專利名稱：燈用箔片連接件的制作方法
燈用箔片連接件
背景技術(shù)：
本發(fā)明總體上涉及具有收縮密封件(pinched seal)的電燈，其中導(dǎo)電箔片 插在該收縮體中。具體地，本發(fā)明涉及由抗氧化層保護(hù)防止氧化的鉬箔片。
具有石英玻璃燈殼的電燈通常具有通過鉬箔片與內(nèi)電極連接的鉬制外 電流導(dǎo)體。箔片用在收縮密封區(qū)域。箔片由于比較厚的鉬導(dǎo)體柔韌，因而 能夠更好地吸收收縮區(qū)域中作用于導(dǎo)體上的應(yīng)力。鉬在氧化環(huán)境中(例如， 于約350°C以及更高的溫度，在空氣中)迅速氧化。在鉬箔片用于氣密收縮 及真空成型密封件的情況下，這種氧化可造成開路或者可使密封件裂開， 造成開路或者使密封件裂開均導(dǎo)致燈失效。認(rèn)為發(fā)生氧化反應(yīng)的原因在于， 在密封操作過程中在玻璃質(zhì)材料冷卻時(shí)在引線周圍形成微通道。這些微通 道允許氧氣進(jìn)入燈密封件的箔片區(qū)域。
已開發(fā)出滲鉻工藝，用于減少燈工作過程中Mo-Nb引腳-箔片組件 (pin-foil assembly)的氧化。在這些工藝中，在箔片上沉積較厚的鉻層。由于 工藝過程控制方面的困難，這些工藝常產(chǎn)生并不令人滿意的結(jié)果。另外， 為了不發(fā)生氧化，滲鉻層僅允許箔片溫度緩慢上升。還提出了用堿金屬硅 酸鹽涂覆暴露于氧化環(huán)境的密封區(qū)域中的鉬。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的示例性實(shí)施方式中，提供燈用箔片連接件(foil connector)。 該箔片連接件包括由導(dǎo)電材料形成的基底層、用于減少燈工作期間基底氧 化的涂層。該涂層包括基底上包含貴金屬的第一涂層；通過第一涂層與 基底隔開的第二涂層，該第二涂層包含貴金屬；以及任選的通過第一和第 二涂層與基底隔開的第三涂層，該第三涂層包含貴金屬。
另一方面，提供一種燈。該燈包括封殼。提供至少一個(gè)內(nèi)電極，用于 在燈工作期間在封殼內(nèi)產(chǎn)生放電。該燈還包括外連接件以及使外連接件與
內(nèi)電極電連接的箔片連接件。該箔片連接件包括由導(dǎo)電材料形成的基底層。 基底上的第一涂層包含貴金屬。第二涂層通過第一涂層與基底隔開。該第二涂層包含貴金屬。任選地，第三涂層通過第一和第二涂層與基底隔開， 該第三涂層(在存在的情況下)包含貴金屬。
另 一方面，制造箔片連接件的方法包括提供包含導(dǎo)電材料的基底層。 將貴金屬沉積在基底上，以在基底上形成第一層。使貴金屬的沉積停止一 段時(shí)間。然后將貴金屬沉積在第一層上，以在基底上形成比第一層厚的第 二層。任選地，使貴金屬的沉積再次停止一段時(shí)間，然后將貴金屬沉積在 第二層上，以在基底上形成第三層。


圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式一個(gè)方面的包括箔片連接件的燈的側(cè)截面
圖2是示例圖1所示箔片連接件的放大透視圖；和 圖3是用于圖1所示燈中的涂覆箔片一種實(shí)施方式的一部分的放大截 面圖。
具體實(shí)施例方式
示例性實(shí)施方式的方面涉及提高放電燈用導(dǎo)電箔片連接件(例如含鉬 箔片)的抗氧化性的系統(tǒng)和方法，該導(dǎo)電箔片連接件例如可位于鉬和玻璃質(zhì) 材料之間的收縮密封件中以提供電燈內(nèi)外電極之間的電連接。在各方面中， 示例性方法提高暴露于約250。C 約700。C的氧化環(huán)境的鉬的抗氧化性。因 而，可提高包圍鉬箔片的氣密密封件和使用這種密封件的電燈的壽命。示 例性箔片包括涂層，該涂層位于暴露于氧化環(huán)境的密封區(qū)域中的鉬的至少 一部分上。
