專利名稱：電子發(fā)射裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射裝置，更具體地，涉及具有驅(qū)動(dòng)電極和聚焦電極的電子發(fā)射裝置、包括該電子發(fā)射裝置的顯示裝置、以及制造所述電子發(fā)射裝置的方法，所述驅(qū)動(dòng)電極用于控制電子的發(fā)射，所述聚焦電極具有用于聚焦電子的多個(gè)電極層。
背景技術(shù)：
電子發(fā)射裝置可大致分為使用熱陰極作為電子發(fā)射源的裝置和使用冷陰極作為電子發(fā)射源的裝置。冷陰極電子發(fā)射裝置的類型包括例如場(chǎng)發(fā)射器陣列(FEA)型、表面導(dǎo)電發(fā)射(SCE)型、金屬-絕緣體-金屬(MIM)型、以及金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)型。
FEA型電子發(fā)射裝置通常以這樣的原理運(yùn)行，即當(dāng)具有低功函數(shù)或高深寬比(aspect ratio)的材料用作電子發(fā)射源時(shí)，當(dāng)在真空環(huán)境下電場(chǎng)施加到該電子發(fā)射源時(shí)，電子從所述電子發(fā)射源容易地被發(fā)射。用于電子發(fā)射源的電子發(fā)射材料的示例包括例如碳質(zhì)材料諸如碳納米管和石墨。
在普通的FEA型電子發(fā)射裝置中，電子發(fā)射區(qū)域可以與作為用于控制電子發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電極的陰極和柵極電極一起形成在第一基板上從而充當(dāng)電子發(fā)射器。熒光體(phosphor)層可形成在第二基板面對(duì)第一基板的表面上且可以耦接至陽極電極以用于將熒光體層維持在適當(dāng)高的電勢(shì)(即電壓)。此外，聚焦電極可形成在電子發(fā)射區(qū)域和驅(qū)動(dòng)電極上從而聚焦從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子且抑制電子束的擴(kuò)散(spreading)。
在形成例如已經(jīng)描述的電子發(fā)射裝置中，各種技術(shù)可用來形成電子發(fā)射區(qū)域，例如直接生長、化學(xué)氣相沉積、濺射、絲網(wǎng)印刷等。這些技術(shù)中，絲網(wǎng)印刷特別適于制造具有大面積的顯示裝置。
當(dāng)利用絲網(wǎng)印刷形成電子發(fā)射區(qū)域時(shí)，含有電子發(fā)射材料和光敏材料的膏相(paste-phased)混合物可被制備且被施加到形成在第一基板上的結(jié)構(gòu)。例如通過用紫外線選擇性照射該混合物，所施加的混合物可被部分硬化，其后任何未硬化的混合物可通過傳統(tǒng)顯影工藝被去除。
期望電子發(fā)射材料不留在除了形成電子發(fā)射區(qū)域的區(qū)域之外的區(qū)域。然而，顯影會(huì)留下電子發(fā)射材料在例如聚焦電極的結(jié)構(gòu)上。這會(huì)在所得顯示裝置中導(dǎo)致不期望的屬性。例如，如果電子發(fā)射材料留在聚焦電極上，則電子會(huì)不僅從電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射，還會(huì)從聚焦電極上的電子發(fā)射材料發(fā)射。這會(huì)由于電子發(fā)射裝置的運(yùn)行期間聚焦電極與柵極電極之間的電壓差而發(fā)生。結(jié)果，會(huì)引起熒光體層的不需要的發(fā)光，其會(huì)對(duì)顯示質(zhì)量有不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明針對(duì)具有驅(qū)動(dòng)電極和聚焦電極的電子發(fā)射裝置、包括該電子發(fā)射裝置的顯示裝置、以及制造所述電子發(fā)射裝置的方法，所述驅(qū)動(dòng)電極用于控制電子的發(fā)射，所述聚焦電極具有用于聚焦電子的多個(gè)電極層，本發(fā)明的裝置基本克服了由現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或更多問題。
