專利名稱：等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示板包括由障壁(barrier rib)分割的放電單元內(nèi)部的熒光 體層和多個電極。
當(dāng)驅(qū)動信號被施加到等離子體顯示板的電極時，在放電單元內(nèi)部發(fā)生 放電。換言之，當(dāng)通過向放電單元施加驅(qū)動信號而使等離子體顯示M電 時，填充在放電單元中的放電氣體產(chǎn)生真空紫外線，從而使位于障壁之間 的熒光體發(fā)光，由此產(chǎn)生了可見光。由于可見光而在等離子體顯示板的屏 幕上顯示圖像。


圖1圖示了根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)； 圖2圖示了才艮據(jù)示例性實施例的等離子體顯示板的工作的例子； 圖3和4圖示了制造等離子體顯示板的方法的例子； 圖5和6是用于說明密封層的示圖7至10是用于說明珠子(bead)和上介電層的厚度之間的關(guān)系的示
圖11至13是用于說明珠子和下介電層的厚度之間的關(guān)系的示圖； 圖14和15是用于說明雙蛋珠子(double egg bead)的示圖； 圖16和17是用于說明雙蛋珠子的效果的示圖； 圖18圖示了另外形式的雙蛋珠子；
圖19至21是用于說明密封層的高度和珠子的尺寸的示5圖22是用于說明為什么密封層的高度大于障壁的高度的原因的示
圖23是用于說明制造珠子的方法的示圖24至27是用于說明珠子的形狀和珠子在密封層內(nèi)部的位置的示
圖28至30是用于說明珠子的尺寸和障壁的高度之間的關(guān)系的示圖31是用于說明啞障壁的示圖；以及
圖32圖示了根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示設(shè)備的例子。
具體實施例方式
圖1圖示了根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)。
如圖1所示，根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示板100包括前J4！ 101，掃描電極102和維持電極103彼此平行地放置在該前基板101上； 以;S^141111，尋址電極113放置在該后基仗111上以與掃描電極102 和維持電極103相交。前基板101和后基板111通過密封層(未示出)彼 此^^以彼此相對。
上介電層104放置在掃描電極102和維持電極103上，以提供掃描電 極102和維持電極103之間的電絕緣。
保護層105放置在上介電層104上以有利于放電狀態(tài)。保護層105 可以包括具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料例如氧化鎂(MgO )。
下介電層115放置在尋址電極113上，以提供尋址電極113的電絕緣。
條型、井型、三角型和蜂窩型等的障壁112放置在下介電層115上以 分割放電空間(亦即放電單元)。紅色(R)放電單元、綠色(G)放電單 元和藍(lán)色(B)放電單元等可以放置在前基板101和后基板111之間。除 了紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)放電單元之外，還可以進一步放置 白色(W)放電單元或黃色(Y)放電單元。
由障壁112分割的每個放電單元都填充有包括氙(Xe)和氖(Ne) 等的放電氣體。
熒光體層114放置在放電單元內(nèi)部，以在尋址放電期間發(fā)出用于圖像 顯示的可見光。例如，分別發(fā)出紅色(R)、藍(lán)色(B)和綠色(G)光的第一、第二和第三熒光體層可以放置在放電單元內(nèi)部。除了紅色(R)、 綠色(G)和藍(lán)色(B)光之外，還可以進一步放置發(fā)出白色或黃色光的 熒光體層。
形成在紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)放電單元內(nèi)部的熒光體層 114中的至少一個的厚度可以不同于其它熒光體層的厚度。例如，藍(lán)色(B ) 和綠色(G )放電單元內(nèi)部的第二和第三熒光體層的厚度可以大于紅色(R) 放電單元內(nèi)部的第一熒光體層的厚度。第二熒光體層的厚度可以基本上等 于或不同于第三熒光體層的厚度。
紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)放電單元的寬度可以基本上彼此 相等。進一步，紅色(R)、綠色(G)或藍(lán)色(B)放電單元中的至少一 個的寬度可以不同于其它放電單元的寬度。例如，紅色(R)放電單元的 寬度可以是最小的，而綠色(G)和藍(lán)色(B)放電單元的寬度則可以大 于紅色(R)放電單元的寬度。綠色(G)放電單元的寬度可以基本上等 于或不同于藍(lán)色(B)放電單元的寬度。因此，可以改善等離子體顯示板 上顯示的圖像的色溫。
等離子體顯示板100可以具有如圖1所示的障壁112的結(jié)構(gòu)以及不同 形式的障壁結(jié)構(gòu)。例如，障壁112包括第一障壁112b和第二障壁112a。 障壁112可以具有差別型障壁結(jié)構(gòu)，其中，第一和第二障壁112b和112a 的高度彼此不同。
