專利名稱：托盤型底柵控結構的平板顯示器及其制作工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于平板顯示技術領域、微電子科學與技術領域、真空科學與技術領域以及納米科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發(fā)射顯示器的器件制作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發(fā)射顯示器的器件制作方面的內容，特別涉及一種托盤型底柵控結構的平板顯示器及其制作工藝。
背景技術：
場致發(fā)射平板顯示器是一種新型的平面顯示器件，也是真空微電子技術的一個具體應用，它由于具備優(yōu)異的顯示特性，因此得到了眾多科研人員的高度關注。這種顯示器是一種平面薄形的真空器件，主要是利用碳納米管陰極的場致發(fā)射原理而研究制作的。由于每一個圖像的像素都對應的成千上萬個微型發(fā)射源，因此即使有個別發(fā)射源失效，也不會影響圖像的均勻性和穩(wěn)定性，提高了器件的制作成功率。利用碳納米管作為陰極材料而制作的場致發(fā)射平板顯示器具有高亮度、高分辨率、高顯示圖像質量、高度集成化、功耗小、全彩色、高響應速度等諸多優(yōu)點，已經(jīng)成為了國際平板顯示領域的熱門話題。
目前，在大多數(shù)的碳納米管陰極場致發(fā)射顯示器件當中，都采用了柵極結構位于碳納米管陰極結構上方的結構模式，其制作工藝簡單，柵極的控制作用比較顯著，且制作成功率比較高，但是其控制電壓往往居高不下，很難和常規(guī)的集成驅動電路相聯(lián)系在一起，且柵極結構所截獲的電子很多，形成的柵極電流偏大，這些都是其不利之處。盡可能的縮減柵極結構和碳納米管陰極結構之間的距離，是降低柵極工作電壓的最直接最簡捷的方法，但是同時也要受到絕緣材料的絕緣等級、制作工藝以及材質等各種因素的制約。當然，碳納米管陰極的宏觀形狀也會對所形成的電場強度產(chǎn)生一定的影響，很顯然，碳納米管的形狀曲率越小，就越容易形成更為強大的電場強度，當然所需要的控制電壓就會有所降低，這也就是間接的降低了柵極的工作電壓。那么，在實際器件的制作過程中，究竟采用何種形式的柵極控制結構，究竟采用何種制作材料，如何更為有效的降低柵極工作電壓和減小柵極工作電流，等等，這些都是值得認真考慮的現(xiàn)實問題。此外，在三極結構的平板場致發(fā)射顯示器件當中，在確保柵極結構對碳納米管陰極具有良好控制作用的前提下，還需要盡可能的降低總體器件成本，進行穩(wěn)定可靠、成本低廉、性能優(yōu)良、高質量的器件制作。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服上述平板顯示器件中存在的缺點和不足而提供一種成本低廉、制作過程穩(wěn)定可靠、制作成功率高、結構簡單的帶有一種托盤型底柵控結構的平板顯示器及其制作工藝。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的，包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；設置在陽極玻璃面板上的陽極導電層以及制備在陽極導電層上面的熒光粉層；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上設置有柵極引線層、碳納米管以及托盤型底柵控結構。
所述的托盤型底柵控結構的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上的印刷的絕緣漿料層形成阻滯層；阻滯層上面的刻蝕后的金屬層形成柵極引線層；柵極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔一層；間隔一層的上下表面均為平面，下表面要覆蓋住柵極引線層以及空余的阻滯層部分；間隔一層中存在圓型孔，底部暴露出柵極引線層；間隔一層中圓型孔的內側壁是垂直于陰極玻璃面板的圓筒面；間隔一層中圓型孔內側壁上的刻蝕后的金屬層形成柵極延長線層；柵極延長線層依附于間隔一層圓形孔的內側壁上，形成圓環(huán)面結構；柵極延長線層和柵極引線層是相互連通的；柵極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔二層；間隔二層要填充滿間隔一層中的圓型孔，間隔二層的下表面覆蓋住暴露的柵極引線層，其上表面為平面，和間隔一層的上表面相平齊；間隔一層和間隔二層的上表面上面的刻蝕后的金屬層形成調控柵極層；調控柵極層呈現(xiàn)圓環(huán)面型形狀，依附于間隔一層和間隔二層的上表面上面，其下表面和柵極延長線層相互連通；調控柵極層和柵極延長線層相互連接點位于圓環(huán)形調控柵極層的底部中部位置，即介于內半徑和外半徑中間的位置；調控柵極層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔三層；間隔三層的上下表面均為平面，下表面覆蓋住調控柵極層、間隔一層和間隔二層的空余上表面；間隔三層中存在圓環(huán)半球型凹陷孔，即圓環(huán)半球型凹陷孔的縱向截面為半球型形狀，從間隔三層的上表面開始向間隔三層內部凹陷，其半球型形狀的中心位置在垂直方向上與圓環(huán)型調控柵極層的面中部位置是相同的，也就是說半球型形狀的中心位置在垂直方向上同調控柵極層與柵極延長線層的連接位置是位于同一個垂直面上的，半球型形狀呈現(xiàn)圓環(huán)狀環(huán)繞在調控柵極層的上方，其內外直徑均與圓環(huán)型調控柵極層的相同；間隔三層中圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁上面的刻蝕后的金屬層形成陰極過渡層；陰極過渡層布滿圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁；陰極過渡層上面的刻蝕后的金屬層形成陰極導電層；間隔三層上表面上的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層；陰極引線層、陰極過渡層和陰極導電層都是相互連通的；陰極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成陰極覆蓋層；碳納米管制備在陰極導電層的上面。
