專利名稱：氣體監(jiān)測裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種利用光學發(fā)光光譜法來監(jiān)測氣體物質(zhì)，如密封空間內(nèi) 包括的種類的裝置。
背景技術：
公知的，這種裝置通過光學發(fā)光光語法來進行監(jiān)測，用存在于氣體中 的等離子體發(fā)射的光輻射來進行分析，測量等離子體發(fā)射的所述輻射的光 鐠，然后分析光i普以從其推導出存在何種氣體。
例如，文獻US6643014中描述了一種公知的檢測器，檢測器包括氣密 壁，該氣密壁限定激發(fā)腔，其與密封空間所包括的氣體直接連通，希望檢 測所述密封空間中存在的氣體物質(zhì)。通過利用由電力發(fā)電機供電的激發(fā)天 線進行電磁激發(fā)，在分枝激發(fā)腔中產(chǎn)生等離子體?？蛇x擇的，利用微^X 生器來實施激發(fā)?？拷a(chǎn)生等離子體的區(qū)域放置輻射傳感器，該輻射傳感 器包括連接光i普儀的光纖。
這種裝置存在的缺點是，當它們被用來監(jiān)測氣體物質(zhì)時，形成等離子 體使得在激發(fā)腔的壁上形成沉積物。形成的等離子體使得粒子不僅沉積在 激發(fā)腔的壁上而且還沉積在輻射傳感器上。這導致光傳輸?shù)焦鈏瞽儀的累積 退化。形成在輻射傳感器上的沉積物形成一選擇性過濾器，其改變了傳輸 光的譜線，因此當監(jiān)測氣體物質(zhì)時產(chǎn)生了錯誤。
因此有必要周期性的打斷監(jiān)測裝置的運行以清潔輻射傳感器的內(nèi)表 面。例如，當用于真空刻蝕工藝時，有必要打開氣體的密封空間并且通過 使用酸或溶劑的濕清潔技術清潔它的壁。清潔之后，密封空間需要兩到三 小時的重新抽空以提取潔凈的氣體和蒸汽，因此在最終可以重新開始^^作正常的刻蝕工藝之前，需要在測試襯底上執(zhí)行一系列的刻蝕操作?？梢岳?br> 解，這些^Mt顯著減少了這個工藝的整體效率，并且顯著的增加了制造成 本。
種溶液，所述制程腔通過光學發(fā)光光語法監(jiān)測該腔中包括的氣體物質(zhì)。
特別是，文獻US63卯019和US6712927描述了利用在制程腔內(nèi)的氣體 中放置永磁體或電磁體，其位于透明窗的上游，且位于具有小孔徑的掩模 的下游，并用于產(chǎn)生強橫向磁場以接收等離子體中的入射電離粒子，以從 透明窗的上游束繂它們。然而該裝置存在多個缺點，特別是制程腔中放置 的磁體形成不可接受的附加污染源。遲早，磁場中接收的帶電粒子會沉積 在磁體上，從而在磁體的組成材料和接收的活性物質(zhì)之間產(chǎn)生化學污染。 以這樣的方式形成的這些新粒子組成該工藝本身的污染源。并且當被放置 在真空中時，磁體本身通過脫氣放出污染物。進而，如果沉積物過量，需 要更換或者清潔磁體。
為了避免該缺點，文獻US6503364描述的裝置具有中空管，管的一端 通過開口與具有產(chǎn)生等離子體的裝置的制程腔連通，從而測量所述產(chǎn)生等
