專利名稱：防x射線靜電離子加速管的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種多級靜電離子加速管，尤其涉及一種離子注入機中對注入離子進行加速的防X射線靜電離子加速管。
技術背景目前離子注入機中的離子加速大多采用靜電加速，在加速離子穿過加速管的過程中，由于離子束總存在發(fā)散，有一部分就會轟擊到加速電極表面，被轟擊電極發(fā)射出大量的二次電子，二次電子進入到加速管道中間，受到加速離子的電場的控制，向與離子加速方向相反的方向加速，這種受到加速的二次電子的方向是不定的，會再次轟擊到其他電極或固體表面，產(chǎn)生X射線。由于X射線穿透能力強，能破壞人體細胞，對健康是有害的。因此，要盡量減少被離子轟擊電極或固體表面二次電子的產(chǎn)生，或阻止所產(chǎn)生的二次電子從加速電場中獲得能量。通常的多級串連加速管在最低壓端電極的前面增加一抑制電極，加載相對最低壓端電極加為負的電壓，能有效的抑制最低壓端電極的二次電子的反加速，因此能達到有效降低X射線的產(chǎn)生。但是對離子轟擊到其他的加速電極上產(chǎn)生的二次電子就無能為力，因此，這種加速管在工作中總是存在大量的X射線，針對前面所述的單級電抑制結構所存在的缺點，我們在此基礎上給每級電極設計一能減少二次電子反加速的結構，進而達到進一步大大減少X射線產(chǎn)生的目的。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術中存在的問題，本實用新型提供了一種防X射線靜電離子加速管，在每級電極上增加一個能減少二次電子反加速的結構，達到減少X射線產(chǎn)生的目的。
本實用新型的技術方案是這樣實現(xiàn)的，一種低X射線靜電離子加速管包括高電位電極、中間加速電極、均壓電阻、絕緣支撐密封環(huán)、永久磁鐵、抑制電極、低電位電極，其中高電位電極、各加速電極、抑止電極和低電位電極通過均壓電阻相連接并由絕緣密封環(huán)支撐安裝；永久磁鐵安裝在各加速電極、抑止電極和低電位電極的外表面。
與現(xiàn)有技術相比本實用新型的有益效果是有效抑止電極表面二次電子的逃逸，因此進一步避免X射線的產(chǎn)生，減少對人體的傷害。


圖1為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
本實用新型的工作原理是通過在每個產(chǎn)生二次電子就存在反加速的電極外表面加裝永久磁鐵5，使得在相應電極的束通道表面附近形成一磁場，該磁場能對電子產(chǎn)生強的偏轉，一旦電極表面被離子束轟擊產(chǎn)生了二次電子往外逃逸，立刻受到磁場的作用產(chǎn)生偏轉，最后返回到被轟擊的電極表面，而不會被加速電場加速，達到類似負電壓抑制的效果，實現(xiàn)磁抑制。
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細描述，一種防X射線靜電離子加速管包括高電位電極1，位于加速管離子束的入口，連接前級設備管道；加速管與前級設備管道連接的電極，加載最大的加速電壓，沒有二次電子反加速的問題，沒有安裝永久磁鐵5；若干均壓電阻3，用于電氣連接高電位電極1、各中間加速電極2和低電位電極7，使得總加速電壓V1均勻分布到各級加速電極；其中中間加速電極2的個數(shù)可以為若干個，絕緣密封環(huán)4，連接和支撐加速管各個電極，同時密封加速離子管道；若干永久磁鐵5，安裝到各中間加速電極，抑制電極6和低電位電極7的外表面，在各電極的內(nèi)表面附近形成抑制二次電子逃逸的磁場；抑制電極6，安裝在低電位電極7的前面，加負電壓，抑制低電位電極7的二次電子逃逸；低電位電極7，在加速管的最低端，連接加速管到后級設備管道。
本實用新型不限于上述實施例，對于本技術領域的專業(yè)人員來說，對本實用新型實施例所做出的任何改進或變更都不會超出本實用新型的精神和所附權利要求的保護范圍。
權利要求1.一種防X射線靜電離子加速管，其特征在于包括高電位電極、中間加速電極、均壓電阻、絕緣支撐密封環(huán)、永久磁鐵、抑制電極、低電位電極，其中高電位電極、中間加速電極、抑止電極和低電位電極通過均壓電阻相連接并由絕緣密封環(huán)支撐安裝；永久磁鐵分別安裝在各加速電極、抑止電極和低電位電極的外表面。
專利摘要本實用新型公開了一種低X射線靜電離子加速管，其中包括高電位電極、中間加速電極、均壓電阻、絕緣支撐密封環(huán)、永久磁鐵、抑制電極、低電位電極，其中高電位電極、各加速電極、抑止電極和低電位電極通過均壓電阻相連接并由絕緣密封環(huán)支撐安裝；永久磁鐵安裝在各加速電極、抑止電極和低電位電極的外表面，該實用新型應用于離子注入機對離子進行加速，能有效抑止電極表面二次電子的逃逸，大大減少二次電子被加速電廠反加速的幾率，減少X射線的產(chǎn)生，防止了對人體造成的傷害。
文檔編號H01J37/317GK2788347SQ20052001709
公開日2006年6月14日 申請日期2005年4月22日 優(yōu)先權日2005年4月22日
發(fā)明者彭立波, 郭建輝, 許波濤, 易文杰, 龍會躍, 陳鑫 申請人:北京中科信電子裝備有限公司