專利名稱：可切換分支式離子導向器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般來說涉及質(zhì)譜儀，并且更具體地涉及用于質(zhì)譜儀的四極離 子導向器。
背景技術：
四極離子導向器在質(zhì)譜儀領域中用于在質(zhì)譜儀區(qū)域之間傳輸離子已 經(jīng)是公知的?？偟膩碚f，這種離子導向器由兩對加長電極構(gòu)成，其中這兩 對加長電極上施加有相位相反的射頻電壓。由此徑向產(chǎn)生的基本為四極的 電場將離子限制在離子導向器內(nèi)以便離子沿著在離子導向器的入口和出 口端之間延伸的軸向路徑基本沒有損耗地傳輸。
在常規(guī)的質(zhì)語儀中，離子沿著離子源和至少 一個質(zhì)量分析器之間延伸 的單個路徑進行傳輸。近年來，已經(jīng)對具有更復雜體系結(jié)構(gòu)的質(zhì)譜儀系統(tǒng)
的開發(fā)極為重視，這就要求離子可選擇地在兩個或多個可替換路徑中切 換。例如，混合質(zhì)語儀可采用并行布置的兩種不同類型的質(zhì)量分析器，離 子可控制地導向到這兩個質(zhì)量分析器中所選擇的一個上。在另一個示例 中，離子可在第一路徑和第二路徑之間切換，在第一路徑中它們進入到碰 撞單元并且分裂成產(chǎn)物離子，在第二路徑上它們保持完整。在又一個示例 中，在兩種不同的離子源之一中產(chǎn)生的離子選擇性地允許進入到質(zhì)量分析器中。
這種質(zhì)譜儀的成功操作要求離子路徑的切換以不導致離子損耗到不 可接受的程度并且不區(qū)分質(zhì)量而對待的方式進行。還希望在多個路徑之間 較快地切換。現(xiàn)有技術中幾乎沒有任何設備能夠滿足這些標準。

發(fā)明內(nèi)容
大概說來，本發(fā)明的實施例采取了可切換分支式離子導向器的形式， 該可切換分支式離子導向器包括干路段、至少第一和第二分支段、以及將
千路段和分支段連接的連接點。干路和分支段可由平行布置的兩個Y型扁 平電極和在通常垂直于Y型電極平面的平面中布置的多個側(cè)電極構(gòu)成。將 相位相反的射頻電壓施加到Y(jié)型電極以及側(cè)電極上，從而將離子徑向限制 在干路段和分支段的內(nèi)部容積中。
位于連接點處的閥門部件可控地在第一位置和第二位置之間移動。當 閥門部件移動到第一位置時，第一分支萃殳"打開"，由此使離子可以在干 路段和第一分支段的內(nèi)部容積之間移動，并且第二分支段"閉合"，由此 阻止離子在干路段和第二分支段之間移動。同樣，閥門部件移動到第二位 置上閉合了第一分支段并且打開了第二分支段。以這種方式，離子可控地 在兩個路徑之間切換，第一路徑包括第一分支段內(nèi)部容積，第二路徑包括 第二分支段內(nèi)部容積。在某些實施例中，閥門部件可使用在至少一個中間 位置中，由此離子可在干路^R與第一和第二分支羊殳之間移動。
閥門部件的移動可包括轉(zhuǎn)動和/或滑動動作。閥門部件可由壓電、7Ja茲、 機電、氣動或者其他合適的裝置來可控地致動。


圖1A示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的可切換分支式離子導向器的透視 圖，其中閥門部件可在所選擇的位置之間轉(zhuǎn)動；
圖1B示出圖1A的可切換分支式離子導向器系統(tǒng)的透視圖，其中去掉 上部Y型電極以更清楚地示出離子導向器的特征；
7圖2A示出可切換分支式離子導向器的頂視圖，其中閥門部件處于第 一位置；
圖2B示出可切換分支式離子導向器的頂4見圖，其中閥門部件移動到 第二位置；
圖2C示出可切換分支式離子導向器的頂視圖，其中閥門部件移動到 中間位置；
圖3A示出采用可切換分支式離子導向器的質(zhì)譜儀體系結(jié)構(gòu)的第一示
例；
圖3B示出采用可切換分支式離子導向器的質(zhì)譜儀體系結(jié)構(gòu)的第二示
例；
圖4A示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的可切換分支式離子導向器的透視 圖，其中閥門部件可滑動地在所選位置之間移動，閥門部件位于第一位置；
