專利名稱：發(fā)光二極管光源模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及的是一種利用發(fā)光二極管進(jìn)行通電發(fā)光的光源模塊，屬于一種半導(dǎo)體 發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管通電發(fā)光的效率很高，因而作為一種節(jié)能電子產(chǎn)品巳越來(lái)越引起國(guó)家有關(guān) 部門(mén)的重視。它作為一種電子發(fā)光裝置，主要由發(fā)光二極管(LED)芯片，二次光學(xué)部件 及電路基板組成，目前實(shí)用的LED光源，大部分是將一個(gè)或多個(gè)LED晶粒封裝于一淺牒 型、帶有正負(fù)極的封裝基板，該基板采用導(dǎo)熱材質(zhì)鋁，基板的熱阻約在17—21C。這種結(jié) 構(gòu)組成的發(fā)光二極管光源所產(chǎn)生的熱，是以點(diǎn)熱源的方式向各方向散熱，其散熱方向的截 面積小，無(wú)法快速及大面積地傳熱至散熱裝置，如鋁塊或松散型鋁片，很容易蓄積在LED 芯片內(nèi)部，造成芯片溫度高于其最高工作溫度，導(dǎo)致光衰或損壞；上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管 芯片的每一封裝單元須焊接兩點(diǎn)正負(fù)極接點(diǎn)，其焊點(diǎn)多，加工復(fù)雜，質(zhì)量管控難度大，不 易量產(chǎn)；所述的芯片若要形成高效率及低風(fēng)險(xiǎn)的并聯(lián)電路，必須從芯片外部著手，造成接 線多，加工復(fù)雜；同時(shí)現(xiàn)有技術(shù)由于基板線路僅有簡(jiǎn)單的正負(fù)極電路，故不具備紅綠藍(lán) (RGB)混光的多彩控制能力；在封裝形式上具有邊框，從而降低了 LED晶粒的光透出 率。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服上述存在的不足，而提供一種發(fā)光效率高、體積輕薄、小 型化且容易組裝的發(fā)光二極管光源模塊，該模塊由至少一個(gè)LED芯片、二次光學(xué)部件及基 板組成，其特征在于所述的LED芯片為單一晶?；蚨嗑Я＝?jīng)無(wú)邊框封裝組成，所述的基板 為電路基板，其上植入有單個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)LED芯片。
所述的基板上植入有單個(gè)和復(fù)數(shù)個(gè)紅綠藍(lán)混光LED芯片。 所述的基板上設(shè)置有電源接點(diǎn)，在基板內(nèi)植入有銅網(wǎng)及電路。 所述的基板上植入有一個(gè)以上LED芯片，且各芯片間電路為并聯(lián)電路連接。 所述的LED芯片為三晶粒的單一芯片，每一個(gè)晶粒之間為并聯(lián)連接；或?yàn)榱Я５膯?一芯片，每二個(gè)晶粒為串聯(lián)，而串聯(lián)的每對(duì)晶粒之間為并聯(lián)連接。
所述的基板長(zhǎng)度為140—420mm，基板寬度為25—50mm,厚度為0.6—1.4mm，且在 基板上的芯片間距為35—70mm。
所述的二次光學(xué)部件為60度或90度或120度錐形反光杯，或單一或復(fù)式透鏡，或擴(kuò) 散膜構(gòu)成。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便可靠，發(fā)光效率高，體積輕薄， 能實(shí)現(xiàn)小型化且容易組裝等特點(diǎn)。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是圖1的A向結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的介紹附圖1、 2所示，本實(shí)用新型由至少一個(gè)LED芯片1、 二次光學(xué)部件2及基板3組成，所述的LED芯片1為單一晶?；蚨嗑Я?經(jīng)無(wú)邊框封裝構(gòu)成；采用多晶粒封裝方式，可以提高點(diǎn)光源的功率及光通量，可以減低光 通過(guò)介質(zhì)(空氣)的散射比率，點(diǎn)光源的功率可達(dá)1.0—12.0W; LED芯片釆用無(wú)邊框封裝 方式，可提高晶粒的光透出率及發(fā)光效率。所述的基板3為電路基板，其上植入有單個(gè)或 復(fù)數(shù)個(gè)LED芯片1，總功率范圍為4.0—48.0W;所述的基板上也可植入有單個(gè)和復(fù)數(shù)個(gè)紅 綠藍(lán)混光LED芯片，使光源的使用多樣化，總功率范圍為12.0—48.0W。
所述的基板3上設(shè)置有電源接點(diǎn)，可為焊接及插接，并可具防暴功能；在基板3內(nèi)植 入有銅網(wǎng)及電路，它厚度薄，熱阻低；所述的電路還具有防靜電、防雷擊、防電磁干擾及 防過(guò)溫保護(hù)功能。
