專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示板。
技術(shù)背景通常，等離子顯示板中，在由有效障壁劃分的放電串(Cell)內(nèi)形成的熒光體層的同 時(shí)形成多個(gè)電極(Electrade)。通過(guò)這種電極向放電串提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。貝U，放電串內(nèi)通過(guò)供應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生放電。在此，在放電串內(nèi)通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)放電 時(shí)，充入放電串內(nèi)的放電氣體會(huì)產(chǎn)生真空紫外線(VacuumUltravioletrays)，這種真空紫外 線激發(fā)形成在放電串內(nèi)的熒光體，產(chǎn)生可見(jiàn)光。通過(guò)這種可見(jiàn)光，在等離子顯示板的畫 面上顯示影像。 發(fā)明內(nèi)容發(fā)明目的本發(fā)明旨在提供一種通過(guò)改善障壁形狀從而降低噪音的等離子顯示板。 技術(shù)方案本發(fā)明的等離子顯示板包括配置互相并排的第1電極和第2電極的前面基板；與前面基板對(duì)置配置的后面基板；及在前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁；障壁中，與第l電極及第2電極重疊的位置上形成沉陷部。 其中，沉陷部的高度為障壁高度的0.02倍 0.1倍。其中，沉陷部的寬度為障壁中端寬度的0.05倍 0.5倍，最好沉陷部寬度是障壁中端 寬度的O.l倍~0.2倍。其中，障壁包括互相交叉的第1障壁和第2障壁，第1障壁或第2障壁當(dāng)中至少一 個(gè)上形成上述沉陷部。有益效果本發(fā)明的等離子顯示板，通過(guò)在障壁中，在與第1電極及第2電極和重 疊位置上形成沉陷部，具有降低驅(qū)動(dòng)時(shí)障壁和上部電介質(zhì)層沖突產(chǎn)生噪音的效果。


圖1為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。 圖2為進(jìn)一步具體介紹障壁的圖片。 圖3a至圖3c為介紹障壁中形成沉陷部的理由的圖片。 圖4為更具體介紹沉陷部的寬度的圖片。圖5為介紹第1障壁和第2障壁交叉的為之中沉陷部形狀的圖片。圖6為介紹第1障壁和第2障壁交叉的為之中沉陷部的另一種形狀的圖片。圖7為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板中體現(xiàn)影像色調(diào)的影像幀(Frame)的圖片。圖8為介紹包含在影像幀的子字段中本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板操作一例的圖片。
具體實(shí)施方式
以下，參照附圖具體介紹本發(fā)明的等離子顯示板。圖1為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板結(jié)構(gòu)的圖片。首先，分析圖1，則本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示板由配置互相并排的第1電極102 和第2電極103的前面基板101，和配置與第1電極102及第2電極103交叉的第3電 極113的后面基板111接合而成。在此，雖然圖1沒(méi)有顯示第1電極102和第2電極103分別可以包含透明電極和總 線電極。透明電極(102a， 103a)可以包含銦錫氧化物(IndiumTinOxide:ITO)等透明材質(zhì)?？偩€電極(102b， 103b)可以包含銀(Ag)等電導(dǎo)性良好的金屬材質(zhì)?；?，第1電極102和第2電極103可以以單層(OneLayer)結(jié)構(gòu)組成。例如，第1電 極(102)和第2電極(103)可以是省略前述透明電極的電極，例如ITO-Less電極。而且，雖然圖1中沒(méi)有顯示，可以在前面基板101和第1電極102及第2電極103 的之間配置具有比第1電極102及第2電極103更暗顏色的黑色層。例如，第1電極102 和第2電極103分別包含透明電極和總線電極時(shí)，可以分別在第1電極102的透明電極 和總線電極的之間及第2電極103的透明電極和總線電極的之間配置黑色層。這種形成第1電極102和第2電極103的前面基板101上部，可以形成覆蓋第1電 極102和第2電極103的上部電介質(zhì)層104。