圖4B示出圖4A的可切換分支式離子導向器的透視圖，其中閥門部件 已經(jīng)移動到第二位置；以及
圖4C示出圖4A的可切換分支式離子導向器的透視圖，其中閥門部件 已經(jīng)移動到第三位置。
具體實施例方式
圖1A示出根據(jù)第一實施例的包括閥門部件140的可切換分支式離子 導向器100的透^L圖。該可切換分支式離子導向器100由上部Y型平面電 極110a和下部Y型電極110b,多個側(cè)電極120a、 120b、 130a和130b形 成，其中該多個側(cè)電極120a、 120b、 130a和130b方位通常為相對Y型電 極110a和110b的平面垂直。該垂直側(cè)電極共同限定出第一分支段132, 第二分支段134,干路段136，以及將第一和第二分支段132和134與干 路段136連接的連^妻點138。盡管上部和下部平面電極110a和110b示出 為具有單片結(jié)構(gòu)，但是該分支式離子導向器的其他實施方式可采用具有分 萃殳式結(jié)構(gòu)的上部和下部電才及。
如本領域中所/^知的，通過施加合適的射頻(RF)電壓到各個電極上，可以將離子徑向限制在分支段和干路段的內(nèi)部容積內(nèi)。更特別的是，可通
過施加相位相反的RF電壓(例如，由RF/DC電源144所供給的)給Y型 電極110a和110b以及側(cè)電極120a， 120b, 130a和130b。如果想要用也 是本領域公知的方式，還可以將適量的直流(DC)分量施加到電極上以提 供離子濾質(zhì)。如本領域進一步公知的，可通過使用輔助桿(auxiliaryrod)(例 如，在Thomson等人的專利號為6,111,250的美國專利中所4皮露的)或者 其他合適的對策來產(chǎn)生軸向DC電場，從而推動離子軸向通過離子導向器 100。諸如氦氣或氮氣那樣的惰性氣體可添加到離子導向器100的內(nèi)部， 以提供離子的動力冷卻并且有助于將離子匯聚到正確的軸線上。如果想要 離子分裂，那么可在離子導向器100內(nèi)或者在進入離子導向器100之前將 離子加速到高速，使得它們與緩沖氣體的原子或分子進行能量碰撞。離子 還可與活性氣體進行低速的相互作用，并且離解成產(chǎn)物離子。還可在一個 或多個碰撞/反應單元中執(zhí)行分裂，其中該碰撞/反應單元可位于離子導向 器100的離子路徑中的上游或下游。
離子導向器100內(nèi)離子行進的路徑由定位可控閥門部件140來確定。 根據(jù)圖l的實施例，閥門部件140構(gòu)造成加長臂，該加長臂可繞著轉(zhuǎn)動點 150旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動。閥門部件140的設計參考圖1B會更容易理解，其中圖1B 示出了去掉上部Y型電極110a的離子導向器100。盡管閥門部件140在附 圖中示出為具有基本上為直的或者略微彎曲的側(cè)面，但是在離子導向器 100的一個優(yōu)選實施方式中，岡門部件140具有相對的弓形表面，該弓形 表面具有大致上與側(cè)電極130a和130b的對應彎曲部分匹配的彎曲部分。 閥門部件140可由導電材料(例如，不銹鋼)或者涂敷導電材料的絕緣體 (例如，陶資)形成。將閥門部件140布置成例如通過與側(cè)電極之一電接 觸或者經(jīng)由與RF電壓源的分立連接而與側(cè)電極通電，從而產(chǎn)生基本上四 極電場，將離子徑向限制成沿著所選路徑。由于閥門部件140優(yōu)選地構(gòu)造 成使得電場不均勻性最小，因此離子經(jīng)受的電場基本與其沿著第一或第二 分支段的位置無關。
在圖1A和1B中，閥門部件140設置在第一位置，在該第一位置中 允許離子在千路段136與第一分支段132的內(nèi)部容積之間遷移，而阻止離子在干路段136和第二分支134的內(nèi)部容積之間遷移。如下面進一步描述 的，離子導向器100本來是雙向的，可以被構(gòu)造成離子從干路段136遷 移到分支段中所選擇的一個上，或者可替換地從分支段中所選擇的一個遷 移到千路段136上。