離子體的裝置的光發(fā)射。中空管的另一端設有透明材質(zhì)的測量窗。在連通 制程腔的開口附近形成^f茲場以阻止等離子體滲透進中空管。這樣分子粘附 在開口附近的腔壁上。這篇文獻所描述的裝置存在增加制程腔中污染物的 缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種通過光學發(fā)光光譜法監(jiān)測混合氣體的裝置， 該裝置不僅可以耐受長時間的操作而不需要經(jīng)常清潔光輻射傳感器，同時 還避免在密閉空間中產(chǎn)生任何污染。當密閉空間為制程腔時，這種污染物 很可能會擾亂工藝。
該發(fā)明的監(jiān)測裝置對其中進行的工藝必須完全清潔和透明。 該發(fā)明提供利用光學發(fā)光光譜法監(jiān)測密閉空間中包括氣體物質(zhì)的監(jiān)測
裝置，該裝置包括
通過開口端連接所述密閉空間的軸向凸起，該凸起由可透過磁場和射 頻波的氣密性外周壁所限定；
在軸向凸起的內(nèi)部空間的用于產(chǎn)生監(jiān)測等離子體的裝置，該等離子體 發(fā)射用于分析的光；
至少一個位于軸向凸起的壁上的傳感器以用于接收由所述監(jiān)測等離子
體發(fā)射的光輻射；
位于氣密性壁的外部的發(fā)光光譜分析器裝置，并接收由監(jiān)測等離子體 發(fā)射的、以及由傳感器接收的光；和
場發(fā)生器裝置，用來產(chǎn)生在軸向凸起的內(nèi)部空間中的場，該場相對于 朝向傳感器傳播的光通量的方向I-I橫向取向，用來使監(jiān)測等離子體的電 離粒子和電子通量偏轉(zhuǎn)而離開傳感器，所述裝置被放置在靠近軸向凸起的 氣密性外周壁且在其外部，以在軸向凸起的與開口端相反且接近傳感器的 端部產(chǎn)生場。
用于接收由監(jiān)測等離子體發(fā)出的光輻射的傳感器可以，例如，包括對 于等離子體發(fā)射的光透明的軸向凸起的壁的部分，并且特別的，它可以包
括閉合軸向凸起的一個端部的壁的部分。因為該傳感器被i丈置在軸向凸起 的遠離通向密閉空間的開口的端部，因此該場發(fā)生器裝置被j改置在軸向凸 起的外部，仍然接近軸向凸起的內(nèi)部空間的區(qū)域，該區(qū)域在等離子體的電 離粒子和光線發(fā)出的方向上位于傳感器的上游。結(jié)果，該場發(fā)生器裝置可 以在傳感器上游產(chǎn)生場，以保證等離子體中的電離粒子和電子的流偏轉(zhuǎn)， 由此阻止電離粒子到達傳感器并沉積在其上。這里在場和聯(lián)系密閉空間的 開口之間需要留下足夠的軸向凸起的壁的區(qū)域，以保證電離粒子沉積在軸 向凸起的壁上而不會污染密閉空間。
該等離子體發(fā)生器裝置被設計來電離管內(nèi)部空間的用來監(jiān)測的氣體物 質(zhì)。為了產(chǎn)生等離子體，可能提供通過高頻發(fā)電器供電的外部激發(fā)天線， 來產(chǎn)生高頻電磁氣發(fā)場。該場由密閉空間穿過軸向凸起的外壁，優(yōu)選的其 由不導電的物質(zhì)如石英、玻璃、BK7、藍寶石、或者陶瓷(Zr02， Cr203，...)
