專利名稱：成膜材料供給裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成膜材料供給裝置，更詳細(xì)地說，是涉及在真空蒸鍍
裝置中、將成膜材料從成膜材料供給室定量地向成膜室的熔溝(i;》 夕^、一義)供給的成膜材料供給裝置。
在成為等離子電視中使用的等離子顯示板(PDP)的面板的前面
的玻璃基板上形成放電電極，為了保護(hù)該放電電極而形成氧化鎂
(MgO)的膜。近年，由于等離子電視迅速普及，面板的需要也急劇 增大，與此相應(yīng)，也要求MgO成膜用的真空蒸鍍裝置增大生產(chǎn)能力。
作為以往的MgO成膜用的真空蒸鍍裝置中的MgO的供給裝置， 圖21所示的裝置已被公知。參照圖21,在真空蒸鍍裝置的成膜室120 的上部，設(shè)置將形成有電極的基板G以水平的姿勢運(yùn)入運(yùn)出的輸送機(jī) 構(gòu)128，在玻璃基板G的下方，與產(chǎn)生電子束的皮爾斯電子槍151 — 起配置用于使作為保護(hù)膜的材料的MgO顆粒蒸發(fā)的兩個(gè)熔溝150。另 外，在成膜室120的兩側(cè)部的上方設(shè)置成膜材料供給室110，在成膜 材料供給室110上設(shè)置將MgO顆粒送入成膜室120內(nèi)的第二機(jī)構(gòu)， 借助閘門閥113與成膜材料供給室110連接。在成膜室120內(nèi)，設(shè)置 作為將MgO顆粒向熔溝150供給的第一供給機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)圓筒供料器 141。然后，成膜室120通過真空泵109進(jìn)行真空排氣，成膜材料供給 室110通過未圖示的真空泵進(jìn)行真空排氣。另外，MgO顆粒作為粗粒 狀、圓柱狀(例如，直徑5 6mm，高度3 ~ 5mm )的物體^皮供給。
背景技術(shù)：
然而，隨著最近的玻璃基板的大型化，產(chǎn)生了像圖22所示那樣在 成膜室120內(nèi)并列設(shè)置三個(gè)熔溝150的需要。在它們的上方，如圖22 所示，通過輸送機(jī)構(gòu)128、相對于紙面在垂直方向移送玻璃基板G， 然而，即使為了向中央的熔溝150供給成膜材料MgO顆粒、而要設(shè)置與左右兩端的熔溝150同樣的成膜材料供給裝置，從圖中可以看出， 也不可能不影響玻璃基板G而設(shè)置成膜材料供給室110以及旋轉(zhuǎn)圓筒 供料器141。
另一方面，在特開2003-321768號公報(bào)中記載了如下的裝置，在 該裝置中，并列在圓周上的三個(gè)熔溝旋轉(zhuǎn)，依次被電子槍加熱，在它 們的上方被保持在圓形的基板保持器上的多個(gè)基板旋轉(zhuǎn)，使來自熔溝 的成膜材料蒸鍍。通過直線供料器向這些熔溝供給成膜材料。據(jù)此， 能夠均勻地向三個(gè)熔溝供給成膜材料。該裝置不是像本申請的發(fā)明那 樣、在并列設(shè)置于下方的熔溝的上方沿規(guī)定方向移送基板的裝置，另 外，關(guān)于直線供料器也絲毫沒有提及控制性。
專利文獻(xiàn)l:特開2003-321768號公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:特開2000-19卯50號公報(bào)
本申請的發(fā)明就是鑒于上述問題而提出的，其課題是提供一種成 膜材料供給裝置，該成膜材料供給裝置相對于在被移送的基板的寬度 方向上并列設(shè)置有三個(gè)以上的熔溝，對除兩端的熔溝以外的中間的熔 溝也能夠供給成膜材料，而且，能夠均勻地對所有的熔溝供給成膜材 料。

發(fā)明內(nèi)容
以上的課題是通過真空蒸鍍裝置的成膜材料供給裝置來解決的， 該真空蒸鍍裝置使成膜材料在成膜室內(nèi)的熔溝上蒸發(fā)，并在上方進(jìn)行 移送的基板上形成膜，所述成膜材料從能承受長期間的連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)并收 容著大量的成膜材料的成膜材料供給室進(jìn)行供給，其特征在于，上述 熔溝在上述被移送的基板的寬度方向并列設(shè)置三個(gè)以上，至少除兩端 的熔溝以外的中間的熔溝是通過能夠調(diào)節(jié)上述成膜材料的供給量的電 磁振動(dòng)供料器供給的。