切換式離子導向器100的切換在圖2A和2B中示出。在圖2A中，閥 門部件140設置在上述的第一位置上，在該第一位置上允許離子沿著路徑 202在第一分支段132和干路段136的內(nèi)部之間遷移。在圖2B中，閥門部 件繞著轉(zhuǎn)動點150旋轉(zhuǎn)到第二位置，在該第二位置上，離子可沿著路徑204 在第二分支段134和干路革史136的內(nèi)部容積之間遷移，而阻止離子從第一 分支段132和千路段136之間遷移。閥門部件140在第一和第二位置之間 的移動可通過本領域已經(jīng)爿〉知的各種機構(gòu)中的一個來實現(xiàn)，該各種才幾構(gòu)包 括但不局限于機電致動器、壓電致動器、液壓致動器、以及永磁致動器。 盡管具體的切換速度要求會根據(jù)其中使用分支式離子導向器100的質(zhì)譜儀 的特定結(jié)構(gòu)和應用而變化，但是通常希望切換快速進行并且沒有閥門部件 過量的"跳動"。
在分支式離子導向器IOO的某些實施方式中，有利的是允許閥門部件 140定位在第一和第二位置中間的第三位置。如圖2C所示，在該中間位置， 離子可在干路段136與兩個分支段132和134的內(nèi)部容積之間遷移。例如 可采用這種情形來將兩股從分支段流入的離子流組合成流過干路段的單 股離子流，或者可替換地將流過干路段的單股離子流分裂成通過第一和第 二分支段的兩股離子流。盡管圖2C示出該中間位置為第一和第二位置之 間的中路從而對分支段中遷移的離子起到在其間等分(或者等合)的作用， 但是也可以或者可替換地期望能將閥門部件140定位成一個或多個中間位 置，藉此離子可以優(yōu)先地(但不是排他性地)直接進入到兩個分支中的一 個，即，直接使得離子流的不等部分通過干路段136遷移到第一和第二分 支段132和134。然而，本領域的技術人員意識到在閥門部件140設置在 中間位置時離子傳輸由于四極電場的變形而嚴重反向地施加。
圖3A和3B示出了采用分支式離子導向器100的質(zhì)譜儀體系結(jié)構(gòu)的兩 個示例。在圖3A所示的第一示例中，將分支式離子導向器IOO用于可控地引導離子源302產(chǎn)生的離子流進入到質(zhì)量分析器304和306中^支選擇的 一個(或者兩者)。離子源302 (例如，其可釆用諸如電子噴霧或者氣壓化 學離子化源之類的連續(xù)離子源，或者諸如矩陣輔助(matrix-assisted)激光 解吸付離子化(MALDI)源之類的脈沖式離子源)中產(chǎn)生的離子流進干路 段136的端部，并且向連接點138遷移。根據(jù)閥門部件的位置，離子或者 進入到第一分支段132的內(nèi)部容積或者進入到笫二分支段134的內(nèi)部容積 中(或者，如果閥門部件140設置在中間位置，那么進入到這兩者的內(nèi)部 容積中)。圖3A示出閥門部件140設置在第一位置，借此將離子導入到第 一分支段132中。導入到第一分支段132的離子遷移到第一質(zhì)量分析器 304，并在此確定離子(或者它們的產(chǎn)物)的質(zhì)荷比(mass-to-charge ratio )。 同樣，導入到第二分支段134中的離子遷移到第二質(zhì)量分析器306中，用 于確定它們的質(zhì)荷比(或者它們的產(chǎn)物的質(zhì)荷比)。第一和第二質(zhì)量分析 器302和304可以類型相同或者不同，并且可包括本領J成中^^知的質(zhì)量分 析器中任何一個或者其組合，包括但不局限于四極離子閥、四極濾質(zhì)器、 靜電離子閥、飛行時間(time of flight)分析器、磁性扇區(qū)分析器、以及傅 立葉變換/離子回旋共振(FTICR)分析器。
