專利名稱：電致發(fā)光顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示器，尤其涉及一種具有在生產(chǎn)過程中防止發(fā)射部分損壞的結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光(EL)顯示器件。
背景技術(shù)：
平板顯示器，例如液晶顯示器(LCD)或有機(jī)或無機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器，可以根據(jù)采用的驅(qū)動(dòng)方式?jīng)Q定是無源矩陣(PM)型或有源矩陣(AM)型。在PM型平板顯示器中，多個(gè)陽極被排列于列方向上，多個(gè)陰極被排列于行方向上。在操作中，一個(gè)行驅(qū)動(dòng)電路向從一行中選出的一個(gè)單個(gè)陰極發(fā)出掃描信號(hào)。類似地，一個(gè)列驅(qū)動(dòng)電路向從一行中選出的一個(gè)象素發(fā)出數(shù)據(jù)信號(hào)。
由于能通過使用薄膜晶體管(TFT)控制輸入到每個(gè)象素的信號(hào)從而有效處理高帶寬信號(hào)，AM型平板顯示器被廣泛應(yīng)用為顯示活動(dòng)畫面的器件。
有機(jī)EL顯示器在陽極和陰極之間夾入一有機(jī)發(fā)射層。當(dāng)在陽極和陰極上分別地加上陽極電壓和陰極電壓時(shí)，陽極產(chǎn)生的空穴經(jīng)由一空穴傳輸層傳輸?shù)桨l(fā)射層，而陰極產(chǎn)生的電子經(jīng)由一電子傳輸層傳輸?shù)桨l(fā)射層。在發(fā)射層中，電子和空穴復(fù)合產(chǎn)生電激子。當(dāng)激子由激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)時(shí)，發(fā)射層的熒光分子發(fā)光形成圖像。全色有機(jī)EL顯示器包括發(fā)射三種顏色的象素，紅(R)、綠(G)、和藍(lán)(B)。
對(duì)于EL顯示器，特別是有機(jī)EL顯示器，顯示器的壽命取決于顯示區(qū)的有機(jī)發(fā)射部分是否盡可能的保持干燥。
不同的慣用手段和儀器被用于提供防潮方法。韓國(guó)專利公開物2002-0065125公開了這樣一種方式，在發(fā)射基底的邊緣提供一紫外光(UV)固化的密封劑，將發(fā)射基底安裝到密封基底上，并以UV線固化密封劑。然而，UV線的能量可能會(huì)穿透有機(jī)發(fā)射部分。在密封有機(jī)發(fā)射部分的過程中，這種能量可能會(huì)穿透形成于有機(jī)發(fā)射部分上的上層并損壞有機(jī)發(fā)射部分。
韓國(guó)專利公開物2000-0065694中公開了另一種技術(shù)，在陰極和發(fā)射層之間插入LiF層以提高色彩效率。日本專利公開物2000-200683中采用了類似的方法，在陰極和有機(jī)層之間插入LiF層作為電子注入層(EIL)。
在上面兩種情況中，LiF層在厚度上受到限制。因此，LiF層不能有效地保護(hù)有機(jī)發(fā)射部分不受例如UV線的外能的影響。因此，有必要提供一種技術(shù)方案以提供防潮發(fā)射層以及在制造過程中能減少或防止對(duì)發(fā)射層的損壞的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電致發(fā)光(EL)顯示器件，其中發(fā)射部分被有效地密封，與濕氣和外能隔離以便增加EL顯示器的使用壽命。
在一個(gè)實(shí)施例中，EL顯示器件包括具有顯示區(qū)的基底。該顯示區(qū)可具有第一電極層、第二電極層、和插入兩者之間的發(fā)射部分。密封部件至少能密封顯示區(qū)。插入至少一部分密封部件和第二電極層之間的阻擋層至少與顯示區(qū)重疊。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種制造EL顯示器件的方法。該方法包括在整體基底的一個(gè)表面上形成至少一個(gè)顯示區(qū)，每個(gè)顯示區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)象素；在顯示區(qū)的至少一部分上形成阻擋層；在阻擋層上形成一個(gè)或多個(gè)密封層；固化密封層；和在整體基底上劃線。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種制造EL顯示器件的方法。該方法包括在整體基底的一個(gè)表面上形成至少一個(gè)顯示區(qū)，該顯示區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)象素；在顯示區(qū)的至少一部分上形成多個(gè)密封層以密封顯示區(qū)；固化至少一部分密封層；和在整體基底上劃線。形成密封層的步驟可以包括在至少一對(duì)相鄰的密封層之間形成阻擋層。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種制造EL顯示器件的方法。該方法包括在整體基底的一個(gè)表面上形成至少一個(gè)顯示區(qū)，該顯示區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)象素；在顯示區(qū)上形成阻擋層；利用密封劑密封顯示區(qū)和密封基底；至少固化密封劑；和在整體基底上劃線。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種制造EL顯示器件的方法。該方法包括在整體基底的一個(gè)表面上形成至少一個(gè)顯示區(qū)，該顯示區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)象素；在與顯示區(qū)相應(yīng)的密封基底的一個(gè)表面上形成一阻擋層；利用密封劑密封密封基底和顯示區(qū)；至少固化密封劑；和在整體基底上劃線。


