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Al膜電極缺陷檢測裝置的制作方法

文檔序號:2929900閱讀:219來源:國知局
專利名稱:Al膜電極缺陷檢測裝置的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種等離子電視,尤其是一種等離子電視中鋁膜電極 缺陷檢測裝置,具體地說是一種鋁膜電極檢測裝置。
背景技術
交流等離子體顯示板通常由前后基板封接后充入預定的工作氣體,譬 如各種惰性氣體形成可顯示的顯示板,或由前后基板、蔭罩充當障壁組裝 封接后充入惰性氣體形成可顯示的顯示板。對于障壁型交流等離子體顯示 板,前基板結構,從玻璃基板起,有透明導電電極(IT0)做為顯示電極, IT0電極之上是Bus電極,Bus電極通常由銀(Ag)電極構成,Bus電極之 上是介質層,介質層由絕緣透明介質材料經(jīng)過高溫燒結而成;后基板結構, 從玻璃基板起,分別是尋址電極,通常由Ag電極構成,尋址電極之上是絕 緣介質層,該介質層由高溫燒結而成,介質層之上是障壁陣列。對于蔭罩 式交流等離子體顯示板,前基板結構,從玻璃基板起,有透明導電電極(ITO) 做為顯示電極,ITO電極之上是Bus電極,Bus電極通常由銀(Ag)電極構 成,Biis電極之上是介質層,介質層由絕緣透明介質材料經(jīng)過高溫燒結而成; 后基板結構,從玻璃基板起,分別是尋址電極,通常由Ag電極構成,尋址 電極之上是絕緣介質層,該介質層由高溫燒結而成,障壁由蔭罩替代,三 部分組裝封接而成。對于目前常用的上述兩類交流等離子體顯示板,采用 沒有IT0膜結構,前基板的Bus電極和后基板尋址電極可采用鋁膜(Al) 電極制成。
對于Al電極的顯示板,A1電極在采用光刻技術制程中,由于工藝條件、 工藝環(huán)境及工藝材料等原因,會產(chǎn)生A1電極的缺陷,具體表現(xiàn)為Al電極 完全斷線、不完全斷線,Al電極間連線。所有這些缺陷都將影響顯示板的 正常工作。對于A1電極間連線的缺陷,只需采用激光切斷即可,沒有特殊
性,其方法不在本實用新型之列。對于A1電極的斷線缺陷修補具有一定特 殊性,原因之一,Al膜在后續(xù)的高溫工序中極易氧化,使在A1膜表面與修 補料界面形成AL03絕緣層,造成修補失敗,原因之二,鋁膜微粒修補材料 在空氣中極易氧化,不能單獨使用,必須和銀、金等穩(wěn)定的微粒材料混合 使用,由于A1膜電極與修補材料的熱膨脹系數(shù)差異較大,導致修補失敗。 發(fā)明內容
本實用新型的目的是針對Al膜電極缺陷的檢測及現(xiàn)有Al膜電極修補 的問題,提出一種基于光學透過率對Al膜電極缺陷檢測裝置。 本實用新型的技術方案是
一種Al膜電極缺陷檢測裝置,其特征是它由安裝玻璃基板2的檢測臺 10、支架7、控制系統(tǒng)8、檢測頭6及背光光源18組成,背光光源安裝在 檢測臺10的下部、玻璃基板2的下部,支架7位于檢測臺10的上方,檢 測頭6 (可采用CCD成像傳感器和/或光敏元件加以實現(xiàn))活動安裝在滑桿 19上并能沿滑桿19作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)8相連, 滑桿19活動支承在支架7上并能沿支架7作Y方向的前后移動。
本實用新型的Al膜電極斷線的修補方法為選擇含有Ag粒子或Ag、 Al粒子共存的低溫玻璃粉修補漿料17,在控制系統(tǒng)的指令下,通過修補機 將修補漿料17送至完全斷線14或不完全斷線15處修補連通,然后進行預 烘(烘制溫度由修補漿料特性決定,通常在110 160。C,預烘時間為20秒 10分鐘),預烘結束后再用修補機的激光切割頭將修補處節(jié)割成與原電極形 狀相近的形狀,再轉入下一道介質層制備工序中,在帶有經(jīng)過預烘的修補 漿料17表面及其它正常的Al膜電極表面制備一層介質層4,再經(jīng)過高溫烘 烤工序(烘烤溫度由介質層燒結溫度決定,通常為560 580C,高溫保持時 間為10 30分鐘),將修補衆(zhòng)料17與介質層4共同燒結最終形成完好的修 補點及絕緣介質層5。
