專利名稱：：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(PDP),更具體地，涉及保持低反射亮度的PDP。
背景技術(shù)：
：.'PDP顯示裝置典型地使用例如紅、綠和藍(lán)光的可見(jiàn)光來(lái)實(shí)現(xiàn)圖像。可見(jiàn)光可以在紫外(UV)光激發(fā)光致發(fā)光材料后光致發(fā)光材料穩(wěn)定時(shí)產(chǎn)生，紫外光例如UV射線，光致發(fā)光材料例如磷光體。UV光可以由等離子體發(fā)出，等離子體可以經(jīng)由氣體放電獲得。根據(jù)其中采用的驅(qū)動(dòng)電壓的類型，PDP可以進(jìn)一步分為交流(AC)型PDP或直流(DC)型PDP。例如，PDP的放電電極可以包括布置在后基板上的尋址電極、和布置在前基板上并與尋址電極交叉的維持電極和掃描電極。放電電極還可以包括透明電極以在放電單元中產(chǎn)生表面放電，包括總線電極(buselectrode)以施加電壓到透明電極。透明電才及和總線電極每個(gè)可以由例如銦錫氧化物(ITO)的透明材料和例如黑色的不透明材料制成。因?yàn)橥该麟姌O和總線電極可以由不透明材料制成，所以可能減小外部光的反射亮度，并且可能阻擋從放電單元發(fā)射的可見(jiàn)光。
發(fā)明內(nèi)容因此示例實(shí)施例涉及一種PDP,其基本克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。因此，示例實(shí)施例的一個(gè)特征是通過(guò)優(yōu)化總線電極的寬度相對(duì)于阻擋肋(barrierrib)的寬度的比率來(lái)提供一種具有低反射亮度的PDP。示例實(shí)施例的另一個(gè)特征可以通過(guò)防止和/或減少亮度的減弱來(lái)提供一種具有最大化的效率的PDP。示例實(shí)施例的上述和其它特征中的至少一個(gè)可以一是供一種PDP，包括彼此面對(duì)地設(shè)置的第一基板和第二基板；布置在第一基板和第二基板之間限4成在放電單元中的光致發(fā)光層；以及包括尋址電極和顯示電4及的^:電電4及。尋址電+及可以沿第一方向延伸，顯示電纟及可以沿與第一方向交叉的第二方向延伸。顯示電極可以包括在第二方向上延伸的第一電極和第二電極，第一電極和第二電極可以對(duì)應(yīng)于阻擋肋。阻擋肋可以包括具有形成在第一基板一側(cè)的第一寬度Wl的寬寬度部分、和具有形成在第二基板一側(cè)的第二寬度W2的窄寬度部分。第二寬度W2可以窄于第一寬度Wl。第一電極和第二電極可以是總線電極。總線電極可以包括寬度W3,該寬度W3可以窄于阻擋肋的第一寬度而寬于阻擋肋的第二寬度。第二寬度相對(duì)第一寬度的比率(W2/W1)可以大約是0.20至0.45。第一寬度Wl可以大約是100(im到160且第二寬度可以大約是35^im到45pm。第一寬度Wl可以大約是100(im到120iam，且第二寬度W2可以大約是35pm到40(im。第一寬度Wl可以大約是60pm到100jim，且第二寬度W2可以大約是40|im到45nm?？偩€電極的第三寬度W3可以大約是第二寬度W2的一到兩倍。從阻擋肋的寬寬度部分延伸到阻擋肋的窄寬度部分，阻擋肋的表面可以是傾斜的。阻擋肋可以包括第一阻擋肋構(gòu)件和的第二阻擋肋構(gòu)件，第一阻擋肋構(gòu)件在第一方向延伸并形成在沿著第二方向的放電單元的間隙處，第二阻擋肋構(gòu)件在第一阻擋肋構(gòu)件之間沿第二方向延伸，并形成在沿第一方向的放電單元的間隙處?？偩€電極可以對(duì)應(yīng)于第二阻擋肋構(gòu)件形成在第二基板上。第二阻擋肋構(gòu)件可以包括第三阻擋肋構(gòu)件和第四阻擋肋構(gòu)件。第三阻擋肋構(gòu)件和第四阻擋肋構(gòu)件可以在第一方向上在連續(xù)的放電單元之間分開(kāi)以形成排氣通道。該P(yáng)DP可以包括連接第三阻擋肋構(gòu)件與第四阻擋肋構(gòu)件的橋接阻擋肋。該橋接阻擋肋可以在第一方向上設(shè)置在第三阻擋肋構(gòu)件和第四阻擋肋構(gòu)件之間。總線電極可以對(duì)應(yīng)于第三阻擋肋構(gòu)件和第四阻擋肋構(gòu)件形成在第二基板上。通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述示例實(shí)施例，示例實(shí)施例的以上和其它方面將對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員變得更加清晰，在附圖中圖1示出根據(jù)示例實(shí)施例的PDP的分解透^L圖；.