專利名稱：分析儀器、裝置和方法
分析儀器、裝置和方法
本申請要求2005年4月25日^it的、題目為"AnalyticalInstrumentation and Analytical Processes"的美國臨時專利申請No. 60/675^40的^U5L，該專利
申請文件4^ft為參考^H^此。 M領(lǐng)域
^/iHH殳計分析儀器、M和方法。更*的實施例包括質(zhì)^^析儀器、 裝置和方法。 背景脈
目前，分析儀器通常包括分析制4"W^^接到處^^制辦的糊，J部
供械而對分析進(jìn)行控制的計#^的形式。例如，城it^析儀i的情:下，
處3^ ^制*可^^!，^^提##^;|^:, i^a給電子，器的電壓^a/或電
子，a^^到接it^關(guān)閉l同樣地，處igjNt制部件也可以提供離子化能 量、離子化時間、掃描范圍和/或波形形式的分析制^H^It通常，由處理 和控制^Hfil些械下栽到這些耕，并J^用這些^Wt^得數(shù)據(jù)集。在
解釋所獲得的數(shù)據(jù)集后，儀器的,者可能感覺到需要重新定義某些^lt、下
^it些^lit并獲得額外的^:據(jù)集。
本發(fā)明4^供了分析儀器和分析處理，它們在某些實施例中在分析期間提供 對分析辦械的動綈正。

發(fā)明內(nèi)容
^Hf了樣本分析裝置，其可以包^S&置^A^^個^^斤Wi"&j:配置 的分析辦中獲取一個數(shù)據(jù)集，并利用另一先前獲得的數(shù)據(jù)集制備另一分析參
數(shù)M的處理回路。
f了樣本分析方法，其可以包括M^^第一分析部件^I^U配置的分
析部件中獲取第--^第_=^據(jù)集，該第一分析部件^^^^y^接到分析部件
的處3S^控制部件提^^析部件。樣本分析方法可以還包樹'J用處iS^制
6^Mu^理第一數(shù)據(jù)集，從而制備第二分析*#|^0:。
^^了樣本分析儀器，其可包:fe^接到分析"W的處^t制耕，其中
處3g^控制部件包^i^接到^i殳備的處理回路。該儀器的^i殳4"可以還包 括與數(shù)據(jù)#^:働目關(guān)的分析部件#^設(shè)置，其中分析部件^^設(shè)置中的單獨一 個與數(shù)據(jù)^:值的單獨一個相關(guān)，儀器的處理回路可 己狄處理數(shù)據(jù)集并利 用該數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)^WuMf^i殳備中選擇分析部件^lt"&^。


以下多^考下面的附圖^M^^^Hf的實施刺。 圖l ^1#^個實施例的^^斤儀器。
圖2是##^//^一個方面的質(zhì)^#^析儀器的一個實施例。 圖3是才Mt4^Hf—個方面的質(zhì)iM"析儀器的一個實施例。 圖4描繪了才NM^^f的方面配置的質(zhì)^^析儀器。 圖5描繪了#^^^的方面配置的質(zhì)^#^析儀器。 圖6描繪了才Mt4^Hf配置的分析^ff^^iU。 圖7^^i^;2M^f的儀器的方塊圖。
圖8 個實^fe例的^。
圖9是才Mt""個實施例的^。
圖10^^W""個實^fe例的it^的一^P分。
圖ii >1#4^個實施例的圖io的ii^的另"^分。
圖12是##-個實施例的^^呈'
圖13是#^個實施例的處理的4分。
圖14是#^個實施例的圖13的it^的另"^P分。
圖15描繪了才Mt4^Hf配置的^^f^NNtiU。
參考圖l-15描述分才/f^置、儀器和方法的實^fe例。
首先參考圖1，儀器10被顯示為包:fe^接到分析部降13的處S^制部 件12。例如，儀器10可^^ ^用于分析的樣本18并在分#1^本18后提
樣本18可以是^f可已知的和/或未知的化學(xué)成分。例如，樣本18可以是包 括固態(tài)、液態(tài)和/或氣態(tài)的無^Mp有^^質(zhì)的任何化學(xué)成分。##本發(fā)明的適于分析的樣本18的^^例子包括揮發(fā)性^^, *曱苯，或者糾的示例包括 高>^雜基于一^#發(fā)性蛋白質(zhì)的結(jié)構(gòu)(highly-complex non-volatile protein based structure), iH"^Jit在某些方面，樣本18可以是含有不止一種物質(zhì)的混 楊，或者在雞方面中，樣本18可以;U^上純凈的物質(zhì)。儀器10可以;U2^^M處S^制"W 12和分析"W 13的《^T儀器。 這包^^備有妙錢離子^^'J器、紫外可見光(UV-vis)糊'J器、傳導(dǎo)探 測器、M卜(IR)糊'j器和/^H鵬'譜這樣的糊'J器的用于化學(xué)分析、* ^目或斜目色^^析的分才/f^置。儀器10可按2005年7月13日奴的、題目 為Mass Spectrometer Assemblies, Mass Spectrometry Vacuum Chamber Lid Assemblies, and Mass Spectrometer Operational Methods的美國專利申請系歹'J 號為10/542,817中所描述的進(jìn)^S&置，所述專利申請4^ft為參考結(jié)^此。 儀器10同樣可按2005年10月20日提交的、題目為Mass Spectrometiy Instruments and Methods的美國專利申請系列號為10/554,039中所描述的進(jìn)行 配置，所述專利申請dNp作為參考結(jié)^此。作為另 例，儀器10可按2005 年6月13日4I^的、題目為Analytical Instruments, Assemblies, and Methods 的國際專利申請系列號為PCT/US05/20783中戶糊述的進(jìn)根i置，所述專利申 "t4^Mt為^^考結(jié)合于此。儀器10可包^^接到處3s^制"W 12的分析部 件13。分析部件13包^^接到處S^制辦的鄉(xiāng)'〗辦16。鄉(xiāng)，J耕16可包 括質(zhì)i棘、煩離子4鵬，J器、熱傳導(dǎo)鄉(xiāng)，J器、熱離子鄉(xiāng)，譜、電子捕獲御寸 器^^子iUt^，J器。#卜，鄉(xiāng)，^j^ 16可包4^及Jj^'J器，"^tn紫外吸收探 測器、熒i^'j器、電化學(xué)鄉(xiāng)'J器、折射W^器、傳導(dǎo)糊'J器、傅里葉變換 ^卜光"iti十、光^fe^!，J器、光離子4^i!，j器和/或^L管陣列糊，J器。糊，J部 件16可以^f、子光^^!'j器、it^光il^^器、^#磁^#光##^器。示例 性的糊'J^f包括在美國專利申請系列號為10/537,019、題目為Processes for Designing Mass Separators and Ion IVaps， Methods for Producing Mass Separators and Ion TYaps， Mass Spectrometers, Ion TVaps， and Methods for Analyzing SamPles中所描述的那些部降，該專利申請"^作為參考結(jié)^此。 附加的探測部件包括在2004年9月3日提交的國際專利系列號為 PCT/US04/29127、才示^j^ Ion Detection Methods, Mass Spectrometiy AnalysisMethods, and Mass Spectrometry Instrument Circuitry中描述的那些"Ms該專 利申請4^作為參考結(jié)^此。