本實用新型的有益效果
1、本實用新型的Al膜電極缺陷的檢測方法具有耗時短,檢測結果準 確的優(yōu)點,適合量產(chǎn)中使用。2、 本實用新型的A1膜電極缺陷的修補方法,有效地克服了A1膜與修 補料在界面產(chǎn)生的絕緣層的影響,使Al膜電極修補后在高溫工藝后具有可 靠性,使用與以A1膜為電極結構的等離子體顯示板。
3、 本實用新型的檢測裝置結構簡單,制造方便,簡單實用。

圖1是為本實用新型具有Al膜電極圖案的基板示意圖。
圖2是為本實用新型的Al膜電極圖案缺陷檢測裝置的示意圖。
圖3為本實用新型的用掩模正片檢測Al膜電極圖案連線缺陷的示意圖。
圖4為本實用新型的用掩模負片檢測Al膜電極圖案斷線缺陷的示意圖。
圖5是Al膜電極圖案斷線缺陷種類示意圖。 圖6為本實用新型的Al膜電極圖案斷線缺陷修補步驟示意圖。
具體實施方式

以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。 實施例一。 如圖2所示。
一種Al膜電極缺陷檢測裝置,它由安裝玻璃基板2的檢測臺10、支架 7、控制系統(tǒng)8、檢測頭6及背光光源18組成,背光光源安裝在檢測臺10 的下部、玻璃基板2的下部,支架7位于檢測臺IO的上方,檢測頭6 (可 采用CCD成像傳感器和/或光敏元件加以實現(xiàn))活動安裝在滑桿19上并能 沿滑桿19作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)8相連,滑桿19 活動支承在支架7上并能沿支架7作Y方向的前后移動。
對于沒有IT0膜結構的等離子體顯示板的基板1,按照制造過程,與 Al膜電極相關的工序有包括玻璃基板2、通過光刻技術將蒸鍍在玻璃基 板的Al膜制成Al膜電極圖案3、在Al膜電極上面制成一層絕緣的介質層 4,再經(jīng)過高溫燒結而成絕緣介質層5,如圖1所示。用于檢測Al膜電極在 制程中產(chǎn)生的連線缺陷的檢測裝置主要由安裝玻璃基板2的檢測臺10、支
架7、控制系統(tǒng)8、檢測頭6及背光光源18組成,背光光源安裝在檢測臺 10的下部、玻璃基板2的下部,支架7位于檢測臺10的上方,檢測頭6 (可 采用CCD成像傳感器和/或光敏元件加以實現(xiàn))活動安裝在滑桿19上并能 沿滑桿19作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)8相連,滑桿19 活動支承在支架7上并能沿支架7作Y方向的前后移動。其中的檢測頭包 括CCD攝像頭及光強探頭,支架7可供檢測頭6作X、 Y方向步進行走,控 制系統(tǒng)8為包含光強比對判定程序、缺陷位置記錄程序、控制修補機使用 激光切斷程序、控制修補機修補程序等軟件的計算機系統(tǒng),見圖2。檢測連 線缺陷方法的是將Al膜電極掩模版的正片9與基板1的Al膜電極圖案3 以對位標志重合的方式放置于帶有背光的檢測臺10上,使Al膜電極圖案 與間隙的透光性質與掩模正片正好相同,如圖3所示,在控制系統(tǒng)8作用 下,檢測頭6在X、 Y方向以適當?shù)墓獍邔λ鶛z測的基板進行掃描檢測,當 測得的位置上的光強低于事先測定的沒有連線的光強標準值,表明該區(qū)域 有連線缺陷ll使透光率下降,系統(tǒng)給出提示,通過CCD進一步確定是否為 連線缺陷11,從而在控制系統(tǒng)中記錄連線的位置,為后道的切斷修補程序 提供指令。