圖2示出沿圖1的線II-n截取的剖^L圖；圖3示出圖1的示例性PDP的俯^L平面圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將參照附圖在下文充分描述示例實(shí)施例，然而，示例實(shí)施例可以以不同的形式實(shí)施，而并不應(yīng)理解為限制于這里闡述的實(shí)施例。實(shí)際上，提供這些示例實(shí)施例以使得本公開(kāi)徹底和完全，并充分地向本領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。參照?qǐng)D1，PDP1可以包括可以彼此重疊的第一基板(在下文稱為"后基板")10和第二基板(在下文稱為"前基板")20。PDP1還可以包括形成在后基板10和前基板20之間以限定放電單元17的阻擋肋16。后基板10和前基板20可以平行設(shè)置且可以彼此面對(duì)。后基板10和前基板20可以由例如鈉釣玻璃(sodalimeglass)的透明基板形成，后基板10還可以由半透明基板、反射基板或有色基板形成。可以將玻璃料(fritglass)(未示出)施加到后基板10和前基板20的內(nèi)表面的周邊區(qū)域以連接在其間，從而形成后基板10和前基板20之間的密封空間。阻擋肋16可以以預(yù)定高度形成在后基板10和前基板20之間，以分隔多個(gè)放電單元17。放電單元17可以由例如氖(Ne)、氮(Xe)、氦Ulc)或其組合的放電氣體填充，從而經(jīng)由氣體放電產(chǎn)生UV光，例如真空紫外(VUV)光?？梢栽诜烹妴卧?7中形成例如磷光體的光致發(fā)光層19,以吸收UV光并發(fā)射可見(jiàn)光。換言之，光致發(fā)光層19可以設(shè)置在放電單元17的內(nèi)表面上，使得施加到放電氣體的電壓可以激發(fā)UV光產(chǎn)生，接著由光致發(fā)光層19發(fā)射可見(jiàn)光。光致發(fā)光層19可以形成在放電單元17的內(nèi)表面的任何部分上，例如介電層13的上表面上和/或阻擋肋16的側(cè)表面上?？梢酝ㄟ^(guò)分配方法(dispensingmethod),即，用分配器(未示出)沿第一方向(即，y軸方向)移動(dòng)來(lái)分配磷光體糊，然后干燥和燒制分配的磷光體糊，形成光致發(fā)光層19。也可以采用其它方法來(lái)形成光致發(fā)光層19。光致發(fā)光層19可以由相同顏色的磷光體形成在放電單元17。此外，光致發(fā)光層19可以包括例如(Y，Gd)B03:Eu3+的發(fā)射紅光的磷光體層、例如Zn2Si04:Mn"的發(fā)射綠光的磷光體層、和例如BaMgAl,oOn:Eu"的發(fā)射藍(lán)光的磷光體層。PDP1還可以包括對(duì)應(yīng)于后基板10和前基板20之間的各個(gè)放電單元17的尋址電極ll,第一電極(在下文稱為"維持電極")31和第二電極(在下文稱為"掃描電極")32。尋址電極11可以形成為在后基板10的內(nèi)表面上沿第一方向(即，y軸方向)延伸，以依次對(duì)應(yīng)于彼此相鄰的放電單元17。尋址電極11還可以對(duì)應(yīng)于在第二方向(即，x軸方向)上彼此相鄰的放電單元17，彼此平行設(shè)置。參照?qǐng)D2，第一介電層13可以形成在后基板IO上，保護(hù)層24和第二介電層23可以形成在前基板20上。阻擋肋16可以設(shè)置在后基板IO和前基板20之間，且更具體地，在第一介電層13和保護(hù)層24之間。第一介電層13可以形成在后基板10的內(nèi)表面上覆蓋尋址電極11。在放電過(guò)程中，第一介電層13可以減少陽(yáng)離子或電子直接與尋址電極11碰撞，該碰撞會(huì)損壞尋址電極11。第一介電層13還可以在放電過(guò)程中積累壁電荷(wallcharge)。第一介電層13可以由透明介電材料形成，例如PbO-B203-Si02的混合物。此外，因?yàn)閷ぶ冯姌O11可以設(shè)置在后基板10上，所以尋址電極11不會(huì)阻礙可見(jiàn)光的前進(jìn)路徑。尋址電極11可以由不透明材料和高導(dǎo)電性金屬例如銀(Ag)制成。阻擋肋16可以設(shè)置在后基板10上的第一介電層13上，限定放電單元17。