在差別型障壁結(jié)構(gòu)中，第一障壁112b的高度可以小于第二障壁112a 的高度。
雖然圖1已圖示和描述了其中紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)放 電單元布置在相同的線上的情況，但是紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B) 放電單元可以以不同的模式布置。例如，可以應(yīng)用其中紅色(R)、綠色
(G)和藍(lán)色(B)放電單元布置成三角形形狀的三角型布置。進一步， 放電單元可以具有多種多邊形形狀如五邊形和六邊形形狀以及矩形形狀。
雖然圖1已圖示和描述了其中障壁112形成在后1^L111上的情況， 但是障壁112可以形成在前基tl 101或后基板111中的至少一個上。
在圖l中，上介電層104和下介電層115每個具有單層結(jié)構(gòu)。然而， 上介電層104或下介電層115中的至少一個可以具有多層結(jié)構(gòu)。
雖然放置在后基板111上的尋址電極113可以具有基本上恒定的寬度 或厚度，但是放電單元內(nèi)部的尋址電極113的寬度或厚度可以不同于放電單元外部的尋址電極113的寬度或厚度。例如，放電單元內(nèi)部的尋址電極 113的寬度或厚度可以大于放電單元外部的尋址電極113的寬度或厚度。
圖2圖示了根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示板的工作的例子。示例 性實施例不限于圖2，并且等離子體顯示板可以以不同的方式工作。
如圖2所示，在用于初始化的復(fù)位期期間，對掃描電極施加復(fù)位信號。 復(fù)位信號包括上升信號和下降信號。復(fù)位期進一步分成上升期和下降期。
在上升期期間對掃描電極施加上升信號，從而在上升期期間在放電單 元內(nèi)部產(chǎn)生弱暗放電(亦即上升放電)。因此，在放電單元內(nèi)部累積適當(dāng) 量的壁電荷。
在下降期期間對掃描電極施加下降信號，從而在放電單元內(nèi)部產(chǎn)生弱 擦除放電(亦即下降放電)。因此，剩余的壁電荷在放電單元內(nèi)部均勻到 尋址放電穩(wěn)^JL生的程度。
在復(fù)位期之后的尋址期期間，對掃描電極施加掃描偏置信號，該掃描 偏置信號基本上維持在比下降信號的最低電壓V5更高的第六電壓V6。
對掃描電極施加從掃描偏置信號下降的掃描信號。
在至少一個子場的尋址期期間施加的掃描信號的寬度可以不同于在 其它子場的尋址期期間施加的掃描信號的寬度。
子場中的掃描信號的寬度可以大于時間順序上的下一個子場中的掃 描信號的寬度。例如，在相繼排列的子場中，掃描信號的寬度可以按照 2.6 ns、 2.3 ps、 2.1jns、 1.9 p s等的順序逐漸減少,或者可以按照2.6 ji s、 2.3ns、 2.3ps、 2.1ns......1.9jus、 1.9ps等的順序減少。
如上所述，當(dāng)對掃描電極施加掃描信號時，對尋址電極施加對應(yīng)于掃 描信號的數(shù)據(jù)信號。
隨著掃描信號和數(shù)據(jù)信號之間的電壓差被添加到復(fù)位期期間產(chǎn)生的 壁電壓，在對其施加數(shù)據(jù)信號的放電單元內(nèi)部發(fā)生尋址放電。
在尋址期期間對維持電極施加維持偏置信號，以便防止維持電極的干 擾產(chǎn)生不穩(wěn)定的尋址放電。
維持偏置信號基本上維持在維持偏置電壓Vz。維持偏置電壓Vz低于 維持信號的電壓Vs并高于接地電平電壓GND。
在尋址期之后的維持期期間，可以對掃描電極或維持電極中的至少一個施加維持信號。例如，交替地對掃描電極和維持電極施加維持信號。
隨著通過執(zhí)行尋址放電選擇的放電單元內(nèi)部的壁電壓被添加到維持
信號的維持電壓Vs，每次施加維持信號時，維持放電亦即顯示放電都在 掃描電極和維持電極之間發(fā)生。
在至少一個子場的維持期期間施加多個維持信號，并且多個維持信號 中的至少一個的寬度可以不同于其它維持信號的寬度。例如，多個維持信 號中施加的第一維持信號的寬度可以大于其它維持信號的寬度。因此，維 持放電可以更加穩(wěn)定地發(fā)生。
圖3和4圖示了制造等離子體顯示板的方法的例子。
如圖3所示，密封層300形成在前J41101或后基仗lll中的至少一 個的邊緣，并且前基板101和后基敗111利用密封層300而彼此M。例
如，密封層300形成在后14iiii的啞區(qū)域中，并且前Mioi和后a
111可以通過以下彼此^^:對前基tl 101和后基敗111施加壓力以完成 接合結(jié)構(gòu)。
如圖4所示，固定裝置310如夾具設(shè)置在接合結(jié)構(gòu)的邊緣。固定裝置 310固定^結(jié)構(gòu)以1更前^41101和后141111彼此對準(zhǔn)，直到密封層300 硬化為止。
圖5和6是用于說明密封層的示圖。在下文中，省略保護層的示意圖 和描述。
如圖5所示，等離子體顯示板100的密封層400包括珠子410。
珠子410可以適當(dāng)?shù)鼐S持前基板101和后基板111之間的間隔，從而 防止驅(qū)動期間前基tl 101和后基仗111的碰撞。因此可以減少噪聲。
