專利名稱：：等離子體顯示面板裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及等離子體顯示面板裝置，尤其涉及包括在等離子體顯示面板裝置的等離子體顯示面板中的電極的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：一般來說，等離子體顯示面板包括上^L和下基l障壁位于上^L和下^L之間，并且每個障壁限定單位單元。惰性氣體被注入到每個單位單元中，該惰性氣體由一次放電氣體和少量Xe組成，其中一次放電氣體包括Ne、He以及Ne和He的混合物中的任一個。當通過高頻電壓放電時，該惰性氣體發(fā)射真空紫外線，且所發(fā)射的真空紫外線氣良形成在障壁中的磷光體以顯示圖像。該等離子體顯示面板可以被制作得更薄更輕，因此其作為下一代顯示器得到普及。在一般的等離子體顯示面板中，掃描電極和維持電極形成在上141上，并且這些掃描電極和維持電極分別具有由昂貴的ITO(氧化銦錫)制成的透明電極和匯流電^W目互堆疊的結(jié)構(gòu)以確保面板的高孔徑比。近來開發(fā)了一種等離子體顯示面板，其能夠向觀看者提供足夠的視覺感受和驅(qū)動特征并節(jié)省制造成本。因此，需要一種能夠提高所顯示的圖像的亮度并通過去除對由ITO制成的透明電極的需要來降低面板制造成本的等離子體顯示面板裝置。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的典型實施例提供一種等離子體顯示面板裝置，包括上基板;在所述上^L上形成的第一電極和第二電極；^L設(shè)置成與所述上基板面對的下H以及在所述下基板上形成的第三電極，其中所述第一電極以單層形成，并且所述第一電極包括與所述第三電極交叉的電極線和從所述電極線向所述第二電fcEl伸的突出電極，其中靠近所述電極線的所述突出電通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的典型實施例，本發(fā)明將變得更加清楚，在附圖中圖l是示出根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的等離子體顯示面板的透視圖2是示出包括在根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的等離子體顯示面板中的電極的陣列的視圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的等離子體顯示面板的時分驅(qū)動方法的時序圖，其中一幀被分為多個子場；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的驅(qū)動等離子體顯示面板的驅(qū)動信號的時序圖5-圖13是示出在根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的等離子體顯示面板中包括的上基板上設(shè)置的電極的結(jié)構(gòu)的視圖；以及圖14是示出根據(jù)表1中所示測量結(jié)果的距離dl和d2與放電開始電壓之間的關(guān)系的曲線圖。具體實施例方式下面參照附圖描述本發(fā)明的典型實施例。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明典型實施例的等離子體顯示面板的透視圖。參考圖1，該等離子體顯示面板包括以預(yù)定的間隔相互連結(jié)的上面板10和下面板20。上面板10包括其上形成有保持電極對12和13的上基tl11，該保持電極對12和13包括掃描電極12和維持電極13，掃描電極和維持電極的每一個根據(jù)其功能與另一個分開。該保持電極對12和13覆蓋有上介電層14，上介電層14限制放電電流并使一個保持電極對與另一個絕緣。保護層15設(shè)置在上介電層204上以保護上介電層14不受氣體放電時產(chǎn)生的帶電粒子的濺射并提高二次電子的發(fā)射效率。放電氣體被注入到由上基仗11、下基仗21和障壁22區(qū)分的放電空間中。該放電氣體可包含10%以上的Xe。在Xe以上述混合比包含在放電氣體中的情況下，可以提高等離子體顯示面板的放電/發(fā)射效率和亮度。下面板20包括下基板21，下基板21上形成有障壁22以限定放電空間，即放電單元。尋址電極23形成在下基t!21上以與保持電極對12和13交叉。磷光體層24被施加到下介電層25和障壁22的表面上。磷光體層24被氣體放電時產(chǎn)生的紫外線亂良以發(fā)射可見光。障壁22包括與尋址電極23平^i殳置的垂直障壁22a和與尋址電極23交叉地設(shè)置的水平障壁22b。