如果需要，分析部件13還可包括分析制4"W 14。例如，分析帝M"W 14可包括色鐠、衍生和/或吹掃捕集(purge and trap)艘。示例性分析制備 部件包括在2005年6月30日提交的、題目為Spectrometry Instruments, Assemblies and Methods的美國專利申請系列號為11/173^263中所描述的那些， 該專利申請4^Mt為參考結(jié)襯此。分析部件13還可按2005年6月13日M 的、題目為Instrument Assemblies and Analysis Methods的美國專利申請No. 11/152,95、以及2005年5月13日^t的、題目為AnalyticalInstrumentatioii and Processes的美國臨時專利申請No. 60/681,188中描述的進(jìn)"ftS&置，這兩0利 申請4r^ft為參考結(jié)襯此。分析部降13可包括可以根據(jù)分析^lfcg&置的那些分析"W。^^示例性實 施例，分析耕13可#^分析#4^ ^|^己置，例如，在分析制4"Wl4是 氣相色譜部件時，氣相色譜部件根據(jù)可以包括諸如進(jìn)樣口溫度(injector temperature),柱箱程序(oven program)和/或分流/不分流中繼時間 (split/sp股less relay time )這樣的^lt的分析^ltiU進(jìn)根&置。作為另—例， 在分析制^P件14是斜目色辦件時，^目色辨件#^可以包^^#本體 積糸斜目^a^^^ (liquid phase composition program) il樣的^lt的^4斤^lt i經(jīng)進(jìn)糊建'作為另 例，分析部降13可包括可以^^分析^lti5^進(jìn)4預(yù)&置的^!'J 辦16。例如^H l作為示例，鄉(xiāng)，J辦16可以^H普御，J器辦，其包^^接 到離子阱的離子化部^N^!，J器。質(zhì)鐠 !，譜部件可#11包括例如離子化時間 ^It和/或波形械的質(zhì)^"析耕^l!bi線進(jìn)eS己置。4娥示例性實施例，儀 器10可按2006年3月3日4^t的、題目為Analysis Device Operational Methods and Analysis Device Programming Methods的美國專利申請No. 10/570,706中描 述的進(jìn)4預(yù)&置，該專利申請4^P作為參考結(jié)^此。儀器10還可按照2006年3 月3日HJt的、題目為Mass Spectrometry Methods and Devices的美國專利申 請No. 10/570,707中描述的進(jìn)"ftB&置，該專利申請4r^P作為參考結(jié)合于此。根據(jù) 用于分##本18的分析^^i^配置分析部降13可影響以翁:據(jù)集20的形^ 取什么。例如，M^^件的情況下，離子4匕時間趟t長，所獲取的數(shù)據(jù)集20將表示不期望的效果、諸如空間電荷效應(yīng)(下面描述)的可能眺高。處S^t制辦12可湖于條分析械"M配置分析辦13，以錄 ^Ufp/或處理數(shù)據(jù)集20。數(shù)據(jù)集20可包括數(shù)據(jù)Wt。例如，利用被配置為連接 到二極管陣列探測器的高性能';M目色^^析儀的分析*所獲取的數(shù)提集20的 數(shù)據(jù)^lt可&^總^Jt率、^i^波長的總pA^和/或^i^時間或時間范圍 內(nèi)的pA^。作為另一示例，利用 &置為質(zhì)敝的分析部件所獲取的數(shù)據(jù)集 20的數(shù)據(jù)^lt可包括總分析物離子豐度和/或特定m/z比率下的總豐度。處3S^制部件12可以是能夠控制儀器10的^#*的計^^/或小型 計，。處^N^制部件12可包括處理回路22和^f^殳備24。例如，處理回 路22^@己 ^##&備24中獲取分析辦械，以;SJ^U^御'J^H6接 收的處理數(shù)據(jù)集20。回路22 i￡^S&^ti ^#^* 16所M的數(shù)據(jù)集20， ^態(tài)地修^"析部件13的#4&。分析部件13的^lt的動i^務(wù)改例如可在儀 器10正^#本18期間和/或在利用儀器10對樣本18進(jìn)行分析之間發(fā)生。行指4^l處理器或^^構(gòu)'處理回路22可附加地包括硬件邏輯、PGA、 FPGA、 ASIC和/或^#構(gòu)。在示例性實施例中，數(shù)據(jù)集20可經(jīng)由FPGA處理回路 22從儀器10中輸出。在另一實施例中，數(shù)據(jù)集20可直接M中提供適當(dāng)總線 饋入的處理回路22的總嫩出。處理回路22可&^徊'J用處理回路22的;J^^ 處理期間;JH:、 i2^V或轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)集20的^t轉(zhuǎn)換器(ADC)。處理回路22 還可^t理數(shù)據(jù)集20之前iU^^!'j部件16 ^t的樹以信號。>^殳備24連接到處理回路22， ^LSe^^電子數(shù)據(jù)、*可齡 的指令的禾I^(例如，軟^V或固件)、數(shù)據(jù)或^fc可包括處理器可用介質(zhì)的數(shù) 字信息。處理器可用介質(zhì)包括由包括^^性實施例中的處理回路的指4^批斤系 統(tǒng)使用或與其結(jié)^f吏用的可以包含、^#或^#^數(shù)據(jù)或數(shù)宇度息的任何產(chǎn)仰c示例性的處理器可用介質(zhì)可以包^f^T"^物理介質(zhì)，諸如電子的、磁的、 光學(xué)的、電磁的、盒0卜的或半#的介質(zhì)。處理器可用介質(zhì)的一些更M的示 例包^a^限于便攜i(^性計^^械片，iH4feJ:、 zip盤、^it驅(qū)動器、隨機(jī) 存:IM^器、只讀絲器、閃存、高速緩沖絲器和/或絲能夠^f^呈序、數(shù) 據(jù)或^lt字信息的構(gòu)i^包括與^i殳備24結(jié)合的處理回路22的處3^t制"W 12可以柳于通 ii^用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)集20的分析部件^lit的環(huán)境中處理數(shù)悟集20而動態(tài)地修改 分析耕13的錄。例如，數(shù)據(jù)集20可包括數(shù)據(jù)集的械，例如材歉器 數(shù)提集的情況下的總分析物離子豐度。可以在用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)集^t、 *離子 源部件的離子化時間^lit的分析部件^it的沐晚下處理總豐度。在用于產(chǎn)生數(shù) 據(jù)集20的分析*#^:的環(huán)嫂下處理數(shù)據(jù)集20之后，部件^lt可被修改，分 析部件13可以修改后的參lfc^重新配置，并JJt后利用重新配置的儀器10執(zhí) ##本18的分析。可以棘器10的用戶所期望的那樣錢賦間隔船，J用該 動態(tài)分析。
^^本發(fā)明的數(shù)據(jù)的獲W^產(chǎn)生可用處i^N^制部件12來推動。處3^# 制部ff 12可以是能夠控制儀器10的^t;^f的計，或小型計^^。該控制 包;^E所述的RF和DC電壓的特定施加，并可ii一步包^^確定、4#^最 終顯示質(zhì)譖。處^N^制"W 12可^^數(shù)據(jù)獲W^搜索軟件。在一個方面，這