在沒有珠子410的情況下，如圖6所示，密封層400可能被用于在前 101和后基仗111的#^過程中使前基板101和后基板111對準(zhǔn)的固 定裝置如夾具過度擠壓。因此，前基&101和后基fellll之間的間隔可能 不均勻。
在沒有珠子410的情況下，可以如圖4所示通it4掩^結(jié)構(gòu)的邊緣設(shè) 置固定裝置來使前基仗101和后基板111對準(zhǔn)。然而，密封層400可能如 圖6所示被過度擠壓，因為固定裝置對接合結(jié)構(gòu)的邊緣施加了壓力。因此， 前^101和后基^111之間的間隔可能不均勻。進一步，前基&101由 于不均勻的間隔而與障壁112碰撞，從而可能過度產(chǎn)生噪聲。另一方面，如圖5所示，當(dāng)密封層400包括珠子410時，珠子410 支持前基&101和后141111以防止過度擠壓密封層400。因此，密封層 400的厚度可以保持恒定。進一步，可以充分防止前基仗101和障壁的碰 撞，并且可以防止噪聲。
下面來描述制造密封層400的方法的例子。
首先，混合密封材料、溶劑、粘合劑和珠子410以形成具有流動性的 密封糊劑。
其后，將密封糊劑涂敷在前a 101或后J4！ 111中的至少一個的啞 區(qū)域上，以使前基&101附著到后基tllll。
在焙燒爐中執(zhí)行用于焙燒密封糊劑的過程，以使前基板101和后^L 111之間涂敷的密封糊劑的密封材料熔化并燒灼粘合劑和溶劑。由此形成 密封層400。
如果與密封材料混合的珠子410在密封糊劑的焙燒過程中熔化，則難 以適當(dāng)?shù)鼐S持前基板101和后14llll之間的間隔。因此，不使珠子410 在焙燒過程中熔化可以是優(yōu)選的。珠子410的熔點可以高于密封材料的熔 點。珠子410的熔點可以等于或高于500匸。
除了珠子410不在密封糊劑的焙燒過程中熔化之外并不特別地限制 珠子410的材料。珠子410的材料可以是金屬、塑料、玻璃和硅等。
珠子410可以隨機地分布在密封層400內(nèi)部。大量的珠子400可以i殳 置在上介電層104和下介電層115之間。
在圖5中，R指示珠子410的尺寸，tl指示上介電層104的厚度，而 t2則指示下介電層115的厚度。
圖7至10是用于"i兌明珠子和上介電層的厚度之間的關(guān)系的示圖。
如圖7所示，珠子410設(shè)置在上介電層104和下介電層115之間。
珠子410支持前14ll01和后Ml11，以便當(dāng)前141101和后141 111接合時適當(dāng)?shù)鼐S持前基板101和后基仗111之間的間隔。上介電層104 充當(dāng)能夠防止由珠子410造成的對前基仗101的破壞的緩沖器。下介電層 115充當(dāng)能夠防止由珠子410造成的對后基板111的破壞的緩沖器。
由于珠子410,壓力可能被集中施加到上介電層104的特定部分。例 如，由于珠子410支持前^i4ll01和后141111,所以由前MlOl的重 量造成的壓力可能被集中施加到位置P。如果前MlOl過薄，則上介電層104可能會被集中施加到位置P的壓力物理地?fù)p壞。這可以等同地適用 于下介電層115。
如圖8所示，由于掃描電極102和維持電極103設(shè)置在同一層上，所 以掃描電極102和維持電極103之間的點火電壓比較高。
在上介電層104被珠子410物理地?fù)p壞的情況下，需要具有高電壓的 驅(qū)動信號以在掃描電極102和維持電極103之間產(chǎn)生放電。由于具有高電 壓的驅(qū)動信號而可能發(fā)生上介電層104的電介質(zhì)擊穿。
在圖8中，掃描電極102和維持電極103每個具有多層結(jié)構(gòu)。例如， 掃描電極102和維持電極103中的每一個可以包括透明電極102a和103a 以及匯流電極102b和103b?？梢赃M一步在透明電極102a和103a與匯流 電極102b和103b之間放置黑層500和510。
圖9是g，該表指示了當(dāng)上介電層的厚度tl與珠子的尺寸R的比 率tl/R在0.1到0.47的范圍時，在對掃描電極施加的192V、 242V、 360V 和485V中的每個電壓下，上介電層的電介質(zhì)擊穿是否發(fā)生。使用了具有 大約145 n m的尺寸R的珠子。
在圖9中，O指示上介電層的電介質(zhì)擊穿沒有發(fā)生，而X則指示上 介電層的電介質(zhì)擊穿發(fā)生。
當(dāng)比率tl/R為0.1時，上介電層的電介質(zhì)擊穿在除了 192V之外的 242V、 360V和485V下發(fā)生。在這種情況下，因為上介電層的厚度tl過 小，所以上介電層可以被珠子容易地破壞。因此，上介電層難以承受242V 的相對低的電壓。
相反地，當(dāng)比率tl/R為0.125時，上介電層的電介質(zhì)擊穿僅在485V 的高電壓下發(fā)生，并且上介電層的電介質(zhì)擊穿在192V、 242V和360V下 不發(fā)生。
由于在等離子體顯示板的驅(qū)動期間對掃描電極施加485V的高電壓是 稀有的情況，所以當(dāng)比率tl/R為0.125時可以在某種程度上保證等離子體 顯示板的可靠性。
當(dāng)比率tl/R等于或大于0.13時，上介電層的電介質(zhì)擊穿在485V的 高電壓下不發(fā)生。
圖10是指示當(dāng)比率tl/R在0.1到0.47的范圍時的驅(qū)動效率的表。在 圖10中，O指示驅(qū)動效率極好，Q指示驅(qū)動效率好，而X則指示驅(qū)動效率差。
