專利名稱：一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種蔭罩式等離子體顯示板，尤其涉及到一種高發(fā)光 效率的蔭罩式等離子體顯示板，具體地說是一種在后基板制備立體尋址電
極的蔭罩式等離子體顯示板。
背景技術(shù)：
目前采用的蔭罩式等離子體顯示板主要包括前基板、后基板和蔭罩。 前基板從玻璃基板起，分別是掃描電極、介質(zhì)層以及在介質(zhì)層表面形成的
保護層；后基板從玻璃基板起，分別是與掃描電極垂直的尋址電極，介質(zhì) 層以及在介質(zhì)層上形成的保護層；夾在前、后基^^反中間的蔭罩是由導(dǎo)電材 料(例如鐵或其合金)加工而成的包含網(wǎng)孔陣尋址的金屬薄網(wǎng)板。將上述 前基板、蔭罩和后基板組裝封接后充入預(yù)定的工作氣體，譬如各種惰性氣 體，即形成了蔭罩式等離子體顯示板。目前蔭罩式等離子體顯示板釆用對 向方文電的工作原理，其工作原理如下首先，在尋址電核i且和掃描電才及之間 加一高壓窄脈沖或斜坡脈沖擦除信號，擦除上次放電積累的壁電荷；然后 在掃描電極上加一高脈沖尋址電壓選中該行，同時在尋址電極上施加該行 的數(shù)據(jù)脈沖，該數(shù)據(jù)脈沖電壓幅度與掃描電壓之差高于掃描電極與尋址電 極之間的著火電壓，控制觸發(fā)放電，從而在該行形成與所需顯示信息對應(yīng)的壁電荷分布；在逐行完成整屏圖象初始放電之后，在掃描電極組和尋址 電極之間施加維持放電脈沖，以顯示該幀圖象。如此循環(huán)即可逐幀顯示圖 象。對彩色蔭罩式等離子體顯示板而言，蔭罩的面孔為大孔，與前基板面 對放置，內(nèi)壁涂敷三基色熒光粉，蔭罩的底孔為小孔，小孔間由通槽聯(lián)通， 底孔與后基板面對放置，每一放電單元中氣體放電產(chǎn)生的真空紫外光，激 發(fā)不同熒光材料發(fā)出相應(yīng)的三基色光。上述蔭罩式等離子體顯示板中存在 如下問題1)蔭罩網(wǎng)板在制備工程中為保證面孔和底孔的尺寸精度，必須 采用雙面刻蝕工藝，面孔的刻蝕深度與底孔刻蝕深度比與面孔開口與低孔 開口比相關(guān)，除此之外，面孔的刻蝕深度還與蔭罩網(wǎng)板的強度要求有關(guān)， 通常面孔刻蝕深度占蔭罩厚度的1/2-2/3，這樣造成了面孔和底孔結(jié)構(gòu)的 不對稱。2)由于采用對向型放電結(jié)構(gòu)，放電空間集中在上下基板的電極之 間，即電場作用的距離是整個蔭罩厚度，而熒光粉只能涂覆在面孔的內(nèi)壁 表面，但作用在底孔空間的電場依然存在，此電場作用對可見光的產(chǎn)生幾 乎是無效的，導(dǎo)致了發(fā)光效率較低。3)底孔空間小，無法涂覆熒光粉，在 此放電空間產(chǎn)生的深紫外光幾乎無法激發(fā)面孔內(nèi)壁的熒光粉發(fā)光，使蔭罩 式等離子體顯示板亮度和發(fā)光效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是針對現(xiàn)有的蔭罩式等離子體顯示板釆用對向型放 電產(chǎn)生的問題，實用新型一種提高亮度和發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示 板，在后基板制備立體掃描電極，填堵底孔空間，同時降低對向電極作用 距離，以提高發(fā)光效率。本實用新型的技術(shù)方案是
