專利名稱：等離子體顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示器(PDP)。更具體而言，本發(fā)明涉及一種在顯示電極之間具有長放電間隙從而產(chǎn)生陽極區(qū)的等離子體顯示器。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器是通過利用在放電單元內(nèi)部氣體放電首先產(chǎn)生的真空紫外線激發(fā)熒光體產(chǎn)生圖像的顯示器。根據(jù)施加的驅(qū)動(dòng)電壓波形和等離子體顯示器放電單元的結(jié)構(gòu)，等離子體顯示器可以分類為DC型或AC型。已經(jīng)廣泛地發(fā)展帶有三電極表面放電結(jié)構(gòu)的AC型等離子體顯示器用于消費(fèi)者應(yīng)用。
在一般的AC型等離子體顯示器中，設(shè)置了分離并彼此相對(duì)的前基板和后基板，在其間形成阻隔肋。另外，通過阻隔肋劃分了多個(gè)放電單元。此外，尋址電極形成在后基板上以相應(yīng)于放電單元，且顯示電極形成在前基板上。根據(jù)等離子體顯示器功能和操作模式，顯示電極可以包括掃描電極和維持電極。尋址電極和顯示電極每個(gè)都可以被介電層覆蓋。熒光層可以設(shè)置在各個(gè)放電單元中。放電單元可以由放電氣體填充，放電氣體可以包括Ne-Xe氣體混合物。在放電單元中的掃描電極和維持電極之間的距離定義為放電間隙，且在放電單元內(nèi)部通常是約60μm到120μm的短放電間隙。
通常，AC等離子體顯示器由分為多個(gè)子域(subfield)的所需圖像的一幀(frame)驅(qū)動(dòng)。三個(gè)子域可以包括復(fù)位期、尋址期和維持期。
在復(fù)位期，每個(gè)放電單元初始化且來自先前放電的壁電荷被復(fù)位使得尋址操作可以在放電單元上平穩(wěn)進(jìn)行。在尋址期，將要開啟的放電單元被選且壁電荷積聚在被選的放電單元上。在維持期，在被選的用于發(fā)出預(yù)定顏色和強(qiáng)度的光并在等離子體顯示器上顯示圖像的放電單元中產(chǎn)生放電。
對(duì)于AC型等離子體顯示器，已經(jīng)進(jìn)行了關(guān)于改善定義為功耗和亮度之比的面板效率的廣泛研究。然而，在具有上述短放電間隙的常規(guī)放電單元結(jié)構(gòu)中，面板效率正接近其極限。所以，新的放電單元結(jié)構(gòu)和新的驅(qū)動(dòng)方法的研究已經(jīng)活躍起來。該研究包括采用陽極區(qū)放電特性的技術(shù)。
根據(jù)上述技術(shù)，在一個(gè)放電單元內(nèi)部的掃描電極和維持電極之間可以形成約400μm或更大的長放電間隙。此外，由該技術(shù)，在長放電間隙中產(chǎn)生的陽極區(qū)可以用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示器，從而改善面板效率。然而，在采用這種陽極區(qū)放電特性的AC型等離子體顯示器中，顯示電極之間的長距離可以導(dǎo)致放電點(diǎn)火電壓和維持電壓的不期望的增大。
背景技術(shù)：
部分中披露的上述信息僅用于加強(qiáng)本發(fā)明背景技術(shù)的理解。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示器，其由形成在顯示電極之間的長放電間隙導(dǎo)致的低電壓產(chǎn)生陽極區(qū)，從而具有改善的面板效率，且其通過控制尋址電極的形狀以擴(kuò)大可見光線的分布范圍，從而具有改善的亮度和發(fā)光效率。
本發(fā)明另外的特征將會(huì)在以下的描述中闡明，且從描述部分地變得明顯，或可以由本發(fā)明的實(shí)施例了解。
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示器，該顯示器包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一和第二基板、設(shè)置在第一基板和第二基板之間并劃分多個(gè)放電單元的阻隔肋、設(shè)置在第一基板上并在第一方向上延伸的尋址電極和設(shè)置在第二基板上并在基本垂直于第一方向的第二方向上彼此基本平行延伸的第一顯示電極和第二顯示電極，第一顯示電極和第二顯示電極與尋址電極在相應(yīng)于放電單元的區(qū)域交叉。此外，第一顯示電極和第二顯示電極之間的距離大于第一顯示電極和尋址電極之間的距離，且尋址電極相應(yīng)于放電單元的部分具有長于在第一方向上測(cè)量的放電單元的長度的通路。
本發(fā)明還公開了一種等離子體顯示器，該顯示器包括彼此相對(duì)設(shè)置的第一和第二基板、設(shè)置在第一基板和第二基板之間并劃分多個(gè)放電單元的阻隔肋、設(shè)置在第一基板上并在第一方向上延伸的尋址電極、尋址電極相應(yīng)于放電單元的部分具有長于在第一方向上測(cè)量的放電單元的長度的通路、和設(shè)置在第二基板上并在基本垂直于第一方向的第二方向上彼此基本平行延伸的第一顯示電極和第二顯示電極。此外，第一顯示電極和第二顯示電極相應(yīng)于放電單元并由不透明材料形成。
