專利名稱：發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)一種發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)一種具有良好定位效 果的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)是半導(dǎo)體材料制成的發(fā)光元件，可將電 能轉(zhuǎn)成光，其具有壽命長、體積小、驅(qū)動電壓低等良好的電氣與機(jī)械特性，故已被 廣泛應(yīng)用在日常生活的產(chǎn)品當(dāng)中。
現(xiàn)有的一種發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)如圖1所示，支架結(jié)構(gòu)包括一絕緣塑膠底座 10以及一金屬芯片承座20。如圖所示，絕緣塑膠底座IO具有一槽型穿孔12，槽 型穿孔12是用以卡置金屬芯片承座20。利用槽型穿孔12與金屬芯片承座20相互 鉚合以使金屬芯片承座20定位于絕緣塑膠底座10中。其后，發(fā)光二極管芯片再設(shè) 置于金屬芯片承座20上方的凹槽22內(nèi)并電性連接以形成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
當(dāng)電壓流通至發(fā)光二極管芯片，其所產(chǎn)生的熱能通過金屬芯片承座20加以散 熱，然而，因金屬芯片承座20為金屬材質(zhì)，其較絕緣塑膠底座IO易熱漲冷縮，故 當(dāng)關(guān)閉電壓后，金屬芯片承座20就較易因冷卻收縮較快而自槽型穿孔12脫落，嚴(yán) 重的話會影響到發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品壽命。因此，隨著發(fā)光二極管的大量使用， 如何通過改善絕緣塑膠底座與金屬芯片承座的結(jié)合性來增加發(fā)光二極管的使用壽 命，亦是業(yè)界關(guān)心的重要議題之一。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本實(shí)用新型目的之一是提供一種發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)， 利用凸出部凸出金屬承載構(gòu)件的周緣以防止金屬承載構(gòu)件因較絕緣座容易熱漲冷 縮而由絕緣座中脫離。
本實(shí)用新型目的之一是提供一種發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，于金屬承載構(gòu)件上形 成凸出其周緣的凸出部，通過凸出部卡固于絕緣座內(nèi)以增加絕緣座與金屬承載構(gòu)件 的結(jié)合性。
為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，包括 一絕緣座以 及一金屬承載體；其中金屬承載體設(shè)置于絕緣座內(nèi)并暴露出金屬承載體的一上表面 與一下表面，且金屬承載體具有一凸出部凸出金屬承載體的周緣并延伸至絕緣座內(nèi)。


以下通過具體實(shí)施例配合附圖詳加說明，以便容易了解本實(shí)用新型的目的、 技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效；其中
圖1為現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)合示意圖。
圖2A、圖2B、圖2C、圖2D及圖2E分別為本實(shí)用新型不同實(shí)施例的發(fā)光二 極管支架結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3A為本實(shí)用新型的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)的俯視圖。 圖3B是圖3A的A-A線段剖視圖。
具體實(shí)施方式
其詳細(xì)說明如下，所述較佳實(shí)施例僅做一說明而并非用以限定本實(shí)用新型。 首先，請先參考圖2A，圖2A為本實(shí)用新型的一實(shí)施例的發(fā)光二極管支架的 結(jié)構(gòu)剖視圖。如圖所示，發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)包括一絕緣座100以及一金屬承載體 200。于本實(shí)施例中，絕緣座100的材質(zhì)包括不導(dǎo)電性高分子。金屬承載體200設(shè) 置于絕緣座100內(nèi)并暴露出金屬承載體200的一上表面202與一下表面204，其中 金屬承載體200具有一凸出部210凸出其周緣206并包覆于絕緣座100內(nèi)。
接續(xù)上述說明，于本實(shí)施例中，金屬承載體200為一上窄下寬設(shè)計，而如圖 所示，金屬承載體200的上表面202與下表面204可分別凸出絕緣座IOO外，但可 以理解的是，金屬承載體200的上表面202與下表面204亦可僅局部凸出絕緣座 100外。其凸出或暴露出絕緣座100的上表面202是用以設(shè)置發(fā)光二極管芯片；而 凸出或暴露出絕緣座100的下表面204可方便其后將整個發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)配置于一 外界散熱裝置上以加強(qiáng)散熱功能。
于又一實(shí)施例中，發(fā)光二極管支架還包括一凹槽230設(shè)置于金屬承載體200 的上表面202用以承載發(fā)光二極管芯片(圖中未示)，但可以理解的是，凹槽230為 一選擇性設(shè)計，發(fā)光二極管芯片亦可直接設(shè)置于金屬承載體200的上表面202。