當(dāng)比率tl/R在0.1到0.35的范圍時，因為上介電層的厚度tl足夠小， 所以可以以相對低的電壓在掃描電極和維持電極之間發(fā)生放電。因此驅(qū)動 效率極好。
當(dāng)比率tl/R在0.38到0.42的范圍時，因為上介電層的厚度tl適當(dāng)， 所以驅(qū)動效率好。
相反地，當(dāng)比率tl/R等于或大于0.46時，因為上介電層的厚度tl可 能過大，所以可以以相對高的電壓在掃描電極和維持電極之間發(fā)生放電。 在這種情況下，因為掃描電極和維持電極之間的點火電壓過高，所以驅(qū)動 效率差。
考慮到圖7至10的描述，比率tl/R可以在0.125到0.42的范圍。進 一步，比率tl/R可以在0.13到0.35的范圍。因此，當(dāng)密封層包括珠子時， 通過防止上介電層的電介質(zhì)擊穿可以提高等離子體顯示板的可靠性，并且 通過減少掃描電極和維持電極之間的點火電壓可以防止驅(qū)動效率下降。
圖11至13是用于說明珠子和下介電層的厚度之間的關(guān)系的示圖。
如圖11所示，因為前141101上的掃描電極102和后基fel 111上的 尋址電極113彼此相對地放置，所以掃描電極102和尋址電極113之間的 點火電壓可能低于掃描電極102和維持電極103之間的點火電壓。
因此，可以對尋址電極113施加比對掃描電極102或維持電極103施 加的電壓更低的電壓。進一步，提供尋址電極113的絕緣的下介電層U5 的厚度t2可以小于提供掃描電極102和維持電極103的絕緣的上介電層 104的厚度tl。
圖12是g，該表指示了當(dāng)下介電層的厚度t2與珠子的尺寸R的比 率t2/R在0.03到0.21的范圍時，在對尋址電機逸加的192V、 235V、 320V 和452V中的每個電壓下，下介電層的電介質(zhì)擊穿是否發(fā)生。使用了具有 大約145 in m的尺寸R的珠子。
在圖12中，O指示下介電層的電介質(zhì)擊穿沒有發(fā)生，而X則指示下 介電層的電介質(zhì)擊穿發(fā)生。
當(dāng)比率t2/R為0.03時，下介電層的電介質(zhì)擊穿在除了 192V之外的 235V、 320V和452V下發(fā)生。在這種情況下，因為下介電層的厚度t2過 小，所以下介電層可以被珠子容易地破壞。因此，下介電層難以承受235V
12的相對低的電壓。
相反地，當(dāng)比率t2/R為0.05時，下介電層的電介質(zhì)擊穿僅在452V 的高電壓下發(fā)生，并且下介電層的電介質(zhì)擊穿在192V、 235V和320V下 不發(fā)生。
由于在等離子體顯示板的驅(qū)動期間對尋址電極施加452V的高電壓是 稀有的情況，所以當(dāng)比率t2/R為0.05時可以在某種程度上保證等離子體 顯示板的可靠性。
當(dāng)比率t2/R等于或大于0.055時，下介電層的電介質(zhì)擊穿在452V的 高電壓下不發(fā)生。
圖13是指示當(dāng)比率t2/R在0.03到0.21的范圍時的驅(qū)動效率的表。 在圖13中，0指示驅(qū)動效率核^好，O指示驅(qū)動效率好，而X則指示驅(qū)動 效率差。
當(dāng)比率t2/R在0.03到0.14的范圍時，因為下介電層的厚度t2足夠 小，所以可以以相對低的電壓在掃描電極和尋址電極之間充分發(fā)生放電。 因此驅(qū)動效率核*好。
當(dāng)比率t2/R在0.15到0.17的范圍時，因為下介電層的厚度t2適當(dāng)， 所以驅(qū)動效率好。
相反地，當(dāng)比率t2/R等于或大于0.20時，因為下介電層的厚度t2可 能過大，所以可以以相對高的電壓在掃描電極和尋址電極之間發(fā)生放電。 在這種情況下，因為掃描電極和尋址電極之間的點火電壓過高，所以驅(qū)動 效率差。
考慮到圖11至13的描述，比率t2/R可以在0.05到0.17的范圍。進 一步，比率t2/R可以在0.055到0.14的范圍。因此，當(dāng)密封層包括珠子 時，通過防止下介電層的電介質(zhì)擊穿可以提高等離子體顯示板的可靠性， 并且通過減少掃描電極和尋址電極之間的點火電壓可以防止驅(qū)動效率下 降。
圖14和15是用于說明雙蛋珠子的示圖。
如圖14所示，多個珠子410中的至少一個可以具有使相同形狀或不 同形狀的至少兩個珠子彼此連接的形式。例如，珠子410可以包括1型笫 一珠子410a和2型第二珠子410b。第二珠子410b例如可以具有連接兩 個珠子的啞鈴形狀。如圖15所示，第二珠子410b可以包括頭部411、體部412和連接部 413，其中連接部413的尺寸小于頭部411和體部412的尺寸。連接部413 將頭部411連接到體部412。換言之，第二珠子410b是通過連接部413 連接相同形狀或不同形狀的兩個珠子(亦即頭部411和體部412 )的形式。
連接部413的截面寬度W3可以小于頭部411的截面寬度Wl和體部 412的截面寬度W2。連接部413的體積可以小于頭部411和體部412中 的每一個的體積。
如上所述，具有使至少兩個珠子彼此連接的形式的珠子(例如第二珠 子410b )被稱為雙蛋珠子。
圖16和17是用于說明雙蛋珠子的效果的示圖。
在圖16中，密封層400包括如圖16的1型第一珠子那樣的單蛋珠子 410a，并且不包括雙^"珠子。
