專利名稱：等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為等離子顯示裝置{Plasma Display Device}相關(guān)發(fā)明，尤其是防止金屬電極的擴(kuò)散/浸透引起的透明電極及玻璃基板的變色，提高暗室及明室對比度的等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明。
背景技術(shù)：
分析傳統(tǒng)發(fā)明的等離子顯示裝置如下。
圖1為顯示傳統(tǒng)等離子顯示裝置的電極的一個結(jié)構(gòu)的斜視圖，在此，圖1所示的電極是等離子顯示裝置配備的多個掃描電極或維持電極中的任一個電極。
參考圖1，傳統(tǒng)等離子顯示裝置在上端玻璃基板10上形成掃描電極和維持電極。上述掃描電極和維持電極包括透明電極11和具有比透明電極11的線寬更小的線寬且形成在透明電極的一側(cè)邊緣位置的金屬總線電極13。而且，在上述透明電極和金屬總線電極之間形成黑色矩陣(BM)層12。
上述透明電極11通常由銦錫氧化物(Indium-Tin-OxideITO)形成在上端玻璃基板10上。
上述黑色矩陣(BM)層12起到吸收黑色色相物質(zhì)釋放的光，從而提高等離子顯示裝置的明室對比度的作用。
上述金屬總線電極13通常以鉻(Cr)、銀(Ag)及銅(Cu)等電導(dǎo)性好的金屬形成在上述黑色矩陣(BM)層12上，起到降低電阻高的透明電極11引起的電壓降的作用，通常采用電導(dǎo)性好的銀(Ag)電極。
上述銀(Ag)電極在放電持續(xù)時(shí)間加長時(shí)，浸透/擴(kuò)散到位于上述銀電極下端的層中，發(fā)生親頭部分發(fā)出黃光的現(xiàn)象。
即，上述金屬總線電極下端配置透明電極或配置黑色矩陣層時(shí)，銀成分會擴(kuò)散到其表面，從而發(fā)生上述透明電極或黑色矩陣層的變色現(xiàn)象。
傳統(tǒng)技術(shù)中，上述黑色矩陣層12的厚度處在制造工序中干燥狀態(tài)時(shí)約為2.5-3μm，燒成后約為0.8-1μm，厚度會變薄。
因此，上述銀(Ag)電極擴(kuò)散后浸透到上述黑色矩陣層的深度要比上述厚度更深，將擴(kuò)散到上述黑色矩陣層的反面。
金屬總線電極的銀(Ag)擴(kuò)散/浸透，而使黑色矩陣層的反面表面變色。即，上述銀成分浸透到與上述金屬電極相連的反面，即與板的透明電極連接的黑色矩陣表面。
銀(Ag)成分浸透到上述透明電極時(shí)會降低光透過性，從而發(fā)生亮度降低的問題，浸透到黑色矩陣層時(shí)會降低光吸收能力，從而發(fā)生降低對比度的問題。
而且，若是未設(shè)ITO-less，即透明電極，只配備金屬總線電極的等離子顯示裝置，則上述銀(Ag)成分將擴(kuò)散到玻璃基板上，使玻璃基板變色為黃色，從而發(fā)生降低色溫或降低亮度而降低畫質(zhì)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決上述傳統(tǒng)技術(shù)的問題而提出的，其目的在于提供通過加厚黑色矩陣層的厚度，防止金屬電極的擴(kuò)散引起透明電極、黑色矩陣層、玻璃基板的變色，從而不存在亮度和對比度下降的等離子顯示裝置。
為解決上述問題，本發(fā)明中的等離子顯示裝置，包括形成在上端基板上的黑色矩陣層和形成在上述黑色矩陣層的金屬電極，其特征在于上述黑色矩陣層的厚度為1.7-2.7μm。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述等離子顯示裝置可以再包括形成在上述上端基板和上述黑色矩陣層之間的透明電極。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述黑色矩陣層是由具有黑色色相的導(dǎo)電性物質(zhì)形成。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述黑色矩陣層由鈷氧化物組成。