障壁22在物理上限定了放電單元并防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見光泄漏到相鄰的放電單元。在根據(jù)本發(fā)明典型實施例的等離子體顯示面板中，保持電極對12和13僅由不透明金屬制成。例如，該保持電^t可以不由傳統(tǒng)上用于透明電極的ITO(氧化銦錫)制成，而是由傳統(tǒng)上用于匯流電極的Ag、Cu或Cr制成。也就是說，保持電極對12和13以單一的匯流電極層形成而沒有傳統(tǒng)的ITO電極。例如，保持電極對12和13可由可以是感光性的Ag制成。與上介電層14或下介電層14相比，保持電極對12和13可以顏色更暗并且透射率更低。在紅、綠、藍放電單元中施加的磷光體層24在間距上可以彼此相同也可以彼此不同。在磷光體層24在間距上彼此不同的情況下，緣故電單元的間距可以大于紅放電單元的間距，并小于藍放電單元的間距。如圖1所示，保持電極對12和13可以被形成為具有多個電極線。也就是說，第一維持電極12可以包括兩個電極線12a和12b，并且第二維持電極13可以包括與第一維持電極12關(guān)于水平障壁22b對稱設(shè)置的兩個電極線13a和13b。根據(jù)不透明保持電極對12和13的用途，考慮到孔徑比和放電擴散效率，第一和第二維持電極12和13可以分別是掃描電極和維持電極。也就是說，考慮到孔徑比，使用寬度窄的電極線，而考慮到放電擴散效率，使用多個電極線。這時候，考慮到孔徑比和放電擴M率二者，可以確定電極線的數(shù)量。圖1中所示的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)僅是根據(jù)本發(fā)明的典型實施例的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)的例子，并且本發(fā)明不局限于此。例如，可以在上基fcl11上i更置黑矩陣(未示出)以吸收外部光線，從而減少外部光線的反射，并提高上基板11的純度和對比度?？梢钥刹鹦兜鼗蛞惑w化地配置該黑矩陣(未示出)。盡管圖1中所示的障壁被配置為封閉型，其中放電單元被垂直障壁22a和水平障壁22b封閉，但是本發(fā)明不局限于此。例如，可以將該障壁配置為僅包括垂直障壁的條型，或者配置為以預(yù)定間隔從垂直障壁伸出突起的魚骨型。圖2是示出包括在根據(jù)本發(fā)明典型實施例的等離子體顯示面板中的電極的陣列的視圖，其中包括在等離子體顯示面板中的多個放電單元可以設(shè)置成矩陣模式。多個放電單元被設(shè)置在掃描電極線Y1-Ym和維持電極線Zl-Zm與尋址電極線XI-Xn的交叉點附近。掃描電極線Yl-Ym可以順序或同時驅(qū)動，維持電極線Z1-Zm可以同時驅(qū)動。尋址電極線XI-Xn可以順序驅(qū)動?？梢詫ぶ冯姌O線XI-Xn分為奇數(shù)尋址電極線和偶數(shù)尋址電極線以進行驅(qū)動。圖2中所示的電極陣列僅是根據(jù)本發(fā)明典型實施例的PDP中電極陣列的例子。因此，本發(fā)明不局限于圖2中所示的電極的陣列和驅(qū)動方法。例如，本發(fā)明可以采用雙掃描方法，其中掃描電極線Yl-Ym中的兩個同時被掃描。還可以將尋址電極線Xl-Xn分為上部分和下部分或者關(guān)于面板的中軸分為左部分和右部分以進行驅(qū)動。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明典型實施例的等離子體顯示面板的時分驅(qū)動方法的時序圖，其中一幀被分為多個子場(subfield)。對于時分^JL級顯示，可以將單位幀分為例如八個子場SF1-SF8。子場SF1-SF8中的每個包括復(fù)位時間段(未示出)、尋址時間段Al-A8以及維持時間段S1-S8。根據(jù)本發(fā)明的典型實施例，可以從多個子場中的至少一個中省略復(fù)位時間段。例如，復(fù)位時間段可以僅存在于第一子場中，或僅存在于第一子場和位于第一子場和最后子場之間的子場中。在每個尋址時間段Al-A8期間，將顯示數(shù)據(jù)信號應(yīng)用到尋址電極X并將其對應(yīng)的掃描脈沖順序應(yīng)用到每個掃描電極Y。在每個維持時間段SI-S8期間，將維持脈沖交替地應(yīng)用到掃描電極Y和維持電極Z，使得在尋址時間段Al—A8期間在產(chǎn)生壁電荷的放電單元中發(fā)生維持放電。PDP的亮度與占用單位幀的維持時間段SI-S8期間產(chǎn)生的維持放電脈沖的數(shù)量成正比。在將表達一個圖像的一幀表示為八個子場和256個灰度級的情況下，可以將該數(shù)量的維持脈沖按1、2、4、8、16、32、64和128的比不同地分配給每個子場。