專(zhuān)利名稱(chēng)：大功率發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及大功率發(fā)光二極管的封裝技術(shù)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管正以它的功率消耗低、響應(yīng)速度快、使用壽命長(zhǎng)、兼容性好等優(yōu)勢(shì)，正逐步 的進(jìn)入不同領(lǐng)域的終端應(yīng)用中。良好的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)不僅能對(duì)發(fā)光二極管起到保護(hù)作 用，而且對(duì)出光角度、出光效果、二次光學(xué)系統(tǒng)配合等方面進(jìn)行優(yōu)化，提高發(fā)光二極管的可 靠性，方便在各終端領(lǐng)域中的應(yīng)用。
發(fā)光二極管因封裝結(jié)構(gòu)的限制，為提高亮度， 一般采用多顆較小功率發(fā)光二極管排列在 散熱器上，如圖1B所示，該方法出光分散，二次光學(xué)配合難，且安裝煩瑣，不易維護(hù)，因此 在使用前必須進(jìn)行復(fù)雜的散熱、配光設(shè)計(jì)。
同時(shí)常規(guī)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，在應(yīng)用過(guò)程中因水氣或者腐蝕性氣體等因素，容易造 成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)表面氧化或腐蝕現(xiàn)象，導(dǎo)致表面的電鍍發(fā)黃、發(fā)黑等現(xiàn)象，電鍍層的 反射效果削弱，產(chǎn)品亮度大幅度的衰減，直接影響產(chǎn)品的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服上述大功率發(fā)光二極管芯片封裝的缺陷，提供一種大功率發(fā) 光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，便于大功率發(fā)光二極管封裝、應(yīng)用中配光和安裝，并有效地解決電鍍 層氧化等問(wèn)題。
一種大功率發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬基座、金屬反射杯、大功率發(fā)光二極 管芯片、電路板，所述電路板通過(guò)固定螺栓固定在金屬基座內(nèi)槽的兩端，電路板上有引腳通 電端和引腳輸出端，大功率發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)熱性良好的連接介質(zhì)固定在金屬基座的中 間，大功率發(fā)光二極管芯片的電極通過(guò)導(dǎo)線與電路板上的引腳導(dǎo)電端連接，電路板的引腳通 電端位于金屬基座外，金屬反射杯通過(guò)固定螺栓固定在金屬基座上，金屬反射杯與金屬基座 的空腔為填充樹(shù)脂。
所述金屬反射杯中間為階梯形曲面，通過(guò)光學(xué)變換來(lái)起到聚光的效果，限制出光角度， 提高發(fā)光二極管芯片出光的利用效率，降低二次光學(xué)設(shè)計(jì)的難度。
所述的大功率發(fā)光二極管芯片可根據(jù)其數(shù)量串聯(lián)或者并聯(lián)或者串并聯(lián)組合連接，通過(guò)調(diào)整串、并的聯(lián)結(jié)方式對(duì)驅(qū)動(dòng)電流、額定電壓、標(biāo)稱(chēng)功率進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。
所述的金屬基座的材料可以是銀、銅、鋁及上述任意金屬構(gòu)成的合金，并經(jīng)過(guò)氧化處理。 所述的填充樹(shù)脂材質(zhì)可以是環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠或上述材質(zhì)的混合物。
本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型的大功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，采用了金屬底座 上安裝金屬反射杯的結(jié)構(gòu)，使大功率發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光集中在固定的區(qū)域和發(fā)光角度 內(nèi)，提高光利用率，降低二次配光難度，同時(shí)使用金屬作為基材，配合上高強(qiáng)度的引線板， 提高抗氧化和抗腐蝕能力，提高亮度，保證了大功率發(fā)光二極管內(nèi)部環(huán)境，從而增加了發(fā)光 二極管芯片的可靠性，延長(zhǎng)使用壽命，整體安裝方便，同時(shí)封裝結(jié)構(gòu)底部熱傳遞均勻，芯片 使用過(guò)程中產(chǎn)生的熱量可均勻地分布于金屬底座上，并能很快地由散熱裝置傳到外部，提高 散熱效果，散熱設(shè)計(jì)難度較低。


圖1A為本實(shí)用新型大功率發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖1B為是傳統(tǒng)的多顆大功率發(fā)光二極管集成在散熱器的示意圖; 圖2A為大功率發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構(gòu)主視圖； 圖2B為圖2A在B-B方向剖視圖
圖2C為圖2A在A1-Al方向剖視圖 圖3反光杯聚光示意圖。 附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明
