專利名稱：磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁控管，尤其涉及一種通過增加抑制高次諧波頻帶寬度，而 能夠抑制兩種高次諧波，有效提高磁控管電磁干擾特性的磁控管輸出部的抗 流體結(jié)構(gòu)。
二背景技術(shù)：
磁控管(magnetron)是一種安裝在微波爐或者照明用具等設(shè)備中，在接 通高電壓之后，能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化成微波(microwave)的高頻能量裝置。
磁控管的結(jié)構(gòu)大體上包括陰極、陽極、作用空間、上極靴和下極靴、永 久磁鐵、磁極、多個(gè)葉片、冷卻片、排氣管、天線、A陶瓷、扼流線圈、貫通 型高壓電容器和遮蔽箱；陽極設(shè)置在陰極周圍，作用空間形成在陰極和陽極 之間；上極靴和下極靴用于向作用空間施加磁場(chǎng)，永久磁鐵分別設(shè)置在上極 靴和下極靴內(nèi)側(cè)；由于設(shè)置了永久磁鐵，因此磁極之間構(gòu)成磁路，多個(gè)葉片 以放射狀設(shè)置在陽極內(nèi)面，冷卻片在陽極外周面以一定間距壓入固定，將陽 極產(chǎn)生的高溫?zé)崃垦杆傧蛲獠糠懦觯粸榱耸箓鬟f到陽極的高高頻波能量放射 到外部，天線組裝在排氣管內(nèi)周壁面上，A陶瓷與排氣管結(jié)合；為了防止作用 空間產(chǎn)生的不必要高頻波成分逆流到電源上，下極靴下側(cè)設(shè)置有扼流線圈、 貫通型高壓電容器和遮蔽箱；排氣管上端設(shè)置在天線蓋下部，排氣管下端與A 陶瓷上部保持特定間距地固定設(shè)置。
磁控管輸出部包括天線、A封蓋、A陶瓷、排氣管、天線蓋和抗流槽；排氣管 上端設(shè)置在天線蓋下
部，排氣管支撐在A陶瓷上，A陶瓷固定在A封蓋上，抗流槽固定在A封蓋頂 部；抗流槽的內(nèi)半徑一般在17ram左右。
參閱圖1所示，磁控管一般由輸入部11、冷卻部12、磁路13、陽極部 14 (anode)、陰極部15 (cathode)和輸出部16幾個(gè)部分組成；陽極部由安 裝在磁控管本體的磁軛內(nèi)部的陽極筒體和安裝在陽極筒體內(nèi)部而形成共同諧 振器的數(shù)個(gè)葉片7 (vane)組成；陰極部由安裝在陽極筒體中心的細(xì)絲8 (filament)構(gòu)成，細(xì)絲8與葉片前端之間相距一定間隔，構(gòu)成作用空間9，
能夠釋放出熱電子；磁控管本體的磁軛上側(cè)設(shè)置有輸出部，該輸出部包括排 氣管l、 A封蓋3、天線(Antenna) 2、天線帽10、 A陶瓷9及抗流體結(jié)構(gòu)4， 天線2位于抗流體結(jié)構(gòu)4中心位置，如圖2所示。
磁控管接通高電壓之后，陰極部產(chǎn)生的熱電子向固定在陽極部葉片和陰 極部之間的作用空間放射，葉片和陰極部之間形成電場(chǎng)，由磁控管本體內(nèi)設(shè) 有的磁鐵、上下極靴構(gòu)成磁路，通過電場(chǎng)和向作用空間施加磁場(chǎng)，上述熱電 子將進(jìn)行輪轉(zhuǎn)線(cycloid)運(yùn)動(dòng)，從而將作為電磁能的微波傳送到葉片上， 上述微波通過磁控管輸出部向外部放射。陰極部傳送到作用空間的能量除傳 送基本頻率為2.46GHz的基波(正弦波)外，還傳送頻率為基本頻率整數(shù)倍的 高次諧波，包括4.9GHz、 7.35GHz、 9. 8GHZ以及12. 5GHz等基本頻率整數(shù)倍的高 次諧波，這些高次諧波應(yīng)該全部或者絕大部分在輸出部抗流體結(jié)構(gòu)的抑制下， 使其頻率減弱到規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)之下，因?yàn)樵摳叽沃C波隨基波(正弦波) 一起通過 輸出部的天線饋電線向外部傳送后，會(huì)引起對(duì)電子產(chǎn)品的干擾，如對(duì)衛(wèi)星發(fā) 射接收、藍(lán)牙通訊或無線通訊等造成干擾。
參閱圖3、圖4所示，現(xiàn)有磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，該抗流體結(jié)構(gòu)包 括中空?qǐng)A柱體的抗流槽4以及與抗流槽一體成型的圓形環(huán)面5，該圓形環(huán)面固 定在A封蓋3頂部與抗流槽4構(gòu)成一個(gè)短路面，根據(jù)四分之一波長(zhǎng)原理，抗 流槽4的高度決定了它對(duì)一種高次諧波的抑制，而原A封蓋3頂部的下表面 是一個(gè)曲面且工差過大，使得固定時(shí)抗流槽4的上下位置偏差較大，由此對(duì) 抑制高次諧波頻率偏差較大；不能很好地抑制這些高次諧波，致使其最終仍 以電磁波的形式輻射出去，因此磁控管的抗電磁波干擾(EMI)性能不佳。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有產(chǎn)品存在的上述缺點(diǎn)，而提供一種磁控 管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其通過改變抗流體結(jié)構(gòu)的形狀及組裝位置，增大A 封蓋與抗流槽內(nèi)半徑的差值，增加抑制高次諧波頻帶的寬度，能夠?qū)Ω叽沃C 波具有更好的抑制效果，并可在一個(gè)抗流體上同時(shí)抑制兩種高次諧波，有效 提高磁控管的抗電磁波干擾性能，改善磁控管的工作性能。
