專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及利用氣體放電顯示圖像的等離子體顯示面板和制造等離子 體顯示面板的方法，更具體地，涉及一種具有高發(fā)光效率和改進結構并適于 批量生產的等離子體顯殺面板和制造這種等離子體顯示面板的方法。
背景技術：
采用等離子體顯示面板的平板顯示設備具有優(yōu)良的特性，例如，其具有 高圖像質量，超薄，重量輕，具有可以寬視角觀看的大屏幕，還可利用簡單 的制造方法容易地制造成大尺寸。因此，平板顯示設備被視為下一代大平板 顯示設備。等離子體顯示面板根據其驅動方法可分為直流(DC)型、交流(AC) 型、和混合型。另外，等離子體顯示面板根據放電結構可分為對向放電型和 表面放電型。最近，主要使用三電極表面放電的等離子體顯示面板。為了解決三電極表面放電結構的問題，例如，熒光物材料的惡化，可見 光透過率的下降，和發(fā)光效率的下降，對具有新結構的等離子體顯示面板的 研究正在積極進行。圖1是在韓國專利公開No.2005-0104003中公布的等離子體顯示面板的基板10和后基板20,和沿相互垂直的方向設置用于限定基板10與20之間 放電空間(S)的前阻隔肋31和后阻隔肋24。在前阻隔肋31中，第一放電電極35和第二放電電極45被埋置并且相互分離，從而在放電空間(S)中 形成顯示放電。前阻隔肋31完全覆蓋》丈電電才及34和45,以防止電才及由于 離子碰撞而損壞，并提供對放電有利的環(huán)境，并且，前阻隔肋31由電介質 材料形成。熒光物材料25應用在由后阻隔肋限定的區(qū)域中。另外，沿著與 放電電極35和45交叉的方向延伸的尋址電極22設置在后基板20上，其中 埋置有尋址電極22的電介質層21設置在后基板20與后阻隔肋24之間。在圖1的等離子體顯示面板中，放電通過限定放電空間(S)的側壁產 生，因此，應用在后基板20上的熒光物材料25不會由于離子碰撞而劣化。 另外，在前基板10側上的不透明電極被去除，因而改善可見光的向上透過 率。此外，放電可通過放電空間(S)的所有側壁產生，等離子體可集中在 放電空間(S)的中心部分上，因此，可顯著增加紫外線的產生。然而，由于等離子體顯示面^1的結構，其中;^丈電電才及35和45埋在阻隔 肋31中，因此，使用傳統制造方法批量生產等離子體顯示面板存在局限性， 并且，等離子體顯示面板由于制造過程中的問題而不能商業(yè)化。發(fā)明內容本發(fā)明提供具有新結構并允許高發(fā)光效率且適于批量生產的等離子體 顯示面板及其制造方法。本發(fā)明還提供具有改進放電穩(wěn)定性和改進耐久性的等離子體顯示面板 及其制造方法。根據本發(fā)明的一方面，提供一種等離子體顯示面板，包括相互分離的 前基板和后基板；在所述前基板與所述后基板之間相互面對的兩個或更多個 電極板，所述兩個或更多個電極板通過包括在每個板中的相應開口圖樣一起 形成放電空間，其中，所述兩個或更多個電極板中的每一個包括多個放電 電極，其延伸并圍繞所述放電空間的至少一部分，并在接觸所述放電空間或 鄰近所述放電空間的拐角處具有圓形彎曲部分；和隔離元件，其在所述放電 電極之間整體形成，用于支撐所述放電電極和使所述放電電極相互隔離，并由用于形成所述放電電極的金屬的氧化物材料形成。根據本發(fā)明的另一方面，提供一種等離子體顯示面板，包括相互分離的前基板和后基板；和在所述前基板與所述后基板之間相互面對的第 一 電極 板和第二電極板，所述第 一 電極板和第二電極板通過包括在每個板中的對應 的開口圖樣一起形成放電空間；其中，所述第一和第二電極板中的每一個包 括多個放電電極，其延伸并圍繞所述放電空間的至少一部分，并在接觸所 述放電空間或鄰近所述放電空間的拐角處具有圓形彎曲部分；和隔離層，其 與所述放電電極形成豎直臺階，支撐所述放電電極和使所述放電電極相互隔 離，并由用于形成所述放電電極的金屬的氧化物材料形成。根據本發(fā)明的另一方面，提供一種等離子體顯示面板，包括相互分離 的前基板和后基板；和在所述前基板和所述后基板之間相互面對的第一電極 板和第二電極板，所述第一電極板和所述第二電極板通過包括在每個板中的 相應開口圖樣一起形成放電空間，其中，所述第一和第二電極板中的每一個 包括放電電極，其包括放電部分和將所述放電部分相互電連接的導電部分， 其中每個放電部分包括圍繞所述放電空間的放電表面和在接觸所述放電表 面的拐角上的圓形彎曲部分；和至少一個橋，其整體形成在相鄰放電電極之 間，以支撐所述放電電極并使所述放電電極相互隔離。根據本發(fā)明的另一方面，提供一種制造等離子體顯示面板的方法，所述 等離子體顯示面板包括陣列設置的多個放電空間，延伸并圍繞所述放電空間 的多個放電電極，和連接所述放電電極并互相電絕緣的隔離層，所述方法包 括制備原材料金屬板；形成第一光刻膠(PR)掩模，其覆蓋所述放電電 極形成在所述金屬板的一表面上的部分；形成第二PR掩模，其覆蓋所述放 電電極形成在所述金屬板的另一表面上的部分；選擇性地蝕刻所述金屬板的 被所述第一 PR掩模暴露的表面；選擇性地蝕刻所述金屬板的被所述第二 PR 掩模暴露的另一表面；去除所述第一 PR掩模和所述第二 PR掩模；在中性 電解溶劑中進行陽極化處理，用于氧化所述金屬板以在所述放電電極的表面 上形成氧化物膜，并且用于隔離在所述放電電極之間的部分以形成隔離元件；重復所述處理以制造至少兩個金屬板；堆疊所述金屬板以相互面對，并 且，將所述金屬板設置為相互垂直；并且，將前基板和后基板相互聯結，同 時利用熔接密封材料插入所述堆疊的金屬板。