已發(fā)現(xiàn)在額定條件(使鉬箔片達(dá)到約400 450。C)下工作的燈在沒有適當(dāng) 控制電壓的情況下可達(dá)到較高的溫度。例如，在沒有很好地控制電壓的情 況下，箔片可達(dá)到500~550。C。對(duì)于大功率的燈例如用于娛樂場所如劇院照 明、夜總會(huì)照明等的燈尤為如此。因而，燈的失效遠(yuǎn)比通常所預(yù)期的發(fā)生 地快。示例性涂層抑制鉬箔片的氧化，從而即使在箔片達(dá)到超過450°C的 溫度如500-600°C或更高溫度的情況下，在燈工作期間延長的一段時(shí)間內(nèi)， 箔片連接件的氧化速度也未高到足以成為燈失效的決定因素。
參考圖1，示例性燈10包括光源12例如卣管(halogen tube)。管12包括透光封殼14，該透光封殼通常由透明玻璃質(zhì)材料例如石英、熔融石英或
,硅鋁酸鹽制成。該封殼限定內(nèi)腔16。該封殼14可適當(dāng)?shù)赝扛灿蠻V或紅外 反射涂層。該示例性燈可以是以至少約500W,如至少約1000W，在一種實(shí) 施方式中高達(dá)約4kW或更高功率工作的高強(qiáng)度放電(HID)燈。因而，該燈可 在較熱的情況下運(yùn)行。
氣密密封于腔16中的是鹵素填充物，通常包括惰性氣體例如氙或氪以 及卣素源例如卣代烷(如曱基溴或其他溴代曱烷)。 一對(duì)內(nèi)電極18、 20從相 對(duì)端水平伸入腔16并限定間隙22以用于支持燈工作期間的放電。盡管以 鴒電極18 、 20作為可激勵(lì)元件(energizable element)對(duì)示例性燈進(jìn)行了描述， 但還可預(yù)想到其它可激勵(lì)元件例如燈絲。
在以下說明中，所有百分比均按重量計(jì)，除非另外指出。
內(nèi)電極18、 20可主要由導(dǎo)電材料例如鴒制成，例如由至少50%的鵠， 在一種實(shí)施方式中至少約80%或至少99%的鎢制成。內(nèi)電極18、 20的縱軸 與腔16的縱軸X-X重合。如隨后更加詳細(xì)描述地那樣，內(nèi)電極18、 20通 過箔片連接件28、 30與外連接件或引腳24、 26電連接。盡管在所示實(shí)施 方式中，電極18直接通過箔片28與外連接件24連接，但還可預(yù)想到一個(gè) 或多個(gè)中間電連接件可將箔片連接件28與電極18隔開，對(duì)電極20而言與 之類似。另外，盡管將連接件24、 26示意為從燈的相對(duì)端延伸，但還可預(yù) 想到所述連接件可從燈的同 一 端平行延伸。
外連接件24、 26向外延伸至位于封殼14相應(yīng)端的底座32、 34以與電 源電連接。連接件24、 26可以是針狀或管狀并且可主要由導(dǎo)電材料例如鉬 或鈮制成，例如由至少約50%的鉬，在一種實(shí)施方式中至少約80%或至少 99%的鉬制成。還可預(yù)想到其它導(dǎo)電材料例如鉬合金，如鉬鎳合金。
如圖2所示，箔片連接件28、 30在垂直于縱軸的方向上具有厚度，該 厚度明顯小于相鄰連接件24、 26和內(nèi)電極18、 20的厚度。箔片連接件28、 30可在其端部處焊接、釬焊或連接到相應(yīng)的外連接件24、 26和內(nèi)電極18、 20上。在燈的組裝過程中，使玻璃質(zhì)封殼材料在箔片連接件28、 30區(qū)域收 縮以形成密封件36、 38。箔片連接件28、 30各自具有明顯大于箔片連接件 厚度的寬度和長度。例如，箔片連接件的厚度可小于約0.5 mm,例如為 0.2-0.3mm，箔片連接件的寬度和長度分別為至少1 mm,通常為至少2mm。
在被電源激勵(lì)時(shí)，間隙內(nèi)的放電22產(chǎn)生光照以及熱能。熱能可通過電極18、 20和/或玻璃質(zhì)材料傳導(dǎo)至收縮區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)箔片連接件28、 30趨于變熱。