本發(fā)明的目的是由以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，包括抗流槽以及與抗流槽一體成型 的圓形環(huán)面，該抗流槽為中空?qǐng)A柱體，圓形環(huán)面組裝在A封蓋上；其特征在 于，所述圓形環(huán)面對(duì)應(yīng)兩側(cè)分別開設(shè)有半月形槽而構(gòu)成具有半月形缺面的環(huán)
面，兩個(gè)半月形缺面的直線邊相互平行，距圓柱體中心的距離在Omra至2mm 之間，該圓形環(huán)面的弧形邊固定在A封蓋階梯部向卜"Omra至2mm的位置。
前述的磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其中所述圓形環(huán)面弧形邊采用釬焊 方式固定在A封蓋階梯部向下0腿至2mm的位置。
前述的磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其中所述圓形環(huán)面采用沖壓方式在 對(duì)應(yīng)兩側(cè)分別開設(shè)半月形槽。
前述的磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其中所述中空?qǐng)A柱體的內(nèi)半徑是 4. 2mm至4. 8ram。
本發(fā)明磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)的有益效果是，其包括抗流槽以及 與抗流槽一體成型的圓形環(huán)面，該抗流槽為中空?qǐng)A柱體，圓形環(huán)面組裝在A 封蓋上；該圓形環(huán)面對(duì)應(yīng)兩側(cè)分別開設(shè)有半月形槽而構(gòu)成具有半月形缺面的 環(huán)面，兩個(gè)半月形缺面的直線邊相互平行，并將圓形環(huán)面的弧形邊固定在A 封蓋階梯部向卜Omm至2mm位置，從而使抗流槽4底部到端部以及抗流槽4 底部到A封蓋頂部形成兩個(gè)高度，構(gòu)成兩個(gè)短路面，于是可以同時(shí)抑制兩種 頻率的高次諧波；另外，根據(jù)抑制高次諧波的頻帶寬度與同軸的特性阻抗成 正比關(guān)系的理論，艮卩，Z。=60xln|，其中，a為抗流體結(jié)構(gòu)外直徑，b為A封 蓋內(nèi)直徑，將抗流槽4的內(nèi)半徑這置為4.2mm至4.8咖，增大增大A封蓋與抗 流槽內(nèi)半徑的差值，使得特性阻抗增大，增加抑制高次諧波頻帶的寬度，能 夠?qū)Ω叽沃C波具有更好的抑制效果，從而使本發(fā)明具有可在一個(gè)抗流體上同 時(shí)抑制兩種高次諧波，有效提高磁控管的抗電磁波干擾性能的功效。 四

圖1為現(xiàn)有磁控管結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2為現(xiàn)有磁控管輸出部結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3為現(xiàn)有磁控管輸出部抗流體結(jié)構(gòu)立體示意圖。 圖4為現(xiàn)有磁控管輸出部抗流體結(jié)構(gòu)與A封蓋組合結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 圖5為本發(fā)明磁控管輸出部結(jié)構(gòu)示意圖。 圖6為本發(fā)明磁控管輸出部抗流體結(jié)構(gòu)立體示意圖。 圖7為本發(fā)明磁控管輸出部抗流體結(jié)構(gòu)與A封蓋組合結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 圖中主要標(biāo)號(hào)說明l排氣管、2天線、3A封蓋、31階梯部、4抗流槽、 5抗流槽圓形環(huán)面、6極靴、7葉片、8細(xì)絲、9、 A陶瓷、IO天線蓋、11輸入 部、12冷卻部、13磁軛、14陽極部、15陰極部、16輸出部。
五具體實(shí)施例方式
參閱圖5、圖6所示，本發(fā)明磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，包括抗流槽4 以及與抗流槽一體成型的圓形環(huán)面5，該抗流槽4為中空?qǐng)A柱體，圓形環(huán)面5 對(duì)應(yīng)兩側(cè)分別開設(shè)有半月形槽而構(gòu)成具有半月形缺面的環(huán)面5，兩個(gè)半月形缺 面的直線邊相互平行，距圓柱體中心的距離在0mm至2mm之間，該環(huán)面5的 弧形邊固定在A封蓋31階梯部向下0mm至2mm的位置。
參閱圖7所示，本發(fā)明磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其環(huán)面弧形邊采用 銀焊絲釬焊的方法固定在A封蓋3的階梯部31向下Omm至2mm位置。