一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板、后基板、蔭 罩，其中蔭罩封裝在前基板、后基板之間，所述的前基板包括前襯底玻璃 基板、掃描電極、前基板介質(zhì)層、前基板保護層，掃描電極平行在前襯底 玻璃基板上，前基板介質(zhì)層覆蓋在掃描電極上，前基板保護層覆蓋在前基 板介質(zhì)層上；所述的后基板包括后襯底玻璃基板、立體尋址電極、后基板 介質(zhì)層和后基板保護層，立體尋址電極平行設(shè)置在后襯底玻璃基板上，后 基板介質(zhì)層覆蓋在立體尋址電極上，后基板保護層則覆蓋在后基板介質(zhì)層 上；立體尋址電極與掃描電極成空間垂直正交；蔭罩為一厚度d為0. 1~ 1. Omm的包含面孔陣列和底孔陣列的導(dǎo)電板，面孔與底孔屬于同一個放電單 元的上下表面，前基板相對的面孔的面積是其與后基^反相對的底孔面積的 10~20倍，每一個面孔的上開口寬度為底孔下開口寬度的2~4倍；其特征 在于每一個面孔的深度是底孔的深度的2~4倍，掃描電極與蔭罩上的面 孔的上開口面對放置并置于中間位置，立體尋址電極與蔭罩上的底孔的下 開口呈嵌入狀態(tài)并置于中間位置；所述掃描電極與立體尋址電極組成介質(zhì) 阻擋型交流放電型的基本單元，立體尋址電極及后基板介質(zhì)層嵌入在底孔 的空間里，使整體放電空間壓縮在面孔的空間里，掃描電極與立體尋址電 極的最短作用距離接近面孔的深度，也就是說立體電極填堵了底孔的高度， 使兩電極間的距離變短，近似為面孔的深度，在面孔內(nèi)壁涂覆熒光粉層。
比較好的是，本實用新型的立體尋址電極為高而窄的立體電極陣列， 構(gòu)成向底孔空間深入的立體尋址電極，覆蓋在立體尋址電極上面的后基板 介質(zhì)層的厚度與覆蓋在前基板上的前基板介質(zhì)層厚度相同。比較好的是，本實用新型的立體尋址電極及后基板介質(zhì)層的高度是底
孔深度的0. 3 ~ 0. 7倍，立體尋址電極及后基板介質(zhì)層的總寬度是下開口寬 度的0. 3 ~ 0. 5倍，使立體尋址電極及介質(zhì)層構(gòu)成的陣列與底孔及連接底孔 間的通槽呈嵌入狀態(tài)。
本實用新型的立體尋址電極及后基板介質(zhì)層為多層電極與多層介質(zhì)層 相間的結(jié)構(gòu)，第 一層覆蓋在后基板村底玻璃的立體尋址電極的寬度是底孔 下開口寬度的0. 2~0. 4倍，厚度為4~10一，覆蓋在上面的第一層后基板 介質(zhì)層的面積為顯示板的有效顯示面積，厚度與前基板介質(zhì)層的相同，在 第 一層后基板介質(zhì)層上對應(yīng)第 一層立體尋址電極的位置制備第二層立體尋 址電極陣列，寬度與第一層立體尋址電極相同，在有效顯示面積之外的電 極引出端第一層立體尋址電極與第二層立體尋址電極連通，覆蓋在第二層 立體尋址電極上面的第二層后基板介質(zhì)層的厚度與第 一層后基板介質(zhì)層的 相同，第二層后基板介質(zhì)層寬度為下開口寬度的0. 3~0. 5倍，第二層后基 板介質(zhì)層的長度小于尋址電極的長度，即在電極引出端沒有覆蓋，重復(fù)上 述步驟繼續(xù)制備第三層立體尋址電極和第三層后基板介質(zhì)層，直至使立體 尋址電極及后基板介質(zhì)層的總高度為底孔深度的0. 3 ~ 0. 7倍，總寬度是底 孔下開口寬度的0. 3~0. 5倍。
本實用新型所述的蔭罩、覆蓋有前基板介質(zhì)層及前基板保護層的掃描 電極與覆蓋有后基板介電層及后基板保護層的立體尋址電極組成介質(zhì)阻擋 型交流放電型的基本單元，立體尋址電極及后基板介質(zhì)層嵌入在底孔的空 間里，使整體放電空間壓縮在面孔的空間里，掃描電極與立體尋址電4及的 最短作用距離接近面孔的深度，在面孔內(nèi)壁涂覆焚光粉層，使面孔放電空間的產(chǎn)生的深紫外光激發(fā)內(nèi)壁的熒光粉，發(fā)出可見光。
本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的有益效果
1 、本實用新型的蔭罩式等離子體顯示板在后基板制備立體尋址電極及 立體介質(zhì)層，填堵了蔭罩底孔，使有效的放電空間壓縮到涂覆有焚光粉的 面孔空間，并使放電電極距離縮短，減低了功耗，提高了深紫外光的利用 率，從而提高了蔭罩式等離子體顯示板的發(fā)光效率和亮度。
