專利名稱：等離子顯示面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示面板及其制作方法，更具體地說，涉及提 高熒光體的壽命和消除退化特性的新型結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板及其制 作方法。
背景技術(shù)：
近年來等離子顯示面板變得比較流行。這些等離子顯示面板采用 三電極表面放電結(jié)構(gòu)。在前面基板上形成有在水平方向上延伸的顯示 電極、覆蓋顯示電極的介電層、和保護(hù)介電層的保護(hù)層，而在背面基 板上形成有與顯示電極相交的尋址電極、劃分顯示電極與尋址電極相 交處單元發(fā)光區(qū)域的帶狀或矩陣狀隔壁、以及設(shè)置在尋址電極和隔壁 側(cè)壁上的熒光體。
在這種類型的三電極表面放電類型的等離子顯示面板中，在顯示 電極和地址之間產(chǎn)生尋址放電，在介電層上聚集壁電荷，在顯示電極 對之間重復(fù)進(jìn)行持續(xù)放電以發(fā)射出預(yù)期亮度的光。由于占放電的多數(shù) 的持續(xù)放電在顯示電極對之間發(fā)生，在放電過程中熒光體不經(jīng)受離子 轟擊，從而使得熒光體的壽命延長。另外，通過形成劃分單元發(fā)光區(qū) 域的隔壁，抑制了單元發(fā)光區(qū)域之間發(fā)出的光的干擾，從而消除錯誤 放電。
在形成熒光體時，通常在背面基板的表面上涂敷一種膏，其中所 述膏是將熒光粉混合到由例如樹脂、有機(jī)溶劑或增塑劑形成的載體中 而形成的，所述背面基板中形成有尋址電極和隔壁，隨后通過熱處理 使載體揮發(fā)，并且烘焙。
如上所述的三電極表面放電型等離子顯示面板在例如，專利文獻(xiàn)1
(日本專利申請?zhí)亻_第2005-183125)中被描述。該專利文獻(xiàn)描述了能 夠在保持高水平的發(fā)射效率同時抑制熒光體隨時間退化的PDP，及其 制作方法。
發(fā)明內(nèi)容
盡管現(xiàn)有技術(shù)的三電極表面放電型等離子顯示面板在等離子體放 電過程中通過在背面基板上設(shè)置熒光體而抵抗離子轟擊，由于熒光體 仍然存在于放電空間內(nèi)，伴隨顯示電極和尋址電極之間發(fā)生的尋址放 電，以及在顯示電極之間發(fā)生的持續(xù)放電的離子轟擊造成的損害不能 夠被完全避免。盡管尋址放電的次數(shù)較少，熒光體仍然要經(jīng)受離子轟 擊，并且盡管持續(xù)放電是基板的顯示電極之間的表面放電，設(shè)置在隔 壁側(cè)壁上部的熒光體要經(jīng)受離子轟擊。該離子轟擊引起熒光體的退化 并造成面板壽命的縮短。
而且，盡管通過熱處理來去除熒光體膏中的載體，由于其總是不 能被完全去除，微量的有機(jī)物質(zhì)保留在熒光體中。由于該有機(jī)物質(zhì)造
成熒光體退化，因此通過進(jìn)行時效(aging)步驟來嘗試穩(wěn)定亮度，所 述時效步驟包括密封前面基板和背面基板以形成面板之后的連續(xù)放 電。但是，該時效步驟造成制作成本增加。
因此，本發(fā)明的目標(biāo)在于提供一種能夠消除由于離子轟擊造成的 熒光體的退化并避免由于時效步驟造成的成本增加的等離子顯示面板 及其制作方法。
為了實現(xiàn)上述目標(biāo)，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，在前面?zhèn)鹊谝换?上形成多個顯示電極、覆蓋該顯示電極的介電層、和保護(hù)該介電層的 保護(hù)層，在第二基板上形成多個尋址電極，該尋址電極與顯示電極相 交處形成單元發(fā)光區(qū)域，第三基板附著在第二基板之上，其間布置熒 光體，并且第一基板和第二基板被隔壁密封，該隔壁對布置第一和第 二基板之間的單元發(fā)光區(qū)域進(jìn)行劃分。
根據(jù)該第一方面，由于熒光體通過第二基板與放電空間隔開，熒 光體沒有經(jīng)受離子轟擊，所以可延長熒光體的壽命。