制成。
本發(fā)明的第一實施例中，該場發(fā)生器裝置是用來產(chǎn)生電磁場的裝置。 使粒子電離的等離子體中的電子被電磁場束綽并且不能夠穿過該由橫向磁 場組成的磁壁壘。它們因此不能在磁壁壘之外電離粒子。
用足夠地非磁化從而可以透過磁場的材料制成的軸向凸起的外壁。
在一有利的實施例中，提供了兩個磁體，它們被分別放置在連接密閉 空間的軸向凸起的相對側(cè)，并且相互吸引。所述磁體產(chǎn)生的磁場在連接密 閉空間的軸向凸起的內(nèi)部區(qū)域中相互疊加，且位于傳感器的上游。
在該實施例中，磁體可以放置為靠在連接密閉空間的軸向凸起的外周 壁的外表面上，由它們自己相互吸引的磁力保持在位。
結(jié)果是，磁體可以容易地移動，例如，為了拆開密閉空間的組成連接 密閉空間的軸向凸起的部分，例如，為了清洗的目的。
通過利用非磁性材料的環(huán)形外部部分外部包圍磁體從而起到機械支持
和通過圍繞連接密閉空間的軸向凸起閉合磁力線的磁屏蔽作用，可以獲得 改進。
所述或者每個磁體可以是永^茲體?？蛇x的是，所述或者每個》茲體可以 是電磁體。
在本發(fā)明的第二實施例中，該磁場發(fā)生器裝置用于產(chǎn)生電磁場。 優(yōu)選但不必須的是，所述軸向凸起以軸向管形式制成，以安裝到密閉 空間并與其連通，該密閉空間中存在用于監(jiān)測的氣體物質(zhì)，該管的一端:f皮
壁部分閉合，它的相對端與密閉空間連接，提供等離子體發(fā)生器裝置以電
離管內(nèi)空間中用來監(jiān)測的氣體物質(zhì)。
該裝置適合用來分析密閉空間中含有的混合氣體，特別是，無論該工
藝的實施是否利用等離子體，該密閉空間可以是一制程腔，或者該密閉空
間可以為管道，或者任何其它容器，其中的氣體是希望被分析的氣體。 優(yōu)選的軸向凸起中的開口被形成為穿過所述密閉空間的壁。 本發(fā)明還提供處理半導體襯底的裝置，所述裝置包括如上所述的監(jiān)測
裝置，所述監(jiān)測裝置與制程腔相連通，從而監(jiān)測裝置適于自身監(jiān)測制程腔 內(nèi)的氣體物質(zhì)。
本發(fā)明還提供處理半導體村底的裝置，該裝置包括上述與真空管路相 連通的監(jiān)測裝置。


通過下面的參考附圖的特定實施例的描述示出本發(fā)明的其他目的、特
征和優(yōu)點，其中
圖1為示出了第一實施例中與制程腔連接的獨立裝置形式的監(jiān)測裝置 的圖解示圖2示出圖1實施例中的監(jiān)測裝置，其適于控制真空管路中的氣體， 所述真空管路又與制程腔相連；
圖3為本發(fā)明監(jiān)測裝置的放大的部分側(cè)視縱向截面圖； 圖4為圖3中A-A面上的橫截面；
圖5示出了圖4中裝置的放大的部分俯視截面圖，示出電離粒子的偏
轉(zhuǎn)；
圖6示出通過現(xiàn)有技術的裝置獲得的空氣的光譜；以及 圖7示出通過本發(fā)明的裝置獲得的空氣的光譜。
具體實施例方式
在圖6和圖7中，以任意單位(a.u.)的光語線密度是以縱坐標繪出， 以納米為單位的波長沿橫坐標繪出。圖6和7中的光鐠是用同樣的光譜測 量儀獲得的。
在圖l和2中示出的實施例中，本發(fā)明的監(jiān)測裝置l通過光學發(fā)光光 語法監(jiān)測被氣密壁2與外界隔絕的密閉空間中包含的氣體物質(zhì)。壁2包括 至少一傳感器3，傳感器3具有相對于等離子體發(fā)射光透明且氣密的壁部 分6。