盡管結(jié)合鴒-卣燈對(duì)示例性實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但應(yīng)當(dāng)理解的是，還 可替換性地使用其它光源，例如陶乾金屬卣化物電弧管等。如本文所用， 術(shù)語"可激勵(lì)元件，，包括燈絲以及通電流時(shí)產(chǎn)生光的其它可激勵(lì)材料，例 如陶瓷金屬卣化物電弧管電極之間間隙中的金屬卣化物填充物。
如圖3所示，箔片連接件28包括由鉬或其合金如鉬-鎳合金形成的基底 層或箔片40。箔片可包含鉬作為基本成分(例如，至少10%或至少20%、40%、 50%、 60%、 80%、 90%、 95%、 99%或99.9%的鉬)以及可包含鉬作為其主 要成分(約50%或更多)。箔片40的厚度可為至少約0.1 mm且最高可為約 0.5 mm,例如為約0.2-約0.3 mm。形成在基底表面43上的涂層42抑制構(gòu) 成箔片40的材料的氧化。涂層42比箔片40薄(圖3僅示出了基底40的一 部分)。盡管圖3示出了箔片表面43上的涂層，但應(yīng)當(dāng)理解的是，類似地可 涂覆上下兩個(gè)相對(duì)的平坦表面43，即箔片40的整個(gè)表面?？深愃朴谶B接件 28形成箔片連接件30。
涂層42可包含貴金屬。通常，貴金屬在燈的工作溫度下具有比鉬小的 氧化速度。示例性貴金屬包括鉑、金、鎳及其組合和合金。例如，涂層包 含貴金屬(即單獨(dú)或組合)作為基本成分(例如，涂層42為至少10%或至少 20%、 40%、 50%、 60%、 80%、 90%、 95%、 99%或99.9%的貴金屬)。涂層 42可包括一層或多個(gè)不同的層。根據(jù)示例性實(shí)施方式形成的多層貴金屬涂 層降低箔片中鉬的氧化速度。因而，在450-700。C范圍內(nèi)選擇的溫度下，箔 片40的氧化速度低于鉬箔片或滲鉻鉬箔片的氧化速度。
示例性涂層42由基本上純的金屬(例如，至少90。/o的Au、 Pt或Ni,如 至少99%或至少99.99%)或它們的合金例如Ni/Al 、 Au/Al 、 Au/Ag 、 Au/Fe 、 Au/Cr、 Au/Mo或Au/Ni合金或者它們的組合構(gòu)成/形成，其中涂層42包含 至少30%第一列舉(貴金屬)元素，在一種實(shí)施方式中包含至少約50%。對(duì)鉑 而言，其不易形成合金，因而可以其基本上純的形式使用。鉑的熔點(diǎn)高于 金的熔點(diǎn)，因而在預(yù)計(jì)燈的工作溫度有時(shí)特別高時(shí)鉑可能比金更加適宜。
所示涂層42包括多個(gè)分別鄰接并基本上共同擴(kuò)展的涂層44、 46、 48。 盡管在示例性實(shí)施方式中示出了三個(gè)涂層，但還可使用更少或更多層。層 44、 46、 48可順次沉積在基底上以形成涂層42。各層包含作為基本成分(例如，至少10%或至少20%、 40%、 50%、 60%、 80%、 90%、 95%或99%)的 貴金屬，該貴金屬可包括一種貴金屬或者一種或多種貴金屬的混合物。在 所示實(shí)施方式中，使用相同的貴金屬或其合金形成涂層的各層。然而，還 可預(yù)想到層44、 46、 48可使用不同的貴金屬/合金。任選地，可在涂層42 外部設(shè)置外相容層(outer compatibility layer)50,例如由硅、二氧化珪、氧化 鋁、鋁及其組合形成的層，用于改善與收縮部分36、 38中玻璃質(zhì)材料的結(jié) 合。
涂層44、 46、 48可具有不同的晶粒結(jié)構(gòu)。最靠近基底的第一層44的 厚度可為至少約1.5納米(nm)且最高可為約10 nm,例如為2 nm-約5 nm, 如約3-4nm。通常選擇第一層44的厚度以至少足以提供無孔的連續(xù)層。由 于涂覆材料向基底40的頂層擴(kuò)散，因而第 一層可包含箔片材料(所示實(shí)施方 式中為鉬)和涂覆材料如柏、金或鎳的納米合金。納米合金層44的厚度可小 至幾個(gè)分子。厚度大于約10nm時(shí)，形成納米合金的趨勢減小。因而，在 厚度大于10nm時(shí)，第一層的益處沒有趨于改善。在第一層44中， 一種或 多種貴金屬的濃度可比在其它層中低，但通常為至少20%，在一種實(shí)施方 式中，為至少約50%。盡管不受限于任何理論，但應(yīng)認(rèn)為第一層作為擴(kuò)散 屏障，抑制從后續(xù)各層向箔片層40的擴(kuò)散。