為了實現(xiàn)上述目標(biāo)，根據(jù)本發(fā)明的第二方面， 一種通過使等離子 體在放電空間內(nèi)放電從而進(jìn)行規(guī)定顯示的等離子顯示面板，包括第 一透明基板，其在放電空間的一側(cè)具有多個顯示電極、介電層、和保 護(hù)層，介電層覆蓋顯示電極，保護(hù)層覆蓋介電層，保護(hù)介電層不受等 離子體放電過程中發(fā)生的離子轟擊并發(fā)射二次離子；第二基板，其被
設(shè)置與第一基板相對，且放電空間被布置在第一基板和第二基板之間， 第二基板具有設(shè)置在放電空間的一側(cè)的多個尋址電極，以與顯示電極 相交；以及第三基板，其附著于第二基板的與放電空間相反的一側(cè)， 且設(shè)置在與顯示電極與尋址電極相交的單元發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置的熒 光體被布置在第二基板與第三基板之間；其中第一基板和第二基板被
隔壁密封，隔壁劃分布置在第一和第二基板之間的單元發(fā)光區(qū)域。 根據(jù)第二方面的優(yōu)選實施例，在隔壁的側(cè)面上形成有二次離子發(fā)
射層。結(jié)果，降低了有效放電電壓并提高了發(fā)射效率。另外，根據(jù)另
一個優(yōu)選實施例，通過在反射層上形成熒光體，而將熒光體發(fā)射的光
有效地引導(dǎo)至前面?zhèn)取?br>
為了實現(xiàn)上述目標(biāo)，根據(jù)本發(fā)明的第三方面， 一種通過使等離子
體在放電空間內(nèi)放電從而進(jìn)行規(guī)定顯示的等離子顯示面板的制作方
法，包括如下步驟在放電空間的一側(cè)上形成第一透明基板，第一透 明基板具有多個顯示電極、覆蓋顯示電極的介電層、和覆蓋介電層的 保護(hù)層；在放電空間的一側(cè)上形成第二基板，第二基板具有設(shè)置成與 顯示電極相交的多個尋址電極；在第三基板中與顯示電極和尋址電極 相交的單元發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成凹進(jìn)，并將熒光體填充入凹進(jìn)中；
在尋址電極形成之前或?qū)ぶ冯姌O形成之后將第二基板層疊至第三 基板的形成凹進(jìn)的一側(cè)；并且用隔壁密封第一基板和第二基板，隔壁 劃分布置在兩塊基板之間的單元發(fā)光區(qū)域。
根據(jù)該第三方面，可以通過將熒光粉填充到第三基板中形成的凹 進(jìn)或第二基板中形成的凹進(jìn)內(nèi)而取消時效步驟。
根據(jù)本發(fā)明，可以延長熒光體壽命，而不會由于離子轟擊而造成 其退化。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的三電極表面放電型等離子顯示面板的橫剖視圖。
圖2是第一實施例的等離子顯示面板的橫剖視圖。
圖3是表示第二基板的制作過程的俯視圖。
圖4是表示第二基板的制作過程的俯視圖。
圖5是顯示電極被疊加在圖4的第二基板上的俯視圖。
圖6是第三基板的俯視圖。
圖7是第三基板的不同的俯視圖。
圖8是第二實施例的等離子顯示面板的橫剖視圖。 圖9是第二實施例的第一基板的俯視圖。 圖IO是第二實施例的第一基板的另外的俯視圖。 圖11是表示顯示電極11和尋址電極ADD被疊加在圖10的矩陣 狀隔壁16上的俯視圖。
圖12是第三實施例的等離子顯示面板的橫剖視圖。
具體實施例
下面參考附圖來說明本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明的技術(shù)范圍 不限于這些實施例，而可以擴(kuò)展到專利的權(quán)利要求及其等價權(quán)利要求 的范圍中所描述的內(nèi)容。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的三電極表面放電型等離子顯示面板的橫剖視圖。 由透明電極12和疊加在其上的高傳導(dǎo)性金屬(Cr/Cu/Cr的三層結(jié)構(gòu)) 的總線電極13構(gòu)成的顯示電極11、覆蓋顯示電極11的介電層14、和 由覆蓋介電層14的MgO構(gòu)成的保護(hù)層15在前面?zhèn)炔ＡЩ?0的放 電空間的一側(cè)上形成。