本發(fā)明的上述和其他特征及有利之處，通過參照附圖詳細描述其示例性 實施例將變得更顯而易見，其中圖1是在韓國專利No.2005-0104003中公開的等離子體顯示面板的分解 立體圖；圖2是根據本發(fā)明實施例的等離子體顯示面板的分解立體圖；圖3是圖2中的等離子體顯示面板沿線m-m和nr -nr的橫截面圖；圖4是顯示圖2中的等離子體顯示面板中的電極布置的立體圖； 圖5和6分別是顯示通過對鋁產品進行氧化處理而獲得的具有尖拐角和 圓拐角的氧化物膜的橫截面圖；圖7是在通過施加預定電壓而損壞的孔周圍的氧化物膜的照片； 圖8是根據本發(fā)明另一實施例的等離子體顯示面板的分解立體圖；圖9是圖8中的等離子體顯示面板沿線vii-vn和vir - vir的橫截面圖；圖10是圖8中所示電極板的放大立體圖；圖IIA至lll是圖示根據本發(fā)明另一實施例的制造等離子體顯示面板的 方法的橫截面圖；圖12是圖示本發(fā)明的陽極化處理的處理示意圖；圖13是顯示氧化物膜結構的剖切立體圖；圖14是顯示了根據本發(fā)明實施例制造的氧化物膜結構的照片。
具體實施方式
根據本發(fā)明實施例的等離子體顯示面板將參照附圖進行詳細的描述。第一實施例圖2是根據本發(fā)明的實施例的等離子體顯示面板的分解立體圖，圖3是圖2中的等離子體顯示面板沿線m-m和nr -nr的橫截面圖。為了說明 方便，圖3的橫截面顯示了沿圖2的線nr -nr的第二電極板i40。另夕卜，圖4是在圖2中所示放電電極135和145的放大立體圖。等離子體顯示面板包括相互面對的前基板IIO和后基板120，和在前基 板110與后基板120之間相互面對而形成多個放電空間S的第一電極板130 和第二電極板140。前基板110變?yōu)轱@示圖像的表面，因此，前基板110可 以是具有優(yōu)良透光率的玻璃基板。第一電極板130和第二電極板140為通過下述方式形成的集成板，即， 通過在原材料金屬板上形成預定的電極圖樣，然后氧化金屬板以隔離金屬板 的一部分。在下文中，第一和第二電極板130和140的結構將進行更詳細的 描述。沿縱向和水平方向設置的多個開口形成在第一和第二電極板130和 140中的每一個中，多個放電空間S通過形成在相應位置的開口的組合形成。 在此，放電空間S為這樣的空間，其中，形成用于產生顯示放電的預定電場 并填充以通過放電被激發(fā)的放電氣體。在本實施例中，由于第一和第二電極 板130和140被設置為相互面對并一起形成放電空間S,因而由第一和第二 電極板130和140形成的上、下部變?yōu)榉烹娍臻gS的一部分。在本申請文件 中，為了說明方便，由板130或140形成的部分可被稱為放電空間S,然而， 由板130和140形成的部分實際上僅形成放電空間S的一部分。由于圓形開口圖樣形成在第一和第二電極板130和140中，因此，每個 放電空間S形成為柱狀。然而，當多邊形開口圖樣形成在第一和第二電極板 130和140中時，每個放電空間S可形成為包括六面體形狀在內的各種多面 體形狀。另外，放電空間S的形狀不限于此，只要放電氣體可填充在放電空 間S中即可。沿一方向(X方向)延伸同時圍繞放電空間S的多個第一放電電極135 形成在第一電極板130中。第一放電電極135可由具有高電導率的金屬材料形成，從而使由于其自身阻抗所致的熱損失最小化，例如，第一放電電極135可由鋁材料形成。每個第一放電電極135包括圍繞放電空間S并參與 放電操作的放電部分135a，和將放電部分135a相互電連接并向放電部分 135a提供驅動功率的導電部分135b。放電部分135a限定對應于》文電部分 135a的形狀的放電空間S,因此，放電部分135a的形狀可根據實施例改變， 以形成不同類型的放電空間。圓形彎曲部分R1沿放電空間135a的限定放電 空間的內表面形成。圓形彎曲部分R1沿放電部分135a的上、下拐角形成為 環(huán)。圓形彎曲部分R1將隨后進行更詳細的描述。同時，放電部分135a在附圖中被形成為完全圍繞放電空間S,然而， 放電部分135a可僅圍繞放電空間S的一部分，只要其形成的電場足夠大以 在放電空間中產生放電即可。這可有助于限制放電電流。