另外，以上的課題是通過真空蒸鍍裝置的成膜材料供給裝置來解 決的，該真空蒸鍍裝置使成膜材料在成膜室內(nèi)的熔溝上蒸發(fā)，并在上 方進(jìn)行移送的基板上形成膜，所述成膜材料從能承受長期間的連續(xù)運(yùn) 轉(zhuǎn)并收容著大量的成膜材料的成膜材料供給室進(jìn)行供給，其特征在于，上述熔溝在上述被移送的基板的寬度方向并列設(shè)置三個(gè)以上，至少除 兩端的熔溝以外的中間的熔溝是通過能夠調(diào)節(jié)上述成膜材料的供給量 的電磁振動(dòng)供料器供給的，在兩端的上述成膜材料供給室內(nèi)設(shè)置有將 上述成膜材料向下方排出的成膜材料料斗、計(jì)量從上述成膜材料料斗 排出的上述成膜材料并接受一定量的上述成膜材料的計(jì)量料斗、接受 從上述計(jì)量料斗排出的一定量的上述成膜材料并向下方排出的漏斗狀 料斗、定量移送設(shè)備，該定量移送設(shè)備在上述成膜室內(nèi)設(shè)置，接受從 上述漏斗狀料斗排出的上述成膜材料，以規(guī)定的供給速度向下方的上 述熔溝供給。
即使在被移送的基板的寬度方向并列設(shè)置三個(gè)以上的熔溝，欲成 膜的基板在它們的上方被移送的情況下，也能夠均勻地向每個(gè)熔溝供 給成膜材料，能夠在基板上形成均勻的膜。


圖l是基于本發(fā)明的第一實(shí)施方式的成膜裝置的正面剖視圖。
圖2是該裝置中的成膜材料供給室的縱剖視圖。
圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的成膜材料供給裝置的俯視圖。
圖4是圖2中的[4-[4I線方向的向視圖。
圖5是圖2中的[51-[5線方向的向視圖。
圖6是表示通過第一光傳感器和成膜材料料斗的第一排出口的開 閉以及計(jì)量料斗第二排出口的開閉進(jìn)行的MgO顆粒的移動(dòng)、計(jì)量的 示意剖視圖。
圖7是表示成膜室的旋轉(zhuǎn)圓筒供料器和熔溝的圖，圖7-A是局部 省略俯視圖，圖7-B是局部剖斷側(cè)視圖。
圖8是表示旋轉(zhuǎn)圓筒供料器的作用的剖視圖。
圖9是示意地表示由成膜材料供給室的三個(gè)料斗和成膜室的旋轉(zhuǎn) 圓筒供料器構(gòu)成的成膜材料供給裝置的局部省略立體圖。
圖IO是本發(fā)明的實(shí)施方式中應(yīng)用的電磁振動(dòng)供料器的俯視圖。
圖11是其側(cè)視圖。
圖12是圖10中的[12I-121線方向的剖視圖。圖13是圖12中的[13-[13線方向的剖視圖。 圖14是其主視圖。
圖15是表示電磁振動(dòng)供料器中的線圏電流值和MgO輸送量的關(guān) 系的圖表。
圖16是設(shè)置各階梯差、使三級的電磁振動(dòng)供料器排列的情況下的 側(cè)視圖。
圖17是說明該電磁振動(dòng)供料器的線圏的真空密封的局部側(cè)視圖。 圖18是表示被輸送的MgO粒徑和飛濺發(fā)生頻率的關(guān)系的圖表。 圖19是表示在槽上鋪設(shè)金屬絲網(wǎng)的情況的側(cè)視圖。 圖20是表示成膜裝置的變形例的概略俯視圖。 圖21是以往例的成膜裝置的剖視主視圖。
圖2 2是表示在圖21中并列設(shè)置了三個(gè)熔溝的情況的剖視主視圖。 符號說明
10成膜材料供給室
11成膜材料料斗
12第一排出口
13第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸
14第一開閉臂
15插入栓
16第一氣缸
17管狀加熱器
20成膜室
21計(jì)量料斗
22第二排出口
23第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸
25蓋板
26第二氣釭
27第一光傳感器
30流入引導(dǎo)件31漏斗狀料斗 32排出管 33槽 34基座 35板簧 37線圈
41旋轉(zhuǎn)圓筒供料器 42圓筒狀容器 43帶狀螺旋 44 S走轉(zhuǎn)軸 47馬達(dá) 48減速器 49供給滑道 50熔溝
F電磁振動(dòng)供料器 S金屬絲網(wǎng)
