上。
22.根據(jù)權(quán)利要求17中的等離子顯示板，其中尋址電極包括兩個設(shè)置在位于中央障壁和下障壁之間的下襯底上表面上的次尋址電極，介電層覆蓋該尋址電極，并在該介電層上形成熒光層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22中的等離子顯示板，其中通過第一連接部件對包含在一個尋址電極中的兩個次尋址電極進(jìn)行連接。
24.根據(jù)權(quán)利要求17中的等離子顯示板，其中尋址電極包括與上放電電極和下放電電極分離的、設(shè)置在上障壁中的兩個次尋址電極，并進(jìn)一步在下襯底上表面上形成熒光層。
25.根據(jù)權(quán)利要求24中的等離子顯示板，其中通過第二連接部件對包含在一個尋址電極中的兩個次尋址電極進(jìn)行連接。
26.根據(jù)權(quán)利要求17中的等離子顯示板，其中在上放電電極的上方設(shè)置尋址電極，并且該尋址電極與上放電電極一起執(zhí)行尋址放電。
27.根據(jù)權(quán)利要求17中的等離子顯示板，其中在下放電電極的下方設(shè)置尋址電極，并且該尋址電極與上放電電極一起執(zhí)行尋址放電。
28.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中以與上襯底相同的圖案形成下障壁。
29.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中進(jìn)一步在下襯底上表面上形成熒光層。
30.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中用保護(hù)層覆蓋上障壁的至少側(cè)表面。
31.根據(jù)權(quán)利要求1中的等離子顯示板，其中將上障壁和下障壁形成為一體。
32.一種等離子顯示板，其包括上襯底；下襯底，其與上襯底平行設(shè)置；多個上障壁，其由設(shè)置在上襯底和下襯底之間的電介質(zhì)構(gòu)成，該上障壁與上襯底和下襯底一起確定出放電單元；多個上放電電極，其設(shè)置在上障壁中，以包圍放電單元；多個下放電電極，其與上放電電極分離，并設(shè)置在上障壁中，以包圍放電單元；多個下障壁，其設(shè)置在上障壁和下襯底之間；熒光層，在其表面具有增加表面面積的突起，該突起圍繞放電單元設(shè)置；和放電氣體，其填充在放電單元中。
33.根據(jù)權(quán)利要求32中的等離子顯示板，進(jìn)一步包括設(shè)置在下襯底和上障壁之間的、確定出用于設(shè)置熒光層的空間的下障壁。
34.根據(jù)權(quán)利要求32中的等離子顯示板，其中下放電電極在與上放電電極所延伸方向交叉的方向中延伸。
35.根據(jù)權(quán)利要求32中的等離子顯示板，進(jìn)一步包括在與下放電電極和上放電電極所延伸方向交叉的方向中延伸的尋址電極，并且上放電電極和下放電電極彼此平行地延伸。
36.根據(jù)權(quán)利要求35中的等離子顯示板，其中用介電層覆蓋該尋址電極。
37.根據(jù)權(quán)利要求35中的等離子顯示板，其中將該尋址電極設(shè)置在下襯底上表面上。
38.根據(jù)權(quán)利要求32中的等離子顯示板，其中用保護(hù)層覆蓋上障壁的至少側(cè)表面。
全文摘要
一種具有改進(jìn)了發(fā)光效率的等離子顯示板(PDP)，可包括上襯底；與上襯底平行設(shè)置的下襯底；多個上障壁，其由設(shè)置在上襯底和下襯底之間的電介質(zhì)構(gòu)成。該上障壁與上襯底和下襯底一起確定出放電單元。多個上放電電極設(shè)置在上障壁中，以包圍放電單元。多個下放電電極與上放電電極分離，并設(shè)置在上障壁中，以包圍放電單元；多個下障壁設(shè)置在上障壁和下襯底之間。多個中央障壁可設(shè)置在放電單元中，多個熒光層形成在下障壁側(cè)表面與中央障壁側(cè)表面之間，放電氣體用于填充放電單元。
文檔編號H01J17/49GK1691261SQ200510078328
公開日2005年11月2日 申請日期2005年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月9日
發(fā)明者徐承范, 李源周, 權(quán)升旭, 禹錫均, 姜景斗 申請人:三星Sdi株式會社