專利名稱：發(fā)光二極管驅(qū)動電路及其晶體管開關(guān)模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種晶體管開關(guān)模塊及使用該晶體管開關(guān)模塊的發(fā)光二極管驅(qū)動
電路，特別是有關(guān)于一種具有電壓箝制功能的晶體管開關(guān)模塊及使用該晶體管開關(guān)模塊的發(fā)光二極管驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
請參考圖1，為一公知的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置。該發(fā)光二極管驅(qū)動裝置包含一調(diào)光控制單元10、一誤差放大器15、一N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20、一電源供應(yīng)器25、一發(fā)光二極管模塊30以及一電流檢測電阻R。電源供應(yīng)器25耦接發(fā)光二極管模塊30的一端以提供一驅(qū)動電壓驅(qū)動發(fā)光二極管模塊30發(fā)光。N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20耦接發(fā)光二極管模塊30的另一端，根據(jù)一開關(guān)控制信號控制流經(jīng)發(fā)光二極管模塊30的電流大小。電流檢測電阻R耦接N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20，檢測流經(jīng)發(fā)光二極管30的電流大小，并產(chǎn)生一電流檢測信號。誤差放大器15接收電流檢測信號及調(diào)光控制單元10的一控制信號，并據(jù)此輸出開關(guān)控制信號至N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20，以控制流經(jīng)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20的電流大小。調(diào)光控制單元10接收一調(diào)光信號，在調(diào)光信號代表ON狀態(tài)時，產(chǎn)生一參考電平信號作為控制信號，使電流檢測信號與參考電平信號等電位，N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20處于導(dǎo)通狀態(tài)；在調(diào)光信號代表OFF狀態(tài)時，產(chǎn)生一低電平信號作為控制信號，N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20處于截止?fàn)顟B(tài)，如此而達(dá)到調(diào)光效果。
當(dāng)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20截止時，發(fā)光二極管模塊30不再流經(jīng)電流，此時N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20的漏極電位將被拉到約等于驅(qū)動電壓。以發(fā)光二極管的驅(qū)動電壓為4伏特為例，當(dāng)發(fā)光二極管模塊30為串接20個發(fā)光二極管時，驅(qū)動電壓為80伏特。因此，N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20必須為高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管為了能耐高壓，其芯片面積不僅較大而成本提高，且其柵極源極電容(Cgs)也隨之大增。柵極源極電容(Cgs)的上升也造成誤差放大器15必須具備高驅(qū)動能力以驅(qū)動N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20。再者，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的損耗正比于fCV2，其中f為切換頻率，C為柵極源極電容值，V為切換時的電位變化。因此，耐高壓能力越好的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管會不僅功率損耗高，且需增加電路的散熱能力以避免電路及金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管過熱而毀損。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于公知技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明利用一電壓箝制元件，在控制發(fā)光二極管模
塊電流的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管截止時，箝制金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管漏極的電位，以
降低金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的耐壓需求。如此，不僅發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的成本可大幅
下降，也可減少金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的功耗、提高了整體電路的效率。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種晶體管開關(guān)模塊，包含一晶體管開關(guān)、一調(diào)光