將會(huì)理解的是，前述一般的描述和下列詳細(xì)描述是示范性的和說明性的，并旨在提供根據(jù)權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步的說明。


包括進(jìn)來以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解的附圖包括在說明書中并構(gòu)成其一部分，圖示了本發(fā)明的實(shí)施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例和第二示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的局部分解透視圖；圖2是沿根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的圖1的線II-II所取的等離子體顯示器的局部剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的局部頂視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的局部剖面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的局部頂視圖；圖6A是用于根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的維持波形圖；圖6B是用于示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器中的放電單元內(nèi)部的放電的形成的示意圖；圖7是用于示出當(dāng)驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器時(shí)被監(jiān)控的放電單元內(nèi)部的可見光線的分布的示意圖。
具體實(shí)施例方式
參照其中示出了本發(fā)明實(shí)施例的附圖，在下文中更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以實(shí)施在很多不同的形式中且不應(yīng)認(rèn)為是限于這里所給出的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例使得本公開是完全的，且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。為了清楚，在附圖中可能夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。附圖中相似的參考標(biāo)號(hào)表示相似的元件。
可以理解的是當(dāng)諸如層、薄膜、區(qū)域或基板的元件稱為在另一個(gè)元件“上”時(shí)，它可以直接在另一元件上或者也可能存在中間元件。相反，當(dāng)元件稱為“直接”在另一個(gè)元件“上”時(shí)，不存在中間元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例和第二示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的局部分解透視圖。圖2是沿根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的圖1的線II-II所取的等離子體顯示器的局部剖面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的局部頂視圖。
根據(jù)圖1、圖2和圖3，等離子體顯示器包括設(shè)置為分離并彼此相對(duì)的后基板2和前基板4。多個(gè)放電單元6R、6G和6B設(shè)置在基板2和4之間的空間里，并由柵格型阻隔肋12劃分。通過獨(dú)立的放電機(jī)制，可見光從放電單元6R、6G和6B發(fā)射，從而產(chǎn)生預(yù)定顏色的圖像。
尋址電極8形成在后基板2上并在示為y軸方向的第一方向上延伸。第一介電層10形成在后基板2上并覆蓋尋址電極8。尋址電極8以預(yù)定的圖案設(shè)置，在連續(xù)的尋址電極8之間有預(yù)定的距離。柵格型阻隔肋12在示為y軸方向的第一方向和與第一方向交叉的示為x軸方向的第二方向上延伸。柵格型阻隔肋12形成在第一介電層10上。阻隔肋12的形狀不限于柵格型，也可以是條紋型或柵格型以外的其它閉合型的形狀。紅色熒光層14R、綠色熒光層14G和藍(lán)色熒光層14B形成在阻隔肋12的四個(gè)側(cè)面上和第一介電層10上。
此外，包括每個(gè)放電單元中的掃描電極16和維持電極18的顯示電極20形成在與后基板2相對(duì)的前基板4的內(nèi)表面上。顯示電極20在示為x軸方向的第二方向上延伸并與尋址電極8交叉。透明的第二介電層22和MgO保護(hù)層24設(shè)置在前基板4的內(nèi)表面上，并覆蓋顯示電極20。
