專利名稱：Pdp的下板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示板及其制造方法，尤其涉及一種使用玻璃粉末形成間隔肋形成層和下介電層的方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板(PDP)是使用等離子體放電顯示圖像或信息的平板顯示器件。根據(jù)板結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)方法，PDP通常分成DC型和AC型。此外，當(dāng)由于提供在每個(gè)單元中的氣體(如He、Xe等)的等離子體放電產(chǎn)生的紫外線激勵(lì)在單元中的熒光體內(nèi)襯時(shí)，PDP產(chǎn)生根據(jù)能量差獲得的可見射線，其在恢復(fù)到接地狀態(tài)時(shí)發(fā)出可見光子。
而且，PDP具有以下優(yōu)點(diǎn)，如容易的制造工藝、簡單的結(jié)構(gòu)、高的亮度、高的發(fā)光效率、存儲(chǔ)容量和大于160°的寬闊的視角。PDP也用在40+英寸寬的屏幕中。PDP通常包括上基板和相對(duì)設(shè)置的下基板、間隔肋以及由兩個(gè)基板和間隔肋限定的單元。
此外，將透明電極設(shè)置在上基板上，并將總線電極設(shè)置在透明電極上，以降低透明電極的電阻。也稱作數(shù)據(jù)電極的地址電極形成在下基板上。
而且，由間隔肋分開的單元用熒光劑內(nèi)襯。上介電層設(shè)置在上基板上，以覆蓋透明電極和總線電極，下介電層設(shè)置在下基板上以覆蓋地址電極。此外，包括氧化鎂的保護(hù)層例如設(shè)置在上介電層上。
存在間隔肋以保持上基板和下基板之間的放電空間，且防止相鄰單元之間的電、光串?dāng)_。形成間隔肋是在制造優(yōu)質(zhì)PDP中的重要步驟。當(dāng)板的尺寸增長得越來越大時(shí)，這尤其成立。
一般，使用噴砂處理、絲網(wǎng)印刷方法或者光蝕刻方法來形成間隔肋。在噴砂處理方法中，地址電極和介電層首先形成在下基板上，然后將玻璃漿涂敷于其上并將其用于形成間隔肋，隨后是燒結(jié)工藝。然后，將帶形掩模圖案設(shè)置于其上，并通過掩模圖案以高速度噴射細(xì)砂粒，由此形成間隔肋。然而，用在噴砂處理方法中的裝置是昂貴的。噴砂處理方法也相對(duì)復(fù)雜，并在燒結(jié)步驟期間易于引起裂縫，這是由于將相當(dāng)大的物理沖擊施加到下基板。
在絲網(wǎng)印刷方法中，地址電極和介電層形成于下基板上，隨后將帶形絲網(wǎng)設(shè)置于其上。隨后，用形成間隔肋的玻璃漿重復(fù)進(jìn)行印刷，直到獲得具有希望厚度的間隔肋，且之后進(jìn)行燒結(jié)。然而，絲網(wǎng)印刷方法需要重復(fù)絲網(wǎng)印刷步驟以獲得具有希望厚度的間隔肋，這是由于一個(gè)絲網(wǎng)印刷步驟是不夠的。該反復(fù)性的處理使得工藝復(fù)雜。
在光蝕刻方法中，地址電極和介電層首先形成在下基板上，然后將用于形成間隔肋的漿料涂敷于其上。然后，設(shè)置帶形掩模圖案，然后通過掩模的開口用蝕刻劑蝕刻暴露部分來使間隔肋成形，隨后燒結(jié)。然而，在光蝕刻方法中，由于漿料必須被涂敷幾次以形成間隔肋的希望厚度，因此延遲了該工藝。而且，由于過蝕刻了間隔肋的側(cè)面部分，因此難以獲得在結(jié)構(gòu)和機(jī)械上具有足夠穩(wěn)定的形狀的間隔肋以保持放電空間。
因此，用于形成間隔肋的現(xiàn)有技術(shù)方法復(fù)雜、浪費(fèi)時(shí)間并昂貴。而且，其難以形成具有希望形狀和機(jī)械強(qiáng)度的間隔肋。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的就是針對(duì)上述和其它的目的。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有用玻璃粉末形成的間隔肋和下介電層的PDP的下板。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它目的，如所體現(xiàn)和廣泛描述的，在一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種制造等離子體顯示板的方法，其包括在下基板上形成下介電層，在其上形成了下介電層的基板上方設(shè)置篩網(wǎng)，通過篩網(wǎng)散布玻璃粉末，通過施加一定量的熱和壓力到散布的玻璃粉末來形成間隔肋形成層，和通過選擇性移除間隔肋形成層來形成間隔肋。
在另一方面，本發(fā)明提供一種等離子體顯示板，其包括設(shè)置在下基板上的下介電層，設(shè)置在下介電層上的燒結(jié)玻璃粉末間隔肋，和通過燒結(jié)玻璃粉末間隔肋與下基板間隔開并位于其上方的上基板，以便形成等離子體顯示板。
根據(jù)以下給出的詳細(xì)描述，本發(fā)明應(yīng)用的進(jìn)一步范圍將顯而易見。然而，應(yīng)當(dāng)理解，由于根據(jù)該詳細(xì)的描述，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種改變和修改都是顯而易見的，因此，雖然詳細(xì)描述和具體實(shí)例表示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但其僅是以說明方式給出。


