專利名稱：等離子體顯示面板及其生產(chǎn)方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板，更具體地說，本發(fā)明涉及等離子體顯示面板的保護層。
背景技術：
等離子體顯示面板包括上板、下板以及形成在上板與下板之間用于限定放電區(qū)的隔肋。在放電區(qū)內(nèi)填充諸如氖氣、氦氣或者它們的混合氣體的主要放電氣體以及含有少量氙氣(Xe)的惰性氣體。在為了在放電區(qū)內(nèi)產(chǎn)生放電而施加高頻電壓時，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線，以使位于隔肋之間的熒光粉發(fā)光，結(jié)果，產(chǎn)生圖像。作為下一代顯示器件，這種等離子體顯示面板越來越受到關注，因為它們的厚度薄、重量輕。
圖1是示出等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)的原理透視圖。如圖1所示，該等離子體顯示面板包括上板100；以及下板110，平行于該上板并離開該上板特定距離集成連接到該上板。上板100包括上玻璃板101，作為在其上顯示圖像的顯示面板；以及多個保持電極對，每個保持電極對分別包括排列在上玻璃板101上的掃描電極102和保持電極103。
下板110包括下玻璃板111；以及多個地址電極113，排列在下玻璃板111上，以便與多個保持電極對交叉。
帶狀(或者壁狀等)隔肋112用于形成多個放電空間，即，放電區(qū)，在下板110上，互相平行排列該帶狀隔肋112。多個地址電極113用于實現(xiàn)地址放電，平行于該隔肋排列多個地址電極113，以產(chǎn)生真空紫外線。紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)熒光粉114涂布在下板110的上側(cè)，以在地址放電時，發(fā)出可見光線，因此，顯示圖像。在地址電極113與熒光粉114之間形成下介質(zhì)層115，以保護地址電極113。
在保持電極對103上形成上介質(zhì)層104，而在該上介質(zhì)層104上形成保護層105。上介質(zhì)層104包括在上板100上，它因為在等離子體顯示面板放電時正(+)離子的轟擊而被損壞。此時，諸如鈉(Na)的金屬元素可能導致電極短路。因此，通過涂布，形成氧化鎂(MgO)薄膜，作為保護層105，以保護上介質(zhì)層104。氧化鎂足以承受正(+)離子的轟擊，而且其二次電子發(fā)射率高，因此，實現(xiàn)低點火電壓。
然而，傳統(tǒng)等離子體顯示面板的保護層存在下面的問題。
首先，由于構(gòu)成保護層的氧化鎂晶體顆粒的直徑不均勻，所以降低了保護層的密度，而且不充分生長晶體。
其次，由于構(gòu)成保護層的氧化鎂晶體顆粒的大小不均勻，所以諸如濕氣或者雜質(zhì)氣體的雜質(zhì)附著在該保護層的表面上。這些雜質(zhì)妨礙等離子體顯示面板放電，而且導致等離子體顯示面板的對比度低、點火電壓高，使得電路結(jié)構(gòu)復雜。這種復雜電路結(jié)構(gòu)可能導致成本相當高。此外，保護層特性的惡化與抖動特性的惡化直接相關。
再次，盡管通過改善氧化鎂的平直性和結(jié)晶性并提高保護層的密度，可以形成強抗濺蝕保護層，但是利用電子束沉積形成的保護層發(fā)射少量二次電子，因此，包括保護層的等離子體顯示面板的功率消耗仍然高。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種基本上克服了因為相關技術的局限性和缺陷存在的一個或者多個問題的等離子體顯示面板和制造該等離子體顯示面板的方法。
本發(fā)明的目的是提供等離子體顯示面板的保護層，其中該保護層由均勻大小的氧化鎂晶體顆粒構(gòu)成。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種可以降低包括該保護層的等離子體顯示面板的點火電壓，而且可以改善該等離子體顯示面板的對比度和抖動特性的保護層。
本發(fā)明的又一個目的是提高一種可以改善亮度、降低功率消耗而且其保護層發(fā)射增加數(shù)量的二次電子的等離子體顯示面板。