通過在子場SF1、SF3和SF8期間在尋址單元的同時引起維持放電可以實現(xiàn)133個AJL級的亮度。可以根據(jù)自動功率控制(automaticpowercontrol,APC)階段中子場的權(quán)值來確定分配給每個子場的維持放電的數(shù)量。盡管在圖3中描述了將一幀分為八個子場的情況，但是本發(fā)明不局限于此，構(gòu)成一幀的子場數(shù)量可以根據(jù)設(shè)計和恥格而變化。例如，可以將一幀分為八個以上的子場，如12個子場和16個子場來驅(qū)動PDP。此外，考慮到伽馬特性或面板特征，分配給每個子場的維持放電的數(shù)量可不同地變化。例如，分配給子場SF4的AJL級的等級可以從8降低到6，而分配給子場6的支變級的等級可以從32上升到34。圖4是根據(jù)本發(fā)明典型實施例的驅(qū)動等離子體顯示面板的驅(qū)動信號的時序圖。參考圖4，每個子場可包,復(fù)位時間段、復(fù)位時間段、尋址時間段和維持時間段。預(yù)復(fù)位時間段在掃描電極Y上產(chǎn)生正的壁電荷而在維持電極Z上產(chǎn)生負的壁電荷。復(fù)位時間段使用在預(yù)復(fù)位時間段期間形成的壁電荷的分布初始化全部放電單元。尋址時間段選擇放電單元。維持時間段維持在所選擇的放電單元中發(fā)生的放電。復(fù)位時間段包括上升(set-up)時間段和下降(set-down)時間段。在上升時間段期間，將斜坡上升(ramp-up)波形同時應(yīng)用到全部掃描電極以在全體放電單元中引起微小放電，結(jié)果產(chǎn)生壁電荷。在下降時間段期間，將到全體掃描電極Y以在全部放電單元中引起擦除放電，并由此從通過上升放電產(chǎn)生的壁電荷和空間電荷中擦除不需要的電荷。在尋址時間段期間，將具有負掃描電壓Vsc的掃描信號順序應(yīng)用到掃描電極，并且同時將正數(shù)據(jù)信號應(yīng)用到尋址電極X。通過該掃描信號和該數(shù)據(jù)信號之間的電壓差和在復(fù)位時間段期間產(chǎn)生的壁電荷發(fā)生尋址放電，且因此選擇了單元。同時，在尋址時間段期間可以將維持偏壓Vzb應(yīng)用到維持電極以提高尋址放電的效率。在尋址時間段期間，可以將多個掃描電極Y分為兩個或更多個組，并且可以將掃描信號順序應(yīng)用到該掃描電極組。并且還可以將每個掃描電極組再分為兩個或更多個子組，并可以將掃描信號順序提供給該子組。例如，可以將多個掃描電極Y分為第一組和第二組，并將掃描信號順序提供給包括在第一組中的掃描電極，然后提供給包括在第二組中的掃描電極。根據(jù)本發(fā)明的典型實施例，可以將多個掃描電極Y分為包括偶數(shù)掃描電極的第一組和包括奇數(shù)掃描電極的第二組。另夕卜，可以關(guān)于面板的中心軸將多個掃描電極Y分為包括位于面板的上部分中的掃描電極的第一組和包括位于面板的下部分中的掃描電極的第二組?？梢詫ㄔ诘谝唤M中的掃描電極再分為包括偶數(shù)掃描電極的第一子組和包括奇數(shù)掃描電極的第二子組，或者關(guān)于第一組的中心線再分為包括位于上部分中的掃描電極的第一子組和包括位于下部分中的掃描電極的第二子組。在維持時間段期間，將具有維持電壓Vs的維持脈沖交替地應(yīng)用到掃持放電，中，第一維持信號或最后維持信號在脈沖寬度上可以大于其它維持信號。在維持放電之后，所述子場可以進一步包括擦除時間段以通過在掃描電極和維持電極之間引起弱的放電來擦除殘留在尋址時間段期間選擇的工作狀態(tài)(On-state)的單元的掃描電極和維持電極上的壁電荷。擦除時間段可以包括在全部子場中或者一些子場中，并且可以將用于引起弱放電的擦除信號應(yīng)用到在維持時間段期間對其不應(yīng)用最后維持脈沖的電極。該擦除信號可以包括逐漸上升的斜坡信號、低電壓寬脈沖、高電壓窄脈沖、指數(shù)信號或半正弦脈沖。可以將多個脈沖順序應(yīng)用到掃描電極和維持電極以引起弱放電。圖4中所示的驅(qū)動波形只;l^l據(jù)本發(fā)明的典型實施例驅(qū)動等離子體顯示面板的信號的例子，并且本發(fā)明不局限圖4中所示的驅(qū)動波形。例如，可以從所述子場中省略預(yù)復(fù)位時間段，并且根據(jù)需要可以修改圖4中所示的驅(qū)動波形的極性和電壓電平。并且還可以將所述擦除信號應(yīng)用到維持電極以在維持放電完成之后擦除壁電荷。此外，可以將維持信號應(yīng)用到掃描電極Y或維持電極Z中的任一個，以引起稱為"單維持驅(qū)動"的維持放電。