控制單元以及一電壓箝制元件。該晶體管開關(guān)具有一控制端、一第一端以及一第二端，該第一端耦接一發(fā)光二極管模塊。該調(diào)光控制單元耦接該晶體管開關(guān)的該控制端并包含一多路復(fù)用器，該多路復(fù)用器接收一第一參考信號、一第二參考信號及一調(diào)光信號并根據(jù)該調(diào)光信號選擇輸出該第一參考信號或該第二參考信號，以控制流經(jīng)該晶體管開關(guān)的一電流大小。該電壓箝制元件耦接該晶體管開關(guān)的該第一端，以使該第一端的電位與該第二端的電位差小于一預(yù)定值。 本發(fā)明也提供了一種發(fā)光二極管驅(qū)動電路，包含一電流控制裝置、一調(diào)光控制單元以及一電壓箝制元件。該電流控制裝置具有一控制端、多個第一端以及一第二端，該多個第一端對應(yīng)耦接該發(fā)光二極管模塊中的多個發(fā)光二極管單元，其中該多個第一端流經(jīng)的電流大小實(shí)質(zhì)上相同。該調(diào)光控制單元耦接該晶體管開關(guān)的該控制端，該調(diào)光控制單元包含一多路復(fù)用器，該多路復(fù)用器接收一第一參考信號、一第二參考信號及一調(diào)光信號并根據(jù)該調(diào)光信號選擇輸出該第一參考信號或該第二參考信號，以控制流經(jīng)該電流控制裝置的一電流大小。該電壓箝制元件耦接該電流控制裝置的該多個第一端，以使每一該多個第一端的電位與該第二端的電位差小于一預(yù)定值。 以上的概述與接下來的詳細(xì)說明皆為示范性質(zhì)，是為了進(jìn)一步說明本發(fā)明的申請專利范圍。而有關(guān)本發(fā)明的其他目的與優(yōu)點(diǎn)，將在后續(xù)的說明與圖示加以闡述。


圖1為一公知的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置； 圖2為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的晶體管開關(guān)模塊用于發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的電路示意圖； 圖3為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的晶體管開關(guān)模塊用于發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的電路示意圖； 圖4為本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的晶體管開關(guān)模塊用于發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的電路示意圖； 圖5為本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的晶體管開關(guān)模塊用于發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的電路示意圖； 圖6為本發(fā)明應(yīng)用于多串發(fā)光二極管單元所組成的發(fā)光二極管模塊的發(fā)光二極
管驅(qū)動裝置的電路示意圖。 其中，附圖標(biāo)記 調(diào)光控制單元IO 誤差放大器15 N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管20 電源供應(yīng)器25 發(fā)光二極管模塊30 電流檢測電阻R 調(diào)光控制單元100、200、300、400、500
參考電壓產(chǎn)生器102、202、302、402、502
多路復(fù)用器104、204、304、404、504
濾波電路106 、206 、306 、406 、506
誤差放大器110、210、310、410、510 晶體管開關(guān)115、215、315、415 電流控制裝置515 電壓箝制元件120、220、320、420、520 電源供應(yīng)器125、225、325、425、525 發(fā)光二極管模i央130、230、330、430、530 驅(qū)動電壓VDDH 電源電壓VDDL、 VDDL' 電流檢測電阻R
具體實(shí)施例方式
請參考圖2，為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的晶體管開關(guān)模塊用于發(fā)光二極管驅(qū)動裝 置的電路示意圖。發(fā)光二極管驅(qū)動裝置包含一調(diào)光控制單元100、一晶體管開關(guān)115、一電 壓箝制元件120、一電源供應(yīng)器125以及一發(fā)光二極管模塊130。電源供應(yīng)器125耦接發(fā)光 二極管模塊130的一端以提供一驅(qū)動電壓VDDH驅(qū)動發(fā)光二極管模塊130發(fā)光。晶體管開 關(guān)115具有一控制端、一第一端以及一第二端，第一端耦接發(fā)光二極管模塊130，第二端耦 接一參考電位(例如接地)，控制端接收由調(diào)光控制單元100產(chǎn)生的一控制信號。調(diào)光控 制單元100包含一參考電壓產(chǎn)生器102、一多路復(fù)用器104、一濾波電路106以及一誤差放 大器110。多路復(fù)用器104的一輸入端接收參考電壓產(chǎn)生器102所產(chǎn)生的一第一參考信號， 另一輸入端則接收一第二參考信號(在本實(shí)施例為接地)，并根據(jù)所接收的一調(diào)光信號DIM 選擇輸出第一參考信號或第二參考信號。