在下面的描述中將在某種程度上對本發(fā)明的其他優(yōu)點、目的和特征進行說明，而且在某種程度上，通過研究下面的內(nèi)容，本發(fā)明的其他優(yōu)點、目的和特征對于本技術領域內(nèi)的普通技術人員是顯而易見的，或者通過實施本發(fā)明，可以得知本發(fā)明的其他優(yōu)點、目的和特征。利用本發(fā)明的書面說明及其權(quán)利要求和附圖特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)和達到本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目的以及其他優(yōu)點，而且根據(jù)本發(fā)明的用途，正如在此所實現(xiàn)和廣泛描述的那樣，等離子體顯示面板包括上板和通過隔肋與該上板接合在一起的下板，其中上板包括介質(zhì)層；第一保護膜，形成在該介質(zhì)層的一個表面上而且由氧化鎂構(gòu)成；以及第二保護膜，形成在第一保護膜上而且由結(jié)晶氧化鎂構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種用于制備氧化鎂液體的方法，該方法包括預混合溶劑和分散劑，研磨單晶氧化鎂粉末，將研磨的單晶氧化鎂粉末與預混合的溶劑和分散劑混合在一起，以及干燥并煅燒該混合物。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供一種生產(chǎn)等離子體顯示面板的方法，該方法包括在上板的介質(zhì)層的一個表面上形成由氧化鎂構(gòu)成的第一保護膜，以及對第一保護膜涂布單晶氧化鎂液體，然后，對它進行干燥和煅燒。
顯然，上面對本發(fā)明所做的一般說明和下面對本發(fā)明所做的詳細說明是示例性的和說明性的，而且它們意在進一步解釋所要求的本發(fā)明。


所包括的附圖有助于進一步理解本發(fā)明，它引入本說明書而且構(gòu)成本說明書的一部分，它示出本發(fā)明的(各)實施例，而且與說明一起用于解釋本發(fā)明原理。在附圖中圖1是傳統(tǒng)等離子體顯示面板的透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的保護層的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體顯示面板的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板的保護層的剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂液體制備方法的流程圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示面板的生產(chǎn)方法的流程圖；圖7A和7B是分別示出等離子體顯示面板的放電電流變化和亮度變化的曲線圖，每個等離子體顯示面板包括利用氧化鎂液體形成的保護層；以及圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實施例包括雙層保護層的等離子體顯示面板的放電電流變化的曲線圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，將詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，附圖示出其例子。在所有附圖中，只有有可能就利用同樣的參考編號表示同樣或者類似的部分。
本發(fā)明提供了一種包括雙層保護層的等離子體顯示面板。下面，將形成在上介質(zhì)層的一個表面上的層稱為“第一保護膜”，而將形成在第一保護膜上的層稱為“第二保護膜”。
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的保護層的剖視圖。下面將參考圖2詳細說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的保護層。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的保護層包括形成在上介質(zhì)層的一個表面上的第一保護膜280a和形成在該第一保護膜上的第二保護膜280b。第一保護膜280a和第二保護膜280b均由氧化鎂(MgO)構(gòu)成。具體地說，涂布氧化鎂，以形成薄膜，從而在等離子體放電時，保護上介質(zhì)層，因此，保證延長等離子體顯示面板的使用壽命。在等離子體離子入射到第一保護膜和第二保護膜上時，第一保護膜280a和第二保護膜280b的表面發(fā)出二次電子。這樣發(fā)出二次電子允許以低電壓產(chǎn)生放電，因此，降低功率消耗。