圖5-圖13是示出在根據(jù)本發(fā)明典型實施例的等離子體顯示面板中包括的上基仗上設(shè)置的電極的結(jié)構(gòu)的視圖，其中在圖1中所示的等離子體顯示面板中包括的放電單元上形成有單個保持電極對。參考圖5,成對提供的兩個維持電極110和120關(guān)于放電單元的水平中心軸相互對稱地形成在基板上。維持電極110可以包括至少兩個電極線111和112以及從靠近水平中心軸的電極線112向水平中心軸延伸的兩個突出電極114和115。維持電極120可以包括至少兩個電極線121和122以及從靠近水平中心軸的電極線121向水平中心軸延伸的兩個突出電極124和125。維持電極110可以進一步包括將電極線111連接到電極線112的連接電極113。維持電極120可以進一步包括將電極線121連接到電極線122的連接電極123。電極線lll、112、121和122與放電單元相交并且在等離子體顯示面板的方向上延伸?？梢詫⒚總€電極線形成為具有窄的寬度以提高放電單元的孔徑比。此外，使用多個電極線，例如電極線lll、112、121和122，以提高放電擴散效率。在此情況下，可以考慮孔徑比來確定電極線的數(shù)量。在驅(qū)動等離子體顯示面板時，突出電極114、115、124和125降#^電開始電壓。更具體來說，由于突出電極114和115分別靠近突出電極124和125，也就是說，在突出電極114和124之間或者在突出電極115和125之間的間隔小，甚至以低放電開始電壓也能夠容易地啟動放電，因此，可以降>(^改電開始電壓。放電開始電壓可以指的是當脈沖被提供給維持電極110和120中的至少一個時允許放電啟動的電壓。連接電極113和123幫助由突出電極114、115、124和125產(chǎn)生的放電容易地分別向位于遠離放電單元的水平中心線的電極線111和122擴展。如上所述，可以通過突出電極114、115、124和125來降^(^故電開始電壓，并且可以通過多個電極線lll、112、121和122來提高放電擴散效率。結(jié)果是提高了等離子體顯示面板的發(fā)射效率。因此，可以去除ITO透明電極而不會減小等離子體顯示面板的亮度。參考圖6，當兩個相鄰的電極線111和112之間的距離dl增加時，面板的孔徑比相應(yīng)地增加，但是放電擴散效率可能降低。當造成放電的兩個突出電極114和124之間的距離d2增加時，放電開始電壓可能相應(yīng)地增加。表1示出放電開始電壓l^巨離dl和d2的變化。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>圖14描述了根據(jù)表1中所示測量結(jié)果的距離dl和d2與放電開始電壓之間的關(guān)系。參考表1和圖14，當距離dl和d2減少時，距離dl減少，并且這導(dǎo)致放電擴fi^t率的提高。因此，當距離dl等于距離d2的4.6倍時，放電開始電壓減少到低于180V。然而，當距離dl大于距離d2的1.8倍時，隨著距離d2增加，放電開始電壓突然增加，例如高于187V。因此，當距離dl范圍在距離d2的約1.8倍到約4.6倍時，放電開始電壓可以穩(wěn)定地減少到低于約180V。另夕卜，為了確保面板的孔徑比以防止面板亮度的降低并允許在放電單元的整個區(qū)域中均勻地產(chǎn)生放電，距離dl可以為距離d2的約2.1倍到約2.8倍。假定突出電極114和124的長度為50nm到100>^1可看出當距離dl為兩個不同電極線112和121之間的距離d4的約0.6倍到約1.5倍時，放電開始電壓可以穩(wěn)定地減小到低于約180V。假定距離d2是恒定的，距離dl可以與電極線111和障壁100之間的距離成反比。如上所述，隨著距離dl增加，放電發(fā)生區(qū)域可以增加，但是放電擴散效率可能降低。在只在放電單元的部分中發(fā)生放電的情況下，在面板上顯示的圖像中可能出現(xiàn)圖4象質(zhì)量劣化，例如斑點。因此，當距離dl為距離d3的約l倍到約1.7倍時，在放電單元的整個區(qū)域中可發(fā)生放電，并且這可以防止在面板上顯示的圖像中出現(xiàn)圖像質(zhì)量的劣化。參考圖7，電極線111的寬度bl可以不同于電極線112的寬度b2。在由地址放電產(chǎn)生的壁電荷的量在電極線111和電極線112處不同的情況下，由維持放電發(fā)射的光的量可根據(jù)兩個電極線111和112的位置而不同，因此，在面板上顯示的圖像中可能出現(xiàn)圖像質(zhì)量的劣化，例如斑點。例如，通itit電的擴展，在兩個電極線111和112中位置遠離水平中心線的電極線111處產(chǎn)生壁電荷，從而在電極線111處產(chǎn)生的壁電荷的量可能小于在位置靠近水平中心線的電極線112處產(chǎn)生的壁電荷的量。