數(shù)據(jù)獲W^搜索。在另一;面，數(shù)據(jù)獲^^搜索^lt可包括用于^JE產(chǎn)生到用 于^IN^據(jù)的預(yù)定程序的分4斤物的量的方法。
,參考圖2的示例性實施例，其中顯示了儀器10的方塊圖，其4feSiM 包^P與處M^制部件12連接的進(jìn)樣系統(tǒng)部fr 26、離子源部泮28、離子傳 送門耕30和質(zhì)量分析儀"W32的質(zhì)i糾。如圖2,禍執(zhí)，樣本18可被引 Aii樣系統(tǒng)"W 26中。現(xiàn)在將參考4^Hf的多個方面*^述樣本18的分析， 以^^^^fc示例性實施例。
進(jìn)樣系統(tǒng)部降26可翻&^Mf-定量的樣本18引A^儀器10中，進(jìn)樣系 統(tǒng)耕26可^g&^^制備用于離子化的樣本18。進(jìn)樣系統(tǒng)部件的類型可&^分 做樣、直接進(jìn)樣、色棘樣(chromatographicinlet)和^tJ^或毛細(xì)管膜進(jìn) 樣。進(jìn)樣系統(tǒng)耕26可:^S己Jj^制備用于在^目、'W目和/或固相中進(jìn)行分析的 樣本18。在一些方面，進(jìn)樣系統(tǒng)部件26可與離子源部件28結(jié)合。
子。這種^^可以包^用電子:離子、襯和/或光子對樣本18的組分轟擊，這 種轉(zhuǎn)^^可通il熱育誠電肯Mt^t。在一方面，離子源部降28可提供預(yù)定量的 能量給樣本18。為樣本18提供該預(yù)定能量數(shù)f^a供了包含至少一個離子^^子和/或多個離子^tt^的樣本，并Ji^可提供^^^離子的形成，如下面 />式1所示
m +五^m+'+￡'^m++f++ (1)
其中M 4銀中性分析物襯，E ^fJ(^提^ M的能量；m+' 4銀內(nèi)部激 發(fā)的離子；E，代^i殳有作為內(nèi)能或動能而沉積到m+'中的任何E， M+、 F+和N 分別^^帶電的分析物離子、帶電的離解產(chǎn)物和中性離解產(chǎn)物；而E，M^^殳有 作為內(nèi)食l^動能留在M+、 F+或N中的任何E。例如，可變能量離子源部件28 可將樣本的離解量;gyM^些^^ (F+和N)。
離子源28可利用電子離子似EI,通常適于W目離子化)、光子離子似PI )、 化學(xué)離子化、；syt"活化離解和/或電噴射離子化(ESI)。例如在PI中，可 光子能以^t^樣本的內(nèi)能。而且，當(dāng)利用ESI時，樣本可在大^下^m， 并且可以^在將離子從大^下傳送到質(zhì)譜儀的真空中時所應(yīng)用的電勢以引 起離解的不同敏(常常被稱為"辦(nozzle) /^tj由器(skimmer)"或"進(jìn)樣 錐電壓(cone voltage)，，離解)。參考圖3，在圖2中是28的示例性離子源可包 括真空區(qū)域34、 EI燈絲36和EI燈絲電源38。
再次參考圖2，相魂4^^的一個方面，分析物離子可^^傳送門部件 30。離子憐逸門部件30可翻CJ^門控(gate)由離子源部件28所產(chǎn)生的分析 物束。再次參考圖3，在圖2中是30的示例性離子艦門可包括離子^itii:鏡 40和^iHit鏡電源42。根據(jù)^/〉開的示例性實施例，離子傳送門部件30可被 配M^許由離子源部件28所產(chǎn)生的》4斤物^續(xù)，或離子傳送門部件30可 鄉(xiāng)&^^偏轉(zhuǎn)分析物束。這可被稱為"門拴，分析物束。當(dāng)"門"開啟時，分析物 束可it^質(zhì)量分析^C部降32;當(dāng)門關(guān)閉時，束被偏轉(zhuǎn)。
圖4顯示了"門拴，的"HS^例'鵬t參考圖4a，離子源耕28產(chǎn)生穿 過到達(dá)離子侉逸門部降30的分析物束。當(dāng)在圖4a中配置儀器10時，由離子源 ^ft28所產(chǎn)生的^C偏轉(zhuǎn)，門關(guān)閉。參考圖4b，離子源^W28產(chǎn)生分析物束， 并JL^M續(xù)到質(zhì)量分析儀"W 32。如圖4b中所配置的，門開啟。開啟和光閉 離子傳送門30的示例性方法包括為離子餘逸門部件30提供DC電壓以光閉該 門，和去除DC電壓以開啟該門。給離子絲門提供DC電壓是可湖于利用 處ig^a制部泮12配置分析部件13的一個示例性分析*狗史。在門開啟的 情況下，分析物束可被^itJ!j質(zhì)量分析儀部件32,絲到^4頁域已知的進(jìn)一步 ，例如質(zhì)量分^^/或串M鐠以獲M:據(jù)集20用于由處S^制部降12處理。
質(zhì)量分析儀部件32可包括磁性部分、靜電部^^/或四^b慮波器部分。更 糾的，質(zhì)量分析儀部件32可包^"個或多個M四極、四極離子阱、圓柱離 子阱、幾性離子阱、直線離子阱、離子回旋4y^四極離子阱/^行時間質(zhì)i棘。 四極離子阱或"保羅(Paul)阱"可指具有環(huán)形電妙兩個端帽的離子阱。環(huán)形 電M—個截面上可具有雙曲線形狀。這兩個端帽也可以在一個截面上具有雙 曲線形狀。圓柱離子阱(CIT)已經(jīng)被iM 是對四極離子阱的變異，其中環(huán)形
電姊端帽可以在一個截面上具有平坦的表面。線性離子阱可由多組平^Wa
成，it些^f在一個截面-bUI形的、雙曲線的和/或平的。參考圖3， 一個示例 'l^量分析儀部件32可包括分析儀真空區(qū)域44、圓柱離子阱46和RF/DC電 壓供應(yīng)48。
接著參考圖5,顯示了儀器10的兩#例性配置'如圖5a中所描繪的， 用于離子餘逸門部降30的DC電>^^接通，并JL^I于質(zhì)量分析儀"W32的RF 俘獲電壓(RF trapping voltage)被切斷，同時質(zhì)量分析儀部件32的DC電勢 被接通。這種配JJt許由離子源部件28所產(chǎn)生的分析物束穿過離子傳送門耕 30和質(zhì)量分析儀"W 32到^J5H^ 16。 RF 獲電壓的配I^i可^t^Nt 制部件12用于配置分析部件13以獲^t據(jù)集20的另一^h^析部件^lt示例。 示例性的鄉(xiāng)，J部件可包f個或多個電子辨器、法拉第杯收集器和照4,，J 器。16可產(chǎn)生與離子源耕28崎時間的;艦而產(chǎn)生的分析物總教 成比例的信號。隨著時間的流逝而產(chǎn)生的分析物離子的總數(shù)可以被稱為總分析 物離^i十?dāng)?shù)和/或總分析物離子豐度。才MM^H1S總^4t物離f"i十lt可^l于 控制iiA^量分析儀部件32的離子量。如前面所述，總分析物豐JblJt3i^ 制* 12可從分析部件13獲取的數(shù)據(jù)集20的示例'14^lt
如圖5b所示，離子源部件28所產(chǎn)生的分析物離子的"^P分可^Ot量分析 儀32基于總分析物豐度進(jìn)行采樣。例如，并且僅作為示例，處S^控制辦12 可 己置以期望數(shù)量的要由質(zhì)量分析儀部件32分析的分析物離子。處S^t制 斧降12于是可以配置儀器10以^ii過將離子傳送門部降30配置為以期望的間 隔開啟和關(guān)閉iMUtif^數(shù)量的分析物離子iiA^量分析儀部件32。例如，傳 必間數(shù)。儀器10可才娥示例性的分析^fW:i5^棚己置為通過開啟離子傳送門部 件30并將RF電/^fe加到質(zhì)量分析儀部降32而不# DC電勢來采樣。這一 配置可基于先前和/或在預(yù)定時間確定的總分析物離子豐度被^^H^定時間。 可以衝眸的是，總分析物離子豐度可^^樣本18的特征、離子源部件28的配 置、質(zhì)量分析儀辦32的配置和正^f^l實絲妙。處理利用酉漆以Ji^分 析^ti緩的分析部件30所獲取的數(shù)據(jù)集20，質(zhì)量分析儀"W可被填充"""^定 的時間，lfJ^可以^t量^4;H^部降內(nèi)的總體(population)上^/ft^^域已知 的質(zhì)量分析儀的狐