阻擋肋16可以包括第一阻擋肋構(gòu)件16a和第二阻擋肋構(gòu)件16b,以矩陣形式分隔放電單元17。第一阻擋肋構(gòu)件16a可以沿第一方向(即，y軸方向)延伸，并可以沿第二方向(即，x軸方向)以其間一定距離彼此分開(kāi)布置。第二阻擋肋構(gòu)件16b可以沿第二方向(即，x軸方向)延伸，并可以沿第一方向(即，y軸方向)以其間一定距離分開(kāi)布置。參照?qǐng)D3，維持電極31和掃描電極32可以在與尋址電極11交叉的第二方向(即，x軸方向)上形成。維持電極31和掃描電極32可以形成在前基板20的內(nèi)表面上，以便在放電單元17中產(chǎn)生氣體放電。維持電極31和掃描電極32可以分別包括產(chǎn)生放電的透明電極31a和32a,以及施加電壓信號(hào)到透明電才及31a和32a的總線電才及31b和32b。透明電極31a和32a可以在方丈電單元17內(nèi)產(chǎn)生表面放電，并可以由透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)來(lái)制成，以保證放電單元17的足夠的開(kāi)口率?？偩€電極31b和32b可以形成圖案，并可以由高導(dǎo)電性金屬材料例如銀(Ag)糊或具有高電導(dǎo)率的鉻鈷合金(Cr-Co-Cr)來(lái)制成，以補(bǔ)償透明電極31a和32a的高電阻?？偩€電極31b和32b可以是不透明的，例如黑色的，以便減少外部光的反射亮度。透明電才及31a和32a可以沿第一方向(即，y軸方向)乂人;汰電單元17的邊緣向中心延伸。透明電極31a和32a可以分別具有寬度W31和W32,并可以在每個(gè)放電單元17的中心形成放電間隙DG。-總線電極31b和32b可以分別設(shè)置在透明電極31a和32a上，并可以形成為在放電單元17的外部沿第二方向(即，x軸方向)延伸。當(dāng)電壓信號(hào)施加到總線電極31b和32b時(shí)，電壓信號(hào)可以分別傳輸?shù)竭B接到總線電極31b和32b的透明電極31a和32a。此外，可以形成不透明突出電極(未示出)，從總線電極31b和32b向放電單元17的內(nèi)部突出。不透明突出電極可以由與總線電極.31b和32b相同的材料制成。突出電極可以起到可以形成放電間隙DG的透明電極31a和32a的作用。參照?qǐng)D1和2,維持電極31和掃描電極32可以與尋址電極11交叉，并可以在放電單元17中彼此面對(duì)。第二介電層23可以形成在前基板20上覆蓋維持電極31和掃描電極32。另外，第二介電層23可以在氣體放電過(guò)程中保護(hù)維持電極31和掃描電極32。第二介電層23可以由具有高介電常數(shù)的透明介電材料例如PbO-B2OrSi02的混合物來(lái)形成。保護(hù)層24可以形成在第二介電層23上覆蓋并保護(hù)第二介電層23。另外，保護(hù)層24可以增加二次電子發(fā)射系數(shù)。保護(hù)層24可以由透明材料例如氧化鎂(MgO)來(lái)形成。維持電極31可以起到施加維持放電所需的維持脈沖的電極的作用。掃描電極32可以起到施加復(fù)位脈沖和掃描脈沖的電極的作用。尋址電極11可以起到施加尋址脈沖的電極的作用。在操作中，復(fù)位放電可以經(jīng)由在復(fù)位期間施加到掃描電極32的復(fù)位脈沖來(lái)發(fā)生。對(duì)于復(fù)位期間之后的尋址期間，尋址放電可以經(jīng)由施加到掃描電極32的掃描脈沖以及施加到尋址電極11的尋址脈沖來(lái)發(fā)生。對(duì)于維持期間，維持放電可以經(jīng)由施加到維持電極31和掃描電極32的維持脈沖來(lái)發(fā)生。維持電極31和掃描電極32以及尋址電極11的作用還可以根據(jù)施加到每個(gè)放電電極的電壓波形而變化。阻擋肋16可以包括寬寬度部分16W和窄寬度部分16N,該寬寬度部分16W形成為在后基板10—側(cè)具有第一寬度Wl,窄寬度部分16N形成為在前基板20—側(cè)具有第二寬度W2(如圖2所示)。第一寬度Wl可以大于第二寬度W2，即，從寬寬度部分16W延伸到窄寬度部分16N，阻擋肋16可以是傾斜的。光致發(fā)光層19可以形成在阻擋肋16的內(nèi)表面上，即，在阻擋肋16傾斜的表面上?？偩€電極31b和32b可以對(duì)應(yīng)于阻擋肋16形成在前基板20上，并可以具有第三寬度W3。第三寬度W3可以小于第一寬度W1并大于第二寬度W2，即，總線電極31b和32b的寬度W3可以大于阻擋肋16的窄寬度部分16N。