所述的托盤型底柵控結構為安裝固定在陰極玻璃面板上；柵極引線層為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻；柵極延長線層為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻、錫；調控柵極層為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻；陰極引線層的走向和柵極引線層的走向相互垂直；陰極引線層為金屬金、銀、銅、鋁、鉬、鉻、錫、鉛、銦；陰極過渡層為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻、鉛、錫；陰極導電層為金屬鐵、鈷、鎳。
一種托盤型底柵控結構的平板顯示器的制作工藝，其制作工藝如下1)陰極玻璃面板的制作對整體平板玻璃進行劃割，制作出陰極玻璃面板；2)阻滯層的制作在陰極玻璃面板上印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成阻滯層；3)柵極引線層的制作在阻滯層的上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成柵極引線層；4)間隔一層的制作在柵極引線層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔一層；5)柵極延長線層的制作在間隔一層中圓型孔內側壁上制備出一個金屬層，刻蝕后形成柵極延長線層；6)間隔二層的制作在柵極引線層上面圓型孔中印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔二層；7)調控柵極層的制作在間隔一層和間隔二層的上表面上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成調控柵極層；8)間隔三層的制作在調控柵極層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔三層；9)陰極過渡層的制作在間隔三層中圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極過渡層；10)陰極導電層的制作在陰極過渡層的上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極導電層；
11)陰極引線層的制作在間隔三層的上表面上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極引線層；12)陰極覆蓋層的制作在陰極引線層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成陰極覆蓋層；13)托盤型底柵控結構的表面清潔處理對托盤型底柵控結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；14)碳納米管的制備將碳納米管制備在陰極導電層上面；15)陽極玻璃面板的制作對整體平板玻璃進行劃割，制作出陽極玻璃面板；16)陽極導電層的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導電層；17)絕緣漿料層的制作在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；18)熒光粉層的制作在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；19)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構[18]和四周玻璃圍框裝配到一起，并將消氣劑放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；20)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟17具體為在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘)之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結(燒結溫度580℃，保持時間10分鐘)。
所述步驟18具體為在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘)。
所述步驟20具體為對已經(jīng)裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
本發(fā)明具有如下的積極效果首先，在所述托盤型底柵控結構中，柵極結構呈現(xiàn)托盤狀位于碳納米管陰極結構下方。當在柵極結構上施加適當電壓以后，會在碳納米管陰極表面頂端形成強大的電場強度，迫使碳納米管發(fā)射出大量的電子，從而體現(xiàn)了柵極結構強有力控制作用；由于柵極結構位于碳納米管陰極結構下方，且被間隔三層所覆蓋，因此從碳納米管陰極發(fā)射的電子在陽極高電壓的作用下加速向陽極運動，轟擊熒光粉層而發(fā)出可見光，所發(fā)射的電子束不會受到柵極結構的截留，這就減小了柵極電流，增大了陽極的工作電流，有助于增強器件的顯示亮度。
其次，在所述的托盤型底柵控結構中，將碳納米管陰極制備在呈現(xiàn)圓環(huán)半球型陰極導電層的上面?？梢詷O大地增加碳納米管陰極的電子發(fā)射面積，使得更多的碳納米管陰極都參與電子發(fā)射，有助于提高陽極的工作電流；充分利用了碳納米管陰極的邊緣位置發(fā)射大量電子的現(xiàn)象，提高了碳納米管陰極的電子發(fā)射效率；由于碳納米管陰極的底部可以盡可能的接近于圓環(huán)狀柵極，可以進一步的降低柵極結構的工作電壓。
此外，在所述的托盤型底柵控結構中，并沒采用特殊結構制作材料，也沒有采用特殊器件制作工藝，這在很大程度上降低了整體平板顯示器件制作成本，簡化了器件制作過程，能進行大面積器件制作，有利于商業(yè)化的大規(guī)模生產(chǎn)。