在這里，放電空間 135a的一部分可開口，開口部分可以是相對于放電空間135a形成豎直臺階 的隔離層131。另一方面，氧化物膜135t利用例如陽極化的氧化處理形成在第一放電 電極135的外表面上而至預定厚度(To)。第一放電電極135的被氧化物膜 135t覆蓋的內部未被氧化，并保留為保持導電性的核心部135c。第一放電 電極135可使用氧化物膜135t被電絕緣。例如，氧化物膜135t可由通過使 鋁(AL)氧化而形成的Al203形成。在接觸放電空間S的表面上所形成的 氧化物膜135t防止》文電電極135和145相互直接電連接，并防止力丈電電極 135由于帶電粒子的碰撞而損壞，即，實現傳統電介質層的功能?？紤]到耐受電壓特性，保護放電電極135的氧化物膜135t可以形成為 具有足夠的厚度，氧化物膜135的厚度(To)可通過控制處理條件(例如， 氧化處理中的施加電流，電解質的選擇，和處理時間)而最優(yōu)化。由于第一 放電電極135的表面被氧化物膜135t覆蓋，因此，可防止第一和第二放電 電才及135和145之間的電短^各。相對于氧化物膜135t的形成，圓形彎曲部R1沿放電部分135a的接觸放電空間S的邊緣形成。通常，由于放電空間S通過沖壓電極板130形成，因而接觸放電空間S的表面是沖壓處理中的切制表面，而尖邊緣可能會形成 在切制表面的拐角上。另一方面，由于氧化物材料從例如陽極化處理的氧化 處理中的產品的外露表面長大，因此，難以在通過切制處理形成的尖邊緣上 形成具有致密結構的氧化物材料。因此，在當前實施例中形成圓形彎曲部分Rl以去除尖邊緣，從而防止氧化物膜135t的生長基底由于所述邊緣而變弱， 并在包括拐角的整個表面連續(xù)形成氧化物膜135t。同時，與第一放電電極135整體形成的隔離層131形成在第一》文電電極 135之間。第一放電電極135通過隔離層131在結構上相互支持，因此，可 防止第一電極板130的顫動或第一電極板130的彎曲，并且易于在制造過程 中搬運第一電極板130。如圖所示，隔離層131形成第一電極板130的整個 區(qū)域，但第一放電電極135的部分除外。開口可形成在隔離層131的一部分 上，以促進由于陽極化處理特性的氧化處理，也就是說，氧化通過表面發(fā)生。 在這里，氧化可通過開口的側表面進行。隔離層131在結構上支撐第一放電電極135并在第一放電電極135之間 隔離。例如，當對應于隔離層131的部分通過將其上形成有電極圖樣的鋁板 氧化被隔離時，隔離層131可由Al的氧化材料八1203形成。隔離層131相對于第一放電電極135形成豎直臺階，并形成至相對較薄 的厚度(Ti)。例如，隔離層131在其上、下部上相對于第一放電電極135 形成臺階dl和d2，并且，隔離層131的厚度Ti較小。隔離層131的厚度 Ti可通過陽極化處理中的處理條件確定。在通過陽極化處理而自表面向內的 氧化處理過程中，隔離層131的厚度可能足夠低以完全氧化對應于隔離層 131的部分。如果隔離層131形成為厚于厚度Ti，則隔離層131的連接第一 放電電極135的內部未氧化，并保持導電性。因此，第一放電電極135通過 隔離層131電短路，隔離層131包括處理余量在內的厚度必須形成得足夠薄。 為了形成具有相互不同厚度的第一放電電極135和隔離層131的結構，隔離 層131的部分從作為原材料的鋁板的兩側蝕刻，以與第一放電電極135形成 臺階結構。在這里，如果在隔離層131與第一放電電極135之間的臺階dl和d2被設定為彼此相同，則從兩側進行的蝕刻處理可對稱進行，因此，可 改善操作的方便。另一方面，只要隔離層131形成得較薄而使得隔離層131的內部可通過 氧化處理完全氧化，則臺階的dl和d2可形成在第一^:電電極135的兩表面 上，否則，可相對于第一放電電極135的一表面形成深臺階，并且可在第一 放電電極135的另一表面的相同高度處形成平坦表面。另一方面，在第一放電電極135與隔離層131之間的豎直臺階dl和d2 被設定為具有相互不同的深度，使得第一放電電極135保持導電性，并且， 隔離層131可在相同的氧化條件下完全隔離。然而，形成在隔離層131的上、 下部上的臺階空間(g)可設置為，當在放電空間S中的混雜氣體被排放和 放電氣體填充在放電空間S中時的氣體排放路徑和引入路徑。因此，可減少 用于排放-填充處理的時間，并且，可保持放電氣體的不純度較高而在放電 空間S中沒有任何混雜氣體，從而改善放電操作的穩(wěn)定性。面對第一電極板130的第二電極板140設置在第一電極板130下。第二 電極板140可具有類似于第一電極板130的結構。更具體地，多個放電空間 S設置在第二電極板140上，并且，沿y方向延伸并圍繞放電空間S的多個 第二放電電極145形成在第二電極板140中。每個第二放電電極145包括 圍繞放電空間S并參與》文電操作的放電部分145a，和將》丈電部分145a相互 電連接并向放電部分145a提供驅動功率的導電部分145b。