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板保護層的氧化鎂顆粒必須具有均勻直徑、低孔隙率和高密度，因此，它們可以防止雜質(zhì)氣體吸附在保護層的表面上，而降低等離子體顯示面板的點火電壓。特別是，直接接觸等離子氣體的第二保護膜280b的成分確定該保護層的這些特性。根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等離子體顯示面板的保護層優(yōu)選包括第一保護膜280a，與傳統(tǒng)保護膜具有相同特性；以及第二保護膜280b，具有適于實現(xiàn)本發(fā)明目的的特性。在第一實施例中，第二保護膜280b的厚度約為50至200μm，而第一保護膜280a的厚度約為300至750μm。
直接接觸等離子氣體的第二保護膜280b確定保護層的電特性，而直接接觸等離子氣體的表面特性確定保護膜280b的電特性。隨著等離子體顯示面板使用時間的延長，位于保護層表面內(nèi)的氧化鎂可能被濺蝕和被其他表面吸收。從等離子體顯示面板的使用壽命的觀點出發(fā)，必須將第一保護膜的厚度調(diào)整到50μm或者更厚，優(yōu)選調(diào)整到200μm。如果利用非傳統(tǒng)方法的方法形成等離子體顯示面板的保護層，則預料存在缺陷，例如，難以處理而且提高了成本?？紤]到這些缺陷，根據(jù)第一實施例，利用兩層保護膜(例如，第一保護膜280a和第二保護膜280b)形成保護層，而且直接影響保護層的放電特性的第二保護膜280b具有與傳統(tǒng)保護膜不同的成分。
即，第一保護膜280a的成分與傳統(tǒng)保護膜的成分相同，它至少包括從單晶氧化鎂和多晶氧化鎂中選擇的一種材料。作為一種選擇，通過進行濺射，可以以基本上無結(jié)晶性方式形成第一保護膜。另一方面，第二保護膜280b由利用氧化鎂粉末制備的材料構(gòu)成。因此，與存在于第一保護膜280a內(nèi)的氧化鎂相比，存在于第二保護膜280b內(nèi)的氧化鎂具有高結(jié)晶性，而且尺寸也較大。用于形成第二保護膜280b的氧化鎂可以是多晶或者單晶氧化鎂。
通過粉碎單晶或者多晶氧化鎂，利用壓力定形粉末以及燒結(jié)該定形粉末，制備用于形成第二保護膜280b的氧化鎂顆粒。下面詳細說明氧化鎂顆粒的制備過程。如圖2所示，與構(gòu)成第一保護膜280a的顆粒280a’相比，構(gòu)成第二保護膜280b的氧化鎂顆粒280b’優(yōu)選具有均勻大小，低孔隙率和高密度，以便它們可以防止雜質(zhì)氣體吸附在保護層的表面上，從而降低等離子體顯示面板的點火電壓。即，在特定的條件下，粉碎氧化鎂晶體顆粒，以控制顆粒的直徑，壓制它以定形該粉末，然后，以高溫燒結(jié)它，以便可以將晶體顆粒的直徑和密度調(diào)整到最佳水平，同時保持晶體顆粒的固有特性。由于隨著氧化鎂晶體顆粒直徑的減小，氧化鎂晶體顆粒的孔隙率降低，而該晶體顆粒的密度升高，所以預料難以進行處理，而且增加了成本。因此，氧化鎂晶體顆粒優(yōu)選具有10μm或者更小的直徑。
優(yōu)選添加從鋁(Al)、硼(B)、鋇(Ba)、硅(Si)、鉛(Pb)、磷(P)、鎵(Ga)、鍺(Ge)、鈧(Sc)以及釔(Y)中選擇的至少一種元素，以形成第一保護膜280a，從而降低孔隙率，而提高第一保護膜的密度。因此，可以防止雜質(zhì)氣體吸附在MgO薄膜表面上，從而降低等離子體顯示面板的點火電壓。在圖2中，利用數(shù)字280a”表示該元素。優(yōu)選將從Al、B、Ba、Si、Pb、P、Ga、Ge、Sc和Y中選擇的至少一種元素在第一保護膜280a內(nèi)的濃度限制在5,000ppm(百萬分之)或者更低，而且更優(yōu)選在300與500ppm之間。為了控制等離子體顯示面板的保護層的電特性，例如，二次電子發(fā)射率和膜阻，可以將添加的硅數(shù)量限制到預定濃度。因此，可以降低包括具有上述特性的保護層的等離子體顯示面板的點火電壓，而且可以單掃描等離子體顯示面板，因此，可以降低驅(qū)動電路的生產(chǎn)成本。在第一保護膜280a內(nèi)，優(yōu)選將該元素的氧化物粉末與氧化鎂晶體顆粒均勻混合在一起。適當氧化物例子包括Al2O3、B2O3、SiO2、P2O5、Ga2O3、GeO2、Sc2O3和Y2O3。例如，粉碎Al2O3，然后，將它與氧化鎂晶體顆粒粉末混合在一起，利用壓力定形該混合粉末，然后，燒結(jié)該定形粉末，以形成第一保護膜280a。