上部電介質(zhì)層104限制第1電極102及第2電極103的放電電流，使第1電極(102， Y)和第2電極(103， Z)之間絕緣。可以在上部電介質(zhì)層104上面形成易化放電條件的保護(hù)層105。這種保護(hù)層105可 以由二次電子釋放系數(shù)高的材料，例如氧化鎂(MgO)組成。同時(shí)，后面基板111上配置電極，例如第3電極113，可用在這種形成第3電極113 的后面基板111上部，形成覆蓋第3電極113的下部電介質(zhì)層115。這種下部電介質(zhì)層115可以使第3電極113絕緣。這種下部電介質(zhì)層115的上部可以形成劃分放電空間即放電串的條形(StripeType)， 井形(WellType)，三角形(DeltaType)，蜂窩形等障壁112。因此，可以在面基板101和后 面基板111之間形成紅色(Red:R),綠色(Green:G)，藍(lán)色(Blue:B)等放電串。而且，紅色(R)，綠色(G),藍(lán)色(B)放電串之外，也可以再形成白色(White:W)或黃 色(Yellow:Y)放電串。同時(shí)，障壁112中，在與第l電極102和第2電極103重疊的部位形成沉陷部(圖 中未顯示)。以后將對(duì)這種沉陷部進(jìn)行更具體的介紹。同時(shí)，可以包括在本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置的等離子顯示板中的紅色(R)， 綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串的寬度可以實(shí)際相同，可以將紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串當(dāng)中的一個(gè)以上的放電串的寬度設(shè)為與其他放電串寬度不同。例如，可以設(shè)為紅色(R)放電串的寬度最小，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串的寬度大于紅 色(R)放電串的寬度。在此，綠色(G)放電串的寬度可以與藍(lán)色(B)放電串的寬度實(shí)際相同 或不同。如此設(shè)置，則設(shè)在放電串內(nèi)的熒光體層(114)寬度也隨著放電串的寬度改變。例如， 設(shè)在藍(lán)色(B)放電串的藍(lán)色(B)熒光體層寬度，要比設(shè)在紅色(R)放電串內(nèi)的紅色(R)熒光 體層寬度更寬；同時(shí)設(shè)在綠色(G)放電串內(nèi)的綠色(G)熒光體層的寬度，要比設(shè)在紅色(R) 放電串內(nèi)的紅色(R)熒光體層的寬度更寬。貝ij，可以提高所體現(xiàn)的影像色溫特性。而且，本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝置的等離子顯示板不僅可以采用圖l所示的障 壁112結(jié)構(gòu)也可以釆取多種形狀的障壁結(jié)構(gòu)。例如，可以采用障壁112包括第1障壁112b 和第2障壁112a，其中第1障壁112b的高度與第2障壁112a高度互不相同的差等型障 壁結(jié)構(gòu)。在此，如果是差等型障壁結(jié)構(gòu)，則第1障壁112b或第2障壁112a當(dāng)中第1障壁112b 的高度可以低于第2障壁112a高度。同時(shí)，雖然圖1顯示和介紹了本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板中紅色(R)，綠色(G)及 藍(lán)色(B)放電串分別排列在同一線上，但是也可以以其他形狀排列。例如，也可以采取 紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串按三角形形狀排列的三角(Delta)型排列。而且，放電 串的形狀也可以采用四角形之外的五角形，六角形等多種多角形狀。而且，圖1中只顯示障壁112設(shè)在后面基板111的例子，但是障壁112可以設(shè)在前 面基板101或后面基板111當(dāng)中的任一個(gè)基板上。在此，由障壁112劃分的放電串內(nèi)可以充入一定的放電氣體。例如，可以充入氬(Ar)， 氖(Ne)，氙(Xe)作為放電氣體。同時(shí)，由障壁112劃分的放電串內(nèi)，可以形成尋址放電時(shí)釋放顯示圖象的可見(jiàn)光的 熒光體層114。例如，可以形成紅色(Red:R)，綠色(Green:G)，藍(lán)色(Blue:B)熒光體層。