因此，通過使寬度bl大于寬度b2，在電極線lll處產(chǎn)生的壁電荷的量可能近似于在電極線112處產(chǎn)生的壁電荷的量。如上所述，通過使在電極線111處產(chǎn)生的壁電荷的量近似于在電極線112處產(chǎn)生的壁電荷的量，可以在放電單元的整個區(qū)域中均勻地進行放電，并且這可以減少可能在面板上顯示的圖像中出現(xiàn)的圖像質(zhì)量的劣化。表2示出根據(jù)寬度bl和b2的變化在面板上顯示的圖像中的亮度和斑點的出現(xiàn)。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>參考表2，當寬度bl大于44nm時，在所顯示的圖像中不出現(xiàn)圖像質(zhì)量的劣化，如斑點。然而，在寬度bl大于80jJm的情況下，所顯示的圖像的亮度突然降低到低于460cd/m2。因此，當寬度bl為寬度b2的約l.l倍到約2倍時，可以防止所顯示的圖像的圖像質(zhì)量劣化并且可以提高亮度。另夕卜寬度bl可以是寬度b2的約1.15倍到約1.5倍，使得通過在不較大地降《^故電擴散效率的情況下增加在電極線111處產(chǎn)生的壁電荷的量，在電極線111處產(chǎn)生的壁電荷的量可以近似于在電極線112處產(chǎn)生的壁電荷的量。如以上參照表1所述，距離dl可以是約180|im到約230jnm，并且如以上參照表2所述，寬度bl可以是約44|im到約80pm，因此距離dl可以為寬度bl的約2.25倍到約5.2倍。由于以上原因，電極線121的寬度cl和電極線122的寬度c2可以在上述范圍內(nèi)彼此不同。參考圖8，從電極線212和221延伸的突出電極214、215、224和225中的每一個的下端的寬度wl可以不同于其上端的寬度w2。因此，有可能防止突出電極214、215、224和225與電極線212和221分離，而該分離可能損壞等離子體顯示面板。如此配置的突出電極214、215、224和225可以增加表面面積，由此可以在突出電極214和215以及突出電極224和225之間發(fā)生放電，并且這可以導(dǎo)致放電效率的提高。表3示出根據(jù)突出電極214的下端的寬度wl的變化在所顯示的圖像中出現(xiàn)電極損傷和出現(xiàn)斑點。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>參考表3，當寬度wl是20nm時，由于外部壓力所以對突出電極沒有引起任何損傷。在寬度wl大于135nm的情況下，兩個相鄰的突出電極214和224之間的距離不均勻，使得在所顯示的圖像上可能出現(xiàn)縱向條形形狀。因此，當寬度1為寬度界2的約0.7倍到約4.5倍時，有可能防止對突出電極的任何損傷并減少所顯示的圖像上的圖像質(zhì)量的劣化。另外，寬度wl可以為寬度w2的約兩倍以減小放電開始電壓并提高放電擴散效率。當突出電極214的下端和突出電極215的下端之間的距離為寬度wl的約0.9倍到約2倍時，有可能確保面板的孔徑比并在放電單元的整個區(qū)域中均勻地發(fā)生放電。參考圖10和圖11,通過使突出電極216、217、218和219的上端和下端的兩個邊緣都成圓形，可以增加用于放電的突出電極216、217、218和219的表面面積，并且這可以導(dǎo)致提高放電效率。參考圖12，可以將黑色矩陣330和340設(shè)置在障壁300上以提高面板的孔徑比，其中黑色矩陣330和340的寬度al可以小于障壁300的寬度a2。寬度al可以為寬度a2的約0.5倍以上以提高對比度以及面板的孔徑比。參考圖13，等離子體顯示面板可以進一步包括分別從電極線411和422延伸的突出電極417和427，電極線411和422的位置遠離放電單元的水平中心軸。從位置靠a電單元的水平中心軸的電極線412和421延伸的突出電極414、415、416、424、425和426的數(shù)量可以是六個或以上。如上所述，根據(jù)本發(fā)明典型實施例的等離子體顯示面板裝置可通過去除對由ITO制成的透明電極的需要來減小等離子體顯示面板的制造成本，并且可通過使突出電極的上端和下端之間的寬度比的范圍從約0.7到約4.5，來減少在掃描電極和維持電極之間不均勻放電的發(fā)生，這又可以提高面板的圖l象質(zhì)量。上述實施例和優(yōu)點只是示例性的并且不被解釋為限制本發(fā)明。本教導(dǎo)可以容易地應(yīng)用到其它類型的設(shè)備。上述實施例的描述意圖是說明性的，并不意圖限制權(quán)利要求的范圍。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說許多替換、修改和變M明顯的。