通過沉積，在第一保護膜280a的下面形成第二保護膜280b。利用液相沉積、濺射、離子鍍、電子束沉積或者汽相氧化，可以實現(xiàn)該沉積。適當液相沉積法的例子包括溶膠凝膠沉積和乳化沉積。根據(jù)溶膠凝膠沉積，通過在低溫下水解縮合利用M(OR)n(其中M是從Cu、Al、Si、Ti、Ge、V、W、Y、Sn、In和Sb中選擇的金屬或者半金屬，而R是甲基、乙基、丙基或者丁基)表示的金屬烷氧基化合物，可以形成第二保護膜280b。濺射是利用濺射現(xiàn)象的方法，而且當前廣泛采用濺射形成各種薄膜。根據(jù)濺射法，高能(＞30eV)顆粒轟擊目標，以使能量傳遞到目標原子，此后，該目標發(fā)射目標原子，以形成第二保護膜280b。最廣泛采用轟擊顆粒是正離子的陰極濺射。通常利用正離子進行濺射的原因是，在施加電場時，容易使正離子加速，而且剛好在轟擊目標之前，可以與目標發(fā)射的電子中和，此后，中性原子轟擊該目標。離子鍍是合并了真空蒸發(fā)和濺射的總稱。根據(jù)離子鍍，當在高真空情況下，施加高壓，以形成等離子體，而且使部分汽化原子離子化時，產(chǎn)生輝光放電。利用這些現(xiàn)象形成第二保護膜280b。根據(jù)電子束沉積，通過將氧化鎂晶體顆粒加熱到高溫，即，利用物理能量，形成第二保護膜280b。根據(jù)汽相氧化，利用氧化鎂氣體加熱多晶氧化鎂。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體顯示面板的剖視圖。下面將參考圖3說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體顯示面板。
根據(jù)第二實施例，接觸隔肋340的第二保護膜380b的部分厚度大于第二保護膜380b的其他部分的厚度。具體地說，由于在等離子體顯示面板放電時，經(jīng)常使等離子氣體的離子接觸接觸隔肋340的第二保護膜380b，所以在第二保護膜380b與隔肋之間形成的接觸部分的厚度大于其他部分。與根據(jù)第一實施例的等離子體顯示面板的保護層一樣，根據(jù)第二實施例的等離子體顯示面板的保護層包括兩層保護膜380a和380b。第一保護膜380a具有均勻厚度，而第二保護膜380b具有非均勻厚度。
除了保護層的結(jié)構(gòu)被改變之外，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的等離子體顯示面板與根據(jù)第一實施例的等離子體顯示面板具有相同的結(jié)構(gòu)。
即，第二保護膜380b由較均勻直徑的氧化鎂顆粒構(gòu)成，而第一保護膜380a由較不均勻直徑的氧化鎂顆粒構(gòu)成。第一保護膜380a至少由從單晶氧化鎂和多晶氧化鎂中選擇的一種材料構(gòu)成，而第二保護膜380b優(yōu)選由利用氧化鎂粉末制備的材料構(gòu)成。不接觸隔肋340的第二保護膜380b的部分厚度優(yōu)選在1nm至200nm的范圍內(nèi)。第二保護膜380b可以含有從Al、B、Ba、Si、Pb、P、Ga、Ge、Sc和Y中選擇的至少一種元素。優(yōu)選以氧化物的方式添加該元素。此外，優(yōu)選以不大于5,000ppm的濃度使用該元素，而且優(yōu)選濃度為300至500nm。此外，優(yōu)選利用從液相沉積、濺射、離子鍍、電子束沉積以及汽相氧化中選擇的沉積法，形成第二保護膜380b。
構(gòu)成該保護層的顆粒的直徑越小，顆粒之間的結(jié)合能越低。因此，在對包括保護層的等離子體顯示面板施加驅(qū)動電壓時，高能使顆粒升華。即，隨著顆粒平均直徑的降低，構(gòu)成該保護層的顆粒的能量升高。因此，促進了晶體的生長，從而防止雜質(zhì)(例如，濕氣和雜質(zhì)氣體)吸附在保護膜的表面上，而且減少了對等離子體顯示面板放電的障礙，因此，可以降低點火電壓，而提高對比度。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板的保護層的剖視圖。下面將參考圖4說明根據(jù)本發(fā)明第三實施例的等離子體顯示面板。