單蛋珠子410a放置在上介電層104和下介電層115之間，并且支持 前基板101和后基板U1。在這種情況下，由于壓力被集中施加到前J41 101和后J41111的位置Pl和P2，所以存在很大的下述可能性位置Pl 處的上介電層104或位置P2處的下介電層115被物理地?fù)p壞。
相反地，如圖17所示，在密封層400包括雙蛋珠子410b的情況下， 對前基tl 101和后基fel 111施加的壓力可以^t到位置P3、 P4、 P5和P6 中。上介電層104和下介電層115被物理地?fù)p壞可能性小。進一步，可以 改善前基板101和后基板111之間的支持力。假定包括在雙蛋珠子410b 中的兩個珠子具有相同的尺寸。
圖18圖示了另外形式的雙蛋珠子。
在圖18中，(a)示出了使用連接部900c來連接兩個不同的珠子900a 和900b的雙蛋珠子，其中連接部卯0c的尺寸小于珠子卯0a和卯0b的尺 寸；(b )示出了使用兩個連接部910d和910e來連接三個珠子910a、 910b 和910c的雙蛋珠子；而(c)則示出了使用兩個連接部920d和920e來連 接三個珠子920a、 920b和920c的雙蛋珠子，其中三個珠子920a、 920b 和920c具有相同的尺寸。
雙蛋珠子的形式不限于圖18中示出的形式，而是可以進行各種改變。 例如，使四個珠子彼此連接的雙蛋珠子也是可以的。
圖19至21是用于說明密封層的高度和珠子的尺寸的示圖。
14如圖19至21所示，密封層400放置在前基板101和后基板111之間， 位于aioi和in的邊緣，以使前MlOl附著到后基板lll。密封層 400的高度h2可以大于障壁112的高度hl。因此，障壁112不接觸上介 電層104，并且與上介電層104隔開預(yù)定距離。
密封層400的珠子410適當(dāng)?shù)鼐S持前^i41101和后^i4！ 111之間的間 隔。因此，前基板101和后基敗111之間的間隔可以由珠子410的尺寸確 定。例如，假定珠子410的尺寸R為200 n m，則前差—板101和后差—板111 之間的間隔可以等于或大于200 pm。
如圖20所示，珠子410的尺寸R可以比障壁112的高度hl大AT 的量值，所以密封層400的高度h2大于障壁112的高度hl。
如圖21所示，當(dāng)包括頭部1000a、體部1000b和連接部1000c的雙 蛋珠子1000放置在水平表面1010上時，雙蛋珠子1000在垂直于水平表 面1010的方向上的最大高度可以被稱為雙蛋珠子1000的尺寸R。
如果在圖19中忽略保護層(未示出)的厚度，則上介電層104和下 介電層115之間的間隔可以基本上等于珠子410的尺寸R。
圖22是用于說明為什么密封層的高度大于障壁的高度的原因的示圖。
在圖22中，障壁112的高度hl大于密封層400的高度h2。在這種 情況下，盡管未示出，密封層400中包括的珠子的尺寸小于障壁112的高 度hl。
因此，由于密封層400的高度h2因為固定裝置如夾具施加的壓力而 小于障壁112的高度hl，所以前基tl 101可能在等離子體顯示板的驅(qū)動 期間常常與障壁112碰撞。因此，產(chǎn)生的噪聲可能增加。
另一方面，如圖19和20所示，當(dāng)珠子410的尺寸R高于障壁112 的高度hl并且密封層400的高度h2大于障壁112的高度hl時，可以防 止前J41101和障壁112之間的碰撞，并且可以減少產(chǎn)生的噪聲。
圖23是用于說明制造珠子的方法的示圖。圖24至27是用于說明珠 子的形狀和珠子在密封層內(nèi)部的位置的示圖。
首先，如圖23所示，包括多個孔1201的過濾單元1200對通過預(yù)定 過程制造的珠子1210、 1211和1212執(zhí)行過濾^Mt?？?201的直徑可以 為Rl。更加具體地，珠子1210、 1211和1212放置在過濾單元1200上。然 后，具有小于孔1201的直徑Rl的尺寸的珠子1211和1212可以穿過過 濾單元1200，而具有大于孔1201的直徑Rl的尺寸的珠子1210則不可以 穿過過濾單元1200。
經(jīng)歷了過濾過程的珠子1211和1212與密封材料混合以形成密封層。
圖24示出了具有尺寸R和長度Ll的雙蛋珠子1300。
如圖25所示，過濾單元1230使雙蛋珠子1300以雙蛋珠子1300的縱 向方向穿過過濾單元1230的孔1231以濾過雙蛋珠子1300。雙蛋珠子1300 的尺寸R小于孔1231的直徑Rl。
如圖26所示，雙蛋珠子1300可以以雙^"珠子1300的橫向方向放置 在密封層400內(nèi)部。
因為固定裝置在前a和后a的接合過程中對前基板和后基板施 加了壓力，所以雙蛋珠子1300在能夠承受壓力的方向上例如在如圖26 所示的橫向方向上放置在密封層400內(nèi)部。
雙蛋珠子1300的尺寸R可以被限定為過濾單元1230的孔1231的直 徑Rl，以便濾過雙蛋珠子1300。進一步，雙蛋珠子1300的尺寸R可以 被限定為雙蛋珠子1300在與穿過孔1231的方向垂直的方向上的最大截面 長度。
如圖27所示，(a)中示出的雙蛋珠子1310可以以能夠有效地^W 前基仗和后^1施加的壓力的方向放置在密封層400內(nèi)部。例如，雙蛋珠 子1310可以如圖27 (b )所示地放置。
雙蛋珠子1310可以在第一方向上穿過圖23的孔1201，并且還可以 以與第一方向平行的方向放置在密封層400內(nèi)部。