圖3B示出儀器體系結(jié)構(gòu)的第二實施例，其中離子導向器100以與圖 3A示例相反的方位構(gòu)造，由此離子/人所選擇的一個分支l殳的內(nèi)部容積流入 到干路段136的內(nèi)部容積中。在該實施例中，應用離子導向器100以可控 地將第 一和第二離子源310和312中所選擇的 一個產(chǎn)生的離子流導入到干 路,更136中，然后導入到質(zhì)量分析器314中。離子源310和312可以采取 本領域中公知的離子源(包括但不局限于上述的那些離子源)的任何一種 或者其組合，并且可以類型相同或不同。閥門部件140的位置確定了哪些 離子流允許進入到干路段136中。圖3B示出閥門部件140設置在第一位 置中，由此離子從第一離子源310引導通過第一分支段132并導入到干路 ,殳U6中。當閥門部件140移動到第二位置時，離子從第二離子源312通 過第二分支段134遷移到干路段136中。如果閥門部件312還可定位于第 三、中間位置，那么離子可從兩個分支段遷移到千路段136中。進入到干 路段136中的離子可穿越干路段的長度并進入到質(zhì)量分析器314 (其可為 任何合適的類型，包括上述的那些)，用于確定離子和/或它們的分裂產(chǎn)物的質(zhì)4肓比。
應當知道，圖3A和3B中示出的儀器體系結(jié)構(gòu)僅僅旨在作為其中可以釆用可切換分支式離子導向器的環(huán)境的示意性示例，并且不應當考慮成將該分支式離子導向器局限為任何特定的應用。本領域的技術人員還會意識到可串聯(lián)組合兩個或更多的上述類型的可切換分支式離子導向器，以提供
三個或更多的離子路徑之間的切^:。
圖4A-4C示出可切換分支式離子導向器400的第二實施例，其具有可滑動定位的閥門部件410。分支式離子導向器400包括間隔開的上部和下部平面三叉電極420a和420b,以及方位相對上部和下部電才及420a和420b大體垂直的側(cè)電極430a、 430b、 440a和440b?？傮w來i兌，上部和下部電極以及側(cè)電極限定出第一、第二和第三分支段445、 450和455、干路段460、以及將千路段連接到分支段的連接點470。再次，如本領域所公知的，將相位相反的射頻電壓施加到上部/下部以及側(cè)電極對上，從而產(chǎn)生基本上四極的電場，其將離子徑向限制在各個段的內(nèi)部容積中。
分支式離子導向器400的切換由在通常與離子遷移的方向橫向的方向上可控地滑動閥門部件410完成。側(cè)電極430a和430b具有開口 475a和745b，其中閥門部件410的端部突出通過開口 475a和475b,從而允許其滑動。岡門部件410可實現(xiàn)為具有一組通道480a， 480b和480c形成在其中的阻塊。盡管附圖中未示出，但是這些通道會由一個或多個連接部件來橫向橋接，為閥門部件410提供結(jié)構(gòu)完整性卻較佳地基本不阻止離子流動。例如，每個通道可通過一組上部和下部U型連接部件進行橋接，這些U型連接部件具有分別固定到閥門部件410的上、下表面上的端部。通道480a、480b和480c每個都具有基本上恒定的橫截面面積，并且形狀為與限定對應分支段的電極曲面的邊緣表面匹配通道480a與第一分支段445匹配，通道480b與第二分支段450匹配，通道480c與第三分支段455匹配。閥門部件410被放置成例如通過與側(cè)電極之一電連接或者通過到RF電壓源上的分立連接而與側(cè)電極通電，以便產(chǎn)生基本上四極的電場，將離子徑向限制到沿著所選的路徑。因為閥門部件410被構(gòu)造成使得電場不均勻性最小，所以離子經(jīng)受的電場基本與其沿著第一、第二或第三分支段的位置無關。
離子導向器400內(nèi)離子行進的路徑由岡門部件410的位置來確定。圖4A， 4B和4C分別示出閥門部件410在其第一，第二和第三位置上。在第一位置上，離子遷移允許在千路段460與第一分支段445的內(nèi)部容積之間進行并且在干路段460與第二和第三分支段450和455的內(nèi)部容積之間阻斷(由于固體表面的出現(xiàn))。當閥門部件移動到圖4B所示的第二位置上時，離子遷移允許在干路段460與第二分支段450的內(nèi)部容積之間進行，而在千路段460與第 一和第三分支段445和455的內(nèi)部容積之間阻斷。最后，當閥門部件移動到圖4C所示的第二位置上時，離子遷移允許在干路l更460與第三分支段455的內(nèi)部容積之間進行，而在干路段460與第一和笫二分支段445和450的內(nèi)部容積之間阻斷。閥門部件410在各個位置之間的移動可通過本領域中公知的各種機構(gòu)中的一個來實現(xiàn)，這些機構(gòu)包括但不局限于機電致動器、壓電致動器、液壓致動器、以及永磁致動器。