在本示范性實(shí)施例中，掃描電極16和維持電極18之間的放電間隙可以是設(shè)為約400μm或更大的長放電間隙。圖2和圖3所示的掃描電極16和維持電極18之間的放電間隙G大于圖2所示的尋址電極8和顯示電極20之間的距離D。如圖3所示，掃描電極16和維持電極18跨過放電單元6R、6G和6B彼此相應(yīng)設(shè)置，且它們之間具有長放電間隙。已知通過陽極區(qū)的產(chǎn)生，如此一個(gè)長放電間隙可以提高面板效率。然而，這樣的電極結(jié)構(gòu)可能要求過大的放電點(diǎn)火電壓和維持電壓。因此，本示范性實(shí)施例公開了一種新的驅(qū)動(dòng)方法，用于通過長放電間隙降低放電點(diǎn)火電壓和維持電壓。將參照下面的圖6A和圖6B進(jìn)一步詳細(xì)描述該驅(qū)動(dòng)方法。
此外，如圖3中所示，為了提高陽極區(qū)的長度，尋址電極8由在第一方向即y軸方向上延伸的直線部分8a和至少某些是彎曲的彎曲部分8b形成。在本示范性實(shí)施例中，彎曲部分8b具有沿尋址電極8的長度方向即y軸方向彎曲至少兩次的S形。所以，沿著電極的兩個(gè)邊緣在每個(gè)放電單元的x軸方向上延伸的通路和沿著電極的兩個(gè)邊緣在每個(gè)放電單元的y軸方向上延伸的通路更長。因而，提高了產(chǎn)生陽極區(qū)的主放電的長度并得到可見光的較大強(qiáng)度，提高了亮度。
此外，尋址電極8的彎曲部分8b沿放電單元6R、6G和6B的一個(gè)邊緣在+x方向形成通路，并沿放電單元6R、6G和6B的另一個(gè)邊緣在相對(duì)的-x方向形成通路。此外，當(dāng)提供彎曲部分8b時(shí)，沿著尋址電極邊緣貼近和鄰近每個(gè)放電單元6R、6G和6B側(cè)壁設(shè)置的通路長度可以做得更長。如上所述，因?yàn)樵诟鶕?jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的尋址電極8中提供了彎曲部分8b，可以使放電空間的使用最大化。而且，彎曲部分8b關(guān)于放電單元6R、6G和6B的中心對(duì)稱。放電空間可以被一致地實(shí)施。
如上所述制造的尋址電極8、掃描電極16和維持電極18不需要是具有高阻抗的透明電極。相反地，尋址電極8、掃描電極16和維持電極18可以是具有低阻抗的不透明電極。例如，尋址電極8、掃描電極16和維持電極18可以是具有良好傳導(dǎo)率的諸如Ag的金屬電極。
當(dāng)在放電單元諸如紅色放電單元6R的尋址電極8和掃描電極16之間施加尋址電壓時(shí)，在放電單元6R中產(chǎn)生尋址放電。尋址放電的結(jié)果，壁電荷積聚在覆蓋顯示電極20的第二介電層22上，且放電單元6R因此被選取或被開啟。
其后，如果在所選取的放電單元6R的掃描電極16和維持電極18之間施加維持電壓且輔助電壓施加到尋址電極，在掃描電極16與尋址電極8之間或維持電極18與尋址電極8之間形成負(fù)電場(chǎng)。在掃描電極16和尋址電極8或維持電極18和尋址電極8之間的放電開始之后，放電沿著尋址電極8的長度展開。當(dāng)放電接近尋址電極8的兩端時(shí)，通過陽極區(qū)最終在其間有長間隙的掃描電極16和維持電極18之間產(chǎn)生了主放電。從而，由放電單元6R中的氣體放電產(chǎn)生的激發(fā)的Xe原子產(chǎn)生了VUV射線。VUV射線激發(fā)放電單元6R中的熒光層14R，從而產(chǎn)生了可見光，且因此從熒光層14R和放電單元6R激發(fā)了紅光以在等離子體顯示器上形成圖像。
如上所述，在根據(jù)第一示范性實(shí)施例的等離子體顯示器中，通過向?qū)ぶ冯姌O8增加彎曲部分8b而延長了沿著尋址電極8的具有高亮度的放電單元部分的長度。從而，提高了亮度。此外，通過延長掃描電極16和維持電極18之間的放電間隙，可以提高屏幕的亮度，也可以提高發(fā)光效率。
下面將參照?qǐng)D4和圖5描述本發(fā)明的第二示范性實(shí)施例。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的局部剖面圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的局部頂視圖。
如圖4和圖5所示，第二示范性實(shí)施例具有第一示范性實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，其中尋址電極28的寬度比第一示范性實(shí)施例中的尋址電極8的寬度薄。在第二示范性實(shí)施例中，尋址電極28在放電單元內(nèi)部具有S形。而且，為了減少可能隨著尋址電極28的通路增加而增大的尋址電流，至少尋址電極28的部分寬度比第一示范性實(shí)施例中的尋址電極8的寬度窄。在與尋址電極28的長度方向交叉的方向上測(cè)量的尋址電極28的彎曲部分28b的寬度W1小于直線部分28a的寬度W2。
此外，如圖4中所示，在基本與后基板2垂直的第三方向即z方向上測(cè)量的彎曲部分28b的厚度D2厚于直線部分28a的厚度D1。因此，可以防止由于減少尋址電極28的寬度導(dǎo)致的彎曲部分28b的阻抗的增加。所以，在第二示范性實(shí)施例中，尋址電極28在直線部分28a和彎曲部分28b中具有基本相同的每單位長度的體積。
下文中，將會(huì)描述在如上所配置的尋址電極8或?qū)ぶ冯姌O28、掃描電極16和維持電極18之間產(chǎn)生放電的過程。