第二層46可稍厚于第一層，例如厚約5-約100nm,如厚約10-20nm, 如厚約14nm,從而提供大于第一層中晶粒的晶粒結(jié)構(gòu)。通常，第二層可比 第一層厚至少約5nm。第三層48(以及任選的任何后續(xù)層)厚于第二層46, 從而提供更大的晶粒尺寸。例如，第三層48可厚約50nm-約2微米，如約 100nm-l微米，在一種實(shí)施方式中，厚約500納米。通常，第三層可比第 二層厚至少約20nm?？筛鶕?jù)燈的預(yù)期使用壽命(以小時(shí)計(jì))，選擇第三(最外) 層48的厚度。由于氧逐漸透過該層，因而該層越厚，透過該層的時(shí)間越長。 示例性第三層的厚度基于約1000小時(shí)的預(yù)期燈壽命?？寡趸繉?2的總 厚度f可至多為約l微米，通常為約600nm或以下。
相容層50(在存在的情況下)可厚約50-約500 nm,例如約100 nm。因 而，在一種實(shí)施方式中，在收縮部分中接觸玻璃質(zhì)材料的箔片連接件28、 30的外表面52(如果不存在相容層，則由涂層42提供)到箔片層40表面43 不大于約1.5微米，并且通常小于l微米。
與第一層44相比，第二和第三層46、 48可包含較高濃度的涂覆材料，這是因?yàn)橹虚g的第一層44抑制向下面基底40擴(kuò)散。在層46和48中，例 如，貴金屬的濃度可為至少約50%,在一種實(shí)施方式中，為至少約80%且 最高可達(dá)100%。在所示實(shí)施方式中，各層與后續(xù)層在晶界處直接接觸。
涂層42可通過適宜的控制沉積方法形成，例如濺射、電子束沉積、熱 蒸鍍、電鍍及其組合等。通常，順次沉積各層，從而在各層的沉積之間能 夠有足夠的時(shí)間以允許所沉積的層冷卻，以使隨后施用的層具有其自身獨(dú) 特的晶粒結(jié)構(gòu)。
例如，在一種示例性濺射方法中，將要進(jìn)行涂覆的箔片40放置在具有 由涂覆材料制成的靶(例如金或鉑靶)的可抽空腔內(nèi)。在沉積合金作為涂覆材 料的情況下，可使用包含合金的單靶?；蛘?，可使用兩個(gè)或更多個(gè)靶，每 個(gè)靶各自包含形成合金的元素中的一種。將所述腔抽至適宜的真空條件(例 如約5托氬)并在適宜的工作溫度如約300°C下開始濺射?？尚D(zhuǎn)箔片以使 兩側(cè)43均得到涂覆。
對(duì)于直接沉積在基底40上的第一層44,濺射持續(xù)進(jìn)行直至在表面43 上沉積達(dá)到所需的厚度(例如，約3-4nm的Au或Pt)。然后停止'減射。在隨 后停止期間(可持續(xù)約2分鐘或更久且通常少于約1小時(shí)，例如約5分鐘)， 箔片和第一層44可冷卻。例如，可允許箔片和第一層冷卻至約100。C或更 低。在濺射和隨后冷卻期間，第一層中的涂覆材料(例如Au或Pt)和箔片最 外部區(qū)域中的箔片材料(例如Mo)形成互擴(kuò)散固溶體，該固溶體隨即作為擴(kuò) 散屏障抑制氧滲透到下面的箔片。經(jīng)過足以形成晶面(該晶面提供第 一 和第 二層44、 46之間的晶界)的一段時(shí)間后，在工作溫度下賊射靶(或不同的貴 金屬耙)足夠長的時(shí)間，以形成第二層46，例如沉積約14 nm Au或Pt。然 后再次停止濺射，可允許經(jīng)涂覆的箔片冷卻足夠長的時(shí)間(例如至少約2分 鐘，如5分鐘，諸如第一冷卻期間)，以在第二和第三層之間形成第二晶界。 由于插入第一層44，第二涂層46沒有向下透過箔片40達(dá)到任何明顯的程 度。因而，與第一層相比，第二層包含更高濃度的涂覆材料。
然后，在工作溫度下再次賊射耙(或不同的貴金屬靶)足夠長的時(shí)間以沉 積第三層，例如約500nm的Au或Pt。在使用層50的情況下，可賊射或利 用其它控制沉積方法沉積第二靶，以形成外層。例如，在封殼的玻璃質(zhì)材 料為硅鋁酸鹽玻璃時(shí)，沉積厚約100nm的鋁層50,以提供總體上壽命較長 的燈。由此可提供與收縮部分中玻璃的良好匹配，從而形成較好的密封。對(duì)于石英封殼，可將硅或二氧化硅用于外層50。