濾波電路106耦接于該多路復(fù)用器104及該誤差 放大器110之間，以濾除該多路復(fù)用器104切換第一參考信號或第二參考信號輸時所產(chǎn)生 的噪聲。誤差放大器110的反向端接收一電流檢測電阻R所產(chǎn)生的一檢測信號(即晶體管 開關(guān)115第二端的電位)，非反向端則接收該多路復(fù)用器輸出的信號，以根據(jù)該多路復(fù)用器 輸出的信號調(diào)整輸出至晶體管開關(guān)115控制端的信號的電平，使檢測信號的電平受控于該 多路復(fù)用器所輸出信號的電平附近。 當(dāng)調(diào)光信號DIM位于代表導(dǎo)通的狀態(tài)時(例如高電平)，多路復(fù)用器104選擇輸 出參考電壓產(chǎn)生器102所產(chǎn)生的第一參考信號，此時晶體管開關(guān)115導(dǎo)通以通過一預(yù)定電 流大小，使電流檢測電阻R所產(chǎn)生的檢測信號的電平與第一參考信號的電平相同，因此發(fā) 光二極管模塊130持續(xù)穩(wěn)定發(fā)光。而當(dāng)調(diào)光信號位于代表截止的狀態(tài)時(例如低電平)， 多路復(fù)用器104選擇輸出零電位的第二參考信號使流經(jīng)該晶體管開關(guān)115的該電流降至 零，此時發(fā)光二極管模塊130不發(fā)光。電壓箝制元件120耦接晶體管開關(guān)115的第一端及一 參考電平，在調(diào)光信號位于代表截止的狀態(tài)時，電壓箝制元件120箝制第一端的電位于一 預(yù)定電位，如此即可確保晶體管開關(guān)115第一端的電位與第二端的電位差小于一預(yù)定值。 參考電平可以是接地電位或系統(tǒng)的一穩(wěn)定電壓源，在本實(shí)施例，參考電平是調(diào)光控制單元 的一電源電壓VDDL，而電壓箝制元件120為一二極管。 電壓箝制元件120所箝制的預(yù)定電平根據(jù)發(fā)光二極管模塊130的發(fā)光臨界電壓而 設(shè)定，較佳的為設(shè)定在(驅(qū)動電壓VDDH-發(fā)光臨界電壓)附近。舉例來說，驅(qū)動電壓VDDH 為80伏特，而發(fā)光二極管模塊130為串接20個發(fā)光二極管，發(fā)光二極管平均的臨界電壓為3. 5V，故發(fā)光二極管模塊130的發(fā)光臨界電壓為20*3. 5 = 70伏特，因此，箝制預(yù)定電平可 以設(shè)定在80-70 = 10伏特上下，最佳為略高于10伏特，以確保發(fā)光二極管模塊130此時不 發(fā)光。因此，當(dāng)調(diào)光信號位于代表導(dǎo)通的狀態(tài)時，晶體管開關(guān)115的第一端電壓低于10伏 特的預(yù)定電平，發(fā)光二極管模塊130發(fā)光，此時壓箝制元件120并無作用。而當(dāng)調(diào)光信號位 于代表截止的狀態(tài)時，晶體管開關(guān)115停止導(dǎo)通電流使發(fā)光二極管模塊130不發(fā)光，此時第 一端電壓被電壓箝制元件120箝制在IO伏特左右的預(yù)定電平上。所以，晶體管開關(guān)115的 耐壓僅需在高于10伏特即可，而不需到80伏特。 因此，使用本發(fā)明技術(shù)方案的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置僅需使用一般的低壓金屬氧化 物半導(dǎo)體晶體管即可而不必使用高壓金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，可降低成本。而且，低壓金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管不僅對調(diào)光控制單元的驅(qū)動能力要求較低，其功率損耗也較低而可 提高發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的電路效率。 壓箝制元件120除了如圖2所示的二極管外，也可以是其他具有電壓箝制能力的 元件。請參考圖3，為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例的晶體管開關(guān)模塊用于發(fā)光二極管驅(qū)動裝 置的電路示意圖。本實(shí)施例的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置包含一調(diào)光控制單元200、一晶體管開 關(guān)215、一電壓箝制元件220、一電源供應(yīng)器225以及一發(fā)光二極管模塊230。調(diào)光控制單 元200包含一參考電壓產(chǎn)生器202、一多路復(fù)用器204、一濾波電路206以及一誤差放大器 210。與圖2所示的電路相較，圖3的電壓箝制元件220為基納二極管，耦接于晶體管開關(guān) 215的第一端及參考電位(接地)之間，即可達(dá)到依據(jù)調(diào)光信號，將晶體管開關(guān)215的第一 端箝制在預(yù)定電平或之下。圖3的其他元件的功能及運(yùn)作與圖2的元件相同，在此不再重 復(fù)說明。 上述兩實(shí)施例均使用N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管為例來說明，而實(shí)際應(yīng)用時， 亦可使用P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或者多個N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或P型金屬 氧化物半導(dǎo)體晶體管(例如應(yīng)用于高電流操作)作為晶體管開關(guān)。