因此本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的特征在于提供具有聚焦電極的電子發(fā)射裝置，所述聚焦電極包括多個(gè)聚焦電極層。
因此本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一特征在于提供包括所述電子發(fā)射裝置的顯示裝置。
因此本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的再一特征在于提供用于制造具有多個(gè)聚焦電極層的電子發(fā)射裝置的方法，其中可以在第一聚焦電極層的形成之后形成電子發(fā)射區(qū)域。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一種可以通過提供一種電子發(fā)射裝置來實(shí)現(xiàn)，所述電子發(fā)射裝置包括電子發(fā)射區(qū)域；形成在絕緣層上的聚焦電極；以及穿過所述聚焦電極和所述絕緣層的開口，所述開口對(duì)應(yīng)于所述電子發(fā)射區(qū)域，其中所述聚焦電極包括多個(gè)聚焦電極層。
所述多個(gè)聚焦電極層可包括在所述絕緣層上的第一聚焦電極層和在所述第一聚焦電極層上的第二聚焦電極層，其中所述第一聚焦電極層置于所述第二聚焦電極層與所述絕緣層之間。所述第一聚焦電極層可以與所述開口完全隔離，所述第二聚焦電極層可具有比所述第一聚焦電極層的面積更大的面積。
所述開口可穿過所述第二聚焦電極層、所述第一聚焦電極層和所述絕緣層，所述第二聚焦電極層可覆蓋所述第一聚焦電極層，使得所述第一聚焦電極層不直接暴露于開口。該電子發(fā)射裝置還可包括在所述多個(gè)聚焦電極層的至少兩層之間的發(fā)射材料，其中所述電子發(fā)射區(qū)域也包括所述發(fā)射材料。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一種還可通過提供一種包括電子發(fā)射部件和熒光體部件的顯示裝置來實(shí)現(xiàn)，所述電子發(fā)射部件和所述熒光體部件沿室(chamber)的相對(duì)面設(shè)置，所述電子發(fā)射部件包括電子發(fā)射區(qū)域和布置在所述電子發(fā)射區(qū)域與所述熒光體部件之間的聚焦電極，其中所述聚焦電極可包括第一和第二聚焦電極層。
所述顯示裝置還可包括在所述聚焦電極中的開口，所述開口對(duì)應(yīng)于所述電子發(fā)射區(qū)域，使得從所述電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子穿過所述開口到達(dá)所述熒光體部件，其中所述第一聚焦電極層不暴露于所述開口。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一種還可通過提供用于制造電子發(fā)射裝置的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括在基板上形成電子發(fā)射區(qū)域和在所述基板上的絕緣層上形成聚焦電極，所述聚焦電極具有多個(gè)聚焦電極層。
該方法可包括形成所述多個(gè)聚焦電極層的第一聚焦電極層；在所述第一聚焦電極層中及在所述絕緣層中形成開口；形成所述開口之后，在所述基板上及直接在所述第一聚焦電極層上設(shè)置電子發(fā)射材料；以及從所述基板去除所述電子發(fā)射材料的一部分從而形成所述電子發(fā)射區(qū)域。該方法還可包括，在所述去除之后，在所述第一聚焦電極層上形成第二聚焦電極層。所述第二聚焦電極層可形成為完全覆蓋所述第一聚焦電極層。
該方法還可包括在形成所述第二聚焦電極層之前，從所述開口周圍所述第一聚焦電極層的外圍去除所述第一聚焦電極層的一部分。在所述第一聚焦電極層上形成所述第二聚焦電極層可包括在所述開口周圍所述第一聚焦電極層的外圍形成所述第二聚焦電極層。所述去除之后，微量的電子發(fā)射材料可殘留在所述第一聚焦電極層上，所述第二聚焦電極層可覆蓋所述微量(trace)。所述去除可包括在所述基板的背表面提供具有掩模開口的曝光掩模且使紫外線選擇性穿過所述掩模開口。