另一方面，在背面?zhèn)然?0的放電空間的一側(cè)上形成與顯示電極 11相交并在相交處形成單元發(fā)光區(qū)域的尋址電極ADD、覆蓋尋址電極 ADD的介電層22、和帶狀形式或以垂直壁和水平壁構(gòu)成的矩陣形式的 隔壁24。隔壁24劃分單元發(fā)光區(qū)域，并阻止相鄰單元放電區(qū)域之間的 放電干擾。
紅、綠和藍(lán)(GRB)三種顏色的熒光體26被設(shè)置在背面?zhèn)然?0 的介電層22上和隔壁24的側(cè)面上。熒光體26如下形成將其中混合 有熒光粉和載體的膏涂在背面?zhèn)然?0的表面，所述背面?zhèn)然?0 的表面上形成有隔壁24，并在高溫處理使載體揮發(fā)后進(jìn)行烘焙，僅留 下熒光粉。
在圖1的等離子顯示面板中，在尋址期間，在顯示電極11和尋址 電極ADD之間產(chǎn)生尋址放電，通過放電產(chǎn)生的電荷累積在介電層14 和保護(hù)層15的表面上。在尋址期間之后的持續(xù)放電期間，在相鄰的顯
示電極之間交替供應(yīng)電壓，通過使用在尋址期間累積的壁電荷來重復(fù) 持續(xù)放電。如向上的箭頭所示，熒光體發(fā)射的光向前面?zhèn)然遢敵觯?這是在放電的過程中產(chǎn)生的紫外光激勵熒光體從而發(fā)光的結(jié)果。根據(jù) 持續(xù)放電的次數(shù)可以顯示需要的亮度。
如圖1所示，由于熒光體26被設(shè)置在背面?zhèn)然迳?，占等離子體 放電的大多數(shù)的持續(xù)放電是在前面?zhèn)然宓娘@示電極之間發(fā)生的表面 放電，熒光體在放電過程中能夠不直接經(jīng)受離子轟擊。即使如此，由 于熒光體暴露在放電空間內(nèi)，不能完全避免等離子體放電過程中的離
子轟擊。具體地，隔壁24的頂點附近的熒光體26易受顯示電極之間 的持續(xù)放電所產(chǎn)生的離子轟擊。因此，這樣造成了熒光體的退化和面 板壽命的縮短。
另外，盡管熒光體膏用印刷等方法來涂布，并隨后進(jìn)行高溫處理， 由于不能完全除去膏中的載體(例如，樹脂、有機(jī)溶劑或增塑劑)，在 形成面板之后，因此需要提供高電壓進(jìn)行時效。該時效步驟增加了成 本。
圖2是第一實施例的等離子顯示面板的橫剖視圖。盡管前面?zhèn)鹊?一基板10的結(jié)構(gòu)與圖1中的相同，第一實施例的特征在于其中形成尋 址電極ADD的背面?zhèn)鹊诙?0將熒光體36與被隔壁24和上下部 基板10和20包圍的放電空間分隔開。結(jié)果，在等離子體放電過程中， 熒光體36不經(jīng)受離子轟擊，熒光體隨著時間的退化得到了抑制，面板 的壽命得到了延長。
第三基板30被設(shè)置成附著在第二基板的與放電空間相反的一側(cè)。 凹進(jìn)32形成在第三基板30中，與單元發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置，熒光粉 被填充到這些凹進(jìn)32中。然而，這些凹進(jìn)32還可以設(shè)置在第二基板 20的背面?zhèn)?，在任一情況下，第二基板20和第三基板30附著在一起， 熒光體36置于其間。由于熒光粉被填充在凹進(jìn)內(nèi)32中，就不必要像 現(xiàn)有技術(shù)那樣在涂布熒光基體之后進(jìn)行高溫處理，從而能夠消除對于 增加制造成本的時效步驟的需求。
在圖2結(jié)構(gòu)的實例中，第二基板20由透明基板構(gòu)成，該透明基板 可以透射等離子放電所產(chǎn)生的紫外光，以及透射熒光體所發(fā)射的可見 光形式的光，隔壁24被設(shè)置在第二基板20上，用于劃分單元發(fā)光區(qū)
域。另外，由于熒光體36設(shè)置在第二基板20的背面?zhèn)?，就不需要設(shè)
置低熔點玻璃材料構(gòu)成的介電層來覆蓋尋址電極ADD。