而且，除了紅色(R)，綠色(G)，藍(lán)色(B)熒光體之外也可以再形成白色(White:W)及/ 或黃色(Ydlow:Y)熒光體層。而且，紅色(R)，綠色(G)及藍(lán)色(B)放電串當(dāng)中至少一個(gè)放電串的熒光體層114厚度 與其他放電串不同。例如，綠色(G)放電串的熒光體層即綠色(G)熒光體層114b，或藍(lán)色 放電串的熒光體層，即藍(lán)色熒光體層114a的厚度比紅色(R)放電串的熒光體層即紅色(R) 熒光體層114c厚度更厚，在此，綠色(G)放電串的熒光體層114厚度可以與藍(lán)色(B)放電 串的熒光體層114厚度實(shí)際相同或不同。同時(shí)，以上不過(guò)是顯示和介紹了本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板一例，在此指明本發(fā) 明并不限于具有以上結(jié)構(gòu)的等離子顯示板。例如，以上介紹中只顯示編號(hào)104的上部電介質(zhì)層及編號(hào)115的下部電介質(zhì)層分別為一個(gè)層(Layer)的例子，但是這種上部電介質(zhì)層 及下部電介質(zhì)層當(dāng)中一個(gè)以上的電介質(zhì)層可以由多個(gè)層組成。而且，形成在后面基板U1上的第3電極113的寬度或厚度可以為一定值，放電串 內(nèi)部的寬度或厚度也可以與放電串外部寬度或厚度不同。例如，放電串內(nèi)部的寬或厚度 可以比放電串外部更寬或更厚。以下，圖2為進(jìn)一步具體介紹障壁的圖片。分析圖2，則障壁112中，在與第1電極102及第2電極103重疊(Overiap)的位置 上形成沉陷部200。更具體地說(shuō)，障壁112上部部分中，與第1電極102及第2電極103 重疊部分中形成具有hl高度，Wl寬度的沉陷部200。結(jié)合附加的圖3a至圖3c，分析在障壁112形成沉陷部200的理由。圖3a至圖3c為介紹障壁中形成沉陷部的理由的圖片。首先，如圖3a所示，基板內(nèi)部即放電串內(nèi)充入的放電氣體壓力大于基板外部壓力 時(shí)，放電串內(nèi)充入的放電氣體向外釋放的力量會(huì)起作用，由此障壁112和上部電介質(zhì)層 104之間間隔會(huì)加大。在此，在上部電介質(zhì)層104上部配置保護(hù)層，但是保護(hù)層厚度很 薄可以忽視，因此介紹時(shí)忽視保護(hù)層。如此，若障壁112和上部電介質(zhì)層104裂開，則驅(qū)動(dòng)時(shí)部電介質(zhì)層104和障壁112 沖突而發(fā)生噪音。再者，障壁112與第1電極102及第2電極103重疊時(shí)，如以下圖3b所示，驅(qū)動(dòng) 時(shí)，上部電介質(zhì)層(104)和障壁112裂開的縫隙中，在第1電極102和第2電極103上部 積累璧電荷(Wallcharge)，因這種璧電荷的作用，在上部電介質(zhì)層104和障壁112裂開的 縫隙中發(fā)生放電。則會(huì)更頻繁發(fā)生上部電介質(zhì)層104和障壁112沖突，由此可以更增加 噪音的發(fā)生。例如，在海拔較高的地區(qū)驅(qū)動(dòng)等離子顯示板時(shí)，基板內(nèi)部壓力相對(duì)要比基板外部壓 力高，因此可以加劇噪音的發(fā)生。相反，如本發(fā)明一實(shí)例所示，障壁112中，若在與第1電極102及第2電極103重 疊的位置形成沉陷部200，則可以減少與障壁112的上部電介質(zhì)層104沖突的買年紀(jì)。 同時(shí)，即使障壁112與第1電極102及第2電極103重疊，也可以在障壁112上部設(shè)置 可以在第1電極102和第2電極103之間發(fā)生放電的充分的空閑空間，因此可以降低驅(qū) 動(dòng)時(shí)的噪音。而且，沉陷部200高度(hl)過(guò)高時(shí)，會(huì)削弱障壁112強(qiáng)度。相反，沉陷部200高度 (hl)過(guò)低時(shí)，不能充分防止障壁112和上部電介質(zhì)層104的沖突?？紤]這些時(shí)，沉陷部200的高度(hl)最好為障壁112高度h2的0.02倍-0.1倍。 同時(shí)，結(jié)合以下圖4，具體分析沉陷部200寬度(W1)。 圖4為更具體介紹沉陷部圖4中分析了，在沉陷部200寬度(W1)和障壁112中端寬度(W2)的比率為0.01到 0.7之間時(shí)，即沉陷部200寬度(W1)為障壁112中端寬度(W2)的0.01倍以上0.7倍以下 時(shí)，噪音的發(fā)生及障壁112的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。