此外，總線電極31b和32b可以布置為與阻擋肋16的窄寬度部分16N對(duì)應(yīng)，使得總線電極31b和32b的兩端(在y軸方向上)可以對(duì)應(yīng)于阻擋肋16的斜面。因?yàn)榭偩€電極31b和32b與阻擋肋16的窄寬度部分16N對(duì)應(yīng)且寬度W3大于第二寬度W2，所以可以保持低的反射亮度。此外，總線電極31b和32b的寬度W3可以小于寬寬度部分16W的第一寬度Wl,使得可以將從放電單元17發(fā)射的可見(jiàn)光的障礙最小化，即，防止和/或減少亮度的減弱。.表1示出反射亮度和亮度之間根據(jù)阻擋肋16的第一寬度Wl和第二寬度W2以及總線電極31b和32b的第三寬度W3的關(guān)系。表1根據(jù)阻擋肋的寬度和總線電極的寬度的反射亮度和亮度<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>如表1所示，第二寬度W2與第一寬度Wl的比率(W2/W1)可以大約是0.20至0.45。較高的比率W2/W1值可以表示阻擋肋16較為不傾斜的表面，即，更接近垂直，這可以減少?gòu)男纬稍谧钃趵?6的斜面上的光致發(fā)光層19向前發(fā)射的可見(jiàn)光的量。在示例實(shí)施例中，寬寬度部分16W的第一寬度Wl可以大約是100pm到160pm，窄寬度部分16N的第二寬度W2可以大約是35pm到45pm。在另一個(gè)示例實(shí)施例中，寬寬度部分16W的第一寬度Wl可以大約是100pm到120|^n，窄寬度部分16N的第二寬度W2可以大約是35)im到40pm。在又一個(gè)示例實(shí)施例中，寬寬度部分16W的第一寬度Wl可以大約是120|im到160(im,窄寬度部分16N的第二寬度W2可以大約是40)im到45pm?？偩€電極31b和32b的第三寬度W3可以比第二寬度W2寬，例如，大約是第二寬度W2的一到兩倍。另外，表l示出示例實(shí)施例(1-8)具有大約9.1-10.3坎德拉每平方米(cd/m2)的反射亮度值和大約171-178cd/m2的亮度值(與比較示例的大約149-155cd/n^的亮度值相比)。因此，示例實(shí)施例(1-8)顯示出高亮度水平同時(shí)保持低反射亮度，與之相比，比較示例(1-3)顯示低的亮度水平同時(shí)保持低的反射亮度?？梢圆捎米钃趵?6的寬寬度部分16W和窄寬度部分16N的其它尺寸以決定反射亮度和亮度。另外，放電單元17的結(jié)構(gòu)不限于這里所述的，且可以測(cè)量放光單元17的其它結(jié)構(gòu)以獲得反射亮度和亮度的水平。參照?qǐng)D3，阻擋肋16可以包括沿第一方向(即，y軸方向)延伸的第一阻擋肋構(gòu)件〗6a，和在第一阻擋肋構(gòu)件16a之間沿第二方向(即，x軸方向)延伸的第二阻擋肋構(gòu)件16b,使得每個(gè)放電單元17可以是獨(dú)立的結(jié)構(gòu)。限定放電單元17的阻擋肋16可以大致為矩形形狀?？梢允褂闷渌线m的幾何形狀例如多邊形、圓形、或橢圓形來(lái)限定放電單元17?？偩€電極31b和32b可以跨過(guò)第一阻擋肋構(gòu)件16a,并可以對(duì)應(yīng)于第三阻擋肋構(gòu)件116b和第四阻擋肋構(gòu)件216b與第二阻擋肋構(gòu)件16b平行地形成。第三阻擋肋構(gòu)件116b和第四阻擋肋構(gòu)件216b可以形成為雙結(jié)構(gòu)，即，第三阻擋肋構(gòu)件116b和第四阻擋肋構(gòu)件216b可以以基本平^"的方式連接以形成第二阻擋肋構(gòu)件16b。此外，總線電極31b和32b可以與兩個(gè)相鄰的放電單元17平行地設(shè)置，即，總線電極31b和32b可以對(duì)應(yīng)于每個(gè)第三阻擋肋構(gòu)件116b和第四阻擋肋構(gòu)件216b設(shè)置在前基板20上。第二阻擋肋構(gòu)件16b還可以包括橋接阻擋肋316。橋接阻擋肋316可以設(shè)置在第三阻擋肋構(gòu)件116b和第四阻擋肋構(gòu)件216b之間，并可以在第一方ii向.(即，y軸方向)上連接第三阻擋肋構(gòu)件116b和第四阻擋肋構(gòu)件216b。第二阻擋肋構(gòu)件16b還可以在第一方向(即，y軸方向)上相鄰的放電單元17之間形成排氣通道18。排氣通道18可以由第三阻擋肋構(gòu)件116b和第四阻擋肋構(gòu)件216b形成在放電單元17。