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的成膜材料供給裝置如圖l所示，安裝在具有與以往例的 圖22所示的裝置相同結(jié)構(gòu)的真空蒸鍍裝置上，通過圖2~圖5表示對 兩端的溶溝供給成膜材料的成膜材料供給裝置中的成膜材料供給室。 即，圖2是概略地表示成膜材料供給室10的縱剖視圖，圖3是成膜材 料供給室10的俯視圖。另外，圖4是圖2中的4-[4I線方向的剖視圖， 圖5是圖2中的[51-[5線方向的剖視圖。
參照圖2，在成膜材料供給室10的內(nèi)部設(shè)置著成膜材料料斗11; 在成膜材料料斗11的第一排出口 12的正下方設(shè)置著計(jì)量料斗21;在 計(jì)量料斗21的第二排出口 22的正下方設(shè)置著漏斗狀料斗31，漏斗狀 料斗31的底部的排出管32插入到成膜室20內(nèi)。并且，成膜材料供給 室10通過真空泵9進(jìn)行真空排氣。另外，參照圖2、圖3、圖5，十 二根的管狀加熱器17從成膜材料供給室IO的頂部I垂下，以突入成膜材料料斗11內(nèi)的成膜材料、即MgO顆粒內(nèi)的方式進(jìn)行設(shè)置。在此 基礎(chǔ)上，在計(jì)量料斗21的外壁上巻繞加熱器。此外，參照圖2~圖4, 在頂部1上設(shè)置著在將MgO顆粒向成膜材料料斗11內(nèi)投入時(shí)開放的 投入蓋4。
成膜材料料斗11的圓筒形狀的第一排出口 12從下方被插入插入 栓15而關(guān)閉，通過將插入栓15向下方拔出而開放，所述插入栓15 由固定在通過第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸13轉(zhuǎn)動(dòng)的第一開閉臂14的平板部14p的前 端側(cè)的圓柱形狀部15b、和其上的直徑相同的圓錐形狀部15a構(gòu)成。 另外，計(jì)量料斗21的第二排出口 22，在因第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸23而轉(zhuǎn)動(dòng)的蓋 板25傾斜的狀態(tài)下從下方接觸而關(guān)閉，通過蓋板25向下方離開而打 開。然后，參照圖4，使成膜材料料斗11的第一排出口 12開閉的第 一轉(zhuǎn)動(dòng)軸13由氣缸16進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，參照圖5，使計(jì)量料斗21的第二排 出口 22開閉的第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸23由氣缸26驅(qū)動(dòng)。
上述的成膜材料料斗11能夠收容可以使真空蒸鍍裝置連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn) 例如兩周以上的量的MgO顆粒。然后，對于計(jì)量料斗21，在關(guān)閉了 底部的第二排出口 22的狀態(tài)下，打開上方的成膜材料料斗11的第一 排出口 12、接受被排出的MgO顆粒，但接受的量總是為一定量。即， 參照圖2，在計(jì)量料斗21上設(shè)置由發(fā)光元件27a和受光元件27b構(gòu)成 的第一光傳感器27，所述發(fā)光元件27a被安裝于在規(guī)定的高度位置相 對的側(cè)壁的一個(gè)側(cè)壁上；所述受光元件27b被安裝在另一個(gè)側(cè)壁上， 如果從成膜材料料斗11接受的MgO顆粒的量增大，由該MgO顆粒 遮斷從第一光傳感器27的發(fā)光元件27a到受光元件27b的光，則檢測 該隔斷，關(guān)閉成膜材料料斗11的第一排出口 12。計(jì)量料斗21所計(jì)量 的MgO顆粒的量是與向成膜室20內(nèi)的后述的旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41的 供給的量相當(dāng)?shù)牧俊?br> 存在于計(jì)量料斗21的第二排出口 22的正下方的漏斗狀料斗31， 是用于沒有散失地接受從計(jì)量料斗21排出的MgO顆粒，保持原樣地 向設(shè)置在成膜室20內(nèi)的旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41導(dǎo)入的料斗，底部并不開 閉，安裝在底部的垂直方向的排出管32像上述那樣插入成膜室20。