此外，在隔壁24的側(cè)面上形成由MgO構(gòu)成的二次電子發(fā)射層26。 第一基板10的一側(cè)的保護(hù)層15也是MgO層，在等離子體放電過程中， 這些層15和26響應(yīng)離子轟擊而發(fā)射二次電子。從而，通過在放電過 程中增加二次電子的發(fā)射等級而提高了發(fā)射效率，以降低有效放電電 壓，或者如果放電電壓相同則增加發(fā)射的光量。，換言之，通過在第二 基板20的背面?zhèn)壬显O(shè)置熒光體，可在隔壁24上形成MgO構(gòu)成的二次 電子發(fā)射層26。
另外，例如Cr或Cu的反射層34形成在第三基板的凹進(jìn)32的內(nèi) 表面上，該凹進(jìn)32內(nèi)填充有熒光粉。由于凹進(jìn)32內(nèi)填充有相對大量 的熒光粉36，熒光體發(fā)射的光被反射層34反射，發(fā)射光能被有效地引 導(dǎo)至前面?zhèn)?，從而能夠提高發(fā)射效率。
形成在第二基板20的表面上的尋址電極ADD由透明電極材料形 成，從而使發(fā)射光能從熒光體被傳送。例如，透明電極材料可以是ITO、 Sn02或Ga203。紫外光透光孔HOLE形成在尋址電極ADD的中心， 以允許透射紫外光。紫外光穿過這些中心孔HOLE被引導(dǎo)至位于正下 方的熒光體36，同時抑制到在對角線方向上與其相鄰的單元發(fā)光區(qū)域 的熒光體36的引導(dǎo)。
在圖2所示的等離子顯示面板中，由于第一基板10的結(jié)構(gòu)與圖1 所示的現(xiàn)有技術(shù)的實例的結(jié)構(gòu)相同，在此省略對其制作過程的解釋。 第二基板20和第三基板30的制作過程參考俯視圖來進(jìn)行解釋。
圖3和圖4是表示第二基板的制作過程的俯視圖。首先，多個帶 狀形式的隔壁24通過例如激光成形或化學(xué)蝕刻的方法，直接蝕刻除隔 壁24之外的區(qū)域，而形成在在透明樹脂基板構(gòu)成的第二基板20的表 面上?？蛇x地，隔壁24也可以通過將具有低熔點溫度的玻璃膏的厚涂 層涂敷在透明玻璃基板或樹脂基板構(gòu)成的第二基板20上，利用掩膜通 過噴砂處理形成多個帶狀圖案，并隨后在高溫下烘焙而形成。該狀態(tài) 在圖3的俯視圖中顯示。該隔壁24的實線表示底部表面，而虛線表示 頂端表面，單元發(fā)光區(qū)域形成在隔壁24之間的區(qū)域中。
接下來，如圖4所示，上述透明電極材料構(gòu)成的尋址電極ADD形 成在隔壁24之間。這些尋址電極通過將透明電極材料濺射到基板的整 個表面，隨后利用普通的石印術(shù)形成帶狀而形成，或者通過使用設(shè)置 在基板上表面的具有帶狀通道圖案的掩膜來濺射以形成帶狀圖案的尋 址電極。隨后在與尋址電極ADD的單元發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成用于 透過紫外光的方孔HOLE。
盡管在圖中沒有示出，由MgO構(gòu)成的二次電子發(fā)射層形成在隔壁 的側(cè)壁和頂部。優(yōu)選地，該層按照與尋址電極相同的方式，將MgO濺 射到整個表面，隨后通過普通石印術(shù)使其保持在隔壁上而形成，或通 過采用設(shè)置在基板上表面的帶狀通道圖案的掩膜來濺射MgO而形成。
在本實施例中，沒有形成覆蓋尋址電極ADD的介電層。在圖1的 現(xiàn)有技術(shù)的實例中，作為設(shè)置介電層22的結(jié)果，用于在其上形成隔壁 的玻璃膏層可通過噴砂形成圖案。換言之，介電層22的作用在于在噴 砂過程中保護(hù)尋址電極，以及當(dāng)噴砂步驟的掩膜被剝離時，還用于改 善基板和隔壁之間的附著。然而，在本實施例中，由于必須將紫外光 發(fā)射至第二基板20的背面的熒光體之上，優(yōu)選不設(shè)置該介電層以防止 紫外光的衰減。
圖5是將顯示電極疊加在圖4的第二基板上的俯視圖。該圖示出 了位于顯示電極和尋址電極相交處的單元發(fā)光區(qū)域與尋址電極的紫外 光透光孔HOLE之間的關(guān)系。顯示電極11由透明電極12和形成為疊 在其中心部分的總線電極13構(gòu)成。與透明電極12相對并在隔壁24之 間的區(qū)域?qū)?yīng)于單元發(fā)光區(qū)域。尋址電極ADD的紫外光透光孔HOLE 形成在與這些單元發(fā)光區(qū)域重疊的位置。