圓形彎曲部R2 沿放電部分145a的接觸放電空間S的邊緣形成。第二放電電極145可沿y方向延伸，與沿x方向延伸的第一放電電極 135交叉，因此， 一個》文電電極可作為尋址電極，另一》丈電電極可作為掃描 電極，從而通過無源矩陣(PM)驅動方法允許選4奪其中將發(fā)生顯示放電的 放電空間S。例如，第一放電電極135可作為掃描電極，第二放電電極145 可作為尋址電極。然而，本發(fā)明的技術范圍不限于上述電極結構，并且，本 發(fā)明可應用于下述結構，其中，第一和第二放電電極相互平行設置，且形成 沿與放電電極交叉的方向延伸的另外的尋址電極(未示出)。在這里，第一和第二放電電極之一可作為掃描電極以產生尋址放電，用于和尋址電極一起 選擇放電空間。第二放電電極145通過在第二放電電極145之間的隔離層141填充區(qū)域 被支撐并相互隔離。另外，隔離層141形成較小的厚度(Ti)，同時與第二 放電電極145—起形成臺階dl和d2。更具體地，隔離層141可與第二^L電 電極145的上、下表面形成具有較低厚度Ti的臺階dl和d2。另一方面，盡 管第一和第二電極板130和140在圖中未顯示，但其可利用例如在其間不導 電的電介質粘合層相互聯結。面對前基板110的后基板120可為玻璃形成的玻璃基板。槽12(V形成 在后基板120的內表面上以對應于放電空間S,焚光物125沿槽12(T應用。 槽120'限定焚光物125的應用區(qū)域，并增大熒光物125的應用區(qū)域。為了 實現全色顯示，熒光物125應用為不同的顏色。例如，在彩色圖像利用三基 色顯示的情況下，紅、綠和藍的熒光物125在槽120'中交替地應用。另外， 根據所應用的熒光物125的種類，例如紅、綠或藍光的單色光從每個放電空 間S發(fā)出，因此，彩色圖像利用單色光顯示。在下文中，將描述等離子體顯示面板的操作。當交流(AC)電壓應用 于第一和第二放電電極135和145時，預定電場形成在放電空間S中以形成 放電，因此，從尋址放電獲得的壁電荷和由放電氣體的電離形成的帶電粒子 沿》丈電電極135與145之間的放電路徑移動，以產生顯示放電。顯示方文電通 過方文電電才及135和145的限定》t電空間S的側表面沿豎直方向形成為閉合 環(huán)。因此，放電電極135和145的側表面變?yōu)椤肺碾姳砻?。填充在放電空間S 中的放電氣體通過與沿放電路徑移動的帶電粒子的碰撞被激發(fā)，并然后穩(wěn)定 至基態(tài)，從而產生對應于激發(fā)態(tài)與基態(tài)之間的能量差的紫外線。紫外線125 通過熒光物125轉變?yōu)榭梢姽?，然后，可見光朝前基板IIO投射，從而顯示 被用戶識別的預定圖像。在下文中，將描述形成在放電電極135和145中的彎曲部分R1和R2 的操作。如上所述，圓形彎曲部分Rl和R2形成在第一和第二電極135和145的接觸力文電空間S的拐角上。鄰近彎曲部分R1和R2的》文電表面對應于切制表面，此切制表面當原材料板被穿孔以形成用于形成放電空間的開口時 形成。因此，尖邊緣通常沿鄰近放電表面的拐角形成。在本實施例中，磨光 操作沿放電表面的拐角進行以去除尖邊緣，因此，磨光操作之后形成了彎曲部分R1和R2。在這里，磨光操作可以是用于精切削操作的拋光操作，例如， 利用化學機械拋光(CMP)設備的拋光墊的化學機械拋光，或利用砂紙的手 工操作，從而去除尖邊緣。圖5是顯示通過對具有尖邊緣的鋁產品進行氧化處理獲得的氧化物膜 的橫截面圖，而圖6是顯示通過對在其拐角部分上具有彎曲部分R的鋁產品 進行氧化處理獲得的氧化物膜的橫截面圖。外部氧在例如陽極化處理的氧化 處理中通過產品表面滲入產品中，而產品的鋁組分通過產品表面向外擴散， 然后，氧和鋁相互反應以形成氧化物膜。氧化物膜具有沿垂直于產品表面的 方向生長的趨勢，因此，如圖5所示，當第一表面Pl和第二表面P2相接的 拐角急劇彎轉時，不存在氧化物膜的裂縫(C)易于形成在從第一表面Pl 生長的第一氧化物膜(Ll)與從第二表面P2生長的第二氧化物膜(L2)之 間。否則，裂縫C由于具體的氧化條件(例如處理時間或應用電流)而可能 不形成在氧化物膜之間，然而，形成在拐角部分上的氧化物膜由于稀疏的內 結構不能提供充分的絕緣性能，并可由于較低耐受電壓而易于損壞。如上所示，形成在第一和第二放電電極135和145的表面上的氧化物膜 135t和145t防止第一和第二放電電極135和145直接相互電連接，并〗象傳 統電介質層一樣保護第一和第二放電電極135和145不受離子沖擊。因此， 如果氧化物膜135t和145t沒有均勻地覆蓋在第一和第二放電電極135和145 的接觸放電空間S的內表面上，并在氧化物膜135t和145t中存在裂縫C, 則耐受電壓被極大地降低。特別地，電場集中在裂縫C可能形成的拐角上， 因此，絕緣性能受到損害，并在第一和第二放電電極135和145之間可能產 生直接短路。