前述的等離子顯示裝置，其特征在于上述金屬電極由低電阻Ag形成。
本發(fā)明的有益效果是具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的等離子顯示裝置是通過加厚形成在金屬電極和透明電極或上端基板之間的黑色矩陣層的厚度，防止金屬電極，尤其是銀(Ag)成分?jǐn)U散到透明電極或上端基板的現(xiàn)象，從而防止透明電極或上端基板的變色引起的亮度降低或黑色矩陣層的變色引起的對比度降低，由此具有可提供明亮清晰的畫質(zhì)的效果。


圖1為顯示傳統(tǒng)等離子顯示裝置的電極的一個結(jié)構(gòu)的斜視圖；圖2為顯示本發(fā)明的第1實(shí)例的等離子顯示裝置的電極結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖3為顯示本發(fā)明的第2實(shí)例的等離子顯示裝置的電極結(jié)構(gòu)的斷面圖。
附圖中主要部分符號說明100上端基板110透明電極120黑色矩陣層 130金屬電極具體實(shí)施方式
以下，以附圖為參考，具體介紹本發(fā)明的最佳實(shí)施例。
圖2為顯示本發(fā)明的第1實(shí)例的等離子顯示裝置的電極結(jié)構(gòu)的斷面圖，參考圖2，則本發(fā)明的等離子顯示裝置的第1實(shí)施例是，在上端基板100上形成透明電極110，在上述透明電極的上端形成黑色矩陣層120(以下稱為BM層)，在其上端形成金屬總線電極(以下稱為金屬電極)。尤其是以上述BM層120在燒成后，其厚度為1.7-2.7μm為特點(diǎn)。
圖2為等離子顯示裝置的基板和電極部分的斷面圖，可以是掃描電極或維持電極中的任一個，將省略對作為其他等離子顯示裝置的組成要素的覆蓋電極的介電層或保護(hù)膜和形成下端板的下端基板和尋址電極和下端介電層和障壁的組成的介紹。
上述上端基板100是由熔點(diǎn)高的高歪點(diǎn)玻璃或普通的鈉鈣玻璃(Soda-limeGlass)組成。
上述透明電極110形成在上述上端基板100上，通常采用的材料為銦錫氧化物(Indium-Tin-OxideITO)氧化錫(SnO2)，具有高透明性和高導(dǎo)電性。
上述透明電極110可采用光蝕刻法或蒸鍍法，形成在上端基板上。
上述金屬電極130是為了降低上述透明電極110的電阻而設(shè)，通常采用銀(Ag)膏，進(jìn)行模型印刷或采用感光性銀(Ag)膏進(jìn)行印刷涂布而成。
通常，銀(Ag)的熔點(diǎn)為約962℃，不會在燒成電極時(shí)約500-600℃的溫度融化。因此，為使其在約500-600℃具有一定程度的黏著力，采用在銀(Ag)上混合玻璃粉(FritGlass)的銀(Ag)膏。
此時(shí)，因上述玻璃粉的電阻值高會劣化金屬電極的電性特性，因此最好由通過降低上述玻璃粉的含量或減小銀(Ag)粒子的大小，而提高導(dǎo)電性的低電阻銀(Ag)形成上述金屬電極130。
上述BM層120形成在上述金屬電極130和上述透明電極110之間。而且，上述BM層120的寬設(shè)為與上述金屬電極130寬實(shí)際上相同，或稍微寬。
在此，上述BM層120是由黑色色相的物質(zhì)形成，可以由黑色色相的鈷氧化物類物質(zhì)形成。
上述BM層120的厚度WB設(shè)為在燒成后能達(dá)到約1.7-2.7μm。若將上述BM層處于燒成前干燥狀態(tài)時(shí)的厚度設(shè)為5-8μm，則燒成后其體積縮小，厚度將變成約1.7-2.7μm。
若上述BM層120的厚度WB在燒成后小于約1.7μm，則在上述BM層120的反面會出現(xiàn)上述金屬電極的擴(kuò)散引起的變色現(xiàn)象，若其厚度在燒成后大于約2.7μm，則電極整體的厚度會變厚，因此降低亮度或，加大電極整體的電阻，因此隨著放電電壓的上升會加大電力消耗。