1- 大功率發(fā)光二極管芯片
2- 導(dǎo)線
3- 導(dǎo)熱介質(zhì)
4- 填充樹(shù)脂
5- 金屬基座
6- 固定螺孔
7- 引腳輸出端
8- 引腳連接端
9- 電路板
10- 固定螺孔
11- 固定螺栓12-金屬反射杯
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明內(nèi)容進(jìn)一步說(shuō)明。
如圖1A、 2A、 2B、 2C所示一種大功率發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬基座5、金屬 反射杯ll、大功率發(fā)光二極管芯片l、電路板9，所述電路板9通過(guò)固定螺栓固定在金屬基座5 內(nèi)槽的兩端，電路板9上有引腳通電端7和引腳導(dǎo)電端8，大功率發(fā)光二極管芯片l通過(guò)導(dǎo)熱性 良好的連接介質(zhì)3固定在金屬基座5的中間，大功率發(fā)光二極管芯片1的電極通過(guò)導(dǎo)線與電路板 上的引腳導(dǎo)電端8連接，電路板的引腳通電端7位于金屬基座5外，金屬反射杯ll通過(guò)固定螺栓 固定在金屬基座5上，金屬反射杯11與金屬基座5的空腔為填充樹(shù)脂。
所述金屬反射杯中間為階梯形曲面，如圖3所示，通過(guò)光學(xué)變換來(lái)起到聚光效果，限制出 光角度，通過(guò)圖3有反射杯與沒(méi)有反射杯的大功率發(fā)光二極管芯片的對(duì)比，可以看出本實(shí)用新 型提高了發(fā)光二極管芯片出光的利用效率，大大降低了二次光學(xué)設(shè)計(jì)的難度。
所述的大功率發(fā)光二極管芯片可根據(jù)其數(shù)量串聯(lián)或者并聯(lián)或者串并聯(lián)組合連接，通過(guò)調(diào) 整串、并的聯(lián)結(jié)方式對(duì)驅(qū)動(dòng)電流、額定電壓、標(biāo)稱(chēng)功率進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，為方便說(shuō)明圖2A、 2B、 2C采用的是一個(gè)大功率發(fā)光二極管芯片。
所述的金屬基座的材料可以是銀、銅、鋁及上述任意金屬構(gòu)成的合金，并經(jīng)過(guò)氧化處理。 所述的填充樹(shù)脂材質(zhì)可以是環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠或上述材質(zhì)的混合物。 應(yīng)該理解到的是上述實(shí)施例只是對(duì)本實(shí)用新型的說(shuō)明，而不是對(duì)本實(shí)用新型的限制， 任何不超出本實(shí)用新型實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種大功率發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括金屬基座、金屬反射杯、大功率發(fā)光二極管芯片、電路板，所述電路板通過(guò)固定螺栓固定在金屬基座內(nèi)槽的兩端，電路板上有引腳通電端和引腳輸出端，大功率發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)熱性良好的連接介質(zhì)固定在金屬基座的中間，大功率發(fā)光二極管芯片的電極通過(guò)導(dǎo)線與電路板上的引腳導(dǎo)電端連接，電路板的引腳通電端位于金屬基座外，金屬反射杯通過(guò)固定螺栓固定在金屬基座上，金屬反射杯與金屬基座的空腔為填充樹(shù)脂。
2. 如權(quán)利要求l所述的一種大功率發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述金屬反射杯中間為階梯形曲面，通過(guò)光學(xué)變換來(lái)起到聚光的效果，限制出光角度，提高發(fā)光二極管芯片出光的利用效率，降低二次光學(xué)設(shè)計(jì)的難度。
3. 如權(quán)利要求l所述的一種大功率發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的大功率發(fā)光二極管芯片可根據(jù)其數(shù)量串聯(lián)或者并聯(lián)或者串并聯(lián)組合連接，通過(guò)調(diào)整串、并的聯(lián)結(jié)方式對(duì)驅(qū)動(dòng)電流、額定電壓、標(biāo)稱(chēng)功率進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大功率發(fā)光二極管芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬基座、金屬反射杯、大功率發(fā)光二極管芯片、電路板，所述電路板通過(guò)固定螺栓固定在金屬基座內(nèi)槽的兩端，電路板上有引腳通電端和引腳輸出端，大功率發(fā)光二極管芯片通過(guò)導(dǎo)熱性良好的連接介質(zhì)固定在金屬基座的中間，大功率發(fā)光二極管芯片的電極通過(guò)導(dǎo)線與電路板上的引腳導(dǎo)電端連接，電路板的引腳通電端位于金屬基座外，金屬反射杯通過(guò)固定螺栓固定在金屬基座上，金屬反射杯與金屬基座的空腔為填充樹(shù)脂。
文檔編號(hào)F21V19/00GK201273537SQ20082016408
公開(kāi)日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2008年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月11日
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