雙蛋珠子131的尺寸R可以被限定為雙蛋珠子1310在與第一方向垂 直的方向上的長度。
圖28至30是用于說明珠子的尺寸和障壁的高度之間的關(guān)系的示圖。
在圖28至30中，當(dāng)障壁112的高度h為125pm并且珠子的尺寸R 與障壁112的高度h的比率R/h在0.9到1.8的范圍時，測量在等離子體 顯示板的驅(qū)動期間產(chǎn)生的噪聲并觀察在相鄰放電單元之間產(chǎn)生的串?dāng)_。
在下述條件下測量噪聲噪聲測量裝置設(shè)置在等離子體顯示板前面 lm處，并且向等離子體顯示板提供相同的視頻數(shù)據(jù)。假定珠子的尺寸R基本上等于密封層的高度。
如圖28所示，當(dāng)比率R/h在0.9到0.95的范圍時，因為珠子的尺寸 R與障壁的高度h相比較小，所以前基板可能接觸障壁。因此，噪聲可能 由于前基板和障壁在驅(qū)動期間的經(jīng)常碰撞而增加，從而面板狀態(tài)差(X)。
當(dāng)比率R/h為1.01時，因為珠子的尺寸R適當(dāng)，所以可以防止前基 板和障壁的碰撞。因此，可以減少噪聲的產(chǎn)生，從而面板狀態(tài)好(O)。 在這種情況下，盡管噪聲發(fā)生，但是噪聲的產(chǎn)生量可以很少。
當(dāng)比率R/h等于或大于1.04時，珠子的尺寸R與障壁的高度h相比 較大，并且可以充分地保證障壁和前141之間的間隔。由于即使在驅(qū)動期 間發(fā)生振動也可以防止前基fel和障壁的碰撞，所以可以有效地防止噪聲的 產(chǎn)生，并且面板狀態(tài)極好(◎)。
當(dāng)比率R/h為0.9時，因為前基仗可能接觸障壁，所以不能提供相鄰 放電單元之間的電荷轉(zhuǎn)移的路徑。因此，因為由相鄰放電單元之間的電荷 轉(zhuǎn)移造成的串?dāng)_的產(chǎn)生可以減少，所以面板狀態(tài)好(O)。在這種情況下， 由于前基板的中間部分可以比其邊緣部分更凸，所以可能提供相鄰放電單 元之間的電荷轉(zhuǎn)移的iJ^圣。然而，盡管串M生，但是串?dāng)_的產(chǎn)生量可以 很少。
當(dāng)比率R/h為1.45時，前M與障壁隔開適當(dāng)距離，從而串?dāng)_的產(chǎn) 生減少。盡管相鄰放電單元之間的電荷轉(zhuǎn)移發(fā)生，但是串?dāng)_的產(chǎn)生量可以 很少。
當(dāng)比率R/h在0.95到1.37的范圍時，前^41與障壁隔開足夠小的間 隔以便防止相鄰放電單元之間的串?dāng)_。因此，可以減少串?dāng)_并且面板狀態(tài) 極好(◎)。
如圖29所示，當(dāng)比率R/h等于或大于1.7時，密封層400的高度可 能比障壁112的高度h過高。如圖29的區(qū)域A所示，前MlOl和障壁 112之間的間隔可能過寬。因此，可能增加串?dāng)_并且面板狀態(tài)差(X)。
圖30是示出海拔高度和噪聲之間的關(guān)系的曲線圖。
1型等離子體顯示板指示其中密封層沒有珠子的情況；2型等離子體 顯示板指示其中珠子的尺寸R與障壁的高度h的比率R/h為1.0 (亦即珠 子的尺寸R基本上等于障壁的高度h)的情況；而3型等離子體顯示板則 指示其中珠子的尺寸R與障壁的高度h的比率R/h為1.1的情況。
17當(dāng)在0m、 500m、 1000m、 1500m、 2000m、 2500m、 3000m和3500m 的海拔高度驅(qū)動l型、2型和3型等離子體顯示板時，測量噪聲。
通過以下計算噪聲的量在O.SkHz、 lkHz、 2kHz、 4kHz、 8kHz和 16kHz中的每一個頻率下測量噪聲，然后將在這些頻率下測量的噪聲相 加。其它實驗務(wù)fr與圖28至30的實驗務(wù)降相同。
l型、2型和3型等離子體顯示M Om的海拔高度可以具有大約22dB 的噪聲。
1型等離子體顯示板在500m、 1000m、 1500m、 2000m、 2500m、 3000m 和3500m的海拔高度可以分別具有大約22.7dB、大約24dB、大約25.8dB、 大約28dB、大約33.4dB、大約40.9dB和大約45.5dB的噪聲。
在不包括珠子的l型等離子體顯示板中，隨著海拔高度從Om上升到 3500m，噪聲從22dB上升到45.5dB。
隨著海拔高度上升，等離子體顯示板的內(nèi)部壓力高于面板的外部空氣 壓力。因此，在前基敗和障壁之間提供了小間隔，并且前基仗由于驅(qū)動期 間的振動而與障壁經(jīng)常碰撞，從而大大產(chǎn)生了噪聲。例如，由于前基tl上 的保護層和后基仗上的障壁的碰撞而可能發(fā)生噪聲。
2型等離子體顯示板在500m、 1000m、 1500m、 2000m、 2500m、 3000m 和3500m的海拔高度可以分別具有大約22.3dB、大約22.3dB、大約24dB、 大約26.7dB、大約30.1dB、大約36.5dB和大約42.2dB的噪聲。
在2型等離子體顯示板中，隨著海拔高度從0m上升到3500m，噪聲 從22dB上升到42.2dB。
3型等離子體顯示板在500m、 1000m、 1500m、 2000m、 2500m、 3000m 和3500m的海拔高度可以分別具有大約22.1dB、大約22.2dB、大約 23.1dB、大約24dB、大約25.8dB、大約27.5dB和大約30.6dB的噪聲。