圖6A是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器的維持波形圖。圖6B是用于示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器中的放電單元內(nèi)部的放電的形成的示意圖。在圖6A中，Vx是施加到維持電極的電壓，Vy是施加到掃描電極的電壓，且Vz是施加到尋址電極的電壓。施加到尋址電極的波形具有周期T和幅度A。在圖6B中，黑色箭頭表示放電前進(jìn)的方向，且白色箭頭表示由電壓差形成的電場(chǎng)的方向。圖6B中所示的電壓可以是當(dāng)放電開始時(shí)的電壓電平。在維持放電時(shí)，維持電壓可以是約160V且尋址輔助脈沖電壓可以是約80V。
圖6A中所示的維持波形具有與常規(guī)維持電壓脈沖同步地施加到尋址電極的電壓脈沖。根據(jù)陽極區(qū)放電特性，因?yàn)榫S持電極和掃描電極之間的距離是大的，通過施加到維持電極和掃描電極之間的負(fù)維持電壓，在尋址電極與掃描電極或?qū)ぶ冯姌O與維持電極之間開始初始放電(i觸發(fā)放電)。初始放電隨后沿著尋址電極擴(kuò)散(ii擴(kuò)散放電)。在具有長放電間隙的維持電極和掃描電極之間最終產(chǎn)生了主放電(iii主放電)。
將參照?qǐng)D6B詳細(xì)描述放電。通過由Vxy和Vyz引起的電場(chǎng)開始在掃描電極和尋址電極之間放電(i觸發(fā)放電)。通過施加到第一介電層和熒光層的電子，放電沿著尋址電極擴(kuò)散(ii擴(kuò)散放電)。隨后放電擴(kuò)散到維持電極，且在放電單元內(nèi)的維持電極和掃描電極之間產(chǎn)生主放電(iii主放電)。
圖7是用于示出當(dāng)驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的等離子體顯示器時(shí)被監(jiān)控的放電單元內(nèi)部的可見光線的分布的示意圖。從圖7可以看出，對(duì)于主放電，強(qiáng)烈的可見光從阻隔肋12、其中掃描電極16和維持電極18彼此相對(duì)的表面部分、和放電單元內(nèi)相應(yīng)于尋址電極8的部分的周圍發(fā)射，從而代表高亮度區(qū)。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的等離子體顯示器中，通過采用陽極區(qū)放電特性可以提高面板效率。此外，高亮度部分可以在放電單元內(nèi)部擴(kuò)展以從尋址電極的彎曲部分發(fā)射更高強(qiáng)度的可見光。這可以導(dǎo)致提高的亮度和發(fā)光效率。此外，通過減少放電單元內(nèi)的彎曲部分的寬度，可以不增大尋址電流而提高面板效率。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是明顯的是，在本發(fā)明可以進(jìn)行多種改進(jìn)和變化而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明旨在覆蓋在所附權(quán)利要求和它們的等同物的范圍內(nèi)提供的本發(fā)明的改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器(PDP)，包括第一基板和第二基板，設(shè)置為彼此相對(duì)；阻隔肋，設(shè)置在所述第一和第二基板之間并劃分多個(gè)放電單元；尋址電極，設(shè)置在所述第一基板上并在第一方向延伸；和第一顯示電極和第二顯示電極，設(shè)置在所述第二基板上并在基本垂直于所述第一方向的第二方向上彼此基本平行延伸，所述第一顯示電極和第二顯示電極與所述尋址電極交叉在相應(yīng)于放電單元的區(qū)域，其中所述第一顯示電極和第二顯示電極之間的距離大于所述第一顯示電極和尋址電極之間的距離，且尋址電極相應(yīng)于所述放電單元的部分具有長于在所述第一方向上測(cè)量的放電單元的長度的通路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中所述尋址電極包括在所述第一方向上延伸的直線部分和彎曲部分，且至少一些所述彎曲部分相應(yīng)于所述放電單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中所述彎曲部分具有S形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中所述彎曲部分在尋址電極相應(yīng)于所述放電單元的部分中彎曲至少兩次。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中所述彎曲部分包括沿著兩個(gè)邊緣在所述放電單元的第二方向上延伸的通路，和沿著兩個(gè)邊緣在所述放電單元的第一方向上延伸的通路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示器，其中所述彎曲部分具有沿著兩個(gè)邊緣在所述放電單元的第二方向的相反方向上延伸的通路。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示器，其中所述彎曲部分關(guān)于所述放電單元的中心對(duì)稱。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中在相應(yīng)于所述放電單元的尋址電極部分，所述彎曲部分的長度大于直線部分的長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中在與所述尋址電極的長度方向交叉的方向上測(cè)量的所述彎曲部分的寬度小于所述直線部分的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示器，其中在基本垂直于所述第一基板的第三方向上測(cè)量的所述彎曲部分的厚度大于所述直線部分的厚度。