排氣通道18可以在密封后基板10和前基板20后排出殘余的氣體，并可以在PDP制作過(guò)程中填充放電氣體時(shí)提供氣體流動(dòng)通道。因此，排氣通道18可以改善排氣性能。因?yàn)榈诙钃趵邩?gòu)件16b包括第三阻擋肋構(gòu)件116b和第四阻擋肋構(gòu)件216b，所以總線電極31b和32b可以以更寬的第三寬度W3形成。該更寬的第三寬度W3可以擴(kuò)大放電單元17的開(kāi)口率。此外，形成在第二阻擋肋構(gòu)件16b中的排氣通道18可以允許總線電極31b和32b具有該更寬的第三寬度W3，從而保持低的反射亮度并改善光的亮度。示例實(shí)施例可以提供一種PDP，該P(yáng)DP具有在第一基板側(cè)形成有寬寬度部分16W、在第二基板側(cè)形成有窄寬度部分16N的阻擋肋。此外，總線電極可以對(duì)應(yīng)于阻擋肋形成在第二基板上，使得寬度W3可以d、于寬寬度部分16W并寬于窄寬度部分16N。因此，示例PDP1可以保持較低的反射亮度并減小亮度的減弱。此外，因?yàn)閷拰挾炔糠?6W對(duì)于窄寬度部分16N的比率(W2/W1)可以大約是0.20-0.45,所以可以將高亮度保持在大約171-178cd/m2，同時(shí)將低反射亮度保持在大約9.2-10.4cd/m2。在圖中，為了清晰起見(jiàn)，層、區(qū)域和元件的尺寸可以夸大。還應(yīng)該理解的是當(dāng)層、區(qū)域和元件被稱為在另一個(gè)層、區(qū)域和元件"上"或"連接至"另一個(gè)層、區(qū)域和元件時(shí)，其可以是直接在該另一層、區(qū)域和元件上或直接連接至該另一層、區(qū)域和元件，或者也可以存在中間的層、區(qū)域和元件。相反，當(dāng)層、區(qū)域和元件被稱為"直接"在另一個(gè)層、區(qū)域和元件"上"或"直接連接至"另一個(gè)層、區(qū)域和元件，則沒(méi)有中間的層、區(qū)域和元件。此外，應(yīng)該理解當(dāng)層、區(qū)域和元件被稱為在另一個(gè)層"下面"或"之上"，其可以是直接地下面或直接地之上，也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間的層、區(qū)域和元件。另外，也應(yīng)該理解的是當(dāng)層、區(qū)域和元件被稱為在兩個(gè)層"之間"時(shí)，其可以是兩個(gè)層、區(qū)域和元件之間的唯一的層、區(qū)域和元件，或也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間的層、區(qū)域和元件。相同的附圖標(biāo)記通篇指代相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何和所有組合。這里已經(jīng)公開(kāi)了示例實(shí)施例，且盡管采用了特定的術(shù)語(yǔ)，僅以一般和描述的意義使用它們并作解釋，而不為限制的目的。因此，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是只要不偏離權(quán)利要求中闡述的示例實(shí)施例的精神和范圍，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。權(quán)利要求1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板和第二基板，設(shè)置為彼此面對(duì)；阻擋肋，布置在所述第一基板和所述第二基板之間，限定放電單元；光致發(fā)光層，形成在所述放電單元中；以及放電電極，包括尋址電極和顯示電極，所述尋址電極沿第一方向延伸，所述顯示電極沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，其中所述顯示電極包括在所述第二方向上延伸的第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極對(duì)應(yīng)于所述阻擋肋，以及所述阻擋肋包括寬寬度部分和窄寬度部分，所述寬寬度部分具有形成在所述第一基板一側(cè)的第一寬度W1，所述窄寬度部分具有形成在所述第二基板一側(cè)的第二寬度W2，所述第二寬度W2窄于所述第一寬度W1。2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述第一電極和所述第二電極是總線電極。