例如可利用鉑絲通過焊接將由此制得的箔片連接件28連接在外連接件 24和內(nèi)電極18上，從而以常規(guī)方式在它們之間形成電通路?；蛘?，依靠涂 層42，可不借助任何中間焊接材料通過釬焊直接將箔片連接件28連接在電 極18和外連接件24上。然后可將組件24、 28、 18和相應(yīng)組件20、 30、 26 裝配在封殼14各端，以-使電極18、 20的端部伸入腔16并間隔適當(dāng)?shù)拈g隙 22。加熱封殼14并鄰近箔片連接件28、 30收縮封殼以形成收縮密封件36、 38。然后可使底座連接件32、 34與外電極24、 26連接?？蓪⒆罱K制得的
在燈工作期間，由此制得的燈10在涂覆箔片28上可達(dá)到500-600°C， 涂覆箔片可暴露于通常最多含約1%氧的環(huán)境中而失效速度明顯小于常規(guī) 的燈。
所描述的多層涂層結(jié)構(gòu)42在箔片40的表面上形成類似彈簧的機(jī)構(gòu)， 部分地由于晶粒尺寸梯度(越鄰近箔片晶粒越小，越遠(yuǎn)離箔片晶粒越大)，該 機(jī)構(gòu)能夠吸收收縮部分36、 38中的應(yīng)力。除了改善抗氧化性以外，該特性 還降低了燈的失效，從而使包含涂覆箔片的燈具有總體上較長的平均壽命。 可通過示例'性涂覆箔片實(shí)現(xiàn)的其它優(yōu)點(diǎn)包括將箔片氧化溫度提高至約 600。C或更高，以及提供更好的導(dǎo)電通路和改善的工藝控制。
以下實(shí)施例證實(shí)涂層抑制氧化的有效性，而不意圖限制示例性實(shí)施方 式的范圍。
實(shí)施例
在燈環(huán)境之外進(jìn)行加速試驗(yàn)以評(píng)價(jià)涂層。在第一個(gè)試驗(yàn)中，厚約 0.025mm的鉬箔片涂覆有類似于層44、 46厚度分別為4 nm和14 nm的第 一和第二金層44、 46。在這些試驗(yàn)中沒有使用第三層。由于擴(kuò)散進(jìn)入鉬基 底40,形成稍厚于4 nm的納米合金第一層44并且其上具有厚約14 nm的 晶面。涂覆樣品在加熱至700。C的爐中暴露于空氣(25%的氧)。歷經(jīng)三天， 未觀察到晶體結(jié)構(gòu)或脆性的變化。隨后，開始出現(xiàn)小突起。
在第二個(gè)試驗(yàn)中，使沒有涂層的鉬箔片經(jīng)受與第 一個(gè)試驗(yàn)相同的條件。 在2-3小時(shí)內(nèi)，箔片開始顯現(xiàn)出脆性特征。鉬變?yōu)轭w粒狀并失去完整性。表 面顯微檢驗(yàn)顯示在鉬表面上具有作為氧化特征的突起。在第三個(gè)試驗(yàn)中，使具有100nm厚的二氧化硅層的鉬箔片經(jīng)受與第一 個(gè)試驗(yàn)相同的條件，以證實(shí)由此不能夠阻止鉬氧化。
通過機(jī)械沖擊和電阻測量檢測脆性。利用尖銳邊緣進(jìn)行機(jī)械沖擊使未 涂覆的箔片變成小片，這些小片大部分是大小為約500微米的氧化片。電 阻測量顯示涂覆箔片的電阻，即使在較高溫度下退火，也仍小于1歐姆， 而未涂覆箔片顯示出電阻大于1兆歐。
參考優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。顯然，通過閱讀和理解以上 詳細(xì)說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可作出改進(jìn)和改變。本發(fā)明應(yīng)理解為包括所有 這些改進(jìn)和改變。
權(quán)利要求
1. 一種燈用箔片連接件，包括由導(dǎo)電材料制成的基底層；用于減少所述基底在燈工作期間氧化的涂層，所述涂層包括所述基底上包含貴金屬的第一涂層；通過所述第一涂層與所述基底隔開的第二涂層，所述第二涂層包含貴金屬；和任選地，通過所述第一和第二涂層與所述基底隔開的第三涂層，所述第三涂層在其存在的情況下包含貴金屬。