圖6是第三基板的俯視圖。第三基板30是玻璃基板或樹脂基板， 并且凹進(jìn)32形成在帶狀圖案中，與單元發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置。帶狀圖 案與圖2和圖3所示的隔壁24的帶狀一致。另外，在第三基板30是 樹脂基板的情況下，可用粘合劑將其與第二基板20層疊，并在第三基 板30周圍形成涂敷粘合劑的開槽。
用于涂敷密封劑的開槽還可以通過在基板上直接蝕刻形成凹進(jìn)32 而形成。直接蝕刻過程通過激光成形或化學(xué)蝕刻進(jìn)行。熒光體填充的 凹進(jìn)32的深度為，例如，優(yōu)選為大約100至300pm。
隨后在凹進(jìn)32的內(nèi)表面形成發(fā)射層。該反射層通過將反射膜濺射
到第三基板30的整個表面，隨后通過普通的石印術(shù)形成圖案，同時僅 僅保留凹進(jìn)32的內(nèi)表面而形成。可選地，采用固定于第三基板30的 掩膜，而將反射層材料僅僅濺射至凹進(jìn)的內(nèi)部。隨后，將三種顏色 (RGB)的熒光粉填充到內(nèi)部形成有反射層的凹進(jìn)32中。優(yōu)選使用分 配法(dispensingmethod)或葉片法(blademethod)用于填充。這里， 不使用現(xiàn)有技術(shù)的實例那樣的熒光膏。
圖7是第三基板的不同的俯視圖。在圖7的實例中，在第三基板 30中通過直接蝕刻工藝形成凹進(jìn)32之后，凹進(jìn)32形成為排列成矩陣 的，而不是帶狀的多個矩形的圖案。這些矩形凹進(jìn)32形成在與第一和 第二基板的顯示電極和尋址電極相交處的單元發(fā)光區(qū)域相匹配的位 置。從而，這些矩形凹進(jìn)32也與尋址電極ADD中形成的紫外光透光 孔HOLE相匹配。隨后，在凹進(jìn)32的內(nèi)表面形成反射層，并且其中填 充有熒光粉。
圖8是第二實施例的等離子顯示面板的橫剖視圖。該等離子顯示 面板與圖2所示的第一實施例不同，不同點在于劃分單元發(fā)光區(qū)域的 隔壁16在第一基板10上形成，MgO構(gòu)成的保護(hù)層/二次電子發(fā)射層 15的組合形成在介電層14和隔壁16的表面。第二實施例的其它方面 與第一實施例相同。
由透明電極12和總線電極13構(gòu)成的顯示電極11形成在透明的第 一基板10上，介電層14形成為覆蓋顯示電極11。帶狀圖案或水平壁 和垂直壁構(gòu)成的矩陣圖案的形式的隔壁16形成在介電層14上，并且 MgO層形成在介電層14和隔壁16上。
僅尋址電極ADD形成在透明的第二基板20上。其中熒光粉被填 充入凹進(jìn)32中的第三基板30附著于第二基板20的背面。反射層34 形成在凹進(jìn)32的內(nèi)表面上，從而將熒光體發(fā)射的光引導(dǎo)至前面?zhèn)取?br>
由于熒光體36與放電空間被第二基板20隔開，在第二實施例中 也是同樣，該熒光體不經(jīng)受伴隨放電的離子轟擊，因此其壽命能夠被 延長。另外，由于熒光粉被填充入凹進(jìn)32內(nèi)，不必要使用熒光膏，也 不需要穩(wěn)定亮度的時效步驟。
另外，由于MgO構(gòu)成的組合的保護(hù)層/二次電子發(fā)射層15而提高
了發(fā)射效率，發(fā)射效率通過凹進(jìn)32的內(nèi)表面上的反射層34而進(jìn)一步 得到提高。
由于第二實施例中熒光體設(shè)置在第三基板30上，不需要設(shè)置覆蓋 尋址電極ADD的介電層，并防止放電過程中紫外光衰減。另外，由于 熒光體設(shè)置在第三基板30中，不必要在第二基板上設(shè)置隔壁16并在 隔壁16的側(cè)壁上設(shè)置熒光體。因此，在第二實施例中，通過在第一基 板上設(shè)置隔壁16，提高了隔壁圖案的自由度。