發(fā)光光譜分析裝置4被放置在氣密壁2的外部，接收由等離子體發(fā)射
的、且穿過傳感器3的光。該發(fā)射光連續(xù)穿過壁6的末端部分，然后穿過 傳輸裝置比如光纖4a，該例中的傳感器3包括透光壁6的末端部分和光纖 4a。
在這些實施例中，該傳感器3被放置在可透過磁場的氣密外壁6所限 定的軸向突起5的末端，所述軸向凸起沿軸I-I延伸遠離密閉空間的氣密 壁2的主要部分。
軸向凸起5的外壁6可以有利地用具有令人滿意的非磁性性質(zhì)的材料 制成，以透過磁場，以及透過射頻(RF)波。該壁6優(yōu)選用不導電的材料 制成，如石英、玻璃、BK7、藍寶石、或者陶瓷(Zr02， Cr203,…)。
該軸向凸起5為管狀，但它也可以有其他等同的形狀。在圖中示出的 例子中，管5在第一端被壁6的形成傳感器3的部分閉合，并且管5在第 二端5a開口以通過用來檢測的氣體。
該監(jiān)測裝置1還進一步包括，祐j丈置在接近軸向凸起5的氣密外壁6 的外部的至少一個場發(fā)生器裝置，用于產(chǎn)生可以是磁場或電場的場，如磁 體7在軸向凸起5的內(nèi)面8產(chǎn)生磁場9，該場的相對于光通量到傳感器3 的傳播方向橫向地取向。有用的光通量傳播方向用軸向凸起5的縱向軸I-I 來表示。該橫向磁場9用來偏轉(zhuǎn)等離子體中電離粒子的通量，保持其遠離 傳感器3。
在圖l和2中示出的實施例中，該監(jiān)測裝置l有兩個磁體7和7a用于 在軸向凸起5的內(nèi)部空間8中產(chǎn)生橫向磁場9,該場使得電離例子遠離傳 感器3。磁體7和7a被分別放置在軸向凸起5的每邊，它們相互吸引。
通過實施例這種方式，磁體7和7a僅僅是放置為靠在軸向凸起5的外 壁6的外表面上，通過它們自身的相互吸引的磁力保持其位置。
為了集中軸向凸起6的內(nèi)部空間8的磁場9，以使得帶電粒子偏離傳 感器3，有利的是，且如圖3和4所示，可以提供由磁性材料制成的環(huán)形 外片10覆蓋磁體7和7a的外部，形成執(zhí)行磁屏蔽功能的磁輒，并且繞軸 向凸起5使磁力線成環(huán)。
更多的特別參考圖l所述的實施例。
在該實施例中，監(jiān)測裝置1被安裝在制程腔11上，在該制程腔中進行
處理基片12的工藝。該制程腔11 一般含有低氣壓的處理氣體，希望的是 檢測所述氣體的存在和濃度。
本發(fā)明的該監(jiān)測裝置1，為可移動的軸向管的形式，安裝到密閉空間 并與其連通，該密閉空間由制程腔ll組成，在制程腔ll中存在用于監(jiān)測 的氣體物質(zhì)。該監(jiān)測裝置l，本身包括用于產(chǎn)生監(jiān)測等離子體16的裝置， 所述等離子體發(fā)出光以通過發(fā)光光譜分析裝置4分析。該監(jiān)測裝置1還具 有由發(fā)電機18供電的激發(fā)天線17，其可亂良存在于該密閉空間軸向凸起5 的內(nèi)部空間8中的充電氣體粒子以產(chǎn)生監(jiān)測等離子體16。該監(jiān)測等離子體 16發(fā)出的光沿傳感器3的軸I-I通過光纖4a傳播到發(fā)光光譜分析裝置4。
下面給出圖2所示裝置的說明。
這里可以看到圖1所示實施例的監(jiān)測裝置1，其安裝在由真空管路19 組成的密閉空間上，其自身與制程腔ll相連。
這里可以看到用于產(chǎn)生軸向凸起5的內(nèi)部空間8中的監(jiān)測等離子體16 的裝置，即，激發(fā)天線17和發(fā)電機18。