檢測斷線缺陷的方法是將Al膜電極掩模版的負片12與基板1的Al膜 電極圖案3以對位標志重合的方式放置于帶有背光的檢測臺10上,使Al 膜電極圖案與間隙的透光性質與掩模負片正好相反,見圖4,在控制系統(tǒng)8 作用下,檢測頭6在X、 Y方向以適當?shù)墓獍邔λ鶛z測的基板進行掃描檢測, 當測得的位置上的光強高于事先測定的沒有斷線線的光強標準值,表明該 區(qū)域有斷線缺陷使透光率增大,系統(tǒng)給出提示,通過CCD進一步確定是否 為完全斷線14、不完全斷線15和不影響顯示效果而不需要修補的不完全連 線16等信息,斷線缺陷類型如圖5所示,從而在控制系統(tǒng)中記錄斷線的位 置,為后道的切斷修補程序提供指令。
修補Al膜電極圖案3的完全斷線14或不完全斷線15的方法是,選擇 含有Ag粒子或Ag、 Al粒子共存的低溫玻璃粉漿料17,在控制系統(tǒng)的指令 下,通過修補機將修補漿料17將完全斷線14或不完全斷線15修補連通,
設定140 160°C,時間20 50S,及340 480。C,時間20 50S的兩道預 烘工藝,再用修補機的激光切割成與原電極形狀相近的形狀,轉入下一道 工序,介質層的制備,即在帶有經(jīng)過預烘的修補漿料17表面及其它正常的 Al膜電極表面制備了一層介質層4,經(jīng)過介質層所需高溫工序,580°C燒結, 高溫保持時間為10 30分鐘,將修補漿料17與介質層4共同燒結,形成 完好的修補點及絕緣介質層5,修補方法的步驟如圖6所示。 實施例二。
在上述實施例一中,檢測出A1膜斷線缺陷后,采用修補料17將完全 斷線14或不完全斷線15修補連通,設定140 160°C,時間20 50S,進 行第一道預烘,對修補點采用施加壓力,壓強范圍在2 50Par,再經(jīng)過第二 道預烘,其它步驟如實施例一所示,構成了實施例二。
實施例三。
在上述實施例一中,在完成A1膜斷線缺陷修補、預烘和整形后,進行 介質層的制備,即在帶有經(jīng)過預烘的修補漿料17表面及其它正常的Al膜 電極表面制備了一層介質層4,在對介質層進行高溫燒結時,對燒結箱體通 入惰性氣體保護,如高純氮氣,將修補漿料17與介質層4在氮氣氣氛中共 同燒結,形成完好的修補點及絕緣介質層5。
本實施例僅給出了部分具體的應用例子,但對于從事平板顯示器的專 利人員而言,還可根據(jù)以上啟示設計出多種變形產(chǎn)品,這仍被認為涵蓋于 本實用新型之中。
權利要求1、一種Al膜電極缺陷檢測裝置,其特征是它由安裝玻璃基板(2)的檢測臺(10)、支架(7)、控制系統(tǒng)(8)、檢測頭(6)及背光光源(18)組成,背光光源安裝在檢測臺(10)的下部、玻璃基板(2)的下部,支架(7)位于檢測臺(10)的上方,檢測頭(6)活動安裝在滑桿(19)上并能沿滑桿(19)作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)(8)相連,滑桿(19)活動支承在支架(7)上并能沿支架(7)作Y方向的前后移動。
專利摘要一種Al膜電極缺陷檢測裝置,屬于平板電視技術領域,其特征是它由安裝玻璃基板(2)的檢測臺(10)、支架(7)、控制系統(tǒng)(8)、檢測頭(6)及背光光源(18)組成,背光光源安裝在檢測臺(10)的下部、玻璃基板(2)的下部,支架(7)位于檢測臺(10)的上方,檢測頭(6)活動安裝在滑桿(19)上并能沿滑桿(19)作X方向的左右移動,它通過連接線與控制系統(tǒng)(8)相連,滑桿(19)活動支承在支架(7)上并能沿支架(7)作Y方向的前后移動。本實用新型具有結構簡單,制造方便,簡單實用,耗時短,檢測結果準確的優(yōu)點。
文檔編號H01J9/42GK201060837SQ200720036018
公開日2008年5月14日 申請日期2007年4月26日 優(yōu)先權日2007年4月26日
發(fā)明者雄 張, 朱立鋒, 青 李, 林青園, 王保平 申請人:南京華顯高科有限公司
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