該方法還可包括在所述絕緣層中及在至少一個(gè)聚焦電極層中形成開口，在所述絕緣層和至少一個(gè)聚焦電極層中形成所述開口之后，去除所述開口周圍所述至少一個(gè)聚焦電極層的一部分從而放大所述至少一個(gè)聚焦電極層中的所述開口，使得在所述至少一個(gè)聚焦電極層中的所述開口的寬度大于在所述絕緣層中的所述開口的寬度。該方法還可包括在所述第一聚焦電極層上形成第二聚焦電極層，其中所述第二聚焦電極層具有比所述第一聚焦電極層大的面積，使得所述第二聚焦電極層完全覆蓋所述第一聚焦電極層。該方法還可包括在形成所述電子發(fā)射區(qū)域之后且形成第一聚焦電極層之后用保護(hù)膜覆蓋所述電子發(fā)射區(qū)域，以及形成第二聚焦電極層之后去除所述保護(hù)膜。


通過參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得更加明顯，附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的分解透視圖；圖2示出圖1的電子發(fā)射裝置的剖視圖；圖3示出圖2的電子發(fā)射裝置的局部放大視圖；以及圖4A至4G示出制造根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的方法中的階段的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)被解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例使得本公開將徹底和完整，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。圖中，為了顯示清晰而放大了層和區(qū)域的尺寸。還應(yīng)理解，當(dāng)層被稱為在另一層或基板“上”時(shí)，它可以直接在另一層或基板上，或者還可以存在中間層。此外，應(yīng)理解，當(dāng)層被稱為在另一層“下”時(shí)，它可以直接在其下，或者還可以存在一個(gè)或更多中間層。另外，還應(yīng)理解，當(dāng)層被稱為在兩層“之間”時(shí)，它可以是該兩層之間的唯一層，或者還可以存在一個(gè)或更多中間層。
在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，提供一種電子發(fā)射裝置，其具有包括多個(gè)層的聚焦電極，所述包括多個(gè)層的聚焦電極可減小或防止電子從所述聚焦電極上存在的電子發(fā)射材料的發(fā)射，從而增強(qiáng)顯示特性。
參照?qǐng)D1、2和3，根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射裝置可包括第一基板2和第二基板4，其可彼此面對(duì)且可分隔開預(yù)定距離。電子發(fā)射結(jié)構(gòu)可設(shè)置在第一基板2上，發(fā)光(或顯示)結(jié)構(gòu)在第二基板4上。發(fā)光結(jié)構(gòu)可響應(yīng)于來自電子發(fā)射結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射可見光。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)可產(chǎn)生可見圖像或顯示。
陰極電極6可以例如以條形圖案(striped pattem)形成在第一基板2上。第一絕緣層8可以形成在第一基板2的整個(gè)表面上從而覆蓋陰極電極6。柵極電極10可形成在第一絕緣層8上。柵極電極10可以以條形圖案布置且可以與陰極電極6垂直地取向。
陰極電極6與柵極電極10交叉處的區(qū)域可定義為像素區(qū)域。一個(gè)或更多電子發(fā)射區(qū)域12可形成在像素區(qū)域處的陰極電極6上。第一絕緣層8和柵極電極10可具有分別形成在其中的開口8a和10a。這些開口可對(duì)應(yīng)于各電子發(fā)射區(qū)域12從而暴露第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)域12。
如圖所示，電子發(fā)射區(qū)域12可具有圓形外觀，且可以在各像素區(qū)域沿陰極電極6的長度線性布置。然而，區(qū)域12的形狀、布置、每像素的區(qū)域12的數(shù)目等不限于所示示例，且可以以各種方式改變從而適合特定的顯示器。
電子發(fā)射區(qū)域12可利用在施加電場(chǎng)的情況下發(fā)射電子的合適材料形成，例如碳質(zhì)材料、納米尺寸材料等。電子發(fā)射區(qū)域12優(yōu)選由碳納米管、石墨、石墨納米纖維、金剛石、類金剛石碳、C60、硅納米線、或其組合形成。