這里可以看到其他組成監(jiān)測裝置1的裝置，如上面圖1中所示，這些 同樣的裝置為相同的數(shù)字表示。
圖2中，監(jiān)測裝置1適于監(jiān)測真空管路19中包括的氣體物質(zhì)。
下面參考圖3和4，其示出的實施例中磁體7和7a被環(huán)形外圍部分10 保持。
在第一實施例中，該環(huán)形外圍部分10用非磁性材料制造，例如，鋁或 塑料材料，以起到機械支撐磁體7和7a的作用。
在第二實施例中，該環(huán)形外圍部分10可以由磁性材料制造，以起到機 械支撐磁體7和7a以及磁屏蔽它們以使磁力線圍繞軸向凸起5閉合的作 用。
在該兩個實施例中，磁體7和7a可以是永磁體。
可選擇的，磁體7和7a可以是電磁體，由電源供電，這在圖中沒有示出。在圖l和2所示實施例中，監(jiān)測裝置l為包括用于產(chǎn)生監(jiān)測等離子體 16的裝置的附加裝置，所述用于產(chǎn)生監(jiān)測等離子體的裝置包括激發(fā)天線17 和發(fā)電機18。外周壁16有必要用不導電的材料制成以通過由激發(fā)天線17 和發(fā)電機18產(chǎn)生的等離子體激發(fā)電磁波。在該構(gòu)造中，有利的是，將軸向 凸起5制成管狀，該管的外周壁6由不導電的材料如石英、玻璃、BK7、 或藍寶石制成。
本發(fā)明的監(jiān)測裝置1如下所述地運行。
該發(fā)光光譜分析裝置4，如光i瞽儀，通過光纖4a或其他任何合適的傳 輸裝置接收光線，該光線由監(jiān)測等離子體16發(fā)出并被傳感器3接收，該等 離子體包含將被分析的氣體物質(zhì)。該光線沿軸向凸起5傳播，到達傳感器 3的壁6，沿光纖4a到達光鐠儀4。同時，等離子體16的存在意味著存在 的電離粒子容易在傳感器3上產(chǎn)生沉積，導致其逐漸變模糊并且導致了改 變測量光鐠。
圖6示出通過現(xiàn)有技術裝置的傳感器測量獲得的空氣中等離子體的光 發(fā)射譜線，所述傳感器如在文獻US6643014中所述的傳感器，所述文獻在 此引用作為參考，該傳感器承受電離粒子的沉積?？梢钥吹?，沉積物使得 語線明顯變形。紫外線(UV)非常弱，因為其被形成于管內(nèi)部、傳感器內(nèi) 表面上的沉積物完全吸收(最大強度550a,u.)。最糟的情況是，該傳感器 變得完全不透明并妨礙檢測器系統(tǒng)的任何適當?shù)牟僮鳌?br> 圖7示出了通過傳感器測量的空氣中等離子體的發(fā)光光語，該傳感器 具有本發(fā)明中裝置的壁中的透明部分，該透明部分較潔凈并且不會發(fā)生任 何電離粒子的沉積。由于沒有任何障礙物，因此紫外線可以被清楚的看到 (最大密度16000 a.u.)。本發(fā)明的該裝置阻止了電離粒子到達傳感器，從 而保持其完全清潔并保證了良好的測量靈敏度。測量靈敏度是圖6所示例 子的100倍。
參考圖3至圖5，電離粒子20存在于該軸向凸起5的內(nèi)部空間8中。這些 粒子向各個方向移動，特定電離粒子20在磁體7和7a的上游的區(qū)域Zl 趨向于向傳感器3軸向移動。產(chǎn)生于磁體7和7a之間的磁場9在傳感器3
的上游(磁體7被J改置在軸向凸起5后面且用虛線畫出)，產(chǎn)生作用在電 離粒子20上的偏移力，該力趨向于在粒子上施加圓形移動21以繞橫向磁 力線9移動，如圖5中區(qū)域Z2的圖標所示。