圖1給出了托盤型底柵控結構的縱向結構示意圖；圖2給出了托盤型底柵控結構的橫向結構示意圖；圖3給出了帶有托盤型底柵控結構發(fā)射結構的、碳納米管場致發(fā)射平面顯示器的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進行進一步說明，但本發(fā)明并不局限于這些實施例。
所述的一種帶有托盤型底柵控結構的平板顯示器，包括由陽極玻璃面板[14]、陰極玻璃面板[1]和四周玻璃圍框[19]所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層[15]以及制備在陽極導電層上面的熒光粉層[17]；在陰極玻璃面板上有柵極引線層[3]、碳納米管[13]以及托盤型底柵控結構；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構[18]以及消氣劑[20]附屬元件。
所述的托盤型底柵控結構包括陰極玻璃面板[1]、阻滯層[2]、柵極引線層[3]、間隔一層[4]、柵極延長線層[5]、間隔二層[6]、調控柵極層[7]、間隔三層[8]、陰極過渡層[9]、陰極導電層[10]、陰極引線層[11]、陰極覆蓋層[12]和碳納米管[13]部分。
所述的托盤型底柵控結構的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上的印刷的絕緣漿料層形成阻滯層；阻滯層上面的刻蝕后的金屬層形成柵極引線層；柵極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔一層；間隔一層的上下表面均為平面，下表面要覆蓋住柵極引線層以及空余的阻滯層部分；間隔一層中存在圓型孔，底部暴露出柵極引線層；間隔一層中圓型孔的內側壁是垂直于陰極玻璃面板的圓筒面；間隔一層中圓型孔內側壁上的刻蝕后的金屬層形成柵極延長線層；柵極延長線層依附于間隔一層圓形孔的內側壁上，形成一個圓環(huán)面結構；柵極延長線層和柵極引線層是相互連通的；柵極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔二層；間隔二層要填充滿間隔一層中的圓型孔，間隔二層的下表面要覆蓋住暴露的柵極引線層，其上表面為平面，和間隔一層的上表面相平齊；間隔一層和間隔二層的上表面上面的刻蝕后的金屬層形成調控柵極層；調控柵極層呈現(xiàn)圓環(huán)面型形狀，依附于間隔一層和間隔二層的上表面上面，其下表面和柵極延長線層相互連通；調控柵極層和柵極延長線層相互連接點位于圓環(huán)形調控柵極層的底部中部位置，即介于內半徑和外半徑中間的位置；調控柵極層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔三層；間隔三層的上下表面均為平面，下表面要完全覆蓋住調控柵極層、間隔一層和間隔二層的空余上表面；間隔三層中存在圓環(huán)半球型凹陷孔，即圓環(huán)半球型凹陷孔的縱向截面為半球型形狀，從間隔三層的上表面開始向間隔三層內部凹陷，其半球型形狀的中心位置在垂直方向上與圓環(huán)型調控柵極層的面中部位置是相同的，也就是說半球型形狀的中心位置在垂直方向上同調控柵極層與柵極延長線層的連接位置是位于同一個垂直面上的，半球型形狀呈現(xiàn)圓環(huán)狀環(huán)繞在調控柵極層的上方，其內外直徑均與圓環(huán)型調控柵極層的相同；間隔三層中圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁上面的刻蝕后的金屬層形成陰極過渡層；陰極過渡層布滿圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁；陰極過渡層上面的刻蝕后的金屬層形成陰極導電層；間隔三層上表面上的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層；陰極引線層、陰極過渡層和陰極導電層都是相互連通的；陰極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成陰極覆蓋層；碳納米管制備在陰極導電層的上面。
所述的托盤型底柵控結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上；柵極引線層可以為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻；柵極延長線層可以為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻、錫；調控柵極層可以為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻；陰極引線層的走向和柵極引線層的走向是相互垂直的；陰極引線層可以為金屬金、銀、銅、鋁、鉬、鉻、錫、鉛、銦；陰極過渡層可以為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻、鉛、錫；陰極導電層可以為金屬鐵、鈷、鎳。
一種托盤型底柵控結構的平板顯示器的制作工藝，其制作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的制作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，制作出陰極玻璃面板；2)阻滯層[2]的制作在陰極玻璃面板上印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成阻滯層；3)柵極引線層[3]的制作在阻滯層的上面制備出一個金屬鉻層，刻蝕后形成柵極引線層；4)間隔一層[4]的制作在柵極引線層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔一層；5)柵極延長線層[5]的制作在間隔一層中圓型孔內側壁上制備出一個金屬鉻層，刻蝕后形成柵極延長線層；6)間隔二層[6]的制作在柵極引線層上面圓型孔中印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔二層；7)調控柵極層[7]的制作在間隔一層和間隔二層的上表面上面制備出一個金屬鉻層，刻蝕后形成調控柵極層；8)間隔三層[8]的制作在調控柵極層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔三層；9)陰極過渡層[9]的制作在間隔三層中圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁上制備出一個金屬鉬層，刻蝕后形成陰極過渡層；10)陰極導電層[10]的制作在陰極過渡層的上面制備出一個金屬鎳層，刻蝕后形成陰極導電層；11)陰極引線層[11]的制作在間隔三層的上表面上制備出一個金屬鉬層，刻蝕后形成陰極引線層；12)陰極覆蓋層[12]的制作在陰極引線層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成陰極覆蓋層；