接著，請參考圖2B，于又一實(shí)施例中，金屬承載體200的凸出部210又可形 成為一第一凸出部212與一第二凸出部214。如圖所示，第一凸出部212是與第二 凸出部214形成一階梯狀結(jié)構(gòu)。但其并不限于此，第二凸出部214亦可朝與第一凸 出部212垂直、約略垂直或是呈一角度的方向往絕緣座100內(nèi)延伸(圖中未示)?？?以理解的，不論是第一凸出部212或第二凸出部214，其皆是由金屬承載座200的 周緣206向外凸出并與絕緣座100相互卡合，以避免金屬承載體200因熱脹冷縮而 與絕緣座100分離。另外，凸出部210并不限于兩階段凸出，多階段凸出部亦包括 于本實(shí)用新型內(nèi)。
請接續(xù)參考圖2C及圖2D，第一凸出部212與第二凸出部214亦可分別凸出 金屬承載體200。另外，凸出部210可對稱或不對稱凸出金屬承載體200的周緣206。 除此之外，發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)還可包括一凹部220陷入金屬承載體200的周緣 206，如圖2E所示，其中凹部220與凸出部210可配合使用來增加金屬承載體200 與絕緣座100的結(jié)合性。
接續(xù)上述說明，于又一實(shí)施例中，各凸出部210可如凸緣那樣環(huán)設(shè)于金屬承 載體200的周緣206;另外，其亦可如塊狀、條狀或片狀等形狀的凸塊對稱或不對 稱凸出金屬承載體200的周緣206，如圖3A及圖3B所示，其為本實(shí)用新型又一 實(shí)施例的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)的俯視圖及其A-A線段剖視圖。于本實(shí)施例中，各 凸出部216亦可錯位設(shè)置于周緣206以有效增加金屬承載體200與絕緣座100的卡 合力，進(jìn)而防止金屬承載體200因較絕緣座IOO容易熱脹冷縮而掉出絕緣座100。
依據(jù)上述，本實(shí)用新型特征之一是形成凸出部凸出金屬承載體周緣，其中凸 出部可具有多階段凸出部形成如階梯狀的凸出結(jié)構(gòu)。此外，凸出部的形狀不限于如
凸緣那樣環(huán)設(shè)于金屬承載體周緣，亦可為塊狀、條狀或片狀等形狀的凸塊凸出金屬 承載體的周緣。換言之，凸出部的形狀、位置、大小可依據(jù)使用者在不影響發(fā)光二 極管支架結(jié)構(gòu)的前提下做變化，工藝上相當(dāng)具有彈性。
綜合上述，本實(shí)用新型是提供一種發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，利用凸出部凸出金 屬承載體的周緣以防止金屬承載體因較絕緣座容易熱漲冷縮而由絕緣座中脫離。另 外，于金屬承載體上形成凸出其周緣的凸出部，通過凸出部卡固于絕緣座內(nèi)以增加 絕緣座與金屬承載體的結(jié)合性。
以上所述的實(shí)施例僅為說明本實(shí)用新型的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使熟悉 本技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以的限定本實(shí)用新型 的專利范圍，即凡是根據(jù)本實(shí)用新型所揭示的精神所作的等同的變化或修飾，仍應(yīng) 涵蓋在本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，包含一絕緣座；以及一金屬承載體；其特征在于該金屬承載體設(shè)置于該絕緣座內(nèi)并暴露出該金屬承載體的一上表面與一下表面，其中該金屬承載體具有一凸出部凸出該金屬承載體的周緣并包覆于該絕緣座內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該絕緣座的材料包 含不導(dǎo)電性高分子。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該凸出部包含一第一凸出部及一第二凸出部。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一凸出部與該 第二凸出部形成一階梯狀結(jié)構(gòu)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二凸出部是朝 與該第一凸出部呈一角度的方向往該絕緣座內(nèi)延伸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬承載體還包 含一凹部設(shè)置于該金屬承載體周緣。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬承載體的該 上表面是凸出該絕緣座。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬承載體的該 上表面是部份凸出該絕緣座。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于還包含一凹槽設(shè)置 于該金屬承載體的該上表面。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬承載體的 該下表面是凸出該絕緣座。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其特征在于該金屬承載體的 該下表面是部份凸出該絕緣座。
專利摘要本實(shí)用新型有關(guān)一種發(fā)光二極管支架結(jié)構(gòu)，其包括一絕緣座以及一金屬承載體。其中，金屬承載體設(shè)置于絕緣座內(nèi)并暴露出金屬承載體的一上表面與一下表面，且金屬承載體具有一凸出部凸出金屬承載體的周緣并包覆于絕緣座內(nèi)。本實(shí)用新型利用至少一個凸出部凸出金屬承載體周緣以避免金屬承載體受熱漲冷縮影響而從絕緣座中脫離。
文檔編號F21V21/00GK201062770SQ20072014708
公開日2008年5月21日 申請日期2007年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月5日
發(fā)明者朱振豐, 陳原富 申請人:復(fù)盛股份有限公司