實際中，磁體7和7a提供的磁壁壘阻止了電離粒子20和電子在/f茲場 9所占據(jù)的區(qū)域Z2后面的區(qū)域Z3中傳播。這樣，任何粒子沉積22在外周 壁6的磁體7和7a所在的區(qū)域Z2的上游發(fā)生?？梢岳斫?，處于區(qū)域Z2 的上游的裝置的部分需要具有足夠的空間允許粒子在其上沉積以避免沉積 物越過該裝置的開口 5a的可能，否則可能會污染密閉空間。因此，該磁場 必須產(chǎn)生為盡量遠離裝置1的開口端5a并且同時緊鄰傳感器3所在的閉合 端。這樣電離粒子20不能到達傳感器30，并且保持了發(fā)光光譜的準確測 量，如圖7所示。
在本發(fā)明中，該密閉空間含有被分析的氣體和軸向凸起5，不包括任 何外來元件，如天線，磁體等，其可能導致密閉空間中包含的氣體被污染。 密閉空間中包含的氣體只與壁2或6接觸，這樣本發(fā)明中的監(jiān)測裝置1相 對于密閉空間中發(fā)生的過程完全中性。
在圖1和2的實施例中，通過移動磁體7和7a以及組成軸向凸起5 的管，可以容易的拆除該監(jiān)測裝置1，例如用于在需要的地方進行清洗。
由于存在》茲體7和7a，該傳感器3不受該裝置中的等離子體16的影 響，也不再需要進行頻繁清洗。
本發(fā)明不限于上述具體描述的實施例，而包括本領域4支術人員能力所 及的各種變化和概括。
權利要求
1.一種監(jiān)測裝置(1)，其使用光學發(fā)光光譜法監(jiān)測密閉空間中所含的氣體物質(zhì)，該裝置包括通過開口端(5a)連接所述密閉空間的軸向凸起(5)，該凸起由可透過磁場和射頻波的氣密外周壁(6)所限定；用于在所述軸向凸起(5)的內(nèi)部空間(8)中產(chǎn)生監(jiān)測等離子體(16)的裝置(17，18)，該等離子體發(fā)出用于分析的光；位于所述軸向凸起(5)的壁(6)上的至少一個傳感器(3)，以接收由所述監(jiān)測等離子體(16)發(fā)出的光輻射；以及放置在所述氣密壁(6)外部的發(fā)光光譜分析裝置(4)，其接收由所述監(jiān)測等離子體(16)發(fā)出、且被所述傳感器(3)接收的光；該裝置的特征在于，其還包括場發(fā)生器裝置(7)，用于在所述軸向凸起(5)的內(nèi)部空間(8)中產(chǎn)生場(9)，該場相對于朝向所述傳感器(3)的光通量的傳播方向I-I橫向地取向，且用于使所述監(jiān)測等離子體(16)的電離粒子(20)和電子的通量偏離所述傳感器(3)，所述裝置(7)被放置為靠近所述軸向凸起(5)的氣密外周壁(6)且位于所述氣密外周壁(6)的外部，以在所述軸向凸起(5)的與其開口端(5a)相對、且鄰近所述傳感器(3)的端部產(chǎn)生場(9)。
2. 如權利要求l所述的裝置，其中所述傳感器(3)包括所述軸向凸 起(5)的壁(6)的對于所述監(jiān)測等離子體發(fā)出的光透明的部分。
3. 如權利要求2所述的裝置，其中所述傳感器(3)包括壁(6)的閉 合所述軸向凸起的一個端部的部分。
4. 如權利要求1到3中任一項所述的裝置，其中連接所述密閉空間的 軸向凸起(5)的外周壁(6)由不導電的材料制成。
5. 如權利要求4所述的裝置，其中連接所述密閉空間的軸向凸起(5) 的外周壁(6)的材料選自于石英、玻璃、BK7、和藍寶石。
6. 如前面任一權利要求所述的裝置，其中所述場發(fā)生器裝置(7)用于產(chǎn)生磁場。