參考圖6，儀圖畫的形 示了儀器10的部件的控制，以闡^，J用才娥分 析部件械M配置的分析耕13的示例性分析耕械組如在分析辦 1中所示，離子傳送門辦30是開啟的，質(zhì)量分析儀辦32的RF 俘獲幅度(RF trapping amplitude) A^:斷(off)的，質(zhì)量分析儀辦32的DC 電壓是接通(on)的，同Bt^'瑯件16是接通的，才^^T分析"W^^b^^配 JJbi1^^析物束火離子源部件28傳it^御'〗部陣16，壯圖5a中所示i^皮測 量。在分析"W^^ti殳置2期間，離子傳送門部件30關(guān)閉，質(zhì)量分析儀部件32 的聚焦DC電壓關(guān)斷，并且^!'J部fH6被切斷?？偡治鑫镫x子豐度可以是從分 析*#^:設(shè)置1的開始到分析*#1^殳置2的^所確定的數(shù)據(jù)集20的參 數(shù)'該豐度可^于確定剩余階段的時間"ML例如，總離子豐度可由處S^ 控制部降12處理，以產(chǎn)生然后可凈M于配置分析"Wl3并獲取附加的數(shù)梧集
20的附加的^^斤"W^N^^X。
才娥示例性實施例，在分才斤^ft^ltiM3期間，質(zhì)量分析儀部件32的俘 獲(trapping) RF被接通，聚焦DC幅度被切斷，離子M門辦30開啟。質(zhì) 量^f斤儀^M2被填充"H55定的時間^W總分析物離子豐度計算的時間。如 圖6所示，在分析辦^^i^ 4期間，分析耕13可凈處&置以可選的分析物 ^HP期(油alyte cooling period )。在分析"W^b&^5期間，分析耕13可 :^iSA經(jīng)由施加俘獲RF幅度^H^R供波形，其中探測器16被接通。對于 ^M頁域已知的無離子鵬的iU4和S之間的附加期當(dāng)然是可能的，并結(jié) 設(shè)置5期間所用的質(zhì)量分^f^r法可包括具有施加的輔助電M非破壞Ji離子探
測的俘獲RF^0
才娥示例性實^Mr式，質(zhì)量分析儀辦32、壯線性離子阱可財在分析、iH^利用才M^U 1的^#斤*#1^5置的^^斤部件13分析期間;^到平Wf 電極的RF電壓。這可給^^^^^^析物束的聚焦。該聚焦RF可以是與柳 于^H^用于I^的離子的俘獲RF不同的幅度和/或頻率，如圖6中該i3-5中 所t
參考圖7，顯示了質(zhì)ifR器70。儀器70例如可包^fe^接到離子源部件28 的離子門/質(zhì)量分析似己置72。如圖7所示，可如上所i^'J用次級離子門辦 74和質(zhì)量分析儀部件76來單皿確定由離子源部降28所產(chǎn)生的總分析物離子 豐度.然后，總分析物計數(shù)可被用于配置離子門部件30、質(zhì)量分析儀部件32 ^^■W16以用于:ftaJ^斤述的^^樣。
參考圖8，在一個示例性實施例中，例如可以通iti^擇多個數(shù)據(jù)集械中 的一個或多>Nf ^^C^于獲^t據(jù)集32的情況下處3^斤選的數(shù)據(jù)集^IU^ 選棒歸旨示分析辦械組儲示例性實施例，處^^制辦12可被 配狄利用才娥由處iSJN^制耕12選棒性指示的第—笫二分析^lt^E配 置的分析部件13 iM^^t據(jù)集20形式的樣^#征。##示例性實齡式，第 4第二分才;fi緩可艦不同。圖8是利用處理回路22 (圖1)來^ft^T選擇 的處理步驟的示例。M方法可能^fe更多、更少或可^^的步驟。
在S20中，利用翻i置以分析耕^^b^E井l的儀器獲W4:據(jù)集并l。根 據(jù)示例性實施例，分析部降13可根梧由處3^N^制部降12所指示的笫一分析 耕^b^X翻己置，例如，分才斤^^#| #1可柳于配置^^析^ff 13
(圖i)并獲:Mt據(jù)集20 (圖i )。與質(zhì)鐠主旨一致^限于此，分析^H^^fc 設(shè)置并i可以M^"析部降的參數(shù)設(shè)置，例如^H^作為示例，分析^ffWi更 置# l可I11^1于質(zhì)"^^析的預(yù)^量范圍、和/或如Ji^斤述的門控配置。
數(shù)據(jù)集# l可包櫥'J用以分析部件#|^ # i配置的儀器所獲取的數(shù)據(jù)。 與Ji^H普主旨一艦，數(shù)據(jù)集#1可以是利用質(zhì)#^器所獲取的數(shù)據(jù)集。例如 ^HsL作為示例，數(shù)據(jù)集可包旨^總離子流、探測的i^棒性離子、所選的^!寸 質(zhì)量范圍和/或探測的質(zhì)" l^樣的數(shù)據(jù)集^lt
然后，處理^i^iJS22，其中在S20中所獲取的數(shù)據(jù)集被預(yù)定的數(shù)據(jù)集參 數(shù)和/或多，定的數(shù)據(jù)集##^類，以隔離預(yù)定的數(shù)據(jù)^t，謙b總分析物離 子豐度。
處理然后^^S'J S24，其中判斷在S22中分類的所獲取的數(shù)據(jù)^4fci否大ffl定的最小值。才峰示例性實施例，例如，預(yù)定的最小值可與^i殳備24中 的第一分析部件W:i^^相關(guān)。所獲取的第一數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)^lt可與限定的閾 值量進(jìn)行夂嫩，以選棒I;4^L^分析部件的第一或第二分析^lti經(jīng)。例如， 如果某離子的總量A^斤獲取的數(shù)據(jù)M，則將判,離子量是否大"f^定的最 小離子量。如^^斤獲取的數(shù)據(jù)M大i^定的最小值，則處理^t到S26,并 且以由分析*#|^^ # 1配置的儀器10開始分析(圖1 )。
如^i斤獲取的數(shù)據(jù)^小于最小值，則處理 ^ S28，其中利用分析部 件#1^ #2、第二分析部件^t&J^Wt據(jù)集并2。在一個示例性實施例 中，并且與質(zhì)譜主旨一致，分析部件^ltiU弁2可包括與利用上面的分析耕 #|^ #1所限定的質(zhì)#￡圍不同的質(zhì)#￡圍，或者例如^ltiU并2可包括 更長的開啟門時間，以有利于質(zhì)量分析儀32獲取更多的分析物離子(圖2 )。
處理^^'J S30，其中通過一個或多個等同于上面用于對數(shù)梧集井l進(jìn)行分 類的預(yù)定數(shù)據(jù)集^t的預(yù)定數(shù)據(jù)集^W所獲取的數(shù)據(jù)集# 2進(jìn)行分類。例如， 數(shù)據(jù)集可通過*離子豐度和/或TIC il樣的^t據(jù)集^^fe^類'
處理^^'J S32，判斷在S30中分類的所獲取的數(shù)據(jù)^lfcl:否大i^定的 最小值。該預(yù)定的最小值例如可與^f^(^殳備24中的第二分析辦;^lti加目關(guān)。 例如，如Ji^斤述，利用凈AS&置以分析^h^lti線井2的儀器所獲取的離子豐度 和/或TIC是否大預(yù)定的離子豐度或TIC最小值，如^^斤獲取的數(shù)據(jù)^IU^ 于最小值，則處理^t^S34， ^!^^析應(yīng)該以分析*^^ #2開始。 如果預(yù)定的數(shù)據(jù)錄小于最小值，則處理可以返回到S20,