參考以下描述、所附的權(quán)利要求以及附圖，將更好地理解本發(fā)明的這些和其它特征、方面和優(yōu)點(diǎn)，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的截面圖；和圖2a至2i是示出圖1中的PDP的下基板的下介電層和間隔肋的制造工藝的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例，其例子將在附圖中說明。
首先轉(zhuǎn)向圖1，其是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的PDP的截面圖。如所示出的，PDP包括上板200和下板300。而且，上板200包括透明電極220、總線電極250、第一和第二黑色矩陣230和240、上介電層260和形成在玻璃基板210(以下，稱作“上基板”)的下側(cè)的保護(hù)層270。而且，透明電極220由透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)制成，以透過從放電單元產(chǎn)生的光。
此外，總線電極250存在于透明電極220上，以降低透明電極220的線電阻，并可由具有高電導(dǎo)性的銀(Ag)漿制成。由此，由于總線電極250一般由具有高電導(dǎo)率的材料制成，因此電極250降低了具有相對(duì)低電導(dǎo)率的透明電極220的驅(qū)動(dòng)電壓。
而且，第一黑色矩陣230形成為透明電極220和總線電極250之間的非常薄的層，以允許電流在透明電極220和總線電極250之間流動(dòng)，并增強(qiáng)了PDP的對(duì)比度。此外，第二黑色矩陣240設(shè)置在放電單元之間，以吸收在相鄰放電單元之間的內(nèi)部傳輸?shù)墓夂屯獠抗?，并增?qiáng)PDP的對(duì)比度。第二黑色矩陣240也用于分離或隔開放電單元。
而且，上介電層260直接接觸總線電極250且可由PbO基玻璃制成，以避免與由金屬材料制成的總線電極250發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。而且，上介電層260限制放電電流以保持輝光放電，并且由此，在等離子體放電時(shí)產(chǎn)生的電荷沉積在上介電層260上。保護(hù)層270防止上介電層260由于在等離子體放電時(shí)的濺射而被損壞，并增加次級(jí)電子(secondary electron)的放電效率。而且，保護(hù)層270可由氧化鎂(MgO)制成。
如圖1中所示，PDP的下板300包括玻璃基板310(以下稱作“下基板”)、地址電極320、下介電層330、間隔肋340和設(shè)置在下基板310的上表面上的熒光劑層350。此外，地址電極320大致設(shè)置在每個(gè)放電單元的中心處，并可具有約70到80μm的線寬。
而且，將下介電層330設(shè)置在下基板310和地址電極320的整個(gè)表面上方，并保護(hù)地址電極320。如所示出的，間隔肋340設(shè)置在以預(yù)定間距與地址電極320隔開的下介電層330的頂部上，并將其形成為在垂直方向上更長。
而且，如圖1中所示，間隔肋340具有雙層結(jié)構(gòu)，包括下間隔肋344和上間隔肋342。間隔肋340的截面形狀也可以是矩形，其中上間隔肋342具有與下間隔肋344相同的寬度。替代地，間隔肋340的截面形狀可以是梯形，其中上間隔肋342在寬度上比下間隔肋344窄。
此外，存在間隔肋340以保持放電空間，并防止在相鄰放電單元之間電和光的干擾。而且，熒光劑層350形成于間隔肋340的兩側(cè)和下介電層330的上表面上。通過在等離子體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線來激勵(lì)熒光劑層350，以產(chǎn)生紅(R)、綠(G)或藍(lán)(B)可見射線。
接下來，將描述PDP的發(fā)光機(jī)理。首先，在透明電極220和總線電極250之間的預(yù)定電壓之上(在電壓容限范圍內(nèi))，將足以在透明電極220和總線電極250之間產(chǎn)生等離子體的附加電壓施加到地址電極320。此外，當(dāng)將電場施加到氣體時(shí)，在氣體中存在一定量的自由電子，且一個(gè)力(F＝q·E)加到自由電子上。
如果受力的電子獲得了足以移除最外面軌道上的電子的能量(第一離子化能量)，則電子離子化了該氣體，且在氣體中產(chǎn)生的離子和電子通過電磁力移動(dòng)到兩個(gè)電極。尤其，當(dāng)離子與保護(hù)層250相撞時(shí)產(chǎn)生次級(jí)電子，且次級(jí)電子有助于產(chǎn)生等離子體。由此，高電壓產(chǎn)生最初放電，但是一旦開始放電，就使用較低電壓，同時(shí)電子密度增加。
此外，提供在PDP單元中的氣體通常是惰性氣體，如Ne、Xe、He等。尤其，當(dāng)Xe處于準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)時(shí)，產(chǎn)生波長在約147和173nm之間的紫外線，并將其施加到熒光劑層350以發(fā)出紅、綠或藍(lán)色可見射線。而且，根據(jù)放電單元的熒光劑內(nèi)襯的類型來確定從每個(gè)放電單元發(fā)出的可見射線的顏色，并且由此，每個(gè)放電單元都成為了表示紅、綠或藍(lán)顏色的子像素。