圖7顯示了當氧化物膜形成在鋁板上時開口 (H)附近的受損氧化物膜，其中，多個開口 H形成在鋁板上，并在鋁板上施加預定放電電壓。當具有 致密結構的氧化物膜由于氧化處理中的上述限制不能形成在通過將開口 H 穿孔而形成的尖拐角上時，絕緣性能受損，電場集中，并產生拱起。另一方面，如圖6所示，當圓形彎曲部R形成在產品拐角上時，圓形 氧化物膜Lr從彎曲部R與第一和第二氧化物膜Ll和L2 —起生長，因此， 氧化物膜可沿產品的表面均勻地形成。圓形彎曲部R提供了用于生長氧化物 膜的基底，并因此增大耐受電壓和改善顯示面板的耐久性。第二實施例圖8是根據本發(fā)明另一實施例的等離子體顯示面板的分解立體圖，圖9 是圖8中的等離子體顯示面板沿線IX-IX的橫截面圖。為了說明方便，第二 電極板240的橫截面沿圖8中的線IX-IX。另外，圖10是圖8中所示電極 板230和240的一部分的分解立體圖。等離子體顯示面板包括相互面對的前 基板210和后基板220,和在前基板210與后基板220之間相互面對以形成 放電空間S的第一電極板230和第二電極板240。第一和第二電極板230和 240為通過下述方式形成的集成板，即，在金屬板上形成放電電極235和245 及連4姿;故電電才及235和245的橋231和241,并利用氧4匕處理隔離橋231和 241?？紤]到由于放電電極的阻抗所致的電力損失和易于通過氧化處理隔離， 金屬板可以是具有高導電率的鋁板。更詳細地，第一電極板230包括圍繞放電空間S并沿x方向延伸的多個 第一放電電極235。每個第一放電電極235包括圍繞放電空間S的放電部分 235a和電連接放電部分235a的導電部分235b。放電部分235a圍繞放電空 間S以將放電空間S限定為獨立的發(fā)光區(qū)域。另外，放電部分235a與另一 ;改電部分245a—起在相應的i欠電空間S中形成顯示方文電。圓形彎曲部分R1 形成在放電部分235a接觸放電空間S的拐角上。因此，通過圓形部分R1 可提供基表面，其中氧化物膜235t可從該基表面生長，因此，氧化物膜235t 可均勻地形成在接觸放電空間S的放電表面上。導電部分235b使相互分離以預定距離的各放電部分235a沿x方向相互電導，并且，陣列設置的放電部分235a共享相同的驅動信號，以形成一個 放電電極235。導電部分235b必須具有導電性，因此當電極板230的某些 部分利用陽極化處理被隔離時，導電部分235b可具有充分的寬度W3，使得 即使導電部分235b的表面被氧化，在內核235c上也可維持電導性。也就是 說，導電部分235b的寬度W3應形成為較寬以保持維持電導性的核心部 235c,并且氧氣不能沿寬度方向滲入核心部235c，直至氧化處理完成。作為 氧化處理的結果，氧化物膜235t沿第一放電電極235的表面形成而至預定 厚度To。形成在放電電極235的圍繞放電空間S的表面上的氧化物膜235t 防止》文電電才及234和245直4妻相互電連"l妄，并保護;改電電才及235免于由》文電 而產生的離子沖擊。沿豎直方向設置的第一和第二放電電極235和245可通 過氧化物膜235t相互電絕緣。相鄰的第一放電電極235通過將各第一放電電極235相互連接的橋231 而在結構上相互支撐。橋231將各第一放電電極235相互連接，以防止第一 電極板230的顫動或彎曲。橋231沿與放電電極235設置方向交叉的y方向 延伸。另一方面，考慮到電極板230所需的支撐強度， 一個或多個橋231可 相互平4于地形成。橋231由隔離氧化物材料形成，以使相鄰的放電電才及235相互隔離，并 防止輸入有不同驅動信號的放電電極235被電短路。圍繞放電空間S的放電 部分235a通過導電部分235b沿x方向相互電導，并且通過橋231沿y方向 相互隔離。橋231可形成在相鄰;改電部分235a之間。然而，如果橋231可 隔離并支撐相鄰的放電電極235，則橋231可形成在導電部分235b之間。橋231的寬度W10和W20可形成為足夠窄，使得整個橋231可通過/人 橋231的表面進行的氧化處理被隔離。由于導電部分235b包括維持電導性 的核心部235c，并且橋231必須在相同的氧化條件下完全隔離，因此，導電 部分235的寬度W30與橋231的寬度W10和W20的關系可如下所示W30〉W10, W20沿豎直方向與第 一 電極板230 —起設置的第二電極板240,具有類似于第 一 電極板230的結構。也就是說，電極板240包括沿一黃向和縱向設置的多個放電空間s,并且，圍繞放電空間s并沿一方向延伸的多個第二放電電極245設置在第二電極板240中。第二放電電極245可沿與第一放電電極235 的延伸方向交叉的y方向延伸。其中發(fā)生顯示放電的放電空間S可通過相互 交叉的第一和第二放電電極234和245選擇。第二放電電極245包括限定放電空間S并參與放電操作的放電部分 245a，和電連接放電部分245a的導電部分245b。圓形彎曲部分R2形成在 放電部分245a接觸放電空間S的拐角上。