在此圖4中X表示噪音相對(duì)大或障壁強(qiáng)度相 對(duì)弱，表示不良；o表示良好； 表示很好。分析圖4，則沉陷部200寬度(W1)為障壁112中端寬度(W2)的0.01倍以上0.03倍 以下時(shí)，因沉陷部200寬度(W1)過(guò)小，與障壁112的上部電介質(zhì)層104沖突的面積相對(duì) 寬，因此會(huì)增加噪音，是噪音不良。在此，障壁112中端寬度(W2)是指在高度為h/2部位中的障壁112寬度。相反，沉陷部200寬度(W1)為障壁112中端寬度(W2)的0.05倍以上0.07倍以下時(shí)， 沉陷部200的寬度(W1)為恰好，因?yàn)樵胍魹榱己?。同時(shí)，沉陷部200寬度(W1)為障壁112中端寬度(W2)的0.1倍以上時(shí)，沉陷部200 寬度(W1)充分小，因此與障壁112的上部電介質(zhì)層104沖突的面積充分小。因此，噪音 為很好。而且，在障壁112結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性方面考慮時(shí)，沉陷部200寬度(W1)為障壁112中端寬 度(W2)的0.6倍以上時(shí)，沉陷部200寬度(W1)過(guò)寬，則障壁112上部末端的寬度(W3) 會(huì)過(guò)小，因此障壁112強(qiáng)度會(huì)過(guò)若。因此，障壁112結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性不良。相反，沉陷部200寬度(W1)為障壁112中端寬度(W2)的0.25倍以上0.5倍以下時(shí)， 沉陷部200寬度(W1)恰好，障壁112上部末端的寬度(W3)也會(huì)恰好。因此，障壁112結(jié) 構(gòu)穩(wěn)定性良好。同時(shí)，沉陷部200寬度(W1)為障壁112中端寬度(W2)的0.01倍以上0.2倍以下時(shí)， 障壁112上部末端的寬度(W3)充分大，因此可以充分確保障壁112強(qiáng)度。因此，障壁112 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性很好。以下，圖5為介紹第1障壁和第2障壁交叉的為之中沉陷部形狀的圖片。分析圖5，障壁112包括互相交叉的第1障壁112b和第2障壁112a時(shí)，沉陷部500 可以以條形(Stripe)形狀設(shè)在與第1電極102及第2電極103并排的第1障壁112b上。在此，若假設(shè)第l障壁112b和第2障壁112a的高度實(shí)際相同，則從第l障壁112b 角度分析時(shí)，在第l障壁112b上部形成了條形沉陷部500;從第2障壁112a角度分析 時(shí)，在第2障壁112a上部形成了點(diǎn)(Dot)狀沉陷部500。以下，圖6為介紹第1障壁和第2障壁交叉的為之中沉陷部的另一種形狀的圖片。 分析圖6，則障壁112包括互相交叉的第l障壁112b和第2障壁112a。在此，第l障 壁112b和第2障壁112a的高度互不相同時(shí)，可以在第1障壁112b或第2障壁112a當(dāng) 中任一個(gè)障壁上形成沉陷部600。例如，第l障壁112b和第2障壁112a當(dāng)中，第2障壁112a的高度更高時(shí)，可以在 第2障壁112a上形成沉陷部600。以下，圖7為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板中體現(xiàn)影像色調(diào)的影像幀(Frame) 的圖片。分析圖7，則本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示裝置中體現(xiàn)影像色調(diào)(GrayLevel)的影像 幀分為發(fā)光次數(shù)互不相同的多個(gè)子字段。而且，雖然圖中未顯示，多個(gè)子字段中的至少一個(gè)以上的子字段可以再分為初始化 所有放電串的重置期間(ResetPeriod)，選擇將要放電的放電串的尋址期間(AddressPeriod) 及根據(jù)放電次數(shù)體現(xiàn)色調(diào)的維持期間(SustainPeriod)。例如，在以256色調(diào)顯示圖像時(shí)，如圖7所示， 一個(gè)影像幀分為8個(gè)子字段(SF1 至SF8)， 8個(gè)子字段(SF1至SF8)再分別分為重置期間，尋址期間及維持期間。而且，可以通過(guò)調(diào)整提供給維持期間的維持信號(hào)個(gè)數(shù)，設(shè)定相應(yīng)子字段的色調(diào)加權(quán) 值。即，可以利用維持期間為各個(gè)子字段設(shè)定一定的色調(diào)加權(quán)值。