如上所述，若BM層120的厚度WB在燒成后為約1.7-2.7μm，則即使存在形成在上述BM層上端的金屬電極的擴(kuò)散浸透現(xiàn)象，在上述BM層120和金屬電極相連的部分形成一定深度的擴(kuò)散浸透，因此上述BM層120的反面不會變色。
因上述BM層120是從上端基板方向貫通基板而觀察BM層時(shí)，通過黑色色相起到提高對比的作用，因此即使在與上述金屬電極相連的面上發(fā)生部分變色，只要與上述透明電極連接的面不發(fā)生變色，就不會影響對比度。
即，本發(fā)明的第1實(shí)施例是通過將上述BM層120的厚度WB設(shè)為比傳統(tǒng)厚的約1.7-2.7μm，防止金屬電極擴(kuò)散到透明電極。
圖3為顯示本發(fā)明的第2實(shí)施例的等離子顯示裝置的電極結(jié)構(gòu)的斷面圖。
參考圖3，本發(fā)明的第2實(shí)例基本上與上述第1實(shí)施例相同，其特點(diǎn)是上述BM層120直接形成在上端基板100上面。即，具有沒有透明電極(圖2的110)的ITO-Less形式的電極結(jié)構(gòu)。
即使是這種ITO-less電極結(jié)構(gòu)，在上述BM層120的厚度薄時(shí)，上述金屬電極130即銀(Ag)膏會擴(kuò)散到上述上端基板100，會發(fā)生變色而降低亮度，因此本發(fā)明的第2實(shí)施例的特點(diǎn)為在沒有透明電極的電極結(jié)構(gòu)中，將上述BM層120的厚度設(shè)為約1.7-2.7μm通過將上述BM層120的在干燥狀態(tài)時(shí)的厚度設(shè)為約5-8μm，使燒成后的厚度能達(dá)到約1.7-2.7μm，防止上述金屬電極擴(kuò)散到上端基板100。
上述實(shí)施不以任何形式限定本發(fā)明，凡采取等同替換或等效變換的形式所獲得的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.等離子顯示裝置，包括形成在上端基板上的黑色矩陣層和形成在上述黑色矩陣層的金屬電極，其特征在于上述黑色矩陣層的厚度為1.7-2.7μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述等離子顯示裝置可以再包括形成在上述上端基板和上述黑色矩陣層之間的透明電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述黑色矩陣層是由具有黑色色相的導(dǎo)電性物質(zhì)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述黑色矩陣層由鈷氧化物組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于上述金屬電極由低電阻Ag形成。
全文摘要
本發(fā)明為等離子顯示裝置相關(guān)發(fā)明，本發(fā)明中的等離子顯示裝置，包括形成在上端基板上的黑色矩陣層和形成在上述黑色矩陣層的金屬電極，其特征在于上述黑色矩陣層的厚度為1.7－2.7μm。本發(fā)明通過加厚形成在金屬電極和透明電極或上端基板之間的黑色矩陣層的厚度，防止金屬電極，尤其是銀(Ag)成分?jǐn)U散到透明電極或上端基板的現(xiàn)象，從而降低透明電極或上端基板引起的亮度降低或黑色矩陣層變色引起的對比度下降，具有可提供明亮清晰畫質(zhì)的效果。
文檔編號H01J17/49GK1959900SQ200610163438
公開日2007年5月9日 申請日期2006年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月13日
發(fā)明者安奎映, 盧正錫 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司