^51K作為利用圖8所i^l:理的一^:例，儀器、iH^器10 (圖1)可被
配置以多個分析^N^tiU配置，并且該儀器可能能夠4llWt據(jù)期間循環(huán)
通iiit些分析部件^lt設(shè)置的至少兩個。在示例性實施例中，該處理可被用于 g監(jiān)視。同#^，所獲取的數(shù)據(jù)^lt可指示樣本18(圖l)， ^^有利用^Cgi
置以已經(jīng)被用于第一次探測特征的分析部件參數(shù)設(shè)置的儀器 :佳分析的特征。
例如，利用這一處理并與質(zhì)鐠主旨一致妙限于此，儀器IO (圖1)可被
配置用于smj^控。^it種配置中，儀器10 (圖1)可^s己^^預(yù)定場所連
續(xù)^^行空^_樣。例如，該場所可能包含已知的謙^乙醇和/或BTEX (苯、曱 苯、乙苯、二甲苯)這樣的^^,但是不知itil些^^在該場所內(nèi)是否出5(UM目同位置或不同位置。儀器可以朝LS&置以被設(shè)計用于獲取可包括乙SI^征 數(shù)據(jù)集^lt(例如，m/z31， m/z45，和m/z 46)的數(shù)據(jù)^lt設(shè)置的乙醇分才維 分^lt設(shè)置。例如，參考圖8的處理的S22，如果乙醇的數(shù)據(jù)集#^特征大于 預(yù)定的最小值，則在S26中，分析^于乙si^^a分^l4:i緩。
例如，參考圖8的S28,儀器可^S&置以可被設(shè)計用于獲取可^BTEX 特^:據(jù)集參數(shù)(例如，m/z 78， m/z 91和/或m/z 105)的數(shù)據(jù)集的BTEX分 才/fia分^ti^。如^it些數(shù)據(jù)集械比預(yù)定的最小值大，則在S28中，分析 可開始于BTEX分才形且分#|^ 。這樣，儀器10 (圖1)可通過動態(tài)i^務(wù)改 ^^析部降的參l!UM^t^例性的動態(tài)分析。
^^Jl""個示例性實施例并參考圖9，描述了用于動態(tài)修改儀^^析"W參 數(shù)的處理。這種處理例如可在利用抽參考圖1所描述的分析儀器獲Wt據(jù)集 期間并行地、相繼ijk^/或間隔^W。在示例性實施例中，可以在數(shù)據(jù)獲取期 間和/或在數(shù)據(jù)獲取完^M^ft者的M由處3^Nt制^fr 12制4#正 后的儀器W:。例如，樣本分析^X可包括處理回路，其^CS己置為從才Nt至少 一^^析#4^ 配置的分析部件獲取一個數(shù)據(jù)集，并利用先前獲取的另一數(shù) 據(jù)集制備另一分析^lfc設(shè)置。^4tM示例性實施例，處理回路可,iLS己置成同
時獲粒一個數(shù)據(jù)集，備^fe^析械亂
件的第^^析部件^tiU配置的分析"W獲取第一第^:據(jù)集。方M包 括處^一數(shù)據(jù)集以利用處^N^制部^^備第二分析^hWti5^'
才Mt示例性實施例，可以在獲取第^1| :據(jù)集期間^#第一數(shù)據(jù)集的處理。 分析部件也可條第二分4WHU艦置。方艦包括W娥第二分析耕 i^配置的分析耕中獲取第三數(shù)據(jù)集，并處理第^lt據(jù)集以利用處S^制 部件來制備第三分析部件^:iM。例如，可以^l^取第三數(shù)據(jù)集期間^t第 ^!fc據(jù)集的處理。
例如并首先參考S40，可以利用以分析"W^4^U # 1配置的分析儀器獲 Wt據(jù)集并l。才娥示例性實施例，分析部件13可^@己 包括離子源部件、 傳送門部件和質(zhì)量分析儀部件。例如，這些部件可才M^-個分析部件^lti經(jīng) =^^置成#^析物離子提^#^部件，并才N^另一分析部件^^:iU被重新 配置。分析"IMM^b^i可包^""個或多個離子門位置^lt、俘獲RF幅度參數(shù)、聚焦DC幅度^t和以前詳細(xì)描述的探測器能量^:。利用上面圖8中所 述的處理可預(yù)定和/iU^L錄iU # l。
處理^5'JS42，其中利用分析*#|!!:設(shè)置#2獲: !:據(jù)集#2，并同時 例:fcnitit^用處S^制辦12處理數(shù)據(jù)集弁1而制^^析辦^tiU弁3, 處理^^'J S44，其中利用在S42中制備的分析部件^lt設(shè)置#3獲Wt據(jù)集# 3并基于在S42中所^取的lt據(jù)集弁2制4^析部件^I^U井4,處理可如S46 中繼續(xù)那樣在該獲^^lft制備;^式中繼續(xù)，其中利用分析部件^lt設(shè)置N獲 Wt悟集N，并J^^數(shù)據(jù)集N-X制名+析^j^lt設(shè)置N + l，其中X為2、 3、 4。
處理船可^^ S48,其中在一個示例性實施例中但并非必須地，在處
理期間所獲取的數(shù)據(jù)集和/或^^數(shù)據(jù)集#1 :可以與所制備的分析*#1^0:
定標(biāo)她""IL ##示例#_實;^例，處3g^制"W 12的處理回路22可*^一 步配置成利用被用于獲M:據(jù)集的分析^lfci5^t數(shù)據(jù)集進(jìn)行定標(biāo)。例如，分 析^IWU可包括門控錄，并J^'J用門控錄、鈔門開啟的時間"ML對數(shù) 據(jù)集進(jìn)行定標(biāo)。
參考圖9的S42、 S44和S46，分析*#|^ 可基于先前獲取的數(shù)據(jù)集 進(jìn)辦，J備。參考圖10，描繪了用于基于數(shù)據(jù)集制#^析耕#^^￡的一>|^ 斜狄理。該處理可開始于S50，其中可以獲Wt據(jù)集的數(shù)據(jù)集械。該處理 可以但并非必須地包括S52，其為在S50中所獲取的數(shù)據(jù)集^^提^fc字濾波 器應(yīng)用'
該處理然后繼續(xù)到S54，其中判斷數(shù)據(jù)集^bi否超過預(yù)定上Pl例如， 通it^取另 一數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)集^lfc并將^ya:據(jù)集^lt與閾值量進(jìn)行HS^^制 備另一分析l^:設(shè)置。^示例性實施例，彩:據(jù)集^lblJt據(jù)集的總分詩斤物離 子豐度。例如，閾值量可以是豐度的上限量。》b^可包括確^^iiJi限量，并
裝置可凈AS&Mj萄值量是下限量，并JUb^可包括確定下限量的不足并存 不&例如，如果數(shù)據(jù)集^lt確實超過上閾值，則在S56進(jìn)^f^過量的增 ^i十?dāng)?shù)，然后處理繼續(xù)到S58， ^jtb判斷數(shù)據(jù)集^lbl:否超過預(yù)定下閾值。如 ^￡過下闊值，則進(jìn)行該下閾值的超過數(shù)據(jù)集M的增量計數(shù)，然后處理繼續(xù) 到S62， ^b判斷數(shù)據(jù)集^b^否已經(jīng)超過預(yù)定的最大值。根據(jù)示例性實施方
18式，通過,斤絲的超過與該超錄大^Mi—步制備^^析械組
如果已^^過預(yù)定的最大值，則該M S64中被#^主，處SM續(xù)到S66，射己 錄向上計數(shù)、向下計數(shù)與已紜適出最大值的次數(shù)的判斷的總和。
在,W^后，處理可繼續(xù)到S68，其中判斷是否需要更多數(shù)據(jù)。如果需要 更多數(shù)據(jù)，則處理回到S50;如^需要，則處理可以繼續(xù)到圖ll中所示的處 理，，于S70。