請參考圖4，為本發(fā)明 的第三較佳實(shí)施例的晶體管開關(guān)模塊用于發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的電路示意圖。本實(shí)施例 的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置包含一調(diào)光控制單元300、一晶體管開關(guān)315、一電壓箝制元件320、 一電源供應(yīng)器325以及一發(fā)光二極管模塊330。調(diào)光控制單元300包含一參考電壓產(chǎn)生器 302、一多路復(fù)用器304、一濾波電路306以及一誤差放大器310。在本實(shí)施例中，晶體管開 關(guān)315耦接一參考電位(電源供應(yīng)器325所輸出的驅(qū)動電壓VDDH)及一電源電壓VDDL'，其 中晶體管開關(guān)315為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。晶體管開關(guān)315的第一端耦接發(fā)光二 極管模塊330，該第二端耦接一參考電位(在此實(shí)施例為電源供應(yīng)器325所輸出的驅(qū)動電 壓VDDH)。發(fā)光二極管模塊330 —端耦接于晶體管開關(guān)315的第一端，另一端接地。調(diào)光 控制單元300根據(jù)一調(diào)光信號DIM控制晶體管開關(guān)315為截止?fàn)顟B(tài)或?qū)顟B(tài)而達(dá)到調(diào)光 功能。電壓箝制元件320包含至少一二極管，利用二極管的數(shù)量多寡來調(diào)整電壓箝制元件 320的箝制預(yù)定電平(即，箝制預(yù)定電平"，Vd，其中N為二極管數(shù)量，Vd為二極管PN結(jié) 造成的順向偏壓值)，使晶體管開關(guān)315就算處于截止?fàn)顟B(tài)，其兩端的電位差也能小于一預(yù) 定值。 接著，請參考圖5，為本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的晶體管開關(guān)模塊用于發(fā)光二極管 驅(qū)動裝置的電路示意圖。本實(shí)施例的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置包含一調(diào)光控制單元400、一晶體 管開關(guān)415、一電壓箝制元件420、一電源供應(yīng)器425以及一發(fā)光二極管模塊430。調(diào)光控制單元400包含一參考電壓產(chǎn)生器402、一多路復(fù)用器404、一濾波電路406以及一誤差放大 器410。相較于圖2所示實(shí)施例，電壓箝制元件420包含至少一個雙極性晶體管，每一雙極 性晶體管的射極耦接下一個雙極性晶體管的基極，最后一個雙極性晶體管的射極接地，該 些雙極性晶體管的集電極則耦接至一電流源(例如本實(shí)施例中的電流鏡)，使雙極性晶體 管表現(xiàn)出PN結(jié)的特性而達(dá)到箝制晶體管開關(guān)415第一端及第二端的電位差在一預(yù)定值之 下。 上述實(shí)施例中的發(fā)光二極管模塊均以單串的發(fā)光二極管單元為例說明，而實(shí)際應(yīng) 用上本發(fā)明的晶體管開關(guān)模塊也可以應(yīng)用至多串發(fā)光二極管單元所組成的發(fā)光二極管模 塊。請參考圖6，為本發(fā)明應(yīng)用于多串發(fā)光二極管單元所組成的發(fā)光二極管模塊的發(fā)光二 極管驅(qū)動裝置的電路示意圖。本實(shí)施例的發(fā)光二極管驅(qū)動裝置包含一調(diào)光控制單元500、 一電流控制裝置515、一電壓箝制元件520、一電源供應(yīng)器525以及一發(fā)光二極管模塊530。 調(diào)光控制單元500包含一參考電壓產(chǎn)生器502、一多路復(fù)用器504、一濾波電路506以及一 誤差放大器510。發(fā)光二極管模塊530為由多串的發(fā)光二極管單元所組成。電流控制裝置 515具有一控制端、多個第一端以及一第二端，該多個第一端對應(yīng)耦接該發(fā)光二極管模塊 530中的多個發(fā)光二極管單元，而第二端接地。電流控制裝置515為一電流鏡電路，故該多 個第一端流經(jīng)的電流大小實(shí)質(zhì)上相同，使發(fā)光二極管模塊530中每一串的發(fā)光二極管單元 的發(fā)光亮度幾乎一致。電壓箝制元件520包含多個二極管，每一二極管的正端耦接電流控 制裝置515中對應(yīng)的第一端，而負(fù)端耦接至作為參考電平的電源電壓VDDL。如此，電流控制 裝置515中的多個第一端的電位均受電壓箝制元件520的箝制，使多個第一端的電位與該 第二端的電位差均小于一預(yù)定值。 根據(jù)上述說明可知，本發(fā)明的電壓箝制元件可以是任何具有電壓箝制能力的元件 及其組合，例如電壓箝制元件可以為至少一二極管、至少一基納二極管、至少一雙極性晶 體管、金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或上述元件的組合。另外，每一個控制器，例如實(shí)施例中的 調(diào)光控制單元，均會設(shè)計一靜電防護(hù)(ESD)單元，將控制器內(nèi)部的電路的電位箝制在約略 一接地電位到一操作電位的范圍內(nèi)，以避免控制器遭受靜電等造成的瞬間高壓而毀損。因 此，控制器的靜電防護(hù)單元也可以作為本發(fā)明的電壓箝制元件而達(dá)到相同的功能。