2. 權(quán)利要求l的箔片連接件，其中所述基底包含鉬作為其基本成分。
3. 權(quán)利要求l的箔片連接件，其中所述第一涂層比所述第二涂層薄。
4. 權(quán)利要求1的箔片連接件，其中所述第一涂層的厚度小于約10nm。
5. 權(quán)利要求1的箔片連接件，其中所述第二涂層比所述第一涂層厚至 少約5 nm。
6. 權(quán)利要求1的箔片連接件，其中所述第一和第二涂層以及在存在的 情況下的第三涂層具有不同的晶粒結(jié)構(gòu)。
7. 權(quán)利要求1的箔片連接件，其中所述第一和第二涂層中的貴金屬相同。
8. 權(quán)利要求l的箔片連接件，其中至少一個(gè)所述涂層中的貴金屬包含 金、鉑和鎳中的至少一種作為基本成分。
9. 權(quán)利要求1的箔片連接件，其中所述第一和第二涂層各自包含至少 50重量％的貴金屬。
10. 權(quán)利要求9的箔片連接件，其中所述第 一涂層中的貴金屬包含金或鉑。
11. 權(quán)利要求9的箔片連接件，其中所述第二涂層中的貴金屬包含金或鉑。
12. 權(quán)利要求l的箔片連接件，其中所述涂層包括第三涂層。
13. 權(quán)利要求12的箔片連接件，其中所述第三涂層為所述箔片連接件 的最外層。
14. 權(quán)利要求l的箔片連接件，還包括含有鋁、硅、鋁氧化物、硅氧化物及其組合中至少一種的層。
15. 權(quán)利要求l的箔片連接件，其中所述基底包含鉬作為其基本成分。
16. 包括權(quán)利要求1的箔片連接件和電極的界面。
17. 包括權(quán)利要求1的箔片連接件的燈。
18. —種燈，包括 封殼；至少一個(gè)內(nèi)電極，其用于在燈工作期間在所述封殼內(nèi)產(chǎn)生放電； 外連4妄件；和使所述外連接件和所述內(nèi)電極電連接的箔片連接件，所述箔片連接件 包括由導(dǎo)電材料制成的基底層， 所述基底上包含貴金屬的第 一涂層，通過所述第一涂層與所述基底隔開的第二涂層，所述第二涂層包含貴 金屬，和任選地，通過所述第一和第二涂層與所述基底隔開的第三涂層，所述 第三涂層包含貴金屬。
19. 一種制造箔片連接件的方法，包括 提供包含導(dǎo)電材料的基底層；在所述基底上沉積貴金屬，以在所述基底上形成第一層； 使貴金屬的沉積停止一段時(shí)間；然后在所述第一層上沉積貴金屬，以在所述基底上形成比所述第一層 厚的第二層；和任選地，使貴金屬的沉積再次停止一段時(shí)間，然后在所述第二層上沉 積貴金屬，以在所述基底上形成第三層。
20. 權(quán)利要求19的方法，其中所沉積的所述第一和第二層包含金和柏 中的至少 一種作為基本成分。
21. 權(quán)利要求19的方法，其中所述沉積包括在真空腔中賊射包含所述 貴金屬的靶。
22. —種制造燈的方法，包括 通過權(quán)利要求18的方法制造箔片連接件； 利用所述箔片連接件使內(nèi)電極和外連接件之間電連接；將所述內(nèi)電極置于封殼內(nèi)；和通過在所述箔片連接件區(qū)域收縮封殼將所述封殼密封。
全文摘要
提供一種燈(10)用箔片連接件(28，30)。該箔片連接件包括由導(dǎo)電材料制成的基底層(40)。提供涂層(42)，以減少基底在燈工作期間的氧化。涂層包括基底上包含貴金屬的第一涂層(44)；通過第一涂層與基底隔開的第二涂層(46)，該第二涂層包含貴金屬；以及任選的通過第一和第二涂層與基底隔開的第三涂層(48)，該第三涂層包含貴金屬。
文檔編號(hào)H01J61/36GK101438379SQ200780016288
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2007年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月12日
發(fā)明者迪德·M·奧龍格澤布 申請(qǐng)人:通用電氣公司