換言之，在第二基板20上形成隔壁的情況下，在形成尋址電極 ADD之后涂敷玻璃膏，并且玻璃膏通過噴砂隨后高溫烘焙形成圖案。 在噴砂的情況下，為了保護(hù)尋址電極等，用介電層來覆蓋尋址電極 ADD。但是，如果設(shè)置介電層，紫外光被衰減，從而造成紫外光不能 充分地到達(dá)第三基板的熒光體這樣的風(fēng)險。因此，在第一基板上形成 隔壁，由于伴隨在第三基板上形成熒光體，不再需要在第二基板上形 成隔壁，消除了尋址電極上的介電層。
圖9是第二實施例的第一基板的俯視圖。盡管顯示電極11和介電 層14形成在第一基板10上，但這些沒有在圖9中顯示。圖9所示的 隔壁16具有帶狀圖案。如前所述的相同方式，實線表示隔壁的下部， 而虛線表示頂部。單元發(fā)光區(qū)域位于隔壁16的帶狀之間。
圖IO是第二實施例的第一基板的不同的俯視圖。在該實例中，隔 壁16具有由垂直方向的壁和水平方向的壁構(gòu)成的矩陣圖案，隔壁16 在四個方向上劃分單元發(fā)光區(qū)域C，并完全分隔相鄰單元發(fā)光區(qū)域C。
圖11是表示疊加在圖10的矩陣狀隔壁16上的顯示電極11和尋 址電極ADD的俯視圖。兩個相鄰顯示電極11的透明電極12被設(shè)置成 與矩陣狀隔壁16所劃分的單元發(fā)光區(qū)域C相對，并且顯示電極11的 總線電極13被設(shè)置成與在水平方向延伸的隔壁16重疊。結(jié)果，沒有 不透明的材料阻擋隔壁16所劃分的單元發(fā)光區(qū)域C，并可增加了多個 小孔。另外，尋址電極ADD的紫外光透光孔HOLE也設(shè)置在對應(yīng)于單 元發(fā)光區(qū)域C的位置處。
第二實施例中的第三基板的俯視圖與圖6和圖7的相同。
圖12是第三實施例的等離子顯示面板的橫剖視圖。第三實施例與
第二實施例的不同之處在于凹進(jìn)32形成在第二基板20的與放電空間 相反的一側(cè)上，反射層34在凹進(jìn)32的側(cè)面形成，并且熒光粉36填充 到凹進(jìn)32中。反射層34形成在第三基板30上，與熒光體36對應(yīng)之 處。另外，盡管隔壁16按照第二實施例的相同方式形成在第一基板10 上，其也可形成在第二基板上。其它結(jié)構(gòu)與第一和第二實施例的相同。 如上所述，根據(jù)本實施例，由于熒光體與放電空間被第二基板隔 離開，熒光體的壽命可得到延長，并且由于熒光體被填充到第三基板 或第二基板內(nèi)的凹進(jìn)中，在使用熒光膏時所需的時效步驟就不需要了。 另外，由于反射層設(shè)置在熒光體的周圍，并且MgO層還設(shè)置在隔壁上， 有效發(fā)射效率得到提高。
權(quán)利要求
1.一種AC型彩色等離子顯示面板，包括第一基板，一對顯示電極，其平行地設(shè)置在所述第一基板上，介電層，其覆蓋所述第一基板上的所述一對顯示電極，保護(hù)層，其覆蓋所述第一基板上的所述介電層，第二基板，其與所述第一基板相對，尋址電極，其設(shè)置在所述第二基板上，與所述一對顯示電極垂直，熒光體，其設(shè)置在所述第二基板上，其中所述熒光體被透明層覆蓋，所述透明層保護(hù)所述熒光體不受離子轟擊。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的AC型彩色等離子顯示面板， 其中所述尋址電極為透明并被設(shè)置在所述透明層之上，并且所述熒光體被設(shè)置在所述透明層之下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的AC型彩色等離子顯示面板， 其中所述熒光體被設(shè)置在所述第二基板上形成的腔室中，并且所述透明層覆蓋所述腔室。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的AC型彩色等離子顯示面板， 其中在所述第二基板上的所述腔室表面上設(shè)置有反射層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的AC型彩色等離子顯示面板， 其中在所述透明層上設(shè)置有隔壁肋，在所述隔壁肋的表面上設(shè)置有電子發(fā)射層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的AC型彩色等離子顯示面板， 其中所述保護(hù)層和所述電子發(fā)射層是MgO層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的AC型彩色等離子顯示面板， 其中所述透明層透射紫外線和可見光。