在3型等離子體顯示板中，隨著海拔高度從Om上升到3500m，噪聲 從22dB上升到30.6dB。
考慮到圖28至30的描述，比率R/h可以在1.01到1.45的范圍。進 一步，比率R/h可以在1.04到1.37的范圍。
通過調(diào)整等離子體顯示板的放電氣體的壓力，可以減少圖30中的與 海拔高度相關(guān)的噪聲。
例如，在面板內(nèi)部的氣體壓力過高(亦即面板的內(nèi)部壓力高于面板的外部空氣壓力)的情況下，前基仗可能在驅(qū)動期間與障壁經(jīng)常碰撞。因此， 產(chǎn)生的噪聲可能增加。在這種情況下，即使海拔高度略微較高，噪聲的產(chǎn) 生量也可能急劇增加。
相反地，在面板內(nèi)部的氣體壓力過低的情況下，放電氣體的粒子數(shù)可 能減少。因此，在驅(qū)動期間由放電氣體產(chǎn)生的紫外線的量可能減少，并且
圖像的亮度可能下降。因此，放電氣體的壓力可以為350托(torr)至450 托。
圖31是用于說明啞障壁的示圖。
如圖31所示，等離子體顯示板可以包括有效區(qū)域，在其中放置由 障壁112分割的放電單元；啞區(qū)域，在其中放置啞障壁1500;以及密封 區(qū)域，在其中放置密封層400。
啞區(qū)域可以放置在有效區(qū)域外部，而密封區(qū)域則可以放置在啞區(qū)域外 部。啞障壁1500可以放置在密封區(qū)域中的密封層和有效區(qū)域中的障壁112 之間。
熒光體層114可以放置在有效區(qū)域的放電單元內(nèi)部。砸放電單元可以 由啞區(qū)域中的啞障壁1500分割。熒光體層114可以放置也可以不放置在 啞放電單元內(nèi)部。
啞障壁1500的高度h3可以小于密封層400的高度。啞障壁1500的 高度h3可以小于密封層400中包括的珠子410的尺寸R。因此，可以減 少噪聲的產(chǎn)生。
圖32圖示了根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示詔:備的例子。
如圖32所示，根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示設(shè)備包括顯示圖像 的等離子體顯示板卯o和顯示過濾器910。通過圖1至31詳細(xì)地描述了 等離子體顯示板卯0。
顯示過濾器910可以包括用于屏蔽來自外部的光的屏蔽層920。顯示 過濾器910可以進一步包括顏色層930和電磁干擾(EMI)屏蔽層940。
第二粘接層951可以放置在屏M 920和顏色層930之間以使屏蔽層 920附著到顏色層930。第三粘接層952可以放置在顏色層930和EMI 屏蔽層940之間以使顏色層930附著到EMI屏蔽層940。
標(biāo)號960指示M。
960提供了能夠形成屏蔽層920、顏色層930 和EMI屏蔽層940的空間。141960可以由聚合樹脂形成。顯示過濾器910可以進一步包括近紅外屏蔽層。
屏蔽層920、顏色層930、 EMI屏蔽層940和^i4l960的位置可以變 化。例如，EMI屏蔽層940可以放置在基板960上，顏色層930可以放 置在EMI屏蔽層940上，而屏蔽層920則可以放置在顏色層930上。
顯示過濾器910可以放置在等離子體顯示板卯0前面。顯示過濾器 910可以力度過濾器。例如，顯示過濾器910可以包括第一粘接層950， 并且可以使用第一粘接層950將顯示過濾器910附著到等離子體顯示板 卯0的前表面。
下面來描述顯示過濾器910是膜過濾器的原因。
顯示過濾器910主要可以分成玻璃過濾器和膜過濾器。
玻璃過濾器具有其中至少一個功能層堆疊在作為基礎(chǔ)層的玻璃^ 上的結(jié)構(gòu)。玻璃過濾器可以與等離子體顯示板的前表面隔開預(yù)定距離。
膜過濾器比玻璃過濾器更加便宜，并且可以通過層壓方法容易地附著 到等離子體顯示板的前表面。用于保持和支持玻璃過濾器的結(jié)構(gòu)對于將玻 璃過濾器定位在等離子體顯示板前面是必須的，從而增加了玻璃過濾器的 制造成本。
因為玻璃a是玻璃過濾器中的^i^rS4良，所以玻璃過濾器可以在某
種程度上防止驅(qū)動期間在等離子體顯示板中產(chǎn)生的噪聲釋放到外面。
另一方面，因為膜過濾器基于例如由聚合樹脂形成的基板，所以膜過 濾器中的驅(qū)動期間在等離子體顯示板中產(chǎn)生的噪聲的防止水平低于玻璃 過濾器中的噪聲的防止水平。膜過濾器可能造成噪聲的問題。
當(dāng)用于附著等離子體顯示板的前基敗和后a的密封層包括珠子并 且珠子的尺寸大于障壁的高度時，可以減少噪聲的產(chǎn)生。
因為根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示板包括珠子，所以可以減少噪 聲的產(chǎn)生。
盡管包括珠子的等離子體顯示板的前面放置的膜過濾器沒有防止驅(qū) 動期間在等離子體顯示板中產(chǎn)生的噪聲，但是可以解決噪聲問題并且可以 減少制造成本。