圖6是局部省略立體圖，在該立體圖中概略地表示通過上述第一 光傳感器27、成膜材料料斗11的第一排出口 12的開閉以及計(jì)量料斗 21的第二排出口 22的開閉進(jìn)行MgO顆粒的排出、計(jì)量。即，圖6-A 表示如下的狀態(tài)，即，成膜材料料斗11的第一排出口 12關(guān)閉，在成 膜材料料斗11內(nèi)收容MgO顆粒，安裝著計(jì)量用的第一光傳感器27 的計(jì)量料斗21的第二排出口 22關(guān)閉；圖6-B表示如下的狀態(tài)，即， 第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸13使第一開閉臂14和插入栓15向下方轉(zhuǎn)動(dòng)，打開成膜材 料料斗11的第一排出口 12，將MgO顆粒向下方的計(jì)量料斗21排出； 圖6-C表示如下的狀態(tài)，即，被計(jì)量料斗21收容的MgO顆粒的表面 水平增高，從第一光傳感器27的發(fā)光元件27a到受光元件27b的光線 被隔斷，據(jù)此，使第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸13向反方向轉(zhuǎn)動(dòng)、將插入栓15插入成 膜材料料斗11的第一排出口 12而將其關(guān)閉，在收容了一定量的MgO 顆粒后，第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸23使蓋板25向下方轉(zhuǎn)動(dòng)，據(jù)此，使在成膜材料 料斗11內(nèi)被計(jì)量的一定量的MgO顆粒經(jīng)過漏斗狀料斗31向下方的 成膜室20中的流入引導(dǎo)件30的上游端部排出。
圖7是表示旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41的圖，該旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41與在 成膜室20的內(nèi)部所設(shè)置的熔溝50—起表示，圖7-A是局部省略了的 俯視圖，圖7-B是局部剖斷側(cè)視圖。如圖7-B所示，在旋轉(zhuǎn)圓筒供料 器41中，將帶狀螺旋43安裝在使軸心傾斜地旋轉(zhuǎn)的圓筒狀容器42 的內(nèi)周面，圓筒狀容器42的旋轉(zhuǎn)軸44借助軸承45被支撐在托架46 上。圓筒狀容器42的內(nèi)容積比計(jì)量料斗21內(nèi)的MgO顆粒量大。并 且，旋轉(zhuǎn)軸44被馬達(dá)47驅(qū)動(dòng)、被減速器48減速而旋轉(zhuǎn)。上述的旋轉(zhuǎn) 軸44相對于水平面傾斜角度55度。另外，如圖8所示，安裝著帶狀 螺旋43的圓筒狀容器42內(nèi)的MgO顆粒，沿旋轉(zhuǎn)的圓筒狀容器42的 內(nèi)壁面的最低部分被朝向上方移送，從圓筒狀容器42的上端緣的最低 部分被送出。
另外，雖然未圖示出，與旋轉(zhuǎn)軸44接近地設(shè)置對旋轉(zhuǎn)軸44的轉(zhuǎn) 速進(jìn)行監(jiān)控的第二光傳感器。然后，通過旋轉(zhuǎn)軸44的轉(zhuǎn)速，算出從旋 轉(zhuǎn)圓筒供料器41向熔溝50的MgO顆粒的供給量，若供給量達(dá)到規(guī)定的值，則打開計(jì)量料斗21的第二排出口 22，將MgO顆粒經(jīng)由漏斗 狀料斗31向旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41排出。
再有，接近旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41的下游側(cè)，設(shè)置用于接受從旋轉(zhuǎn)圓 筒供料器41的圓筒狀容器42送出的MgO顆粒、并向熔溝50供給的 供給滑道49。即，供給滑道49的一端側(cè)以包圍的方式接近旋轉(zhuǎn)的圓 筒狀容器42的上端緣，另一端側(cè)一直延伸到熔溝50的正上方。另外， 圖9是表示成膜材料供給室10和旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41以及熔溝50的局 部省略立體圖，也是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的成膜材料供給裝置的圖， 參照圖9，在插入有漏斗狀料斗31的底部的排出管32的成膜室20中， 設(shè)置位于排出管32的正下方、用于將MgO顆粒導(dǎo)入旋轉(zhuǎn)圓筒供料器 41的流入引導(dǎo)件30，流入引導(dǎo)件30的下游端以與旋轉(zhuǎn)的圓筒狀容器 42的上面隔開微小的間隙進(jìn)行覆蓋的方式被設(shè)置。另外，在旋轉(zhuǎn)圓筒 供料器41的下游側(cè)設(shè)置上述的供給滑道49。