本發(fā)明的上述的以及其他的特征和優(yōu)點(diǎn)將通過參照附圖詳細(xì)描述示例性的實(shí)施例而變得更為顯而易見。
圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器的透視圖。
圖1B是圖1A中所示的“A”部分的分解圖。
圖1C是沿圖1B中的I-I線的截面圖。
圖2A、圖2B、圖2C和圖2D是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的制作過程的截面透視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A是根據(jù)本發(fā)明的原理制造的電致發(fā)光(EL)顯示器件的透視圖。
參照?qǐng)D1A，包括一個(gè)或多個(gè)象素的顯示區(qū)200位于基底110的一個(gè)表面上。襯墊區(qū)700位于顯示區(qū)200的至少一側(cè)上。襯墊區(qū)700包括具有一個(gè)或多個(gè)端子的端子部分600。
襯墊區(qū)700可進(jìn)一步包括電子元件，每個(gè)都具有驅(qū)動(dòng)電路區(qū)例如驅(qū)動(dòng)器。特殊地，傳輸電信號(hào)到顯示區(qū)200的電子元件，例如，如傳輸掃描信號(hào)和/或數(shù)據(jù)信號(hào)至顯示區(qū)200上的象素的掃描和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的垂直/水平驅(qū)動(dòng)電路區(qū)，可位于顯示區(qū)200的外側(cè)。像圖1A中所示的垂直驅(qū)動(dòng)電路500那樣，垂直/水平驅(qū)動(dòng)電路區(qū)可被插入在顯示區(qū)200和端子部分600之間。垂直/水平驅(qū)動(dòng)電路區(qū)可以是玻璃上芯片(COG)集成電路(IC)，或者可以不被襯墊區(qū)700包括而是外部電元件如一柔性印刷電路(FPC)。
圖1B是圖1A中顯示的部分“A”的分解圖。此處，部分“A”對(duì)應(yīng)于一個(gè)象素。雖然圖1B是以一個(gè)包括兩個(gè)頂柵型薄膜晶體管和單個(gè)電容器的象素為例來進(jìn)行圖解說明，本發(fā)明并不局限于此。
決定象素選擇的第一薄膜晶體管TFTl的柵電極55，從施加掃描信號(hào)的掃描線延伸出來。當(dāng)電信號(hào)，例如掃描信號(hào)，被施加于掃描線時(shí)，通過數(shù)據(jù)線輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)從第一薄膜晶體管TFTl的源電極57a經(jīng)過第一薄膜晶體管TFTl的半導(dǎo)體有源層53傳輸?shù)降谝槐∧ぞw管TFTl的漏電極57b。
第一薄膜晶體管TFTl的漏電極57b的延長(zhǎng)區(qū)57c與電容器的第一電極58a的一端相連。電容器第一電極58a的另一端形成作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二薄膜晶體管TFT2的柵電極150。電容器第二電極58b電連接到與驅(qū)動(dòng)電源線(圖中未畫出)相連的驅(qū)動(dòng)線31上。
圖1C是沿圖1B中的I-I線的截面圖。
參照?qǐng)D1C，標(biāo)記(a)和(d)之間的部分是作為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二薄膜晶體管TFT2的一個(gè)截面，(e)和(f)之間的部分是象素開口194的一個(gè)截面，(g)和(h)之間的部分是驅(qū)動(dòng)線的一個(gè)截面。在第二薄膜晶體管TFT2中，在形成于基底110的一個(gè)表面上的緩沖層120上形成半導(dǎo)體有源層130。半導(dǎo)體有源層130可由非晶硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)形成。雖然圖中未畫出，半導(dǎo)體有源層130包括源區(qū)和漏區(qū)，每個(gè)區(qū)都摻雜n+或p+型摻雜物，以及溝道區(qū)。這種半導(dǎo)體有源層130可由有機(jī)半導(dǎo)體形成，并可具有不同的結(jié)構(gòu)。
第二薄膜晶體管TFT2的柵電極150位于半導(dǎo)體有源層130上?？紤]到與相鄰層的緊密粘附、層疊層的平坦性、以及易于處理，柵電極150可由如MoW或Al/Cu等材料制成，但是本發(fā)明并不僅限于這些。