如圖所示，柵極電極10可布置在陰極電極6之上，第一絕緣層8置于其間。然而，本發(fā)明不限于此布置，其它合適的布置也可使用，例如其中陰極電極6在柵極電極10之上。在后者情況下，電子發(fā)射區(qū)域12可接觸陰極電極6的一側(cè)表面。
第二絕緣層14和聚焦電極16可形成在柵極電極10和第一絕緣層8上。開口14a和16a可分別形成在第二絕緣層14和聚焦電極16中，暴露第一基板2上的電子發(fā)射區(qū)域12。聚焦電極16可形成在第一基板2的整個(gè)表面上，或者可以構(gòu)圖為多個(gè)分隔開的部分(未示出)。開口14a和16a可一個(gè)一個(gè)地設(shè)置在各像素區(qū)域，從而允許聚焦電極16將在每一個(gè)像素發(fā)射的電子共同聚焦。
聚焦電極16可包括多層結(jié)構(gòu)。例如，在一實(shí)施例中，聚焦電極可包括雙層結(jié)構(gòu)，盡管本發(fā)明不限于該實(shí)施例。雙層結(jié)構(gòu)中的一層可在形成電子發(fā)射區(qū)域12之前形成，多層結(jié)構(gòu)的另一層可在形成電子發(fā)射區(qū)域之后形成。
在一實(shí)施例中，聚焦電極16可包括第一聚焦電極層18和第二聚焦電極層20。第一聚焦電極層18可在電極發(fā)射區(qū)域12的形成之前形成，第二聚焦電極層20可在電子發(fā)射區(qū)域12的形成之后形成。第二聚焦電極層20中的開口20a優(yōu)選形成為具有比第一聚焦電極層18的開口18a的寬度更小的寬度。換言之，第一聚焦電極層18可形成在第二聚焦電極層20之下，可在第二聚焦電極層20下面凹進(jìn)去且被其覆蓋。因此，第一聚焦電極層18的整個(gè)部分，包括其開口18a的側(cè)壁，優(yōu)選未暴露于第二基板4。為了清晰起見，由第一聚焦電極層18中的開口形成的側(cè)壁18a以剖切圖示于圖1中。然而，如圖1中特征20a所示，優(yōu)選側(cè)壁18a被第二聚焦電極層20封圍，使得僅第二聚焦電極層20的側(cè)壁20a被暴露。
根據(jù)本發(fā)明的此實(shí)施例，即使電子發(fā)射材料沉積在第一聚焦電極層18上，例如在電子發(fā)射區(qū)域12的形成之后如果微量電子發(fā)射材料留在第一聚焦電極層18上，第二聚焦電極層會(huì)覆蓋所述電子發(fā)射材料。因此，第一聚焦電極層18上的任何電子發(fā)射材料會(huì)被與第二基板4隔離，且電子從所述電子發(fā)射材料的發(fā)射會(huì)被減小或防止。作為示例，圖3示出圖2的電子發(fā)射裝置的局部放大視圖，其中示出電子發(fā)射材料的殘留物在第一聚焦電極層18上且在第二聚焦電極層20下面。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)來自多層聚焦電極的增加的厚度。因此，例如在聚焦電極16具有帶第二聚焦電極層20和第一聚焦電極層18的多層結(jié)構(gòu)的情況下，聚焦電極16的整個(gè)厚度增大且電子束聚焦效率可被增強(qiáng)，從而提高顯示特性。
現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的示例裝置的其它方面。熒光體層22和黑層(black layer)24可形成在第二基板4面對(duì)第一基板2的表面上，陽極電極26可例如利用金屬性材料諸如鋁形成在熒光體層22和黑層24上。陽極電極26可從裝置外面接收加速電子所需的高電壓，且還可將從熒光體層22向第一基板2輻照的可見光反射回朝向第二基板4，從而提高顯示亮度。
陽極電極26還可用透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)形成。在此情況下，陽極電極26可布置在熒光體層22和黑層24面對(duì)第二基板4的表面上。陽極電極26可構(gòu)圖為多個(gè)分隔開的部分。
間隔物(spacer)28可布置在第一基板2和第二基板4之間，第一基板2和第二基板4然后可利用例如玻璃粉(glass frit)和密封劑在其外圍彼此密封。第一和第二基板2和4之間的內(nèi)部空間(或室)可被抽至真空狀態(tài)，從而形成真空容器(vacuum vessel)。間隔物28可以與對(duì)應(yīng)于黑層24的非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)地定位。