權(quán)利要求1.一種等離子體顯示面板裝置，包括上基板；在所述上基板上形成的第一電極和第二電極；被設(shè)置成與所述上基板面對的下基板；以及在所述下基板上形成的第三電極，其中所述第一電極以單層形成，并且所述第一電極包括與所述第三電極交叉的第一和第二電極線，以及從靠近放電單元的中心的所述第一電極線向所述放電單元的中心延伸的突出電極，其中所述第一和第二電極線在寬度上彼此不同。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述第二電極線的寬度大于所述第一電極線的寬度。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述第二電極線的寬度是所述第一電極線的寬度的約1.1倍到約2倍。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述第二電極線的寬^bl所述第一電極線的寬度的約1.15倍到約1.5倍。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述第一電極線和所述第二電極線之間的距離是所述第一電極線的寬度的約2.25倍到約5,2倍。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，在所述下基敗上形成水平障壁以與所述第三電極交叉，其中所述第一電極線和所述第二電極線之間的距離是所述第二電極線和所述水平障壁之間的距離的約1倍到約1.7倍。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述第一電極包括從所述第一電極線延伸的第一和第二突出電極，其中所述第一突出電極的下端和所述第二突出電極的下端之間的距離是所述第一突出電極的下端的寬度的約0.9倍到約2倍。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，在所述下^L上形成水平障壁以與所述第三電極交叉，其中所述水平障壁的寬度大于設(shè)置在所述水平障壁上的黑色矩陣的寬度。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，靠近所述電極線的所述突出電極的下端的寬度是所述突出電極的上端的寬度的約0.7倍到約4.5倍。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述突出電極的下端的寬度是所述突出電極的上端的寬度的約2倍到約4.5倍。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板裝置，其中，使所述突出電極的上端和下端的兩個邊緣都成圓形。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述第一電極包括被形成為與所述第三電極交叉的第一和第二電極線，其中所述第一電極線和所述第二電極線之間的距離是所述第一電極線的寬度的約2.25倍到約5.2倍。13.根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極的每個都以單層形成，其中所述第一和第二電極線之間的距離是包括在所述第一電極中的突出電極和包括在所述第二電極中的突出電極之間的距離的約1.8倍到約4.6倍。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板裝置，其中，所述第一電極線和所述第二電極線之間的距離是所述突出電極之間的距離的約2.1倍到約2.8倍。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板裝置，其中，靠近所述第一電極線的所述突出電極的下端的寬度是所述突出電極的上端的寬度的約0.7倍到約4.5倍。全文摘要本發(fā)明涉及等離子體顯示面板裝置。在等離子體顯示面板裝置中，形成在等離子體顯示面板的上基板上的第一電極以單層形成，其中第一電極包括電極線和從電極線延伸的突出電極，其中靠近電極線的突出電極的下端的寬度是突出電極的上端的寬度的約0.7倍到約4.5倍。等離子體顯示面板裝置可以減少等離子體顯示面板的制造成本，并且可以減少在掃描電極和維持電極之間不均勻放電的發(fā)生，這又可以提高面板的圖像質(zhì)量。文檔編號H01J17/49GK101436500SQ200810177620公開日2009年5月20日申請日期2008年11月17日優(yōu)先權(quán)日2007年11月15日發(fā)明者洪相玟申請人:Lg電子株式會社