彎曲部分R2提供了基表面，其中 具有致密結構的氧化物膜245t從所述基表面上生長。另一方面，第二放電 電極245在結構上通過連接第二放電電極245的橋241支撐，并相互電絕緣。 圍繞放電空間S的放電部分245a通過導電部分245b沿y方向相互電連接， 并通過橋241沿x方向相互電絕緣。前基板210和后基板220可以是由玻璃形成的玻璃基板。另外，多個槽 22(T可形成在后基板220的內表面上并具有預定間隔，以對應于》文電空間 S。熒光物225應用在槽220'中。熒光物225盡管在圖中未顯示，但其可 應用于前基板210上，因此，用于限定熒光物225的應用區(qū)域的槽可形成在 前基板210上。第三實施例在下文中，將描述根據本發(fā)明的另 一 實施例的制造等離子體顯示面板的 方法。根據當前的實施例，氧化物膜的內結構通過控制陽極化處理中的處理 條件而改變，因此，可提供具有改善的耐受電壓的等離子體顯示面板。圖11A至111圖示了根據本發(fā)明的當前實施例的制造等離子體顯示面板 的方法。如圖11A所示，制備第一電極板的原材料金屬板，例如，可制備 具有高電導率和高化學吸氧性的鋁板330'。下一步，如圖11B所示，第一 光刻膠P1和第二光刻膠P2涂覆在鋁板33(T的上、下表面上。第一和第二 光刻膠Pl和P2可由光敏樹脂材料形成，光敏樹脂材料當暴露于例如紫外 (UV)線的輻射光時固化。隨后，進行曝光處理，其中利用曝光掩膜Ml對第一光刻膠Pl選擇性地照射UV線，并進行顯影處理，然后，具有預定圖樣的第一 PR掩膜(PR1 ) 如圖11C所示地形成。第一 PR掩膜PR1具有對應于放電電極的Wl部分的 圖樣，并覆蓋相應的Wl部分。隨后，利用曝光掩膜M2對第二光刻月交P2 進行曝光和顯影處理，然后，具有預定圖樣的第二PR掩膜(PR2)如圖11D 所示地形成。第二PR掩膜PR2具有對應于放電電極的Wl部分的圖樣，并 覆蓋W1部分。形成在鋁板330'上、下表面上的第一 PR掩膜PR1和第二 PR掩膜PR2可相互豎向對齊設置。在后文中進行描述的蝕刻處理中，利用 第 一和第二 PR掩膜PR1和PR2從兩表面蝕刻鋁板330'以形成放電空間。 此時，如果由于第 一和第二 PR掩膜PR1和PR2的不準確設置而產生對準偏 差，則放電空間不一致，并且面板的顯示功能可能惡化。如圖11E和11F所示，鋁板33(T的上表面利用第一PR掩膜PR1作為 阻蝕層進行蝕刻。放電空間的W3部分和在放電電極之間的W2部分被選沖奪 性地蝕刻。在這里，放電空間的W3部分全蝕刻，而在》文電電極之間的W2 部分半蝕刻。另夕卜，如圖IIE和IIF所示，鋁板330'的下表面利用第二PR掩膜PR2 作為阻蝕層進行蝕刻。通過此蝕刻處理，放電空間的W3部分和在放電電極 之間的W2部分被選擇性地蝕刻。在這里，放電空間的W3部分全蝕刻，直 至放電空間S被完全穿透，而放電電極之間的W2部分被半蝕刻，從而保持 預定厚度。隨后，將第一和第二掩膜PR1和PR2去除，然后，獲得具有圖11G的 結構的電極板330。在上述蝕刻處理后保留的某些部分335'形成放電電極， 其他部分33r在放電電極之間形成隔離層。另外，如圖IIH所示，進行陽極化處理，用于在電極板330的表面上 形成氧化物膜335t。沿電極板330的表面形成的氧化物膜335t由具有絕緣 性能的陶瓷材料Ah03形成。在這里，被形成為相對厚的放電電極335包括 未被氧化以保留電導性能的核心部335c，并且，在放電電極之間形成為相對薄的部分被完全氧化并隔離，從而形成支撐放電電極335并將放電電極335 相互隔離的隔離層331。陽極化處理是本發(fā)明的特征，并將在以后進行更詳 細的描述。另一方面，如圖111所示，具有與電極板330的結構大致相同的結構的 另一電極板340可通過重復上述處理而獲得。電極板340包括放電電極345 之間的隔離層341，并且被氧化物膜345覆蓋的每個放電電極345包括保持 電導性能的核心部345c。隨后，電極板330和340被相互對稱設置，并利用 隔離粘合劑365相互聯結。然而，即使電極板330和340不利用粘合劑365 直接相互聯結，電極板330和340的堆疊結構也可通過前基板310與后基板 320之間的聯結力而保持，因此，粘合劑365不是必要特征。隨后，制備將設置在電極板330和340的上、下表面上的前基板310和 后基板320。前、后基板310和320可以是玻璃基板。另外，槽32(V形成 在后基板320上并在其間具有恒定間隔，熒光物325應用在槽32(T上。槽 320'對應于形成在電極板330和340中的放電空間S。然后，前、后基板 310和320被相互垂直設置，同時將電極板330和340插于其間，然后，前、 后基板310和320利用應用在基板310與320之間的熔接(frit)密封材料 315相互聯結。在下文中，本發(fā)明的陽極化處理將更詳細地描述。