為了使柵電極150與半導(dǎo)體有源層130電絕緣，柵絕緣層140被設(shè)置于兩者之間。可以是單層或多層絕緣層的中間層160，可以形成于柵電極150和柵絕緣層140上，以及第二薄膜晶體管TFT2的源電極和漏電極170a和170b形成于其上。源電極和漏電極170a和170b可由如MoW的金屬材料制成，并在經(jīng)退火后與半導(dǎo)體有源層130形成歐姆接觸。
可包括鈍化層和/或平面化層的保護(hù)層180形成于源電極和漏電極170a和170b上，第一電極層190形成于其上。第一電極層190通過形成于保護(hù)層180中的通孔181與源電極和漏電極170a和170b電連接。對(duì)于后表面發(fā)射顯示器，第一電極層190可包括由氧化銦錫(ITO)制成的透明電極。對(duì)于前表面發(fā)射顯示器，第一電極層190可包括由Al/Ca制成的反射電極和由ITO制成的透明電極。第一電極層190可根據(jù)需要改變。此處，雖然闡述了第一電極層190是作為陽極使用的，但是本發(fā)明并不局限于此。即，第一電極層190可作為陰極使用?；蛘?，可以使用其它各種結(jié)構(gòu)。
保護(hù)層180可具有不同的形式。例如，保護(hù)層180可以由有機(jī)或無機(jī)材料制成，并可以具有如SiNx層和苯并環(huán)丁烯(BCB)有機(jī)層或丙烯層的單層或雙層。
象素限定層191可以形成于與第一電極層190相對(duì)應(yīng)的象素開口194外面的保護(hù)層180上。具有發(fā)射層的發(fā)射部分192可被置于第一電極層190的一個(gè)表面上，位于象素孔194中。
發(fā)射部分192可包括單體或聚合物有機(jī)層。單體有機(jī)層可通過以簡(jiǎn)單或復(fù)合結(jié)構(gòu)方式堆疊空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、有機(jī)發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、和電子注入層(EIL)而形成。可以使用包括酞菁銅(CuPc)、N、N’-雙(1-萘基)-N、N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、和3-8-羥基喹啉鋁(Alq3)的各種有機(jī)材料。這些單體有機(jī)層可通過真空沉積形成。
聚合物有機(jī)層可包括空穴傳輸層(HTL)和發(fā)射層(EML)。此處，空穴傳輸層可由PEDOT形成，發(fā)射層可由聚合體有機(jī)材料如含聚亞苯基亞乙烯基(PPV)的材料和含聚芴的材料通過絲網(wǎng)印刷或噴墨印刷形成。
作為陰極的第二電極層210，可在發(fā)射部分192的全部或部分表面上形成。同樣地，第二電極層210可根據(jù)發(fā)射類型由Al/Ca、ITO、或Mg-Ag形成。第二電極層210可以是單層或是雙層，并且可以進(jìn)一步包含堿性層或堿土金屬氟化物層如LiF層。
密封層220形成在第二電極層210的一個(gè)表面上以至少保護(hù)顯示區(qū)200。密封層220可由無機(jī)材料如SiO2或SiNx或有機(jī)材料如硅氧烷、硅氧烷衍生物、或丙烯酸酯形成。盡管圖1C所示密封層220包含兩個(gè)密封層220a和220b，本發(fā)明中的密封層220可以由單層或多層代替。
在本發(fā)明的EL顯示器件中，由一層或多層形成的阻擋層230被插入在第二電極層210和密封層220之間。然而，本發(fā)明并非局限于此。如果密封層220包含多層密封層，阻擋層230可被插入其間。
密封層220，特別是由有機(jī)材料制成的密封層220，必須被固化激活。密封層220的固化可以用各種方法實(shí)現(xiàn)，例如紫外(UV)輻射或熱固化。熱和/或UV線由密封層220的外側(cè)向第二電極層210施加。特別地，前表面發(fā)射顯示器件包括薄的第二電極層210。從而，施加的熱和/或UV線可滲入第二電極層219并損壞發(fā)射部分192。然而，插入第二電極層210和密封層220之間的阻擋層230防止了對(duì)發(fā)射部分192的損壞。
阻擋層230可由各種不同的材料如Li、Ca、LiF、CaF2、或MgF2制成。
除用于制造阻擋層230的材料的類型以外，阻擋層230的厚度也應(yīng)當(dāng)被考慮。當(dāng)阻擋層230變厚時(shí)，位于第二電極層210下面的發(fā)射部分192會(huì)得到更有效地保護(hù)，但是加工時(shí)間會(huì)延長(zhǎng)。如果阻擋層230過厚，從發(fā)射部分192發(fā)出的光的色坐標(biāo)會(huì)改變。另一方面，如果阻擋層230過薄，它將會(huì)傳輸熱和UV線從而不能嚴(yán)格地實(shí)現(xiàn)它作為阻擋層的功能。因此，阻擋層230的厚度應(yīng)當(dāng)根據(jù)上述說明進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，優(yōu)選的值約為10～50。
圖2A、圖2B、圖2C和圖2D顯示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的制作過程的透視圖和截面圖。