與根據(jù)第二實施例的等離子體顯示面板的保護層相同，通過在上介質(zhì)層475的一個表面上形成第一保護膜480a，然后，在第一保護膜480a上形成第二保護膜480b，形成根據(jù)第三實施例的等離子體顯示面板的保護層。第二保護膜480b優(yōu)選由大小為100至500nm的單晶氧化鎂顆粒構(gòu)成。第一保護膜480a的厚度優(yōu)選為500至800nm，而第二保護膜480b的厚度優(yōu)選為100至1,500nm。優(yōu)選通過電子束沉積氧化鎂，形成第一保護膜480a，而通過對第一保護膜480a噴涂單晶氧化鎂液體，然后，進行干燥和煅燒，形成第二保護膜480b。第二保護膜480b可以含有小尺寸的氧化鎂晶體顆粒。通過在制備氧化鎂液體期間進行研磨，形成小尺寸氧化鎂晶體顆粒，下面做說明。優(yōu)選在第一保護膜480a的整個表面上形成第二保護膜480b。第二保護膜480b用于防止第一保護膜480a被濺射，因此可以延長該保護層的使用壽命，而且可以改善二次電子發(fā)射特性。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的氧化鎂液體制備方法的流程圖，圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示面板的生產(chǎn)方法的流程圖。下面將參考圖5和6說明根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示面板的生產(chǎn)方法。
在上玻璃板上，順序形成保持電極對和介質(zhì)層(S610至S640)，然后，在該介質(zhì)層上形成保護層(S650)。形成保護層的過程大致劃分為下面兩個步驟。首先，通過沉積(例如，電子束沉積)氧化鎂，優(yōu)選在該介質(zhì)層上形成第一保護膜。隨后，利用下面的過程，在該第一保護膜上形成第二保護膜。
利用單晶氧化鎂粉末液體，在第一保護膜上形成第二保護膜。首先，將溶劑和分散劑預混合在一起，以制備主要溶劑(S510)。作為溶劑，優(yōu)選是從諸如甲醇和乙醇的醇、二醇、丙二醇醚、乙酸丙二酯、酮、BCA、二甲苯、萜品醇、texanol醇酯(2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇-異丁酯)和水中選擇的至少之。作為分散劑，優(yōu)選是從丙烯酸系樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、丙烯酸氨基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、聚酰胺聚合物以及聚羧酸中選擇的高分子分散劑。優(yōu)選以2,000至4,000rpm的速度預混合1至10分鐘。
隨后，將單晶氧化鎂粉末研磨(S520)成均勻大小。優(yōu)選以6,000至10,000rpm的速度研磨10至60分鐘。此時，可以形成小尺寸單晶MgO顆粒(圖4所示的480b’)。將研磨的單晶MgO顆粒和主要溶劑混合在一起(S530)，對它們進行干燥，然后，煅燒它們，從而制備液體。通過進行混合，分散劑和單晶氧化鎂粉末均勻混合在一起。在混合期間，至少添加從有機黏合劑和無機黏合劑以及流平劑中選擇的一種添加劑。此時，根據(jù)液體的總重量，以重量計，以1％至30％的數(shù)量使用單晶氧化鎂粉末。根據(jù)單晶氧化鎂粉末的重量，以重量計，以5％至60％的重量使用分散劑。
然后，以約100℃至200℃的溫度干燥該液體，然后，以400℃至600°的溫度進行煅燒(S550)，以基本上蒸發(fā)該溶劑和分散劑，之后，留下單晶氧化鎂粉末。將這樣制備的液體噴涂在第一保護膜上，對它進行干燥、煅燒和退火，以形成第二保護膜。優(yōu)選以300至500℃的溫度進行退火，以蒸發(fā)有機材料。優(yōu)選利用從浸漬、印模噴涂(diecoating)、旋轉(zhuǎn)噴涂、濺射噴涂以及噴墨噴涂中選擇的噴涂技術，在第一保護膜上噴涂該液體。構(gòu)成第二保護膜的氧化鎂晶體顆粒的尺寸比構(gòu)成第一保護膜的氧化鎂晶體顆粒的尺寸大。優(yōu)選在第一保護膜的整個表面上形成第二保護膜。
在本發(fā)明的變換實施例中，可以將單晶氧化鎂粉末成型為基片(green sheet)。具體地說，優(yōu)選通過在第一保護膜上疊置含有單晶氧化鎂粉末的基片，形成第二保護膜?；械娜軇?shù)量必須比液體中的溶劑數(shù)量少。顯然，可以利用多晶氧化鎂粉末代替單晶氧化鎂粉末。
在為了生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明包括保護層的等離子體顯示面板而對上板涂布密封材料時，在上板上對保護層噴涂液體或者膠可能存在困難。作為一種選擇，在對上板涂布密封材料之前，在上板上噴涂液體或者膠時，可以蒸發(fā)該密封材料內(nèi)的成分，以與該液體或者膠產(chǎn)生化學反應。因此，優(yōu)選在將密封材料涂布到下板上后，將下板和上板接合在一起。