本實(shí)用新型所述的基板3上植入有一個(gè)以上LED芯片1，且各芯片1間電路為并聯(lián)電 路連接。所述的LED芯片1為三晶粒的單一芯片，每一個(gè)晶粒之間為并聯(lián)連接；或?yàn)榱?粒的單一芯片1，每二個(gè)晶粒為串聯(lián)，而串聯(lián)的每對(duì)晶粒之間為并聯(lián)連接。上述連接方式 的優(yōu)點(diǎn)是除了電源接點(diǎn)少，易于加工、品管、大量生產(chǎn)及電源效率高以外，更有利于故 障風(fēng)險(xiǎn)的管控。三晶粒的單一芯片的每一晶粒故障，不影響其它晶粒的功能；六晶粒的單 一芯片的每一晶粒故障，只影響串聯(lián)的晶粒，而不影響其佘晶粒的功能；每一封裝單元故 障，不影響其它封裝單元的使用功能。
所述的基板長(zhǎng)度為140—420mm，基板寬度為25—50mm，厚度為0.6—1.4mm，且在 基板上的芯片間距為35—70mm。所述的基板正視外觀形狀，可為長(zhǎng)方形、正方形、六角
形、圓形及橢圓形等各種形式。
所述的二次光學(xué)部件為60度或卯度或120度錐形反光杯，或其它形狀的反光杯，或 單一或復(fù)式透鏡，或擴(kuò)散膜構(gòu)成。
本實(shí)用新型所述的基板因使用多晶粒封裝及植入多封裝單元，故光源集中，方便二次 光學(xué)處理，可彈性使用各種光角的鏡面或霧面處理的反光杯、燈杯透鏡、光源外罩透鏡玻 璃及擴(kuò)散膜等，以適用于不同用途的配光需求。本實(shí)用新型有利于照明燈具的組裝和大量 生產(chǎn)，有利于照明燈具生產(chǎn)的質(zhì)量管控及組裝成本節(jié)約。
權(quán)利要求1、一種發(fā)光二極管光源模塊，該模塊由至少一個(gè)LED芯片、二次光學(xué)部件及基板組成，其特征在于所述的LED芯片為單一晶粒或多晶粒經(jīng)無(wú)邊框封裝組成，所述的基板為電路基板，其上植入有單個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)LED芯片。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源模塊，其特征在于所述的基板上植入有單 個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)紅綠藍(lán)混光LED芯片。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管光源模塊，其特征在于所述的基板上設(shè)置 有電源接點(diǎn)，在基板內(nèi)植入有銅網(wǎng)及電路。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管光源模塊，其特征在于所述的基板上植入有一 個(gè)以上LED芯片，且各芯片間電路為并聯(lián)電路連接。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管光源模塊，其特征在于所述的LED芯片為三晶 粒的單一芯片，每一個(gè)晶粒之間為并聯(lián)連接；或?yàn)榱Я５膯我恍酒?，每二個(gè)晶粒為串聯(lián)， 而串聯(lián)的每對(duì)晶粒之間為并聯(lián)連接。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管光源模塊，其特征在于所述的基板長(zhǎng)度為140 —420mm，基板寬度為25—50mm，厚度為0.6—1.4mm，且在基板上的芯片間距為35— 70mm。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管光源模塊，其特征在于所屬的二次光學(xué)部件為 60度或卯度或120度錐形反光杯，或單一或復(fù)式透鏡，或擴(kuò)散膜構(gòu)成。
專利摘要一種發(fā)光二極管光源模塊，該模塊由至少一個(gè)LED芯片、二次光學(xué)部件及基板組成，所述的LED芯片為單一晶?；蚨嗑Я＝?jīng)無(wú)邊框封裝組成，所述的基板為電路基板，其上可植入有單個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)LED芯片；所述的基板上也可植入有單個(gè)和復(fù)數(shù)個(gè)紅綠藍(lán)(RGB)混光LED芯片；所述的基板上設(shè)置有電源接點(diǎn)，在基板內(nèi)植入有銅網(wǎng)及電路；所述的基板上植入有一個(gè)以上LED芯片，且各芯片間電路為并聯(lián)電路連接；所述的LED芯片為三晶粒的單一芯片，每一個(gè)晶粒之間為并聯(lián)連接；或?yàn)榱Я５膯我恍酒?，每二個(gè)晶粒為串聯(lián)，而串聯(lián)的每對(duì)晶粒之間為并聯(lián)連接；具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便可靠，發(fā)光效率高，體積輕薄，能實(shí)現(xiàn)小型化且容易組裝等特點(diǎn)。
文檔編號(hào)F21V19/00GK201180950SQ200820084089
公開(kāi)日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2008年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月14日
發(fā)明者劉峻成, 張仁澤, 羅世昌, 陳呈烈 申請(qǐng)人:嘉善華江電子科技有限公司