圖12示意性圖示了 陽極化處理。在本發(fā)明的陽極化處理中，在例如硼酸銨、磷酸銨或酒石酸銨 的電解溶劑中，鋁板(Al)為陽極(+ )，而例如Pb、碳、Ni和作為催化劑 的Pb的材料為陰極。在這些條件下，提供DC電流以發(fā)生電-化學反應， 用于沿Al板表面形成氧化物膜A1203。氧化物膜的厚度通過調整例如處理 時間或DC電流量的處理條件而可最佳地控制在例如1 Mm至50jum的范圍 內。圖13是顯示氧化物膜的豎直橫截面的示意圖。氧化物膜通常包括具有 相互不同膜特性的兩個薄膜。多孔層包括具有幾nm至100nm直徑的納米孔， 并形成在氧化物膜的外表面部分上。因此，多孔層具有相對低的電絕緣性能。阻隔層形成在多孔層與在多孔層下的Al金屬之間，并且阻隔層具有無孔的 致密結構，從而有助于改善耐受電壓。整個氧化物膜的耐受電壓取決于阻隔 層的厚度，然而，在利用硫磺酸或草酸作為電解溶劑的傳統陽極化處理中，阻隔層的最大厚度為大約0.1 jum。在本發(fā)明中，使用例如硼酸銨、磷酸銨、或酒石酸銨的中性電解溶劑， 因此，可形成厚的阻隔層。當在陽極化處理中應用700V的電壓時，可形成 具有l(wèi)iam厚度的阻隔層。圖14的電子顯微照片顯示了通過本發(fā)明的陽極 化處理獲得的氧化物膜的豎直橫截面。如圖14所示，阻隔層的厚度增大， 并且，通過本發(fā)明的陽極化處理可形成最大厚度為ljam的阻隔層。根據本發(fā)明，作為電介質層的氧化物膜通過使其上形成有放電電極圖樣 的金屬板氧化而形成在放電電極的表面上，因此，不需要另外的處理以形成 電介質層。具體地，提供具有新結構并適于批量生產的等離子體顯示面板， 其中，電極延伸并同時圍繞放電空間，因此，可克服傳統的高效顯示面板的 限制，并可使顯示面板商業(yè)化。另外，電連接部分和隔離部分的厚度或寬度被設置為相互不同，因此， 可以進行相同的氧化處理，而不需要用于進行選擇性氧化處理的另外的圖樣 處理，以形成導電部分和隔離部分。因此，制造過程可最小化。具體地，根據本發(fā)明，圓形彎曲部分形成在放電電極的接觸放電空間的 拐角上，以防止氧化物膜的生長基底變弱，并在放電電極的包括拐角的整個 表面上均勻形成氧化物膜。因此，可預先防止由于氧化物膜中的裂縫或具有 稀疏結構的氧化物膜所致的放電穩(wěn)定性和耐久性的降低。雖然本發(fā)明參照其示例性實施例進行了詳細的顯示和描述，然而本領域 普通技術人員應理解的是，在不脫離由所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神 和范圍的情況下，可在形式上和細節(jié)上進行各種修改。
權利要求
1、一種等離子體顯示面板，包括相互面對的前基板和后基板；和在所述前基板與所述后基板之間相互面對的兩個或更多個電極板，所述兩個或更多個電極板通過包括在每個板中的相應的開口圖樣一起形成放電空間，其中，所述兩個或更多個電極板中的每一個包括多個放電電極，其延伸并圍繞每個所述放電空間的至少一部分，且具有接觸所述放電空間或鄰近所述放電空間的圓形拐角；和隔離元件，其在所述放電電極之間整體形成，用于支撐所述放電電極和將所述放電電極相互隔離，并由金屬氧化物材料形成。
2、 根據權利要求1的等離子體顯示面板，其中，所述放電電極中的每 一個從鄰近的》丈電電4及分離以;f皮獨立驅動。
3、 根據權利要求1的等離子體顯示面板，其中，所述圓形拐角包括所 述放電電極的鄰近所述放電空間的上、下拐角。
4、 根據權利要求1的等離子體顯示面板，其中，氧化物層形成在每個 所述^L電電極的表面上。
5、 根據權利要求1的等離子體顯示面板，其中，所述放電電極包括鋁， 并且，所述隔離元件由具有絕緣性能的氧化鋁形成。
6、 根據權利要求1-5中任一權利要求的等離子體顯示面板，其中所述 電極板包括第 一 電極板和第二電極板。
7、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，所述放電電極包括放 電部分和導電部分。
8、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極板的第 一放電電極和所述第二電極板的第二放電電極沿相互交叉的方向延伸。
9、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，所述第一和第二放電電極相互平行延伸，所述等離子體顯示面板進一步包括沿與所述^L電電極交叉的方向延伸并且設置在所述前基板或所述后基板上的尋址電極。
10、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，所述隔離層薄于所述 放電電極，并與所述放電電極形成豎直臺階。
11、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，所述隔離層的表面與 相鄰的放電電極形成豎直臺階，所述隔離層的另一表面與所述放電電極形成 平坦狀態(tài)。