接著，說明電磁振動(dòng)供料器F，該電磁振動(dòng)供料器F作為向中央 的熔溝50供給來自與上述相同的成膜材料供給室IO的成膜材料的機(jī) 構(gòu)而使用。這如圖10 ~圖14所示，在桶狀的槽33的下方配設(shè)基座34， 通過傾斜的一對板簧35與其結(jié)合，槽33通過螺栓固定在槽安裝部件 36上。在該安裝部件36的下方，電磁線圏37固定在上述的基座34 上。若對電磁線團(tuán)37通交流電，則參照圖17，在固定芯38和可動(dòng)芯 39之間產(chǎn)生交變磁性吸引力，由于一對板簧35傾斜配設(shè)，所以槽33 在箭頭oc方向(圖12)振動(dòng)，槽33上的MgO在箭頭P方向(圖12) 被輸送。
圖15是表示線圏電流值和MgO輸送量的關(guān)系的圖。它是通過10 次測定的值的平均值做成的圖，精確度相當(dāng)高。使線圏電流值為橫軸， 從中可知，若逐漸增大，則MgO輸送量kg/hr大致線性增大。由此可 知，通過改變在線圏中流動(dòng)的電流、例如改變可變電阻的大小，能夠 簡單地調(diào)節(jié)MgO輸送量。據(jù)此，相對于兩端部的熔溝50從成膜材料 供給裝置IO進(jìn)行供給，但是，若為了與它們的供給量相等而調(diào)節(jié)線圏 電流值，則能夠均勻地向三個(gè)熔溝50供給MgO。圖18是表示MgO顆粒粒徑X ( mm )與飛'減發(fā)生頻率(個(gè)/分) 的關(guān)系的圖，是針對電子槍的加速電壓為20kv、蒸鍍速度為3.6nm/s、 電子槍的射極電流為200mA的圖表，相對于在MgO粒徑X為直徑 0.8~ 1.5時(shí)飛'減發(fā)生頻率為1.2次，在MgO粒徑X為直徑1 3、 2~ 3以及4 5時(shí)，飛賊發(fā)生頻率為0次。因此，如圖19所示，在槽33 中作為分級機(jī)構(gòu)鋪設(shè)金屬絲網(wǎng)(例如，沖孔金屬)S，若使其孔徑在 lmm或者1.5mm以下，則能夠清除粒徑在此以下的MgO，能夠基本 消除飛濺的產(chǎn)生。
在圖19中，52是用于回收從金屬絲網(wǎng)S的孔落下的MgO的引導(dǎo) 筒。在其下方，設(shè)置用于回收粒徑小的MgO的承接箱53。
另外，替代鋪設(shè)圖19的金屬絲網(wǎng)S,若相對于材料的移送方向j 使槽33稍微向上，則由于公知的振動(dòng)作用，粒子小的MgO逐漸占據(jù) 被移送的層的下方，它們被集中在槽33的圖中右端部，因此，也可以 僅在右端設(shè)置承接箱53。
在圖17中，圖示了電磁線圏37的密封機(jī)構(gòu)，殼體40經(jīng)由密封環(huán) g以包圍線圏37的方式被安裝在基座34上。在該基座34上設(shè)置均未 圖示的貫通孔(當(dāng)然是在密封環(huán)g的內(nèi)側(cè))，插通用于供給在電磁線圈 37中流動(dòng)的電流的導(dǎo)線，另外，雖均未圖示出，借助同一貫通孔，插 通用于冷卻電》茲線圈37的冷卻管。
電磁線圏37如公知的那樣制造，例如為了確保絕緣，在其外部的 絕緣材料中含浸有清漆(7-》)。若在真空中使電流在該線圏37中 流動(dòng)，則必然發(fā)熱，處于高的溫度。因此，由于清漆以及其它的蒸發(fā) 物，真空環(huán)境被污染，對成膜室20中的膜的形成帶來不良影響。因此， 希望像上述那樣，線圏37通過殼體40與真空環(huán)境絕緣。但是，也可 以根據(jù)線圏37的構(gòu)造，或者根據(jù)線圏的發(fā)熱溫度，省略密閉的殼體 40，使其在成膜室20中露出。
本發(fā)明的成膜材料供給裝置的實(shí)施例如上述那樣構(gòu)成，接著，說 明它的作用。