#||示例性實施例，裝置可^S&I^將數(shù)據(jù)^lt的超過計數(shù)與和用于獲取 數(shù)據(jù)集的分析部件^^目關(guān)的數(shù)據(jù)集械限制相t敗例如，參考圖U和S70， 判斷增量向上計^blL否已經(jīng)超過數(shù)據(jù)集^^極限。如果已經(jīng)超過向上計數(shù)，則 處理可以繼續(xù)到S72，其中可修^I于獲^lt據(jù)集的分析"W^lt設(shè)置。
當(dāng)向上計lii^:有超過向上計數(shù)^lF艮時，處理可繼續(xù)到S74，其中判斷記 錄的最大^lbi否已^^出最大值極限。如果已您適出該極限，則處理可如上所 述繼續(xù)到S72。如^ 殳有，則處理可繼續(xù)到S76，并判斷最大銜適出次數(shù)與向上 計數(shù)極限的總和是否超出預(yù)定的數(shù)據(jù)集^lfc^lF艮，并且如果是，則處理如上所 述前頓S72,
從S72開始，在分析辦械M修組在S78中判婦^的分析部 件參數(shù)i^A否包括比預(yù)定的最小值大的預(yù)定分析部件^lt如果修改后的參 IUe，定的最小值，則處理M到S82,其中存^#改后的分析*#1 :設(shè) 置。例如，如果數(shù)據(jù)集^lSbUt據(jù)集的總分析物離子豐度，并幼^^過大于 上限，則柳于獲W:據(jù)集的分析辦^lt&^可被修改以包括減少的離子化 時間M。該修^的分析部件#|^ 1^可如上所述= 于重新配置分析 耕13。
例如，如果修^的械小預(yù)定的最小值，則在預(yù)定的最小^t^B5^修 ^的錄，并且修改的^^:i5^被^t在設(shè)備24 (圖1)中。在示例性實施 例中，可^^務(wù)^的分析部件#1^ ，以4#本分#^數(shù)據(jù)集制備中^^1。 例如，參考圖9和S42，該修^的分析辦^ltiti:可包括基于數(shù)據(jù)集并l的
##示例性實施例，可通過將所^^fW不足與不錄大^i行tb^^制備
修改后的分析^lt設(shè)置。例如，參考圖11的S76，如M S70向上計數(shù)樹艮小 于總^IF艮，在S74中最大值小于樹艮，并J^S76中總數(shù)小于樹艮，則處理行靡lj S84，其中判斷數(shù)據(jù)^t的較低計^bl否小i^定的數(shù)據(jù)^lfc極P艮。如果 較低計數(shù)小"fi亥極限，則處理^5'J S86,其中修MJ于獲Wt據(jù)械的分析 部件^lt設(shè)置。處理從S86 ^f'J S88，其中判斷修改后的分析^ft^lti否 大 定的# :大值。如果修^的分析*#^大 定的#|*大值， 則處理M到S卯，其中預(yù)定的最大^lfcMI在修改后的參數(shù)設(shè)置中，并* 修改后的參數(shù)i!E。如^feS88中修改后的^故小于最大值，則處理g到S92, 其中^f務(wù)^的^^iM。例如，如^lt據(jù)集^lbUt據(jù)集的總分析物離子 豐度，則增大用于獲M:據(jù)集的分析^lt設(shè)置的離子化時間參數(shù)可^I來形成 另一分析^ltiU， ^fJJl^^^^^^f^:i經(jīng)^PWl于配置^"才斤^M3。
參考圖11中所示處理的S84，如^^低計數(shù)^LF艮小i^定抝t艮，則肩儲與 用于獲:Mt據(jù)集相同的分析部件^l!b^X。當(dāng)參考圖S94時，所^fW修^ 的分析*^^ 或未修改的分析*#1 例如可結(jié)合圖8、 9和/或12 (以下討論)所示的處理被4M，例如以^t^^mt據(jù)或"不工作"的同時動態(tài) ^fl^t^析儀器、"^a分析儀器10 (圖1)的分析*#1 。
參考圖12， 一個實施例還提供了用于獲W:據(jù)集并^jtl^^繼數(shù)據(jù)之前修
^"析"W^lt設(shè)置的動態(tài)分析處理。圖12的處理可從S100開始，^MX利
用被配置以分析部件參數(shù)設(shè)置#1的儀器來獲^Jt據(jù)集弁l。該處理繼續(xù)到
S102,絲供基于數(shù)據(jù)械iU并i命齡析w條o:弁2.這個基于數(shù)據(jù)
械 # 1命脅析W械紅# 2可如上面參考圖10和11所錄敝。 該處理可繼續(xù)到S104,并且可以利用在S102中制備的分析*#| :設(shè)置#2來 獲W:據(jù)集并2。該處理然后可^t^ S106， ^!供基于數(shù)據(jù)并N-X制^"析 部件^ltiU井N，其中X等于1、 2、 3…等。如圖所示，當(dāng)參考S108時，可 以利用在S106中制備的分析"W^^設(shè)置并N獲^:據(jù)集并N。該處理可繼續(xù) 到SllO，其中可以以修改后的分析"W^lti5^t所獲取的數(shù)據(jù)集進(jìn)^^標(biāo)。
如利用圖9和12中變量N所指示的，該處艦需預(yù)定的基于數(shù)據(jù)集的分 析部件^^:iU制名^序列。處理可提供4^M:據(jù)集過程中的任意點處分析部 件W:i^i的制備。4^HW期了一種算法，其預(yù)定由該算法定義的處理中各 點^^于數(shù)據(jù)集的分析*#|^ 的制備。
i^Nf^別參考圖9和12的S48和SU0，可對以^^t昏的分4斤^hf^ ^^所獲取的數(shù)據(jù)集。在一個示例性實施例中，該定標(biāo)可^^jM"分析^ff參^H^作為示例，并且與質(zhì)鐠主旨一致而限于此，離子化時間可以僅是在分析部
件^:i5^中修改的很多分析部件^li:的其中之一。修^的分析部件^lfc設(shè) 置例如可導(dǎo)致包括離子豐度數(shù)據(jù)鍵的數(shù)據(jù)集。才娘離子化時間械的修改可 對離子豐度進(jìn)行定標(biāo)。定標(biāo)可以是利用預(yù)定的公a比例的或縮放的，而不管 數(shù)據(jù)^^修^的l^tiU的情況下能夠^:標(biāo)。
與質(zhì)鐠主旨一致但并非限于此，參考例M器10和圖l-6來回憶JJi的門 控。在一個示例性實施例中，例:ftoititM^樣本i^的紋而紋離子傳送門 M、謙知離子4匕時間，可動態(tài)地修改初始^lt以允許類似數(shù)量的分析物離子 被提條質(zhì)量分析儀部件。
在一個示例性實施例中，例:ftoiiit^于先前所獲取的數(shù)^^改離子^l^:
并"繼分析期間將這些修改后的參數(shù)提^R器的部降，可^對于給定參
數(shù)設(shè)置的離子化時間W:。如上所述，質(zhì)量分析儀部件可^W提供給它們的參 數(shù)，這些械包^H^^t量分析儀部件、妙離子阱中#^^析物離子的電 壓波形ii樣的^lt經(jīng)由在才N&M所^h理的分析期間控制^^降的定時的
中繼，這些電壓波形^l^合^^析參故、謙ftn離子化時間參lfc可以以處理
秘制部件被動態(tài)綠改械指示絲析w。
例如，儀器可產(chǎn)生RF波形^lfc并^^^應(yīng)用到質(zhì)量分析儀部件。由此，
質(zhì)量分析儀部件可^S&置^!^^t量的分析物離子，從而通過以固^J4率 ^ft數(shù)字化波形信息來以預(yù)^JPN^^^"析物離子到^^部件，以^t^
比率和分析分析物離子。速率^i^^秒2千萬個樣本(M樣^/秒)的速率。
在一個示例性實施例中，可以為儀^^^^析械，其中分析械包括財固
定離子^ttS^續(xù)時間作為質(zhì)量分析^lt的第一事件的離子化時間^IL例如通過
將質(zhì)量分析掃描械的開始偏移指狄不是掃描的第一數(shù)據(jù)點的^^形式，可 將離子化時間^I^M^r到質(zhì)量分析械中所指定的整期的任意值。