12、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，所述隔離層的上、下 表面與相鄰的放電電極形成豎直臺階。
13、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，所述隔離層形成在所
14、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，多個槽形成在所述前 基板和所述后基板中的至少 一 個上以對應于所述放電空間，焚光物應用在所 述槽中。
15、 根據權利要求6的等離子體顯示面板，其中，所述放電空間被填充 以可通過放電激發(fā)的放電氣體。
16、 一種等離子體顯示面板，包括 相互面對的前基板和后基板；和在所述前基板與所述后基板之間相互面對的第一電極板和第二電極板， 所述第一電極板和所述第二電極板通過包括在每個板中的相應的開口圖樣 一起形成》丈電空間，其中，所述第一和第二電極板中的每一個包括放電電極，其包括放電部分，每個放電部分包括圍繞所述放電空間的 放電表面和接觸所述》文電表面的圓形拐角；和將所述》文電部分相互電連接的 導電部分；和至少一個橋，其整體形成在相鄰放電電極之間，以支撐所述放電電極并 將所述方丈電電極相互隔離。
17、 根據權利要求16的等離子體顯示面板，其中，所述圓形拐角包括 接觸所述放電表面的上、下拐角。
18、 根據權利要求16的等離子體顯示面板，其中，所述橋由金屬氧化 物材料形成。
19、 根據權利要求16的等離子體顯示面板，其中，所述橋的寬度窄于 所述導電部分的寬度。
20、 根據權利要求16的等離子體顯示面板，其中，具有絕緣性能的氧 化物層沿每個所述放電電極的表面形成。
21、 根據權利要求16的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極板的 第一放電電極和所述第二電極板的第二放電電極沿互相交叉的方向延伸。
22、 根據權利要求16的等離子體顯示面板，其中，至少一個所述橋沿 與所述放電電極延伸的方向交叉的方向在所述方文電電極之間延伸。
23、 根據權利要求16的等離子體顯示面板，其中，至少一個所述橋在 相鄰的放電電極的放電部分之間形成。
24、 根據權利要求16的等離子體顯示面板，其中，多個槽形成在所述 前基板和所述后基板中的至少 一 個上以對應于所述放電空間，熒光物應用在 所述槽中。
25、 一種制造等離子體顯示面板的方法，所述等離子體顯示面板包括以 陣列方式設置的多個放電空間和延伸并圍繞所述放電空間的多個放電電極， 所述方法包括制備原材料金屬板；形成第一光刻膠(PR)掩模，其覆蓋所述放電電極將形成在所述金屬 板的一表面上的部分；形成第二PR掩模，其覆蓋所述放電電極將形成在所述金屬板的另一表 面上的部分；選擇性地蝕刻所述金屬板的通過所述第一 PR掩模被暴露的表面； 選擇性地蝕刻所述金屬板的通過所述第二 PR掩模被暴露的另 一表面；去除所述第一 PR掩模和所述第二 PR掩模；在中性電解溶劑中氧化所述金屬板以在所述放電電極的表面上形成氧 化物層，用于在所述放電電極之間形成隔離部分。
26、 根據權利要求25的方法，其中，所述氧化過程使用的中性電解溶 劑包括從硼酸銨，磷酸銨，或酒石酸銨中所選出的至少一種。
27、 根據權利要求25的方法，其中，所述金屬板為鋁板。
28、 根據權利要求25的方法，其中，所述金屬板的形成有所述放電空 間的部分通過兩蝕刻處理^皮全蝕刻。
29、 根據權利要求25的方法，其中，所述金屬板在所述放電電極之間 的告卩分/人兩表面纟皮半刻。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體顯示面板及其制造方法。等離子體顯示面板包括相互分離的前基板和后基板；和在前基板與后基板之間相互面對的兩個或更多個電極板，所述兩個或更多個電極板通過包括在每個板中的相應的開口圖樣一起形成放電空間。每個電極板包括多個放電電極，其延伸并圍繞放電電極的至少一部分，并在接觸放電空間或鄰近放電空間的拐角處具有圓形彎曲部分；和在放電電極之間整體形成的隔離元件，用于支撐放電電極并將放電電極相互隔離，并由用于形成放電電極的金屬的氧化物材料形成。因此，等離子體顯示面板具有高發(fā)光效率且適于批量生產的新結構，并改善等離子體顯示面板的放電穩(wěn)定性和耐久性。
文檔編號H01J9/02GK101276721SQ200810084519
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月21日 優(yōu)先權日2007年3月21日
發(fā)明者姜景斗, 崔鐘佑, 曹臺昇, 李源周, 田炳玟, 黃鏞式 申請人:三星Sdi株式會社