參照圖1~圖5,在圖2中，在成膜材料供給室IO的成膜材料料斗11中，帶有圓錐形狀部15a的插入栓15被插入底部的圓筒形狀的 第一排出口12，第一排出口 12處于關(guān)閉的狀態(tài)，在成膜材料料斗ll 的內(nèi)部收容可以使真空蒸鍍裝置連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)兩周以上的量的MgO顆粒， 通過被插入在成膜材料料斗11內(nèi)的MgO顆粒中的管狀加熱器17而 處于加熱狀態(tài)，并且，成膜材料供給室10被真空泵9真空排氣，充分 剔除MgO顆粒中含有的水分。另外，在計(jì)量料斗21中，第二排出口 22被關(guān)閉，收容被計(jì)量的規(guī)定量的MgO顆粒。再有，引用圖9，在 被真空排氣的成膜室20中， 一定量的MgO顆粒被收容在旋轉(zhuǎn)圓筒供 料器41的圓筒狀容器42內(nèi)，旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41以及熔溝50被起動(dòng)。 在成膜室20中，參照圖7-B，通過傾斜的旋轉(zhuǎn)軸44旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn) 圓筒供料器41的圓筒狀容器42內(nèi)的MgO顆粒如圖8所示，通過帶 狀螺旋43在內(nèi)周面上上升，定量地從上端緣的最低的部分送出，經(jīng)過 供給滑道49、以低的旋轉(zhuǎn)速度(例如1小時(shí)1旋轉(zhuǎn))均勻地供給到旋 轉(zhuǎn)的熔溝50上，在成膜室20中，使MgO蒸鍍膜均勻地形成于基板 上。然后，通過第二光傳感器監(jiān)控旋轉(zhuǎn)圓筒供料器41的旋轉(zhuǎn)軸44的 轉(zhuǎn)速，算出從圓筒狀容器42向熔溝50的供給量，因此，若供給量達(dá) 到規(guī)定的值，則第二氣缸26被驅(qū)動(dòng)、第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸23轉(zhuǎn)動(dòng)，蓋板25 一起轉(zhuǎn)動(dòng)，將計(jì)量料斗21的第二排出口 22打開，所以，MgO顆粒從 計(jì)量料斗21排出，由漏斗狀料斗31接受，從漏斗狀料斗31的底部的 垂直的排出管32經(jīng)由成膜室20的流入引導(dǎo)件30、向旋轉(zhuǎn)圓筒供料器 41的圓筒狀容器42內(nèi)排出。因?yàn)閳A筒狀容器42的容積制作得比計(jì)量 料斗21內(nèi)的MgO顆粒量大，所以，不存在從圓筒狀容器42溢出的 情況。
若計(jì)量料斗21的蓋板25被打開、經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間，則第二氣缸 26起動(dòng)，第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸23向反方向轉(zhuǎn)動(dòng)，蓋板25關(guān)閉計(jì)量料斗21的 第二排出口22。接著，也參照圖6，第一氣缸16被驅(qū)動(dòng)，第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸 13與第一開閉臂14一起轉(zhuǎn)動(dòng)，將關(guān)閉成膜材料料斗11的第一排出口 12的插入栓15從第一排出口 12被拔出，MgO顆粒通過自重從成膜 材料料斗11向計(jì)量料斗21排出。雖然，隨著時(shí)間的經(jīng)過，被收容在計(jì)量料斗21內(nèi)的MgO顆粒的表面水平增高，但是，若檢測到被收容 的MgO顆粒隔斷了從第一光傳感器27的發(fā)光元件27a到受光元件 27b的光線，則上述的第一氣缸16被反向驅(qū)動(dòng)，插入栓15被插入第 一排出口 12，成膜材料料斗ll的第一排出口 12被關(guān)閉。此時(shí)，雖然 插入栓15的圓錐形狀部15a的圓錐面抵接在圓筒狀的第一排出口 12 的下端進(jìn)行關(guān)閉，但是，也可以在第一排出口 12的下端和圓錐形狀部 15a的圓錐面之間隔開尺寸比MgO顆粒小的距離，使插入栓15停止。 這樣一來，在計(jì)量料斗21內(nèi)收容規(guī)定量的MgO顆粒。以后，反復(fù)同 樣的作用，長時(shí)間連續(xù)進(jìn)行基于成膜材料供給裝置的向基板G的MgO 膜的成膜。