7. 如權利要求6所述的裝置，其中所述軸向凸起(5)的外周壁(6) 由非磁性的材料制成，所述材料較好地適于透過磁場。
8. 如權利要求6或7所述的裝置，具有兩個磁體(7， 7a)，其分別 置于所述軸向凸起(5)的每一側(cè)且相互吸引。
9. 如權利要求8所述的裝置，其中所it^體(7， 7a)被壓靠在所述 軸向凸起(5)的外周壁(6)的外表面上，并通過它們自身的相互吸引的 磁力保持在位。
10. 如權利要求6到9中任一權利要求所述的裝置，其中所ii/F茲體(7， 7a)被環(huán)形外部部分(10)在外部圍繞，所述環(huán)形外部部分(10)由非磁 性材料制成，以起到機械支撐的作用，或者由磁性材料制成，以同時起到 機械支撐的作用和使磁力線沿該軸向凸起(5)閉合的磁屏蔽作用。
11. 如權利要求6到10中任一權利要求所述的裝置，其中所述或者每 個磁體(7， 7a)是永磁體。
12. 如權利要求6到10中任一權利要求所述的裝置，其中所述或者每 個磁體(7， 7a)是電磁體。
13. 如權利要求1到3中任一權利要求所述的裝置，其中所述場發(fā)生 器裝置(7)是產(chǎn)生電磁場的裝置。
14. 如前面任一權利要求所述的裝置，其中連接所述密閉空間的軸向 凸起(5)被形成為軸向管狀以安裝在密閉空間(11， 19)上并與其連通， 在所述密閉空間(11， 19)中存在用于監(jiān)測的氣體物質(zhì)，所述管的一端4皮 壁部分(6)閉合，且所述管的相對的一端(5a)被開口以與所述密閉空間(11, 19)相連，且設置有等離子體發(fā)生器裝置(17， 18)，以電離在所 述管的內(nèi)部空間(8)中的用于監(jiān)測的氣體物質(zhì)。
15. 如前面任一權利要求所述的裝置，其中朝向所述軸向凸起(5)的 開口 (5a)被形成在所述密閉空間(11， 19)的壁中。
16. —種用于處理半導體襯底的設備，包括如權利要求1到13中任一 權利要求所述的監(jiān)測裝置(1)，所迷監(jiān)測裝置(1)與制程腔(11)相連通，所述監(jiān)測裝置(1 )從而適于自身監(jiān)測所述制程腔(11 )中的氣體物質(zhì)。
17. —種用于處理半導體襯底的設備，包括如權利要求l到13中任一 權利要求所述的監(jiān)測裝置(1)，所述監(jiān)測裝置(1)與真空管路(19)相 連通。
全文摘要
本發(fā)明的氣體控制裝置(1)，其包括由氣密且導磁的外周壁(6)限定的軸向凸起(5)，其與密閉空間如制程腔(11)相連，制程腔(11)中具有用于監(jiān)測的氣體。光輻射傳感器(3)被放置在連接密閉空間的軸向凸起(5)的端部，且使得光通過光纖(4a)傳輸?shù)焦庾V儀(4)。等離子體發(fā)生器(17，18)在連接該密閉空間的軸向凸起(5)的內(nèi)部空間(8)產(chǎn)生監(jiān)測等離子體(16)。在連接該密閉空間的軸向凸起(5)的外周壁(6)的外部放置一個或多個磁體(7，7a)，以在傳感器(3)附近產(chǎn)生磁場(9)而形成阻止該監(jiān)測等離子體(16)的電離粒子向傳感器(3)傳播的磁壁壘。這樣防止了該傳感器(3)和該密閉空間被阻塞。
文檔編號H01J37/32GK101194339SQ200680020482
公開日2008年6月4日 申請日期2006年6月5日 優(yōu)先權日2005年6月8日
發(fā)明者C·諾米內(nèi), D·皮埃爾讓 申請人:阿爾卡特朗訊公司