13)托盤型底柵控結構的表面清潔處理對托盤型底柵控結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；14)碳納米管[13]的制備將碳納米管制備在陰極導電層上面；15)碳納米管的后處理對碳納米管進行后處理，改善場致發(fā)射特性；16)陽極玻璃面板[14]的制作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，制作出陽極玻璃面板；17)陽極導電層[15]的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導電層；18)絕緣漿料層[16]的制作在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；19)熒光粉層[17]的制作在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；20)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構[18]和四周玻璃圍框[19]裝配到一起，并將消氣劑[20]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定；21)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟18具體為在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘)之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結(燒結溫度580℃，保持時間10分鐘)。
所述步驟19具體為在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘)。
所述步驟21具體為對已經(jīng)裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
權利要求
1.一種托盤型底柵控結構的平板顯示器，包括由陽極玻璃面板[14]、陰極玻璃面板[1]和四周玻璃圍框[19]所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層[15]以及制備在陽極導電層上面的熒光粉層[17]；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構[18]以及消氣劑附屬元件[20]；其特征在于在陰極玻璃面板上設置有柵極引線層[3]、碳納米管[13]以及托盤型底柵控結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的托盤型底柵控結構的平板顯示器，其特征在于所述的托盤型底柵控結構的襯底材料為鈉鈣玻璃、硼硅玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上的印刷的絕緣漿料層形成阻滯層；阻滯層上面的刻蝕后的金屬層形成柵極引線層；柵極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔一層；間隔一層的上下表面均為平面，下表面要覆蓋住柵極引線層以及空余的阻滯層部分；間隔一層中存在圓型孔，底部暴露出柵極引線層；間隔一層中圓型孔的內側壁是垂直于陰極玻璃面板的圓筒面；間隔一層中圓型孔內側壁上的刻蝕后的金屬層形成柵極延長線層；柵極延長線層依附于間隔一層圓形孔的內側壁上，形成一個圓環(huán)面結構；柵極延長線層和柵極引線層是相互連通的；柵極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔二層；間隔二層要填充滿間隔一層中的圓型孔，間隔二層的下表面要覆蓋住暴露的柵極引線層，其上表面為平面，和間隔一層的上表面相平齊；間隔一層和間隔二層的上表面上面的刻蝕后的金屬層形成調控柵極層；調控柵極層呈現(xiàn)圓環(huán)面型形狀，依附于間隔一層和間隔二層的上表面上面，其下表面和柵極延長線層相互連通；調控柵極層和柵極延長線層相互連接點位于圓環(huán)形調控柵極層的底部中部位置，即介于內半徑和外半徑中間的位置；調控柵極層上面的印刷的絕緣漿料層形成間隔三層；間隔三層的上下表面均為平面，下表面要完全覆蓋住調控柵極層、間隔一層和間隔二層的空余上表面；間隔三層中存在圓環(huán)半球型凹陷孔，即圓環(huán)半球型凹陷孔的縱向截面為半球型形狀，從間隔三層的上表面開始向間隔三層內部凹陷，其半球型形狀的中心位置在垂直方向上與圓環(huán)型調控柵極層的面中部位置是相同的，也就是說半球型形狀的中心位置在垂直方向上同調控柵極層與柵極延長線層的連接位置是位于同一個垂直面上的，半球型形狀呈現(xiàn)圓環(huán)狀環(huán)繞在調控柵極層的上方，其內外直徑均與圓環(huán)型調控柵極層的相同；間隔三層中圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁上面的刻蝕后的金屬層形成陰極過渡層；陰極過渡層布滿圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁；陰極過渡層上面的刻蝕后的金屬層形成陰極導電層；間隔三層上表面上的刻蝕后的金屬層形成陰極引線層；陰極引線層、陰極過渡層和陰極導電層都是相互連通的；陰極引線層上面的印刷的絕緣漿料層形成陰極覆蓋層；碳納米管制備在陰極導電層的上面。