例如，如絲描^I^皮下彭'J質(zhì)量分析部件、妙10毫秒的離子4^lt 這可表示^ft器中所^^ 200000個數(shù)提點來表示在該10毫秒時間段期間 質(zhì)量分析部降的RF波形。如果為儀^1供5毫秒的離子化時間，則儀器可以 不是以離子化時間的第一點、而是在質(zhì)量分析掃描^lt中數(shù)據(jù)點的數(shù)量大約 100000個以后開始記錄(clock out)從儀器所獲取的數(shù)據(jù)集。在示例性實施例中，允許提供離子化時間的中繼可在該5毫秒時間段期間被接通，導(dǎo)致5毫秒 的離子4匕時間。通過指定在何處開始記^lt據(jù)，可將離子4匕時間該！到所需的 4i^值，而無需再計算下載到質(zhì)量分析儀部降的波形M。
在特定的實施例中，并參考議圖8、 9和12，利用以前的分析^l^斤獲 取的數(shù)據(jù)集可,M于確定i^A;t量分析儀部件的分析物的量^i十算新的^lt it^用于制備^^^^lti殳置的離子4匕時間'可，于確^^f斤物的量的lt據(jù) 集^^t存在于質(zhì)量分析儀中，并因此用于后繼分析的離子化時間可包括質(zhì)#% 的高度、質(zhì)if^ti^和/i^il^總豐度(即總離子流(TIC))或這些或其 他因子的任意組合。在示例性實施例中，圖8、 9和12中描述的處理不使用可 育化分析#1 :的修^^在昏繼分析中所使用的修改^lt之間引入一個掃描， 的預(yù)掃描。
在示例性實施例中并參考圖8如上所述，處理例如可利用財兩個獨立離 子化時間^lt的交f^^b&^。在示例性實施例中，如上所述，這可^于跨 儀器的針離子化時間械能力地為質(zhì)量分析儀部^H5^兩個范圍錄，以便 更快地響應(yīng)質(zhì)量分析儀部件中離子輸出^的更寬范圍。在示例性實施例中， 為了實51M^1樣本的高靈敏性，第一^lfc&X可包括具有可以更接^^分析 所允許的最大離子化時間的長離子化時間的第一離子^Wt。為了使高離子濃 度樣本的空間電荷最小化，第二J^tiU可^^IiW^l^i的離子化時間， 當(dāng)沒有^M^UM^^、口部件引入時，儀器可在兩個掃描間交替。當(dāng)樣a 引入并且探測到"^Mf定離^N或TIC的數(shù)據(jù)集^lt時，可應(yīng)用處理以判斷后
數(shù)。這例如可以允許對提^^器的特定樣本^^快iiM^匕離子化時間。可 分析以^lfciU獲取的數(shù)據(jù)集，從而判斷^ltiitJA否應(yīng)該被修改并且如果必 要則還提條^的械 .
參考圖13和14，提供了判斷^:i^E^否應(yīng)該被修改以;5L^確定修改時
修改^lfciU的示例'f^t理。這些示例'I^理例如在圖9和12的S42、 S44、 S46、 S102、 S106和S108中是有用的。參考圖13，例如，該處理開始于S200, 其中獲^t據(jù)集的總離子流l^:，并且該處理M到在S202將數(shù)字濾波器應(yīng)用 到該數(shù)據(jù)集^lt示例性濾波器包括兩極Butterworth算法，但是也可^^其 #^波器和/或不使用濾波器。處^ *到S204，其中判斷總離子流是否
，#以更絲魏的值>^匕離子化時間參。如果已經(jīng)^^過上閾值，則在S206進(jìn)^上計數(shù) 的遞增，并iUt理^i^S208.
在S208中，判斷總離子流是否已經(jīng)超過下閾值。如果已經(jīng)超過下閾值，則 在S210進(jìn)行下閾值之下的數(shù)據(jù)點的增量計數(shù)，并JUcl:理M到S212。
在S212，判斷總離子流是否大于用戶所預(yù)定的最大值。一^S^'Jl^^過最大 值，則在S214中計算超錄大值的總次數(shù)，該處理然后在S216中對增量上限、 增量向下計數(shù)械大值求總和。
在S216 ^，處理^i^，J S218，其中判斷是否需要獲取更多數(shù)據(jù)點。如 果確實需要獲取好數(shù)據(jù)點，則處3Sil回到S200，并獲^^更多的lt據(jù)點。如果 不需要，則處理M到圖14中的S220，其中將向上計數(shù)與預(yù)定樹ILii行》嫩， 并且如果大于，則處理，到S222，其中減小用于獲取"W S200的總離子流 ^!fc的數(shù)據(jù)集的參數(shù)設(shè)置的離子化時間^:。在^lfci^修正后，處理^^'J S224,其中判斷修改后的離子化時間是否小于最小離子化時間。如果修改后的 時間小于最小離子化時間，則處理^t^S226,其中最小離子化時間被i5Xlfe 4務(wù)改后的^lt中，然后^^^改后的^lt如果修改后的離子化時間大于最小 值，則存^f務(wù)改后的參數(shù)設(shè)置以用在后繼的分析中。
參考S220，如果向上計數(shù)小于或等于所述樹艮，則處理^5'j S228，其 中判斷所記錄的最大^LA否大于該極l如^大值大于該極限，則如Ji^斤述 處理械到S222。如絲大值小于該樹艮，則處理^5'J S230，其中將總值與 總值Wi^行亂如果確定總和大 娜，則如廁艦理^M S222。 如U小于該^IF艮，則處理e^'JS232，用于判斷i^4氐計lbl否小于該^lPIU 如^^低計數(shù)小^i亥樹艮，則處理^^S234，其中修朗于獲Mt據(jù)集的參 數(shù)i^的離子化時間^以增大離子化時間。
該處理然后^iiflj S236,其中判斷修改后的離子化時間參lbi否大i^定 最大值。如果其大于最大值，則處理^J，JS238，其中i理最大離子化時間參 數(shù)并^f多改后的^lt如果其小于最大值，則在S240中保^^^的設(shè)置。
再次參考S232,如果下計數(shù)樹艮大i^亥樹艮，則處理^i^'J S242，其中 ^用于獲取具有總離子流^lt的數(shù)據(jù)集的相同^lt以用于后繼分析。
在一個示例性實施例中，^it些^lfc修^，利用修^的^l^斤獲取的 數(shù)據(jù)集W:可以如上面參考圖9和12所迷的那樣^t標(biāo)，以解##"改后的#^,在一個示例性實施例中，定標(biāo)因子可與諸如在分析期間修^V或利用的離子化 時間^t^目關(guān)。在示例性實施例中，豐度^M:據(jù)可反5fe^析期間樣本分析 物離子的濃度。例如，如果使用長的離子化時間M，則它可以指示存在4^1 度樣本，并因此教據(jù)可^^f醉度的。如^#在濃縮的;^本，則可^^^M的 離子化時間^lt以iiSij相同的閾值，并因Wt據(jù)可^:標(biāo)為反^高的豐度。
參考圖15，顯示了具有不同分析的離子源錄、離子絲門^lt和質(zhì)量分 析儀辦械的示例'1^4示?？稍趫D9和12的背景下閱讀圖15，其中N-2表 示獲取N的兩個前的獲取，N-l表示獲取N的一個前的^取，而掃描N表示最 近的獲取。
權(quán)利要求
1、一種樣本分析裝置，包括處理回路，被配置為從根據(jù)一個分析參數(shù)設(shè)置配置的分析部件獲取一個數(shù)據(jù)集，并利用先前獲取的另一數(shù)據(jù)集制備另一分析參數(shù)設(shè)置。
2、 iwMi漆求i的裝置，其中處理回5^ge^A同時獲^^斤述一個數(shù)據(jù)集 賴備所述另 一分析沐 。
3、 fc^U'漆求1的裝置，其中處理回^分析*連接。
4、 ftwM']^求3的裝置，其中分析*包含質(zhì)^^*。
5、 ^5^'j^求4的裝置，其中質(zhì)#^*包括離子源部降、離子傳送門部件、質(zhì)量分析儀"W^^部件中一個或多個。