這里所述的實施例對本發(fā)明起說明作用。因為本發(fā)明的這些實施例參考圖示說明進行描述，但是所描述的方法和/或特定結(jié)構(gòu)的各種變形或調(diào)整對于本領域的技術人員來說是顯而易見的。通過這些依賴于本發(fā)明的教導的修改、調(diào)整或者變形那些教導加強了該技術，所有這些修改、調(diào)整或者變形被認為在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。因此，我們知道本發(fā)明絕不僅局限為圖示說明的實施例，故這些說明書和附圖不應當被認為有限制意義。
1權(quán)利要求
1、一種可切換分支式離子導向器，包括干路段、第一分支段、第二分支段、以及將該干路段與第一和第二分支段相連的連接點，干路段以及第一和第二分支段中每一個都包括至少兩個電極對，其中將相位相反的射頻電壓施加到該至少兩個電極對上；以及位于連接點上的閥門部件，該閥門部件可在第一位置和第二位置之間移動，該第一位置允許離子遷移在干路段與第一分支段的內(nèi)部容積之間進行并且阻止離子遷移在干路段與第二分支段的內(nèi)部容積之間進行，該第二位置允許離子遷移在干路段與第二分支段的內(nèi)部容積之間進行并且阻止離子遷移在干路段與第一分支段的內(nèi)部容積之間進行。
2、 權(quán)利要求1的離子導向器，其中該閥門部件包括可繞轉(zhuǎn)動點旋轉(zhuǎn) 的臂。
3、 權(quán)利要求1的離子導向器，其中該閥門部件包括具有多個通道的 可滑動阻塊。
4、 權(quán)利要求1的離子導向器，其中離子從干路段的內(nèi)部容積穿行到 笫一和第二分支段中所選擇的一個分支段的內(nèi)部容積中。
5、 權(quán)利要求1的離子導向器，其中離子從笫一和第二分支段中所選 擇的一個分支段的內(nèi)部容積穿行到干路段的內(nèi)部容積中。
6、 權(quán)利要求1的離子導向器，其中該閥門部件可移動到第三位置， 該第三位置允許離子遷移在干路段的內(nèi)部容積與第一和第二分支段的內(nèi) 部容積之間進行。
7、 權(quán)利要求1的離子導向器，其中第一和第二分支段、干路段以及 連接點由第一和第二 Y型平面電極以及多個平面?zhèn)入姌O限定，該第一和第 二Y型平面電極以大體平行、間隔開的關系來布置，該多個平面?zhèn)入姌O的 方位相對該Y型電才及大體垂直。
8、 權(quán)利要求7的離子導向器，其中該閥門部件包括可繞轉(zhuǎn)動點旋轉(zhuǎn) 的臂，該臂具有相對的弓形表面，該弓形表面具有與對應的側(cè)電極基本上匹配的曲面。
9、 權(quán)利要求1的離子導向器，其中該閥門部件由機電致動器可控地 定位。
10、 權(quán)利要求l的離子導向器，還包括第三分支段，并且其中該閥門 部件可移動到第三位置上，該第三位置允許離子遷移在干路段和第三分支 段之間進行。
11、 一種質(zhì)鐠儀系統(tǒng)，包括 離子源；可切換分支式離子導向器，該離子導向器具有構(gòu)造成從離子源接收離 子的干路段，該離子導向器還包括第一分支段、第二分支段、以及將該干路段與第一和第二分支段相連 的連接點，干路段以及第一和第二分支段中每一個都包括至少兩個電極對， 其中將相位相反的射頻電壓施加到該至少兩個電極對上；以及位于連接點上的閥門部件，該閥門部件可在第一位置和第二位置之間 移動，該第 一位置允許離子遷移從千路段的內(nèi)部容積進行到第 一分支段的 內(nèi)部容積中并且阻止離子遷移從干路段的內(nèi)部容積進行到第二分支段的 內(nèi)部容積中，該第二位置允許離子遷移從干路段的內(nèi)部容積進行到第二分 支段的內(nèi)部容積中并且阻止離子遷移從干路段的內(nèi)部容積進行到第一分 支,殳的內(nèi)部容積中；以及構(gòu)造成分別從第 一和第二分支段接收離子的第一和第二質(zhì)量分析器。