因此，由于根據(jù)示例性實施例的等離子體顯示板包括了包括珠子的密 封層和作為顯示過濾器的膜過濾器，所以可以實現(xiàn)減少制造成本以及防止 噪聲。前述實施例和優(yōu)點只是示例性的，而不是被解釋為限制本發(fā)明。# 導(dǎo)可以容易地適用于其它類型的設(shè)備。前述實施例的描述旨在進行示意而 不是限制權(quán)利要求的范圍。許多替選、修改和改變對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而 言將會是明顯的。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體顯示板，包括前基板；后基板，其與所述前基板相對地放置；障壁，其放置在所述前基板和所述后基板之間；以及密封層，其放置在所述前基板和所述后基板之間，所述密封層包括多個珠子，所述珠子的尺寸大于所述障壁的高度。
2. 如權(quán)利要求l所述的等離子體顯示板，其中，所述珠子的尺寸與 所述障壁的高度的比率在1.01到1.45的范圍。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示板，其中，所述珠子的尺寸與 所述障壁的高度的比率在1.04到1.37的范圍。
4. 如權(quán)利要求l所述的等離子體顯示板，其中，所述密封層的高度 大于所述障壁的高度。
5. 如權(quán)利要求l所述的等離子體顯示板，其中，在所述前基板上放 置有上介電層，在所述后基板上放置有下介電層，并且所述珠子的尺寸基本上等于所述上介電層和所述下介電層之間的間隔。
6. —種等離子體顯示板，包括后基板，其與所述前14M目對M置；障壁，其放置在所述前基板和所述后a之間；以及密封層，其放置在所述前基板和所述后M之間，所述密封層包括多 個珠子，所述多個珠子中的至少一個包括頭部、體部和連接所述頭部到所 述體部的連接部。
7. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示板，其中，所述連接部的截面 寬度小于所述頭部的截面寬度和所述體部的截面寬度。
8. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示板，其中，所述珠子的尺寸大 于所述障壁的高度。
9. 如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示板，其中，所述珠子的尺寸與所述障壁的高度的比率在1.01到1.45的范圍。
10. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示板，其中，所述密封層的高度 大于所述障壁的高度。
11. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示板，其中，所述多個珠子中的 至少一個具有連接相同形狀或不同形狀的至少兩個珠子的形式。
12. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示板，其中，在所述前g上放 置有上介電層，在所^基板上放置有下介電層，并且所述珠子的尺寸基本上等于所述上介電層和所述下介電層之間的間隔。
13. —種等離子體顯示板，包括 前M,在其上放置有上介電層；后基tl，在其上放置有下介電層，所述后基&與所述前^^目對； 障壁，其放置在所述前基板和所述后141之間；以及密封層，其放置在所述前基板和所i^l^之間，所述密封層包括多 個珠子，其中，所述上介電層的厚度與所述珠子的尺寸的比率在0.125到0.42 的范圍。
14. 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中，所述上介電層的 厚度與所i^子的尺寸的比率在0.13到0.35的范圍。
15. 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中，所述下介電層的 厚度與所i^K子的尺寸的比率在0.05到0.17的范圍。
16. 如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示板，其中，所述下介電層的 厚度與所述珠子的尺寸的比率在0.055到0.14的范圍。
17. 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中，所述珠子的尺寸 大于所述障壁的高度。
18. 如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示板，其中，所述珠子的尺寸 與所述障壁的高度的比率在1.01到1.45的范圍。
19. 如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中，所述密封層的高 度大于所述障壁的高度。
20.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示板，其中，所述珠子的尺寸 基本上等于所述上介電層和所述下介電層之間的間隔。
全文摘要
公開了一種等離子體顯示板。該等離子體顯示板包括前基板；后基板，其與所述前基板相對地放置；障壁，其放置在所述前基板和所述后基板之間；以及密封層，其放置在所述前基板和所述后基板之間。該密封層包括多個珠子，并且珠子的尺寸大于障壁的高度。
文檔編號H01J17/18GK101490787SQ200780027456
公開日2009年7月22日 申請日期2007年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日
發(fā)明者全佑坤, 吳在永, 金熙洛, 韓大日 申請人:Lg電子株式會社