本發(fā)明還提供了一種等離子體顯示面板，該等離子體顯示面板包括上板，包括順序形成在上部襯底上的保持電極對、上介質(zhì)層以及保護層；以及下板，包括順序形成在下部襯底上的地址電極、下介質(zhì)層和隔肋，其中保護層包括形成在上介質(zhì)層的一個表面上、由氧化鎂構(gòu)成的第一保護膜和形成在第一保護膜上、由氧化鎂粉末構(gòu)成的第二保護膜。優(yōu)選將密封材料涂布在下板上，然后，將上板與下板接合在一起。優(yōu)選通過將氧化鎂液體涂布到第一保護膜上，然后，對該液體進行干燥、煅燒以及退火，制備氧化鎂粉末。
圖7A和7B是分別示出等離子體顯示面板的放電電流變化和亮度變化的曲線圖，每個等離子體顯示面板分別包括利用氧化鎂液體形成的保護層。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實施例包括雙層保護層的等離子體顯示面板的放電電流變化的曲線圖。
圖7A和7B所示的曲線圖說明，與傳統(tǒng)等離子體顯示面板相比，根據(jù)三個實施例，利用氧化鎂液體形成其保護層的等離子體顯示面板呈現(xiàn)低放電電流和高亮度。圖8所示曲線圖說明，在采用電子束沉積形成第一保護膜，而采用液相沉積在第一保護膜上形成第二保護膜時，該等離子體顯示面板呈現(xiàn)低放電電流。即，氧化鎂構(gòu)成通過噴涂氧化鎂液體形成的第二保護膜，該氧化鎂處于其晶體尺寸大于構(gòu)成第一保護膜的氧化鎂的晶體尺寸的形式。這些結(jié)果說明，雙層保護層的截面積的增加導致發(fā)射的二次電子數(shù)量增加，紫外(UV)線被單晶氧化鎂粉末反射，因此，增加了熒光粉發(fā)出的可見光線的數(shù)量，而且第一保護膜用于保護上介質(zhì)層，這是保護層的固有特性。
本技術領域內(nèi)的技術人員明白，在不脫離本發(fā)明實質(zhì)范圍的情況下，可以在本發(fā)明范圍內(nèi)進行各種修改和變更。因此，本發(fā)明意在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等同限定的范圍內(nèi)的本發(fā)明的各種修改和變更。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括上板和通過隔肋與該上板接合在一起的下板，其中上板包括介質(zhì)層；第一保護膜，形成在該介質(zhì)層的一個表面上而且由氧化鎂構(gòu)成；以及第二保護膜，形成在第一保護膜上而且由結(jié)晶氧化鎂構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中通過濺射氧化鎂，形成第一保護膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中構(gòu)成第二保護膜的結(jié)晶氧化鎂顆粒的大小比構(gòu)成第一保護膜的氧化鎂顆粒的大小更均勻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中第一保護膜由從單晶氧化鎂和多晶氧化鎂中選擇的至少一種材料構(gòu)成，而第二保護膜由利用單晶氧化鎂粉末制備的材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中第一保護膜由從單晶氧化鎂和多晶氧化鎂中選擇的至少一種材料構(gòu)成，而第二保護膜由利用多晶氧化鎂粉末制備的材料構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中結(jié)晶氧化鎂顆粒的直徑為10μm或者更小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中第二保護膜的厚度比第一保護膜的厚度薄。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中第一保護膜含有從鋁(Al)、硼(B)、鋇(Ba)、硅(Si)、鉛(Pb)、磷(P)、鎵(Ga)、鍺(Ge)、鈧(Sc)以及釔(Y)中選擇的至少一種元素。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中從Al、B、Ba、Si、Pb、P、Ga、Ge、Sc和Y中選擇的至少一種元素在第一保護膜內(nèi)的濃度為500ppm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中利用從液相沉積、濺射、離子鍍、溶膠凝膠沉積、電子束沉積以及汽相氧化中選擇的沉積法，形成第二保護膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中第二保護膜具有接觸隔肋的部分，而且該部分的厚度大于其他部分的厚度。