此外，每個(gè)放電單元的顏色通過從三個(gè)子像素發(fā)出的光的組合來控制，且可在產(chǎn)生等離子體時(shí)控制。而且，如上所述產(chǎn)生的可見射線通過上基板210被發(fā)射到單元的外部。
以下，將參考圖2a至2i來描述下板300尤其是下介電層330和間隔肋340的制造工藝。在圖2a中，可通過濺射、離子電鍍、化學(xué)沉積、電沉積等將地址電極320形成在下基板310上，然后在下基板310上方設(shè)置篩網(wǎng)400。
隨后，通過篩網(wǎng)400散布下介電層形成玻璃粉末330a。在此，僅將移除了雜質(zhì)元素的下介電層形成玻璃粉末330a散布到下介電層330上。然后，如圖2b中所示，壓具410將特定壓力和熱施加到玻璃粉末330a，以形成下介電層330，如圖2c中所示。
然后，如圖2d中所示，將篩網(wǎng)400設(shè)置在下介電層330上方，并通過篩網(wǎng)的上部散布第一玻璃粉末344a。第一玻璃粉末344a由用于形成下間隔肋344的材料構(gòu)成。相似地，將移除了雜質(zhì)元素的第一玻璃粉末344a散布在下介電層330上。
隨后，如圖2e中所示，壓具410將一定壓力和熱施加到第一玻璃粉末344a，由此形成下間隔肋形成層344b。接下來，如圖2f中所示，將篩網(wǎng)400設(shè)置在下間隔肋形成層344b上方，通過篩網(wǎng)400散布第二玻璃粉末342a。第二玻璃粉末342a由形成上間隔肋342b的材料構(gòu)成，且僅將移除了雜質(zhì)元素的第二玻璃粉末342a散布在下間隔肋形成層344b上。
隨后，如圖2g中所示，壓具410將一定量壓力和熱施加到第二玻璃粉末342a，由此形成上間隔肋形成層342b。然后，如圖2h中所示，將其中具有開口的掩模420設(shè)置在下基板310上，該下基板310包括下間隔肋形成層344b和上間隔肋形成層342b。掩模420在與將形成間隔肋340之處對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外的區(qū)域中具有開口。
而且，用蝕刻劑處理其上設(shè)置了掩模420的下基板310，以蝕刻在對(duì)應(yīng)于掩模420的開口的區(qū)域中的下間隔肋形成層344b和上間隔肋形成層342b，由此使間隔肋340成形，以包括上間隔肋部分342和下間隔肋部分344。
此外，在蝕刻工藝中，下間隔肋形成層344b具有比上間隔肋形成層342b高的蝕刻率。由此，在這種條件下，通過側(cè)蝕刻較少損傷上間隔肋形成層342b，同時(shí)蝕刻了下間隔肋形成層344b。因此，如圖2i中所示，獲得了結(jié)構(gòu)和機(jī)械穩(wěn)定的矩形或梯形截面形狀的間隔肋340。此外，一旦形成間隔肋340，就進(jìn)行例如燒結(jié)工藝。
如上所述，在PDP下基板的制造方法中，不使用漿料組合物或生片材(green sheet)。而是，使用玻璃粉末，如PbO基玻璃粉末、ZnO基玻璃粉末或其混合物，來形成下介電層330和間隔肋340。優(yōu)選地，玻璃粉末是PbO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、PbO-B2O3-SiO2X-Al2O3基玻璃粉末、ZnO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、PbO-ZnO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、B2O3-SiO2基玻璃粉末或其混合物。隨后，將熒光劑材料散布到通過間隔肋340限定的單元內(nèi)部，以形成熒光劑層350。此外，下介電層330或間隔肋340也可通過使用玻璃粉末來形成。
由此，由于間隔肋340和下介電層330通過使用玻璃粉末來形成，因此制造下基板的工藝簡單，且制造成本較便宜。間隔肋也具有結(jié)構(gòu)和機(jī)械上足夠穩(wěn)定的形狀，以保持放電空間，這是由于在間隔肋的上和下部之間的蝕刻率相互不同，以防止側(cè)蝕刻帶來的間隔肋損傷。
由于可以以幾種形式體現(xiàn)本發(fā)明而不脫離其精神或?qū)嵸|(zhì)特性，因此也應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施例不受前面描述的任一細(xì)節(jié)所限制，除非另有說明，而是應(yīng)當(dāng)將其廣泛地解釋為在如在所附權(quán)利要求中所限定的精神和范圍內(nèi)，并且因此，落在權(quán)利要求的邊界和范圍內(nèi)或者這種邊界和范圍的等價(jià)物內(nèi)的各種變化和修改意指被所附的權(quán)利要求所包括。
權(quán)利要求