11.一種等離子體顯示器(PDP)，包括第一基板和第二基板，設(shè)置為彼此相對(duì)；阻隔肋，設(shè)置在所述第一和第二基板之間并劃分多個(gè)放電單元；尋址電極，設(shè)置在所述第一基板上并在第一方向延伸，尋址電極相應(yīng)于所述放電單元的部分具有長于在所述第一方向上測(cè)量的放電單元的長度的通路；和第一顯示電極和第二顯示電極，設(shè)置在所述第二基板上并在基本垂直于所述第一方向的第二方向上彼此基本平行延伸，其中所述第一顯示電極和第二顯示電極相應(yīng)于放電單元并由不透明材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器，其中所述第一顯示電極和第二顯示電極之間的距離大于所述第一顯示電極和尋址電極之間的距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體顯示器，其中所述尋址電極包括在所述第一方向上延伸的直線部分和彎曲部分，且至少一些彎曲部分相應(yīng)于所述放電單元。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器，其中所述彎曲部分具有在尋址電極相應(yīng)于所述放電單元的部分上彎曲至少兩次的S形.
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器，其中所述彎曲部分包括沿著兩個(gè)邊緣在所述放電單元的第二方向上延伸的通路，和沿著兩個(gè)邊緣在所述放電單元的第一方向上延伸的通路。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示器，其中所述S形具有沿著兩個(gè)邊緣在所述放電單元的第二方向的相反方向上延伸的通路。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器，其中在與所述尋址電極的長度方向交叉的方向上測(cè)量的彎曲部分的寬度小于直線部分的寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示器，其中在基本垂直于所述第一基板的第三方向上測(cè)量的所述彎曲部分的厚度大于所述直線部分的厚度。
19.一種等離子體顯示器(PDP)，包括第一基板和第二基板，設(shè)置為彼此相對(duì)；阻隔肋，設(shè)置在所述第一和第二基板之間并劃分多個(gè)放電單元；尋址電極，設(shè)置在所述第一基板上并在第一方向延伸；和第一顯示電極和第二顯示電極，設(shè)置在所述第二基板上并在基本垂直于所述第一方向的第二方向上彼此基本平行延伸，所述第一顯示電極和第二顯示電極與所述尋址電極交叉在相應(yīng)于放電單元的區(qū)域，其中所述尋址電極包括在所述第一方向上延伸的直線部分和彎曲部分，且至少部分所述彎曲部分相應(yīng)于所述放電單元。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的等離子體顯示器，其中所述彎曲部分的寬度小于所述直線部分的寬度，且在基本垂直于所述第一基板的第三方向上測(cè)量的所述彎曲部分的厚度大于所述直線部分的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示器(PDP)，其由顯示電極之間的長放電間隙驅(qū)動(dòng)以產(chǎn)生陽極區(qū)(positive column)。該等離子體顯示器包括設(shè)置為彼此相對(duì)的第一和第二基板、劃分放電單元的阻隔肋、設(shè)置在第一基板上的尋址電極和在第二方向延伸并與尋址電極在相應(yīng)于放電單元的區(qū)域交叉的顯示電極。放電單元中的顯示電極之間的長放電間隙大于顯示電極和尋址電極之間的距離，并在尋址電極和第一顯示電極之間啟動(dòng)(initiate)放電。放電沿著尋址電極擴(kuò)散直到在顯示電極之間的長放電間隙中產(chǎn)生主放電以提高面板效率。此外，尋址電極被彎曲并具有長于放電單元長度的通路以增加高強(qiáng)度亮度區(qū)。
文檔編號(hào)H01J11/22GK1855350SQ200610075479
公開日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2006年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月29日
發(fā)明者金鉉, 太興植 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社