在后面將被劃分為單個(gè)的有機(jī)EL顯示器的大的整體基底110’的一個(gè)表面上形成由一個(gè)或多個(gè)象素組成的顯示區(qū)200，由一個(gè)或多個(gè)端子組成的襯墊區(qū)600位于顯示區(qū)200的至少一側(cè)上。為了用密封劑310至少將顯示區(qū)200和整體基底110’密封，密封區(qū)300位于顯示區(qū)200和襯墊區(qū)600之間。
襯墊區(qū)600可進(jìn)一步包括電子元件，每一個(gè)都具有如驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)。特殊地，傳輸電信號(hào)到顯示區(qū)200的電子元件，例如，如傳輸掃描信號(hào)和/或數(shù)據(jù)信號(hào)至顯示區(qū)200上的象素的掃描和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的垂直/水平驅(qū)動(dòng)電路區(qū)，可位于顯示區(qū)200和密封區(qū)300之間或位于密封區(qū)300的外側(cè)。垂直/水平驅(qū)動(dòng)電路區(qū)可以是COG IC或如FPC的外部電子元件。垂直/水平驅(qū)動(dòng)電路區(qū)可具有多種形式。上面已經(jīng)描述了組成顯示區(qū)200的每個(gè)象素的結(jié)構(gòu)，因此此處不再重復(fù)。
密封劑310涂在形成于整體基底110’上的每個(gè)有機(jī)EL顯示器的每個(gè)密封區(qū)300上，并且作為密封元件的密封基底400位于其上。密封基底400和整體基底110’被密封以便于密封顯示區(qū)200。如圖2B所示，一預(yù)定增壓系統(tǒng)(其中防潮氣體的氣壓大于外界大氣壓的空隙或外殼)可形成于密封基底400和堆疊于整體基底110’上的堆疊部分之間?？蛇x地，如圖2C所示，密封基底400可通過粘合劑410接觸堆疊部分以防止由增壓系統(tǒng)引起的密封基底400的凹陷。密封基底400并不局限于上述的結(jié)構(gòu)，可以采用其他不同的結(jié)構(gòu)來代替。
在密封過程中，如圖2B所示，UV線和/或熱被施加于密封基底400的上表面以有效固化密封劑310和/或粘合劑。為了防止由于施加的UV線和/或熱對(duì)發(fā)射部分192產(chǎn)生損壞，在第二電極層210和密封基底400之間插入了阻擋層230。如同前面的實(shí)施例中描述的，阻擋層230可由Li、Ca、LiF、CaF2、或MgF2制成，厚度約10?！?0。
在固化密封劑310和/或粘合劑后，如圖2D所示，整體基底110’被劃線，由此得到單個(gè)的有機(jī)EL顯示器件。
具有密封基底的有機(jī)EL顯示器的阻擋層不僅僅局限于上面描述的實(shí)施例，也可以具有其他的結(jié)構(gòu)。例如，如圖3所示，阻擋層230可形成于作為密封元件的密封基底400的一個(gè)表面上，面對(duì)著顯示區(qū)200。即，阻擋層230被放置得與顯示區(qū)200相對(duì)應(yīng)。可選地，除了在密封區(qū)300上，阻擋層230可被形成于密封基底400的整個(gè)表面上，其應(yīng)接觸連接密封劑310以形成可靠的防潮結(jié)構(gòu)。如上面所述的，阻擋層在密封基底的一個(gè)表面上形成之后，整體基底和密封基底通過密封劑被密封，密封劑被固化，然后整體基底被劃線為各個(gè)的EL顯示器。
前述的實(shí)施例僅僅是示例性的，而本發(fā)明不限于此。盡管在實(shí)施例中描述的是AM型有機(jī)EL顯示器，本發(fā)明還可應(yīng)用于無機(jī)EL顯示器或PM型顯示器件。
根據(jù)本發(fā)明的原理制造的EL顯示器件，可以獲得如下效果位于密封元件和第二電極層之間的阻擋層防止由于外部施加的UV線和/或熱導(dǎo)致對(duì)發(fā)射部分的損壞。第二，由于本發(fā)明的EL顯示器包括具有適當(dāng)厚度的阻擋層，不僅能防止由于外部施加的能量對(duì)發(fā)射部分的損壞，還能使從發(fā)射部分發(fā)出的光的色坐標(biāo)不發(fā)生改變。第三，在本發(fā)明的EL顯示器中，阻擋層可位于堆疊于整體基底上的第二電極層的一個(gè)表面上，或是密封基底的一個(gè)表面上，其面對(duì)著顯示區(qū)。即，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)格阻擋層可形成于適當(dāng)?shù)奈恢谩?br> 