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種晶體管開關(guān)模塊，其特征在于包含一晶體管開關(guān)，具有一控制端、一第一端以及一第二端，該第一端耦接一發(fā)光二極管模塊；一調(diào)光控制單元，耦接該晶體管開關(guān)的該控制端，該調(diào)光控制單元包含一多路復(fù)用器，該多路復(fù)用器接收一第一參考信號、一第二參考信號及一調(diào)光信號并根據(jù)該調(diào)光信號選擇輸出該第一參考信號或該第二參考信號，以控制流經(jīng)該晶體管開關(guān)的一電流大?。灰约耙浑妷后橹圃?，耦接該晶體管開關(guān)的該第一端，以使該第一端的電位與該第二端的電位差小于一預(yù)定值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管開關(guān)模塊，其特征在于該電壓箝制元件為該調(diào)光控制 單元內(nèi)的一靜電防護(hù)單元。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管開關(guān)模塊，其特征在于該電壓箝制元件包含至少一二 極管、至少一基納二極管、至少一雙極性晶體管或其組合。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管開關(guān)模塊，其特征在于該多路復(fù)用器選擇該第二參考 信號輸出時，流經(jīng)該晶體管開關(guān)的該電流降至零。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管開關(guān)模塊，其特征在于該調(diào)光控制單元還包含一誤差 放大器，該誤差放大器根據(jù)該第二端的電平及該多路復(fù)用器輸出的信號，以控制該晶體管 開關(guān)的狀態(tài)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管開關(guān)模塊，其特征在于該調(diào)光控制單元還包含一濾波 電路耦接于該多路復(fù)用器及該誤差放大器之間，以濾除該多路復(fù)用器所輸出信號的噪聲。
7. —種發(fā)光二極管驅(qū)動電路，其特征在于包含一電流控制裝置，具有一控制端、多個第一端以及一第二端，該多個第一端對應(yīng)耦接 該發(fā)光二極管模塊中的多個發(fā)光二極管單元，其中該多個第一端流經(jīng)的電流大小實(shí)質(zhì)上相 同；一調(diào)光控制單元，耦接該晶體管開關(guān)的該控制端，該調(diào)光控制單元包含一多路復(fù)用器， 該多路復(fù)用器接收一第一參考信號、一第二參考信號及一調(diào)光信號并根據(jù)該調(diào)光信號選擇 輸出該第一參考信號或該第二參考信號，以控制流經(jīng)該電流控制裝置的一電流大??；以一電壓箝制元件，耦接該電流控制裝置的該多個第一端，以使每一該第一端的電位與 該第二端的電位差小于一預(yù)定值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管驅(qū)動電路，其特征在于該電流控制裝置為一電流 鏡電路。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管驅(qū)動電路，其特征在于該電壓箝制元件為該調(diào)光 控制單元內(nèi)的一靜電防護(hù)單元。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管驅(qū)動電路，其特征在于該電壓箝制元件包含至 少一二極管、至少一基納二極管、至少一雙極性晶體管或其組合。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管驅(qū)動電路，其特征在于該多路復(fù)用器選擇該第 二參考信號輸出時，流經(jīng)該電流控制裝置的該電流降至零。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管驅(qū)動電路，其特征在于該調(diào)光控制單元還包含 一誤差放大器，該誤差放大器根據(jù)該第二端的電平及該多路復(fù)用器輸出的信號，以控制該 電晶體開關(guān)的狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管驅(qū)動電路，其特征在于該調(diào)光控制單元還包含 一濾波電路，其耦接于該多路復(fù)用器及該誤差放大器之間，以濾除該多路復(fù)用器所輸出信 號的噪聲。
全文摘要
本發(fā)明利用一電壓箝制元件，在控制發(fā)光二極管模塊電流的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管截止時，箝制金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管漏極的電位，以降低金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的耐壓需求。如此，不僅發(fā)光二極管驅(qū)動裝置的成本可大幅下降，也可減少金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的功耗、提高了整體電路的效率。
文檔編號F21V23/00GK101730335SQ20081017522
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月30日
發(fā)明者余仲哲, 徐獻(xiàn)松, 柳娟娟 申請人:登豐微電子股份有限公司