參閱圖6所示，本發(fā)明磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其圓形環(huán)面采用沖 壓的方法在對(duì)應(yīng)兩側(cè)分別開設(shè)半月形槽；且中空?qǐng)A柱體的內(nèi)半徑設(shè)置為4. 2mm 至4. 8mm。
本發(fā)明實(shí)施例磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)的制備，是采用與現(xiàn)有技術(shù)相 同的方法沖壓成型，不同的是沖壓過程中使中空?qǐng)A柱體的內(nèi)半徑設(shè)置為5mm， 另在圓形環(huán)面沖壓開設(shè)半月形槽，然后采用銀焊絲釬焊的方法將圓形環(huán)面弧 形邊固定在A封蓋3的階梯部31向下lmm的位置。其他制備過程及方法與現(xiàn) 有技術(shù)相同，故不再進(jìn)行贅述。
本發(fā)明磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)工作時(shí)，燈絲8由于通電溫度升高， 在直流高壓電場(chǎng)下發(fā)射的電子，由于群聚效應(yīng)掠過葉片7，在葉片7的間隔中 形成高頻電場(chǎng)，再通過天線2耦合的A陶瓷9位置，將微波能量輻射出去。 微波在天線2和A封蓋3之間傳播的過程中，由于有抗流槽4的存在，使得 波長(zhǎng)與抗流槽短路面高度四分之一相當(dāng)?shù)母叽沃C波受到抑制，且抗流槽4直 徑越小，對(duì)高次諧波頻帶寬度的抑制效果越好。因此本發(fā)明采取在抗流槽4 上開槽的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，不僅使得抗流槽4的高度改變成為原先的兩種，g卩，抗 流槽4底部到端部的高度和抗流槽4底部到A封蓋3的高度，構(gòu)成兩個(gè)短路 而，于是可以同時(shí)抑制兩種頻率的高次諧波；與此同時(shí)，抗流槽4的固定位 置下移，使其擺脫了 A封蓋3自身抗流結(jié)構(gòu)的限制，而且其半徑變小，于是 加寬了對(duì)"次諧波抑制的頻帶，能夠符合EMI允許規(guī)格，效果理想。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上 的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等 同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，包括抗流槽以及與抗流槽一體成型的圓形環(huán)面，該抗流槽為中空?qǐng)A柱體，圓形環(huán)面組裝在A封蓋上；其特征在于，所述圓形環(huán)面對(duì)應(yīng)兩側(cè)分別開設(shè)有半月形槽而構(gòu)成具有半月形缺面的環(huán)面，兩個(gè)半月形缺面的直線邊相互平行，距圓柱體中心的距離在0mm至2mm之間，該圓形環(huán)面的弧形邊固定在A封蓋階梯部向下0mm至2mm的位置。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述環(huán)面弧形邊采用釬焊方式固定在A封蓋階梯部向K Omm至2mm的位置。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述圓形環(huán)面采用沖壓方式在對(duì)應(yīng)兩側(cè)分別開設(shè)半月形槽。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所 述中空?qǐng)A柱體的內(nèi)半徑是4. 2mm至4. 8ram。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁控管輸出部的抗流體結(jié)構(gòu)，包括抗流槽以及與抗流槽一體成型的圓形環(huán)面，該抗流槽為中空?qǐng)A柱體，圓形環(huán)面組裝在A封蓋上；其改進(jìn)之處在于，圓形環(huán)面對(duì)應(yīng)兩側(cè)分別開設(shè)有半月形槽而構(gòu)成具有半月形缺面的環(huán)面，兩個(gè)半月形缺面的直線邊相互平行，距圓柱體中心的距離在0mm至2mm之間，該圓形環(huán)面的弧形邊固定在A封蓋階梯部向下0mm至2mm位置；其通過改變磁控管輸出部抗流槽的結(jié)構(gòu)及其安裝位置，可在一個(gè)抗流體上同時(shí)抑制兩種高次諧波，有效提高磁控管的抗電磁波干擾性能，改善磁控管的工作性能。
文檔編號(hào)H01J23/54GK101178999SQ200610129219
公開日2008年5月14日 申請(qǐng)日期2006年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月6日
發(fā)明者圓 高 申請(qǐng)人:樂金電子(天津)電器有限公司