12、 權(quán)利要求11的質(zhì)譜儀系統(tǒng)，其中第一和第二質(zhì)量分析器的類型不同。
13、 權(quán)利要求11的質(zhì)譜儀系統(tǒng)，其中該閥門部件包括可繞轉(zhuǎn)動點旋轉(zhuǎn) 的臂。
14、 權(quán)利要求11的質(zhì)譜儀系統(tǒng)，其中第一和第二分支段、干路段以及 連接點由第一和第二Y型平面電極以及多個平面?zhèn)入姌O限定，該第一和第 二Y型平面電極以大體平行、間隔開的關系布置，該多個平面?zhèn)入姌O的方 位相對該Y型電極大體垂直。
15、 權(quán)利要求11的質(zhì)謹-儀系統(tǒng)，其中該閥門部件可移動到第三位置上， 該第三位置使離子遷移可以從干路段的內(nèi)部容積進行到第一和第二分支 羊殳的內(nèi)部容積中。
16、 一種質(zhì)"i脊儀系統(tǒng)，包括 第一和第二離子源；可切換分支式離子導向器，該離子導向器具有分別構(gòu)造成從第一和第 二離子源接收離子的第一和第二分支段，該離子導向器還包括干路段以及 將該千路段與第一和第二分支段相連的連接點，干路段以及第一和第二分 支段中每一個包括至少兩個電極對，其中將相位相反的射頻電壓施加到該 至少兩個電極對上；位于該連接點上的閥門部件，該閥門部件可在第一位置和第二位置之 間移動，其中該第一位置允許離子遷移從第一分支段的內(nèi)部容積進行到千 路段的內(nèi)部容積中并且阻止離子遷移從第二分支段的內(nèi)部容積進行到千 路段的內(nèi)部容積中，該第二位置允許離子遷移從第二分支段的內(nèi)部容積進 行到干路段的內(nèi)部容積中并且阻止離子遷移從第 一分支段的內(nèi)部容積進 行到干路段的內(nèi)部容積中；以及構(gòu)造成從干路段接收離子的質(zhì)量分析器。
17、 權(quán)利要求16的質(zhì)鐠儀系統(tǒng)，其中該第一和第二離子源類型不同。
18、 權(quán)利要求16的質(zhì)諳儀系統(tǒng)，其中該閥門部件包括可繞轉(zhuǎn)動點旋 轉(zhuǎn)的臂。
19、 權(quán)利要求16的質(zhì)鐠儀系統(tǒng)，其中該第一和第二分支段、干路段 以及連接點由第一和第二 Y型平面電極以及多個平面?zhèn)入姌O限定，該第一 和第二 Y型平面電極以大體平行、間隔開的關系布置，該多個平面?zhèn)入姌O 的方位相對Y型電極大體垂直。
20、 權(quán)利要求16的質(zhì)譜儀系統(tǒng)，其中該閥門部件可移動到第三位置 上，該第三位置使離子遷移從第 一和第二分支段的內(nèi)部容積進行到干路段 的內(nèi)部容積中。
21、 權(quán)利要求l的離子導向器，其中將惰性或者活性氣體加入到離子導向器的內(nèi)部容積中，為離子提供冷卻或分裂。
22、權(quán)利要求1的離子導向器，還包括用于產(chǎn)生軸向DC電場以助于推動離子通過離子導向器的裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開一種可切換分支式離子導向器。該可切換分支式離子導向器包括干路段、第一和第二分支段、將該干路段連到分支段的連接點、以及位于該連接點上的可移動閥門部件。該閥門部件可在第一位置和第二位置之間移動，其中第一位置上允許離子遷移在干路段和第一分支段之間進行，而禁止離子遷移在干路段和第二分支段之間進行，在第二位置上允許離子遷移在干路段和第二分支段之間進行，而阻止離子遷移在干路段和第一分支段之間進行。該分支式離子導向器可用來，例如可控地切換兩個目的地比如質(zhì)量分析器之間的離子流。
文檔編號H01J49/42GK101484970SQ200780016378
公開日2009年7月15日 申請日期2007年5月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月12日
發(fā)明者艾倫·E·肖恩 申請人:塞莫費尼根股份有限公司