8. —種AC型彩色等離子體顯示器，包括 第一基板，一對顯示電極，其平行地設(shè)置在所述第一基板上， 介電層，其覆蓋所述第一基板上的所述一對顯示電極， 保護(hù)層，其覆蓋所述第一基板上的所述介電層， 第二基板，其與所述第一基板相對，尋址電極，其設(shè)置在所述第二基板上，與所述一對顯示電極垂直， 其中所述尋址電極為透明，并且在透明尋址電極下方設(shè)置有熒光體。
9. 一種通過使等離子體在放電空間內(nèi)放電從而進(jìn)行規(guī)定顯示的等離子顯示面板，包括第一透明基板，其在所述放電空間的一側(cè)具有多個顯示電極、介 電層、和保護(hù)層，所述介電層覆蓋所述顯示電極，所述保護(hù)層覆蓋所 述介電層，保護(hù)所述介電層不受等離子體放電過程中發(fā)生的離子轟擊 并發(fā)射二次離子；第二基板，其被設(shè)置與所述第一基板相對，且所述放電空間被布 置在所述第一基板和所述第二基板之間，所述第二基板具有多個尋址 電極，所述多個尋址電極設(shè)置在所述放電空間的一側(cè)，以與顯示電極 相交；以及第三基板，其附著于所述第二基板的與所述放電空間相反的一側(cè)， 且設(shè)置在與所述顯示電極和所述尋址電極相交的單元發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的 位置的熒光體被布置在所述第二基板與所述第三基板之間；其中所述第一基板和所述第二基板被隔壁密封，所述隔壁劃分布置在 所述第一和第二基板之間的單元發(fā)光區(qū)域。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中所述第三基板設(shè) 置具有在與所述顯示電極和所述尋址電極相交的所述單元發(fā)光區(qū)域?qū)?應(yīng)的位置的凹進(jìn)，并且所述熒光體被填充在所述凹進(jìn)中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示面板，其中所述第三基板中的所述凹進(jìn)是沿著所述單元發(fā)光區(qū)域的帶狀形式的多個開槽結(jié)構(gòu)， 或與所述單元發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的以矩陣形式形成的多個開槽結(jié)構(gòu)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子顯示面板，其中在所述第三基 板的所述凹進(jìn)中形成有反射所述熒光體發(fā)射的光的反射層，并且所述 熒光體被填充在所述反射層之上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子顯示面板，其中所述反射層是 具有Cr和Cu中的至少一種的層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中在所述等離子放 電過程中發(fā)射二次電子的二次電子發(fā)射層被設(shè)置在所述隔壁的一側(cè)表 面上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子顯示面板，其中所述保護(hù)層和 所述二次電子發(fā)射層均為MgO層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中所述尋址電極由 透明電極材料形成，在所述尋址電極中與所述熒光體對應(yīng)的位置形成 有用于透射紫外光的孔。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子顯示面板，其中所述尋址電極 的所述透明電極材料是ITO、 Sn02或Ga2Cb。
18. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中所述隔壁是具有 沿一個方向延伸的，其間布置有所述單元發(fā)光區(qū)域的多個帶狀隔壁的 結(jié)構(gòu)，或是具有其間布置所述單元發(fā)光區(qū)域的沿垂直方向延伸的多個 垂直隔壁和沿水平方向延伸的多個水平隔壁的結(jié)構(gòu)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子顯示面板，其中所述隔壁形成 在所述第二基板或所述第一基板上，并作為所述第一基板和所述第二 基板被密封的結(jié)果而被設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間。
20. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子顯示面板，其中所述第二基板是 透射紫外光和可見光的玻璃基板或樹脂基板。
21. —種通過使等離子體在放電空間內(nèi)放電從而進(jìn)行規(guī)定顯示的等離子顯示面板的制作方法，包括如下步驟在放電空間的一側(cè)上形成第一透明基板，所述第一透明基板具有 多個顯示電極、覆蓋所述顯示電極的介電層、和覆蓋所述介電層的保護(hù)層；在放電空間的一側(cè)上形成第二基板，所述第二基板具有設(shè)置成與 所述顯示電極相交的多個尋址電極；在所述第三基板中與所述顯示電極和所述尋址電極相交的單元發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成凹進(jìn)，并將熒光體填充到所述凹進(jìn)中；在所述尋址電極形成之前或所述尋址電極形成之后將所述第二基板層疊至所述第三基板的形成所述凹進(jìn)的一側(cè)；并且用隔壁密封所述第一基板和所述第二基板，所述隔壁劃分布置在兩塊基板之間的所述單元發(fā)光區(qū)域。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子顯示面板的制作方法，其中在 所述第三基板內(nèi)形成凹進(jìn)的步驟通過直接對在所述第三基板中形成所 述凹進(jìn)的區(qū)域進(jìn)行蝕刻的方法進(jìn)行。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的等離子顯示面板的制作方法，還包括 在所述第三基板的所述凹進(jìn)的內(nèi)部形成反射層的步驟，所述反射層反 射所述熒光體發(fā)射的光。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的等離子顯示面板的制作方法，還包括 在所述第一基板或所述第二基板上形成所述隔壁的步驟，和在所述隔 壁上形成二次電子發(fā)射層的步驟，所述二次電子發(fā)射層在所述等離子體放電過程中發(fā)射二次電子。
全文摘要
為了延長熒光體壽命，降低形成熒光體的生產(chǎn)成本。多個顯示電極(11)、覆蓋顯示電極(11)的介電層(14)、和覆蓋介電層(14)的保護(hù)層(15)形成在前面?zhèn)鹊谝换?10)上，與顯示電極相交并在相交處形成單元發(fā)光區(qū)域的多個尋址電極ADD形成在第二基板(20)上，第三電極(30)附著于第二基板上，其間設(shè)置熒光體(36)；第一和第二基板被隔壁(24)密封，所述隔壁(24)劃分布置在第一和第二基板之間的單元發(fā)光區(qū)域。由于熒光體(36)與放電空間被第二基板(20)隔開，防止了由于離子轟擊造成熒光體退化。
文檔編號H01J11/38GK101114562SQ20071013902
公開日2008年1月30日 申請日期2007年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月24日
發(fā)明者山中裕史, 金江達(dá)利 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司