對(duì)于上述結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射器裝置，預(yù)定電壓可施加到陰極電極6、柵極電極10、聚焦電極16和陽極電極26從而驅(qū)動(dòng)它們。例如，具有數(shù)伏特至數(shù)十伏特電壓差的驅(qū)動(dòng)電壓可施加到陰極電極6和柵極電極10，數(shù)伏特至數(shù)十伏特的負(fù)(-)電壓可施加到聚焦電極16且數(shù)百伏特至數(shù)千伏特的正(+)電壓可施加到陽極電極26。
結(jié)果，電場(chǎng)可形成在像素處電子發(fā)射區(qū)域12周圍，在這里陰極和柵極電極6和10之間的電壓差超過閾值，因此電子可以從電子發(fā)射區(qū)域12發(fā)射。所發(fā)射的電子通過聚焦電極16時(shí)可被聚焦，且被施加到陽極電極26的高電壓吸引，因此碰撞熒光體層22從而產(chǎn)生可見光。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D4A至4G說明制造根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的電子發(fā)射裝置的方法。如圖4A所示，例如透明導(dǎo)電材料諸如ITO的導(dǎo)電層可涂覆在第一基板2上。然后導(dǎo)電層可被例如以條形圖案構(gòu)圖從而形成陰極電極6。絕緣材料可涂覆在第一基板2的整個(gè)表面上從而形成第一絕緣層8。導(dǎo)電層可涂覆到第一絕緣層8上且例如以垂直于陰極電極6的條形圖案被構(gòu)圖從而形成柵極電極10。一個(gè)或更多開口10a可形成在柵極電極10中，對(duì)應(yīng)于柵極電極10與陰極電極6交叉的像素區(qū)域。
如圖4B所示，絕緣材料可形成在第一絕緣層8和柵極電極10上從而形成第二絕緣層14。導(dǎo)電材料可涂覆到第二絕緣層14上從而形成第一聚焦電極層18。第一聚焦電極層18可被構(gòu)圖從而在其中形成開口18a，該開口對(duì)應(yīng)于陰極電極6與柵極電極10彼此交叉的各像素區(qū)域。
如圖4C所示，第一基板2可例如通過在蝕刻溶液中浸而被構(gòu)圖。第二絕緣層14通過第一聚焦電極層18的開口18a暴露的部分可被去除從而在第二絕緣層14中形成開口14a。隨后，第一絕緣層8通過柵極電極10的開口10a暴露的部分可例如通過蝕刻被去除，從而在第一絕緣層8形成開口8a。結(jié)果，陰極電極6通過所述開口可部分地暴露。
之后，第二絕緣層14的開口14a周圍的部分第一聚焦電極層18可被去除，從而在第一聚焦電極層18形成開口18a，每個(gè)具有比第二絕緣層14的開口14a更大的寬度。即，部分第一聚焦電極層18可以從開口14a周圍的第一聚焦電極層18的外圍被去除，從而擴(kuò)大開口18a。采用此結(jié)構(gòu)，當(dāng)?shù)诙劢闺姌O層形成在第一聚焦電極層18上時(shí)，第二聚焦電極層20可形成為比第一聚焦電極層18具有更大面積，即更小開口。這樣，第二聚焦電極層20能有效地覆蓋第一聚焦電極層18的整個(gè)區(qū)域。
詳細(xì)地，如圖4D所示，含有電子發(fā)射材料和光敏材料的膏相混合物可被制備且被施加到第一基板2的結(jié)構(gòu)上。注意，該混合物可直接施加到第一聚焦電極層18上。
曝光掩模30可設(shè)置在第一基板2的背面，可提供紫外線(箭頭所示)從第一基板2的背面照射陰極電極6上的混合物，從而以有選擇的方式硬化該混合物。曝光掩模30可具有與電子發(fā)射區(qū)域的位置對(duì)應(yīng)的掩模開口30a，紫外線可選擇性地穿過掩模開口30a。
如圖4E所示，任何未硬化的混合物可例如通過顯影被去除。殘留的硬化的混合物可被干燥且被燒制從而形成電子發(fā)射區(qū)域12。當(dāng)混合物直接施加到第一聚焦電極層18時(shí)，未硬化的混合物通過顯影被去除之后，一些電子發(fā)射材料會(huì)殘留在第一聚焦電極層18上。
如圖4F所示，保護(hù)膜32可分別形成在第一和第二絕緣層8和14的開口8a和14a中，使得它們填充開口且覆蓋電子發(fā)射區(qū)域12。然后導(dǎo)電膜34可涂覆在第一基板2的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上。如圖4G所示，導(dǎo)電膜34可被構(gòu)圖從而形成具有開口20a的第二聚焦電極層20，保護(hù)膜32可被去除從而再次暴露電子發(fā)射區(qū)域12。