例如，可以采用將第 1子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè)為2fl，將第2子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè)為21的方法，決定各子字 段的色調(diào)加權(quán)值，從而使各個(gè)子字段的色調(diào)加權(quán)值以2"(但是，n=0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7)的比率增加。如此，可以在各個(gè)子字段中根據(jù)色調(diào)加權(quán)值調(diào)節(jié)在各個(gè)子字段的維持期 間供應(yīng)的維持信號(hào)的個(gè)數(shù)，從而體現(xiàn)多樣的影像色調(diào)。本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板為了顯示影像，比如為顯示1秒的影像，采用多個(gè)幀。 例如，為顯示l秒的影像，采用60個(gè)影像幀。此時(shí)， 一個(gè)幀的長(zhǎng)度(T)可以是l/60秒， 即16.67ms。其中，圖7只顯示和介紹了一個(gè)幀分為8個(gè)子字段的例子，但是可以與其不同，可 以多樣變更組成一個(gè)幀的子字段的個(gè)數(shù)。例如，可以由第1子字段到第12子字段為止 的12個(gè)子字段組成一個(gè)幀，也可以由IO個(gè)子字段組成一個(gè)幀。而且，在圖7所示的一個(gè)影像幀內(nèi)各個(gè)子字段是按照色調(diào)加權(quán)值大小增加的順序排 列，但是也可以與其不同，按照色調(diào)加權(quán)值減少的順序排列，各個(gè)子字段也可以與色調(diào) 加權(quán)值無(wú)關(guān)地排列。以下，圖8為介紹包含在影像幀的子字段中本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示板的操作 一例的圖片。分析圖8，在進(jìn)行初始化的重置期間的創(chuàng)建(Set-Up)期間內(nèi)，向第l電極施加從第l 電壓VI急劇上升到第2電壓V2后，電壓再?gòu)牡?電壓V2開始逐漸下降到第3電壓 V3的上斜(Ramp-Up)信號(hào)。其中，第1電壓VI可以是接地(GND)的電壓。在這個(gè)創(chuàng)建期間內(nèi)，放電串內(nèi)通過(guò)上斜信號(hào)發(fā)生弱的暗放電(DarkDischarge)，即創(chuàng) 建放電。通過(guò)此創(chuàng)建放電，放電串內(nèi)將積累某一程度的壁電荷(WallCharge)。在創(chuàng)建期間之后的記憶(Set-Down)期間內(nèi)，可以在上斜信號(hào)之后，向第1電極提供 與這種上斜信號(hào)相反極性方向的下斜(Ramp-Down)信號(hào)。其中，下斜信號(hào)可以從上斜信號(hào)的峰值(Peak)電壓，即低于第3電壓V3的第4電壓V4逐漸下降到第5電壓V5。隨著這種下斜信號(hào)的供應(yīng)，在放電串內(nèi)發(fā)生微弱的消除放電(EraseDischarge)，即記 憶放電。通過(guò)此記憶放電，將在放電串內(nèi)均勻殘留可以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷。在重置期間之后的尋址期間內(nèi)，可以向第1電極提供實(shí)際維持比下斜信號(hào)的最低電 壓即第5電壓V5更高電壓，例如第6電壓V6的掃描偏置信號(hào)。同時(shí)，可以向第1電極提供從掃描偏置信號(hào)下降掃描電壓AVy的掃描信號(hào)(Scan)。 同時(shí)，掃描信號(hào)(Scan)的寬度可以按照子字段單位進(jìn)行變更。即，至少一個(gè)以上的子字 段中，掃描信號(hào)(Scan)的寬度可以與其他子字段中的掃描信號(hào)寬度不同。例如，在時(shí)間 上位于后位的子字段中的掃描信號(hào)(Scan)寬度可以比在前面的子字段中的掃描信號(hào) (Scan)寬度更小。而且，子字段排列順序的掃描信號(hào)(Scan)寬度減少可以采用2.6W(微 秒)，2.3/"s(微秒)，2.1〃s(微秒)，1.9//s(微秒)等漸進(jìn)的方式，或采用2.6;"s(微秒)，2.3 〃s(微秒)，2.3/"s(微秒)，2.1/"s(微秒)......1.9/"s(微秒)，1.9/"s(微秒)等方式。