在上述插入栓15之外，也可以做成直徑小一些的圓柱形狀部(相 當(dāng)于圖2的15b)和圓錐形狀部(相當(dāng)于圖2的15a)，作為該圓柱形 狀部(相當(dāng)于圖2的15b)的外周面和第一排出口 12的內(nèi)面的間隙比 MgO顆粒的尺寸小那樣的插入栓(相當(dāng)于圖2的15)。這樣一來，因 為MgO顆粒不會(huì)從上述的間隙落下，所以，不存在在第一排出口12 的下端和固定有插入栓(相當(dāng)于圖2的15)的第一開閉臂14的平板 部14p之間、夾入MgO顆粒的情況。此外，還可以采用具有與插入 栓15的底面相同直徑的底面的圓錐形狀的插入栓，或者具有與上述小 一些的直徑的插入栓(相當(dāng)于圖2的15)的底面相同直徑的底面的圓 錐形狀的插入松。
另外，根據(jù)本發(fā)明，從電磁振動(dòng)供料器F向三個(gè)并列設(shè)置的熔溝 50中的中央熔溝50供給MgO。雖然如圖1所示欲成膜的基板G在與 并列設(shè)置方向成直角的方向被移送，但是，不必像該兩側(cè)的成膜材料 供給室IO那樣，增大裝置高度，而是以比它低的高度配設(shè)電磁振動(dòng)供 料器F,因此，在裝置構(gòu)造上沒有任何問題，另外，如在圖15中所說 明的那樣試驗(yàn)性地確認(rèn)了如下的情況，即，若使線圏電流值例如與圖 15同樣地在0.4 ~ 0.7A之間變化，則MgO輸送量kg/hr大致線性變化。 特別是，圖15的圖表是根據(jù)十次測定的平均值測定的圖表，其精確度 相當(dāng)高。若將該圖表作為函數(shù)儲(chǔ)存在控制裝置的存儲(chǔ)裝置中，則可以利用該關(guān)系對線圏的電流值進(jìn)行調(diào)整，使與來自兩側(cè)的成膜材料供給
室IO的供給量相等，對中央的熔溝50也按照與兩側(cè)相同的量進(jìn)行供 給。
以上對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說明，當(dāng)然，本發(fā)明并不局限于此， 根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)思想，可進(jìn)行各種變形。
例如，在以上的實(shí)施方式中，是并列設(shè)置三個(gè)熔溝50，但也可以 并列設(shè)置數(shù)量更多的熔溝。另外，在以上的實(shí)施方式中，應(yīng)用了三個(gè) 熔溝，針對中央的熔溝50通過電磁振動(dòng)供料器F供給MgO，但是在 三個(gè)以上的情況下，也可以針對除兩端的熔溝以外的熔溝全部通過電 磁振動(dòng)供料器F進(jìn)行供給。
再有，即使對于兩端的熔溝50，也可以替代上述的旋轉(zhuǎn)圓筒供料 器41，通過電磁振動(dòng)供料器F進(jìn)行供給。另外再有，也可以在電磁振 動(dòng)供料器的最上游端，從與圖1的兩側(cè)的成膜材料供給室10同樣的裝 置供給MgO。當(dāng)然，也可以替代這些，從通常的料斗向電磁振動(dòng)供料 器供給MgO。
圖20表示本發(fā)明的變形例，在該情況下，兩側(cè)的旋轉(zhuǎn)圓筒供料器 41被省略，作為其替代，以使排出口面向熔溝50的方式配設(shè)電磁振 動(dòng)供料器F1、 F3、 F4。在兩端的電磁振動(dòng)供料器F1、 F4的上游側(cè)端 部，同樣的電磁振動(dòng)供料器F2、 F5的下游側(cè)端部以通過階梯差位于 上方的方式進(jìn)行配設(shè)。當(dāng)然，也可以在電磁振動(dòng)供料器F2、 F3、 F5 的上游側(cè)端部設(shè)置用于收容MgO的料斗或者圖1所示那樣的成膜材 料供給室IO。在該情況下，能夠充分發(fā)揮電磁振動(dòng)供料器的特性。能 夠使成膜裝置整體的高度比上述的實(shí)施方式低很多。另外，可以有效 利用如圖20所示那樣經(jīng)由電磁振動(dòng)供料器的階梯差、通過直角或者傾 斜方向的配設(shè)連接等所限定的真空室空間。
權(quán)利要求