3.根據(jù)權利要求2所述的托盤型底柵控結構的平板顯示器，其特征在于所述的托盤型底柵控結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上；柵極引線層為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻；柵極延長線層為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻、錫；調控柵極層可以為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻；陰極引線層的走向和柵極引線層的走向相互垂直；陰極引線層為金屬金、銀、銅、鋁、鉬、鉻、錫、鉛、銦；陰極過渡層為金屬金、銀、鋁、鉬、鉻、鉛、錫；陰極導電層為金屬鐵、鈷、鎳。
4.一種托盤型底柵控結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于，其制作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的制作對整體平板玻璃劃割，制出陰極玻璃面板；2)阻滯層[2]的制作在陰極玻璃面板上印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成阻滯層；3)柵極引線層[3]的制作在阻滯層的上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成柵極引線層；4)間隔一層[4]的制作在柵極引線層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔一層；5)柵極延長線層[5]的制作在間隔一層中圓型孔內側壁上制備出一個金屬層，刻蝕后形成柵極延長線層；6)間隔二層[6]的制作在柵極引線層上面圓型孔中印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔二層；7)調控柵極層[7]的制作在間隔一層和間隔二層的上表面上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成調控柵極層；8)間隔三層[8]的制作在調控柵極層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成間隔三層；9)陰極過渡層[9]的制作在間隔三層中圓環(huán)半球型凹陷孔的內側壁上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極過渡層；10)陰極導電層[10]的制作在陰極過渡層的上面制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極導電層；11)陰極引線層[11]的制作在間隔三層的上表面上制備出一個金屬層，刻蝕后形成陰極引線層；12)陰極覆蓋層[12]的制作在陰極引線層的上面印刷絕緣漿料層，經(jīng)烘烤、燒結工藝后形成陰極覆蓋層；13)托盤型底柵控結構的表面清潔處理對托盤型底柵控結構的表面進行清潔處理，除掉雜質和灰塵；14)碳納米管[13]的制備將碳納米管制備在陰極導電層上面；15)陽極玻璃面板[14]的制作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，制作出陽極玻璃面板；16)陽極導電層[15]的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕后形成陽極導電層；17)絕緣漿料層[16]的制作在陽極導電層非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層；18)熒光粉層[17]的制作在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；19)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構[18]和四周玻璃圍框[19]裝到一起，將消氣劑[20]放入空腔中，用低熔點玻璃粉固定；20)成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
5.根據(jù)權利要求4所述的托盤型底柵控結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟17具體為在陽極導電層的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
6.根據(jù)權利要求4所述的托盤型底柵控結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟18具體為在陽極導電層上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
7.根據(jù)權利要求4所述的托盤型底柵控結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于所述步驟20具體為對已經(jīng)裝配好的器件進行如下封裝工藝將樣品器件放入烘箱中進行烘烤；放入燒結爐中進行燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種托盤型底柵控結構的平板顯示器及其制作工藝，包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；設置在陽極玻璃面板上的陽極導電層以及制備在陽極導電層上面的熒光粉層；位于陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐墻結構以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上設置有柵極引線層、碳納米管以及托盤型底柵控結構；能夠進一步提高碳納米管陰極的電子發(fā)射數(shù)量和電子發(fā)射效率，提高整體器件的顯示亮度，具有制作過程穩(wěn)定可靠、制作工藝簡單、制作成本低廉、結構簡單的優(yōu)點。
文檔編號H01J9/02GK101075536SQ20071005460
公開日2007年11月21日 申請日期2007年6月19日 優(yōu)先權日2007年6月19日
發(fā)明者李玉魁 申請人:中原工學院