本發(fā)明已經(jīng)參照示例性的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)的展示和描述，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解，沒有脫離本發(fā)明思想和精神的對(duì)形式和細(xì)節(jié)的各種各樣的改變都落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示器件，包括包括具有第一電極層，第二電極層，以及插入其間的發(fā)射部分的顯示區(qū)的基底；至少密封顯示區(qū)的密封元件；和插入密封元件的至少一部分和第二電極層之間并且至少與顯示區(qū)交疊的阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中密封元件具有一個(gè)或多個(gè)密封層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中阻擋層位于第二電極層的一個(gè)表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中阻擋層位于密封層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中密封元件是密封基底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中阻擋層形成于密封基底的一個(gè)表面上，面向顯示區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中阻擋層由選自Li、Ca、LiF、CaF2、和MgF2構(gòu)成的組中的至少一種材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中阻擋層的厚度為約10?！?0。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中密封元件包括一個(gè)或多個(gè)密封層和密封基底。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中阻擋層形成于密封基底的一個(gè)表面上，面向顯示區(qū)。
11.一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，包括在整體基底的一個(gè)表面上形成至少一個(gè)顯示區(qū)，每個(gè)顯示區(qū)包含一個(gè)或多個(gè)象素；在顯示區(qū)的至少一部分上形成阻擋層；在阻擋層上形成密封元件；固化該密封元件；以及劃線該整體基底。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中阻擋層由選自Li、Ca、LiF、CaF2、和MgF2構(gòu)成的組中的至少一種材料制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中固化密封元件是通過利用UV能或熱能來實(shí)現(xiàn)的。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中密封元件包含一個(gè)或多個(gè)密封層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中密封元件是密封基底。
16.一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，包括在整體基底的一個(gè)表面上形成至少一個(gè)顯示區(qū)，該顯示區(qū)包含一個(gè)或多個(gè)象素；形成多個(gè)密封層以便將顯示區(qū)的至少一部分上的顯示區(qū)密封；固化至少部分密封層；以及劃線整體基底，其中形成密封層包括在至少一對(duì)相鄰的密封層之間形成阻擋層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中阻擋層由選自Li、Ca、LiF、CaF2、和MgF2構(gòu)成的組中的至少一種材料制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中固化密封層是通過利用UV能或熱能來實(shí)現(xiàn)的。
19.一種制造電致發(fā)光顯示器件的方法，包括在整體基底的一個(gè)表面上形成至少一個(gè)顯示區(qū)，該顯示區(qū)包含一個(gè)或多個(gè)象素；在密封基底的一個(gè)表面上形成與顯示區(qū)相對(duì)應(yīng)的阻擋層；利用密封劑密封顯示區(qū)以及密封基底；至少固化密封劑；以及劃線整體基底。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中阻擋層由選自Li、Ca、LiF、CaF2、和MgF2構(gòu)成的組中的至少一種材料制成。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中固化密封層是通過利用UV能或熱能來實(shí)現(xiàn)的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電致發(fā)光(EL)顯示器件及其制造方法。該EL顯示器件包括具有顯示區(qū)的基底。該顯示區(qū)可具有第一電極層、第二電極層、以及插入其間的發(fā)射部分。密封元件可以至少密封該顯示區(qū)。插入密封元件和第二電極層之間的阻擋層可以與顯示區(qū)交疊。
文檔編號(hào)H01J63/04GK1711004SQ200510083800
公開日2005年12月21日 申請(qǐng)日期2005年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月17日
發(fā)明者韓東垣, 樸鎮(zhèn)宇 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社