1.一種制造等離子體顯示板的方法，包括在下基板上形成下介電層；在其上形成了下介電層的下基板上方設(shè)置篩網(wǎng)；通過篩網(wǎng)散布玻璃粉末；通過將一定量的熱和壓力施加到散布的玻璃粉末來形成間隔肋形成層；和通過選擇性地移除間隔肋形成層來形成間隔肋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括燒結(jié)所述間隔肋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成間隔肋形成層包括使用第一玻璃粉末形成下間隔肋形成層；和使用第二玻璃粉末在下間隔肋形成層上形成上間隔肋形成層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中形成下間隔肋形成層包括在其上形成了下介電層的下基板上方設(shè)置篩網(wǎng)；通過篩網(wǎng)散布第一玻璃粉末；和將一定量的熱和壓力施加到散布的第一玻璃粉末。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中形成上間隔肋形成層包括在下間隔肋形成層上方設(shè)置篩網(wǎng)；通過篩網(wǎng)散布第二玻璃粉末；和將一定量的熱和壓力施加到散布的第二玻璃粉末上。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，在形成間隔肋中，下間隔肋形成層的蝕刻率高于上間隔肋形成層的蝕刻率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成間隔肋包括在間隔肋形成層的表面上設(shè)置具有開口的掩模，其中該開口暴露出間隔肋形成層的部分；和通過掩模的開口蝕刻暴露的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成介電層包括在其上形成了地址電極的基板上方設(shè)置篩網(wǎng)；通過篩網(wǎng)散布用于介電層的另一玻璃粉末；將一定量的熱和壓力施加到散布的玻璃粉末上以形成介電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述玻璃粉末是PbO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、PbO-B2O3-SiO2-Al2O3基玻璃粉末、ZnO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、PbO-ZnO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、B2O3-SiO2基玻璃粉末或其混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括在下基板上形成多個(gè)地址電極；在間隔肋之間的下介電層上形成熒光劑層；在上基板上形成透明電極和總線電極；在上基板上形成上介電層；在上介電層上方形成保護(hù)層；和在下基板上方設(shè)置上基板，以形成等離子體顯示板。
11.一種等離子體顯示板，包括設(shè)置在下基板上的下介電層；設(shè)置在下介電層上的燒結(jié)玻璃粉末間隔肋；和通過燒結(jié)玻璃粉末間隔肋與下基板相間隔并位于其上方的上基板，以形成等離子體顯示板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的等離子體顯示板，其中所述燒結(jié)玻璃粉末間隔肋包括加熱和加壓的第一玻璃粉末下間隔肋形成層；和在下間隔肋形成層上的加熱和加壓的第二玻璃粉末上間隔肋形成層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的等離子體顯示板，其中下間隔肋形成層的蝕刻率高于上間隔肋形成層的蝕刻率。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的等離子體顯示板，其中所述間隔肋包括蝕刻的側(cè)表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的等離子體顯示板，其中介電層包括加熱和加壓的用于介電層的另一玻璃粉末。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的等離子體顯示板，其中玻璃粉末是PbO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、PbO-B2O3-SiO2-Al2O3基玻璃粉末、ZnO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、PbO-ZnO-B2O3-SiO2基玻璃粉末、B2O3-SiO2基玻璃粉末或其混合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的等離子體顯示板，還包括在下基板上的多個(gè)地址電極；在間隔肋之間的下介電層上的熒光劑層；在上基板上的透明電極和總線電極；在上基板上的上介電層；和在上介電層上方的保護(hù)層。
全文摘要
一種制造等離子體顯示板的方法，其包括在下基板上形成下介電層，在其上形成了下介電層的基板上方設(shè)置篩網(wǎng)，通過篩網(wǎng)散布玻璃粉末，通過施加一定量的熱和壓力到散布的玻璃粉末上來形成間隔肋形成層，和通過選擇性地移除間隔肋形成層來形成間隔肋。
文檔編號(hào)H01J11/26GK1963977SQ20061012888
公開日2007年5月16日 申請(qǐng)日期2006年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月7日
發(fā)明者金龍浩, 金仁喆 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社