3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述總線電極的寬度W3窄于所述第一寬度Wl且寬于所述第二寬度W2。4.如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示面板，其中所述第二寬度對(duì)于所述第一寬度的比率W2/W1大約是0.20至0.45。5.如權(quán)利要求4所述的等離子體顯示面板，其中所述第一寬度Wl大約是100pm到160^m，所述第二寬度W2大約是35^im到45拜i。6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述第一寬度W1大約是100到120所述第二寬度W2大約是35pm到40pm。7.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述第一寬度Wl大約是120|im到160^m,所述第二寬度W2大約是40|im到45jim。8.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述總線電極的所述第三寬度W3大約是所述第二寬度W2的一到兩倍。9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中從所述阻擋肋的所述寬寬度部分向所述阻擋肋的所述窄寬度部分延伸，所述阻擋肋的表面是傾斜10.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述阻擋肋還包括第一阻擋肋構(gòu)件，在所述第一方向延伸，并形成在沿所述第二方向的所述放電單元間隙處；以及第二阻擋肋構(gòu)件，在所述第一阻擋肋構(gòu)件之間在所述第二方向延伸，并形成在沿所述第一方向的所述放電單元間隙處。11.如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示面板，其中所述總線電極對(duì)應(yīng)于所述第二阻擋肋構(gòu)件形成在所述第二基板上。12.如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示面板，其中所述第二阻擋肋構(gòu)件包括第三阻擋肋構(gòu)件和第四阻擋肋構(gòu)件。13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中所述第三阻擋肋構(gòu)件和所述第四阻擋肋構(gòu)件在所述第一方向上在連續(xù)的放電單元之間分開(kāi)以形成排氣通道。14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，還包括連接所述第三阻擋肋構(gòu)件和所述第四阻擋肋構(gòu)件的4喬接阻擋肋。15.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示面板，其中所述橋接阻擋肋在第一方向上設(shè)置在所述第三阻擋肋構(gòu)件和所述第四阻擋肋構(gòu)件之間。16.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中所述總線電極對(duì)應(yīng)于所述第三阻擋肋構(gòu)件和所述第四阻擋肋構(gòu)件形成在所述第二基板上。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子體顯示面板，該等離子體顯示面板包括彼此面對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板，布置在第一基板和第二基板之間以限定放電單元的阻擋肋，和具有尋址電極和顯示電極的放電電極。尋址電極可以沿第一方向延伸，顯示電極可以沿與第一方向交叉的第二方向延伸。顯示電極可以包括在第二方向上延伸的第一電極和第二電極，使得第一電極和第二電極可以對(duì)應(yīng)于阻擋肋。阻擋肋可以包括具有形成在第一基板一側(cè)的第一寬度W1的寬寬度部分，和具有形成在第二基板一側(cè)的第二寬度W2的窄寬度部分。第二寬度W2可以窄于第一寬度W1。文檔編號(hào)H01J11/12GK101329975SQ20081008128公開(kāi)日2008年12月24日申請(qǐng)日期2008年2月26日優(yōu)先權(quán)日2007年6月22日發(fā)明者宋正錫申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社