開口20a可這樣形成在第二聚焦電極層20中，即它們具有比第一聚焦電極層18的開口18a更小的寬度。也就是說，第二聚焦電極層20可形成為橫向延伸超過開口18a的外圍且沿著開口18a的側(cè)壁延伸。這樣，第二聚焦電極層20優(yōu)選完全覆蓋第一聚焦電極層18，包括開口18a的側(cè)壁。因此，第二聚焦電極層20的面積可大于第一聚焦電極層18的面積。
本發(fā)明該方面的特征在于第二聚焦電極層20覆蓋電子發(fā)射區(qū)域12的形成之后留在第一聚焦電極層18上的任何電子發(fā)射材料。因此，本發(fā)明可減少或防止電子發(fā)射裝置的工作期間從所述電子發(fā)射材料的電子發(fā)射。
為了完成該電子發(fā)射裝置，間隔物可安裝在第一基板上，在第二基板上形成熒光體層、黑層和陽極電極之后，第一和第二基板可利用玻璃粉在其外圍彼此密封。第一和第二基板之間的內(nèi)部空間(或室)然后可被抽空。
如上所述，采用根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射裝置，即使在電子發(fā)射材料12的形成之后電子發(fā)射材料殘留在第一聚焦電極層18上，第二聚焦電極層20可用來覆蓋所述電子發(fā)射材料，使得它不會(huì)暴露于第二基板4，其可減少或防止從所述電子發(fā)射材料的不期望電子發(fā)射。因此，通過實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射裝置，屏幕顏色純度和顏色表現(xiàn)可以提高，從而提高顯示特性。
這里已經(jīng)公開了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，盡管采用了特定術(shù)語，但是它們僅在普通和描述性意義上被使用和被解釋，而不是以限制為目的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，在不偏離權(quán)利要求定義的本發(fā)明的思想和范圍的情況下，可進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射裝置，包括電子發(fā)射區(qū)域；聚焦電極，其形成在絕緣層上；以及開口，其穿過所述聚焦電極和所述絕緣層，所述開口對(duì)應(yīng)于所述電子發(fā)射區(qū)域，其中所述聚焦電極包括多個(gè)聚焦電極層
2.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，其中所述多個(gè)聚焦電極層包括第一聚焦電極層，其在所述絕緣層上；以及第二聚焦電極層，其在所述第一聚焦電極層上，其中所述第一聚焦電極層置于所述第二聚焦電極層和所述絕緣層之間。
3.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第一聚焦電極層與所述開口完全隔離。
4.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射裝置，其中所述第二聚焦電極層具有比所述第一聚焦電極層的面積大的面積。
5.如權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射裝置，其中所述開口穿過所述第二聚焦電極層、所述第一聚焦電極層和所述絕緣層，且其中所述第二聚焦電極層覆蓋所述第一聚焦電極層使得所述第一聚焦電極層不直接暴露于所述開口。
6.如權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射裝置，還包括發(fā)射材料，其在所述多個(gè)聚焦電極層的至少兩層之間，其中所述電子發(fā)射區(qū)域也包括所述發(fā)射材料。
7.一種顯示裝置，包括電子發(fā)射部件和熒光體部件，所述電子發(fā)射部件和所述熒光體部件沿室的相對(duì)面設(shè)置，所述電子發(fā)射部件包括電子發(fā)射區(qū)域；以及聚焦電極，其布置在所述電子發(fā)射區(qū)域與所述熒光體部件之間，其中所述聚焦電極包括第一和第二聚焦電極層。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，還包括開口，其在所述聚焦電極中，所述開口對(duì)應(yīng)于所述電子發(fā)射區(qū)域，使得從所述電子發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子穿過所述開口到達(dá)所述熒光體部件，其中所述第一聚焦電極層不暴露于所述開口。