12.一種用于制備氧化鎂液體的方法，該方法包括預混合溶劑和分散劑，研磨單晶氧化鎂粉末，將研磨的單晶氧化鎂粉末與預混合的溶劑和分散劑混合在一起，以及干燥并煅燒該混合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中從醇、二醇、丙二醇醚、乙酸丙二酯、酮、BCA、二甲苯、萜品醇、texanol醇酯、水以及它們的混合物中選擇溶劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中從丙烯酸系樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂、丙烯酸氨基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、聚酰胺聚合物、聚羧酸以及它們的混合物中選擇分散劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中以2,000至4,000rpm的速度預混合1至10分鐘。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中以6,000至10,000rpm的速度研磨10至60分鐘。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中根據(jù)液體的總重量，以重量計，以1％至30％的量使用單晶氧化鎂粉末。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中根據(jù)單晶氧化鎂粉末的重量，以重量計，以5％至60％的量使用分散劑。
19.一種生產(chǎn)等離子體顯示面板的方法，該方法包括在上板的介質(zhì)層的一個表面上形成由氧化鎂構(gòu)成的第一保護膜，以及對第一保護膜涂布單晶氧化鎂液體，然后，對它進行干燥和煅燒。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進一步包括對單晶氧化鎂的液體進行退火。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中以300至500℃的溫度進行退火。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中單晶氧化鎂顆粒的大小為100至500nm。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中第一保護膜的厚度為500至800nm。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中第二保護膜的厚度為100至1,500nm。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中根據(jù)液體的總重量，以重量計，該液體含有1％至30％的單晶氧化鎂粉末。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中根據(jù)單晶氧化鎂粉末的重量，以重量計，該液體含有5％至60％的分散劑。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中利用從浸漬、印模噴涂、旋轉(zhuǎn)噴涂、濺射噴涂以及噴墨噴涂中選擇的噴涂技術，涂布該液體。
28.一種用于生產(chǎn)等離子體顯示面板的方法，該方法包括在上板的介質(zhì)層的一個表面上形成由氧化鎂構(gòu)成的第一保護膜，以及在第一保護膜上形成單晶氧化鎂的基片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有改進放電特性的等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板包括上板和通過隔肋與該上板接合在一起的下板，其中上板包括介質(zhì)層；第一保護膜，形成在該介質(zhì)層的一個表面上而且由氧化鎂構(gòu)成；以及第二保護膜，形成在第一保護膜上而且由結(jié)晶氧化鎂構(gòu)成。
文檔編號H01J17/02GK1959907SQ200610144578
公開日2007年5月9日 申請日期2006年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月1日
發(fā)明者鄭真熙, 樸珉洙, 金甫鉉, 柳炳吉, 樸德海, 金泳成 申請人:Lg電子株式會社