如此，向第1電極提供掃描信號(hào)時(shí)，可以與掃描信號(hào)對(duì)應(yīng)，向第3電極提供上升數(shù) 據(jù)電壓的大小AVd的數(shù)據(jù)信號(hào)。隨著這些掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)信號(hào)的供應(yīng)，掃描信號(hào)與數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓之差將與， 重置期間內(nèi)生成的壁電荷引起的壁電壓相加，由此在供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)的放電串內(nèi)產(chǎn)生尋址 放電。在此，在尋址期間內(nèi)，為了防止第2電極的干涉引起尋址放電的不穩(wěn)定，可以向第 2電極提供維持偏置信號(hào)。在此，維持偏置信號(hào)實(shí)際穩(wěn)定維持小于在維持期間施加維持信號(hào)的電壓，大于接地 電平(GND)的電壓的維持偏置電壓Vz。之后，在顯示影像的維持期間內(nèi)向第1電極或第2電極當(dāng)中的一個(gè)以上電極提供維 持信號(hào)。例如，可以向第l電極或第2電極交替施加維持信號(hào)。若提供這樣的維持信號(hào)，則通過(guò)尋址放電被選的放電串在隨著放電串內(nèi)壁電壓和維 持信號(hào)的維持電壓Vs相加而提供維持信號(hào)時(shí)，在第1電極或第2電極之間產(chǎn)生維持放 電即顯示放電。可以通過(guò)這種方法，在等離子顯示板畫面上顯現(xiàn)影像。如上所述，可以理解上述本發(fā)明的技術(shù)組成是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)內(nèi)人士不對(duì) 本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特點(diǎn)進(jìn)行變更，就可以以其他具體形式實(shí)施。因此，應(yīng)理解以上所記述的實(shí)例是在各方面的例示，并不是為限制。比上述詳細(xì)介 紹，更能顯示本發(fā)明的范圍的是權(quán)利要求的范圍，應(yīng)解釋為從權(quán)利要求范圍的意義及范 圍且其等價(jià)觀念導(dǎo)出的所有變更或變更形式都包括在本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1. 一種等離子顯示板，其特征在于它包括配置互相并排的第1電極和第2電極的前面基板；與上述前面基板對(duì)置配置的后面基板；及在上述前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁；上述障壁中，與上述第1電極及第2電極重疊的位置上形成沉陷部。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述沉陷部高度為上述障壁 高度的0.02倍 0.1倍。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述沉陷部寬度為上述障壁 中端寬度的0.05倍 0.5倍。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子顯示板，其特征在于上述沉陷部寬度為上述障壁 中端寬度的0.1倍 0.2倍。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于上述障壁包括互相交叉的第1 障壁和第2障壁，上述第1障壁或第2障壁當(dāng)中至少一個(gè)上形成上述沉陷部。
全文摘要
本發(fā)明所公開的等離子顯示板包括配置互相并排的第1電極和第2電極的前面基板；與前面基板對(duì)置配置的后面基板；及在前面基板和后面基板之間劃分放電串的障壁；障壁中，與第1電極及第2電極重疊的位置上形成沉陷部。本發(fā)明的等離子顯示板，因障壁中在與第1電極及第2電極和重疊位置上形成沉陷部，具有降低驅(qū)動(dòng)時(shí)障壁和上部電介質(zhì)層沖突產(chǎn)生噪音的效果。
文檔編號(hào)H01J17/49GK101266905SQ200810025548
公開日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2008年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月29日
發(fā)明者樸相憲 申請(qǐng)人:樂(lè)金電子(南京)等離子有限公司