9.一種用于制造電子發(fā)射裝置的方法，包括在基板上形成電子發(fā)射區(qū)域；以及在所述基板上的絕緣層上形成聚焦電極，所述聚焦電極具有多個(gè)聚焦電極層。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括形成所述多個(gè)聚焦電極層中的第一聚焦電極層；在所述第一聚焦電極層中且在所述絕緣層中形成開口；形成所述開口之后，在所述基板上及直接在所述第一聚焦電極層上提供電子發(fā)射材料；以及從所述基板去除所述電子發(fā)射材料的一部分從而形成所述電子發(fā)射區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括在所述去除之后，在所述第一聚焦電極層上形成第二聚焦電極層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二聚焦電極層形成為完全覆蓋所述第一聚焦電極層。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在形成所述第二聚焦電極層之前從所述開口周圍所述第一聚焦電極層的外圍去除所述第一聚焦電極層的一部分。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述第一聚焦電極層上形成所述第二聚焦電極層包括在所述開口周圍所述第一聚焦電極層的外圍形成所述第二聚焦電極層。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述去除之后至少微量的所述電子發(fā)射材料留在所述第一聚焦電極層上，且其中所述第二聚焦電極層覆蓋所述微量。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述去除包括在所述基板的背表面設(shè)置具有掩模開口的曝光掩模且使紫外線選擇性穿過所述掩模開口。
17.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括在所述絕緣層及在至少一個(gè)聚焦電極層中形成開口；以及在所述絕緣層和所述至少一個(gè)聚焦電極層中形成所述開口之后，去除所述開口周圍所述至少一個(gè)聚焦電極層的一部分從而擴(kuò)大所述至少一個(gè)聚焦電極層中的所述開口，使得所述至少一個(gè)聚焦電極層中所述開口的寬度大于所述絕緣層中所述開口的寬度。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述第一聚焦電極層上形成第二聚焦電極層，其中所述第二聚焦電極層具有比所述第一聚焦電極層更大的面積，使得所述第二聚焦電極層完全覆蓋所述第一聚焦電極層。
19.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括在形成所述電子發(fā)射區(qū)域之后且在形成第一聚焦電極層之后用保護(hù)膜覆蓋所述電子發(fā)射區(qū)域，以及在形成第二聚焦電極層之后去除所述保護(hù)膜。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例包括具有多層聚焦電極的電子發(fā)射裝置、包括所述電子發(fā)射裝置的顯示裝置、以及制造所述電子發(fā)射裝置的方法。在一實(shí)施例中，所述電子發(fā)射裝置包括電子發(fā)射區(qū)域、形成在絕緣層上的聚焦電極、以及穿過所述聚焦電極和所述絕緣層的開口，所述開口對(duì)應(yīng)于所述電子發(fā)射區(qū)域，其中所述聚焦電極包括多個(gè)聚焦電極層。
文檔編號(hào)H01J9/00GK1828811SQ200610009599
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2006年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月28日
發(fā)明者李昌洙 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社