6、 :H5U'漆求5的裝置，其中質(zhì)il^辦包括第—第二離子傳送門^ff 和第""^第二質(zhì)量分析儀耕。
7、 H5U'JJ^求5的裝置，其中質(zhì)量分析儀"W包括圓柱離子阱。
8、 ^，J^求5的裝置，其中所述離子源部降、離子傳送門^H^質(zhì)量分 析儀部件中的一個或多個可^Si置^^所述一個分析^lfciU為^l'Hl^提 #^析物離子，并才NI所述另一分析^lti5^t其重新配置。
9、 H5U'J^求8的裝置，其中^ltiU包括離子門位置^^:、俘獲RF幅 度M、聚焦DC幅度^lgt^pi!'J器功率^l!t中一個或多個。
10、 fc^'J^求l的^JL其中處理回路進(jìn)一^S己置成利用^^I于獲取 !^據(jù)集的分析^!W^tlt據(jù)集進(jìn)行定標(biāo)。
11、 J^ij要求10的M，其中分析l^bi線包括門控械，并J^'J用所 述門控Wfc^數(shù)據(jù)集進(jìn)行定標(biāo)。
12、 ft^U'J要求l的裝置，其中通itl^^斤述另一數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)集^^并 將所述數(shù)據(jù)集錄與閾值量進(jìn)行rt^制備所述另 一分析沐U。
13、 如擬'決求12的裝置，其中數(shù)據(jù)集^lfcUt據(jù)集的總分析物離子豐度。
14、 ^U'J要求12的裝置，其中閾值量AJi限量。
15、 ^U'J^求14的裝置，其中所述tb^i—步包括確^^iiJi限量并存 衞亥超過。
16、 H5U'涹求15的M，其中通過》b^斤^W超過與超it^大"iM^i一步制備所述另 一分析Wti5^。
17、 iwM'虔求15的裝置，其中l(wèi)t據(jù)集^liby^據(jù)集的總離子流，并Jii 過判斷所ii^過大于上極P艮并減小所述一^h^析^t設(shè)置的離子化時間M以 形成所述另 一分析沐U來制備所述另吵析鍵組
18、 H5U'J要求12的裝置，其中閾值量是下限量。
19、 M5U，澳求18的裝置，其中所述H^i—步包括確定下限量的不足并 ^i亥不足。
20、 d^'溪求19的M，其中通過》b^斤^f^不足與不;^L大"it^Mi 一步制備所述另 一分析^I^M。
21、 dH5U'漆求19的敘，其中所述數(shù)據(jù)集^I^Ot據(jù)集的總離子流，并 JJt過判斷所述不足大于下極限并增;^斤述一個分析^lt集的離子4匕時間^lt 而形成所述另 一分析M^UIt制備所述另 一分析#| 。
22、 一種樣本分才彷法，缺W娥第一分析部件^l^t^配置的分析部件獲取第—第《=^據(jù)集，其 中所i^一分析部件^lti0^yj^接到分析部件的處S^制部件提^^析W;和利用處^N^制辦處理第一數(shù)據(jù)集從而制備第二分析部件"^tiU。
23、 h3u，J^求22的方法，其中在獲取第^t據(jù)集期間扭行第一數(shù)據(jù)集的 處理。
24、 ^5U'J^求22的方法，進(jìn)一步包樹 第二分析^^ 配置分析*。
25、 WJ^求23的方法，進(jìn)一步包拾 M^緣第二分析^H5^配置的分析部件獲取第三數(shù)據(jù)集；和 利用處S^制辦處理第Jilfc據(jù)集以制備第三分析辦^ltiU。
26、 擬，決求25的方法，其中在獲取第三數(shù)據(jù)集期間扭行第^lt據(jù)集的處理。
27、 HjU^^求22的方法，其中所述分析部件凈處&X^ti瞽儀，并il^斤述 lt據(jù)集包括分析物離子豐度。
28、 H5Uf，溪求27的方法，其中所i^t理包括^^析物離子豐度與處S^ 控制部件的存^i史備中的預(yù)定閾值分析物離子豐度進(jìn)行I^艮，并確定數(shù)據(jù)集的分析物離子豐度與^i更備的閾值豐度之間的差異。
29、 :ft^U'漆求28的方法,其中利用所^異制備第二分析*#|^殳置。
30、 如W'J^求29的方法，其中所述閾值豐y^^h限閾值，所iH異大于該上限閾值，并JL^二分析部件^ltiU包括比第一分析"W^lt設(shè)置的離子 化時間^lt小的離子化時間^lt
31、 H5U'j^"求29的方法，其中所述閾值豐JL^下限閾值，所U異小于 該下限閾值，并iL^二分析部件^litiitX包括比第一分析部件^lt設(shè)置的離子 4匕時間M大的離子4匕時間#^。
32、 一種樣本分析儀器，包減接到分析耕的處^^制部件，所狄 3S^控制部件包^i^接到^ ^f^殳備的處理回路，所it^i殳備包括與數(shù)據(jù)械 ^目關(guān)的分析部件^lti^， ^分析部件Wb^i分別與^h數(shù)據(jù)WiM^目選擇分析部件"組 ，
33、 dM3U'決求32的儀器，其中第一^析^N^biO:與第一數(shù)據(jù)^^:值 相關(guān)，而第二分析部件^lti^與第^^:據(jù)Wt衡目關(guān)，所述分析^H娘由 處^p控制部^^棒性指定的第4第二分析l^biU進(jìn)^^置，第 第二 分彬U狄不同.
34、 N5U^MU3的儀器，其中所狄^^制^H^Si置成利用才歸第 一分析部件^lti經(jīng)配置的分析部件iM^取第一數(shù)據(jù)集，并且將所獲取的第一 數(shù)據(jù)集的4^據(jù)^lit與定義的閾值量進(jìn)行tb^以選棒l!i^為分析部件指定第一或 第二分析沐itE。
35、 H5^'J^求34的儀器，其中所述分析辦包括質(zhì)ifR部件，并iL^斤述 數(shù)據(jù)集^^分析物離子豐度。
36、 N5U，J^求35的儀器，其中所獲取的數(shù)據(jù)^lbl^分析物離子豐度。
37、 ^5U，漆求34的儀器，其中所狄義的閾值量是最小閾值量，處斷控制部件進(jìn)一:!H^己I^如^^斤獲取的數(shù)據(jù)^lt大于最小闞值量，則選棒1^指^一分析耕沐線。
38、 如W漆求34的儀器，其中所^義的閾值量A^L小閾值量，處# 控制部件凈icii一步配置成如^^斤獲取的數(shù)據(jù)^^小于最小閾值量，則選棒,指^二分析W沐線。
39、 如W涹求33的儀器，其中第一分析辦#1^ 與利用才娥第一分析部件^ltiU配置的分析部件所獲取的數(shù)據(jù)械的第一閾值i^目關(guān)，并JL^ 二分析部件l^:設(shè)置與利用才娥第二分析部件^ltiU配置的分析部件所獲取 的數(shù)據(jù)錄的第二閾值勤目關(guān)。
40、 H5U'J^求39的儀器，其中處S^制^H顏&^yE^悟第二分析 部件糊己置分析部件之前首W,—分析辦糊己置分析W。
全文摘要
一種樣本分析裝置(10)包括處理回路(22)，其被耦接到數(shù)據(jù)集設(shè)備(20)和存儲設(shè)備(24)，以根據(jù)一個分析參數(shù)設(shè)置從分析部件(14)獲取一個數(shù)據(jù)集，并利用先前獲得的另一數(shù)據(jù)集來準(zhǔn)備另一分析參數(shù)設(shè)置。
文檔編號H01J49/00GK101317246SQ200680013893
公開日2008年12月3日 申請日期2006年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月25日
發(fā)明者B·拉迪恩, G·E·帕特森, J·M·威爾斯 申請人:格里芬分析技術(shù)有限責(zé)任公司