1.一種真空蒸鍍裝置的成膜材料供給裝置，該真空蒸鍍裝置使成膜材料在成膜室內(nèi)的熔溝上蒸發(fā)，并在上方進(jìn)行移送的基板上形成膜，所述成膜材料從能承受長期間的連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)并收容著大量的成膜材料的成膜材料供給室進(jìn)行供給，其特征在于，上述熔溝在上述被移送的基板的寬度方向并列設(shè)置三個(gè)以上，至少除兩端的熔溝以外的中間的熔溝是通過能夠調(diào)節(jié)上述成膜材料的供給量的電磁振動(dòng)供料器供給的。
2. 如權(quán)利要求1所述的成膜材料供給裝置，其特征在于，上述電 磁振動(dòng)供料器是由直線的槽和驅(qū)動(dòng)它的電磁線圏構(gòu)成的。
3. 如權(quán)利要求2所述的成膜材料供給裝置，其特征在于，在上述 電磁振動(dòng)供料器上設(shè)有分級機(jī)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求3所述的成膜材料供給裝置，其特征在于，在上述 電磁振動(dòng)供料器的上述槽內(nèi)鋪設(shè)有金屬絲網(wǎng)。
5. 如權(quán)利要求2所述的成膜材料供給裝置，其特征在于，上述電 磁線圏的線圏主體通過密閉殼體、相對于上述電磁振動(dòng)供料器的基座 被真空密封并被固定，在上述基座上插通著用于向上述電磁線圈供給 電源的電導(dǎo)線，另外，用于冷卻上述電磁線圏主體的冷卻線圏的冷卻 介質(zhì)供給管以及排出管被導(dǎo)出到大氣側(cè)。
6. 如權(quán)利要求2所述的成膜材料供給裝置，其特征在于，通過改 變在上述電磁線圏主體中流動(dòng)的電流的大小，調(diào)節(jié)成膜材料的輸送量。
7. 如權(quán)利要求1所述的成膜材料供給裝置，其特征在于，上述電 磁振動(dòng)供料器設(shè)有各階梯差，由多臺的電磁振動(dòng)供料器部構(gòu)成。
8. —種真空蒸鍍裝置的成膜材料供給裝置，該真空蒸鍍裝置使成 膜材料在成膜室內(nèi)的熔溝上蒸發(fā)，并在上方進(jìn)行移送的基板上形成膜， 所迷成膜材料從能承受長期間的連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)并收容著大量的成膜材料的 成膜材料供給室進(jìn)行供給，其特征在于，在上述成膜材料供給室內(nèi)設(shè) 有成膜材料料斗、接受從上述成膜材料料斗排出的一定量的成膜材料 的計(jì)量料斗、接受從上述計(jì)量料斗排出的成膜材料并向下方排出的漏斗狀料斗，在上述成膜室中設(shè)有以規(guī)定的供給速度將從上述漏斗狀料 斗排出的成膜材料向上述熔溝供給的定量移送機(jī)構(gòu)，在上述成膜室內(nèi) 的被移送的基板的寬度方向上并列設(shè)置三個(gè)以上的熔溝，作為將成膜 材料向該三個(gè)以上的熔溝中的至少除兩端的熔溝以外的中間熔溝供給的上述定量移送機(jī)構(gòu)，使用電磁振動(dòng)供料器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種真空蒸鍍裝置的成膜材料供給裝置，即使相對于三個(gè)以上的熔溝，也能夠均勻地供給成膜材料。該真空蒸鍍裝置使成膜材料在成膜室內(nèi)的熔溝上蒸發(fā)，在上方進(jìn)行移送的基板上形成膜，所述成膜材料從能承受長期間的連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)并收容著大量的成膜材料的成膜材料供給室進(jìn)行供給，其特征在于，上述熔溝在上述被移送的基板的寬度方向并列設(shè)置三個(gè)以上，至少除兩端的熔溝以外的中間的熔溝是通過能夠調(diào)節(jié)上述成膜材料的供給量的電磁振動(dòng)供料器供給的。
文檔編號H01J11/22GK101292058SQ200680038678
公開日2008年10月22日 申請日期2006年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月19日
發(fā)明者增田行男, 藤原明弘, 飯島榮一 申請人:株式會(huì)社愛發(fā)科