2、本實用新型制備立體尋址電極及介質(zhì)層采用目前等離子體顯示板常 用工藝，適合蔭罩式等離子體顯示板的量產(chǎn)要求。


圖1為本實用新型的顯示板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實用新型實施例一中的立體尋址電極、后基板介質(zhì)層與蔭罩 的位置關(guān)系示意圖。
圖3為本實用新型的立體尋址電極、后基板介質(zhì)層實施例一制備方法 的步驟。
圖4本實用新型的顯示板的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為本實用新型實施例二中的立體尋址電極、后差^反介質(zhì)層與蔭罩 的位置關(guān)系示意圖。
圖6為本實用新型的立體尋址電極、后基板介質(zhì)層實施例二制備方法 的步驟。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步的說明。
實施例一
如圖1所示， 一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板1、 后基板2、蔭罩3，其中蔭罩3封裝在前基板1、后基板2之間，所述的前 基板l包括前襯底玻璃基板4、掃描電極5、前基板介質(zhì)層6、前基板保護 層7，掃描電極5平行在前襯底玻璃基板4上，前基板介質(zhì)層6覆蓋在掃描 電極5 前基板保護層7覆蓋在前基板介質(zhì)層6上；所述的后基板2包 括后襯底玻璃基板8、立體尋址電極9、后基板介質(zhì)層10和后基板保護層 11,立體尋址電極9平行設(shè)置在后襯底玻璃基板8上，后基板介質(zhì)層10覆 蓋在立體尋址電極(9上，后基板保護層11則覆蓋在后基板介質(zhì)層10上； 立體尋址電極9與掃描電極5成空間垂直正交；蔭罩3為一厚度d為0. 1 ~ 1. 0匪的包含面孔12陣列和底孔13陣列的導(dǎo)電板，面孔12與底孔13屬于 同一個;^文電單元的上下表面，前基板1相對的面孔12的面積是其與后基板 2相對的底孔13面積的10~20倍，每一個面孔12的上開口 14寬度為底孔 13下開口 15寬度的2 ~ 4倍；其特征在于每一個面孔12的深度16是底 孔13的深度17的2~4倍，掃描電極5與蔭罩3上的面孔12的上開口 14 面對放置并置于中間位置，立體尋址電極9與蔭罩3上的底孔13的下開口 15呈嵌入狀態(tài)并置于中間位置；所述掃描電極5與立體尋址電極9組成介 質(zhì)阻擋型交流放電型的基本單元，立體尋址電極9及后基板介質(zhì)層10嵌入 在底孔13的空間里，使整體》丈電空間壓縮在面孔12的空間里，掃描電極5 與立體尋址電極9的最短作用距離接近面孔12的深度16,在面孔12內(nèi)壁 涂覆熒光粉層。本實用新型的立體尋址電極9是利用目前PDP中形成障壁的工藝制備 成高而窄的立體電極陣列，構(gòu)成向底孔13空間深入的立體尋址電極9，覆 蓋在立體尋址電極9上面的后基板介質(zhì)層10的厚度與前J411上的介質(zhì)層 6厚度相同，立體尋址電極9及后14l介質(zhì)層10的高度18是底孔深度17 的0. 3 ~ 0. 7倍，小于底孔13間通槽19的深度20，立體尋址電極9及介質(zhì) 層10的總寬度小于底孔下開口寬度15,是下開口寬度15的0. 3 ~ 0. 5倍， 使立體尋址電極9及后基板介質(zhì)層10構(gòu)成的陣列與底孔13及連接底孔13 間的通槽19呈嵌入狀態(tài)。立體尋址電極9與后基板介質(zhì)層10與蔭罩3的 關(guān)系如圖2所示，立體尋址電極9與后基板介質(zhì)層10的制備步驟如圖3所 示。
本實用新型將前差4反1、蔭罩3、后基板2的四周用低熔點玻璃制作的 封接框24進行氣密封接，在顯示區(qū)域外、封接框24內(nèi)設(shè)置排氣管25，通 過該排氣管與真空系統(tǒng)相連，可以對上述器件進行真空除氣，并充以一定 氣壓的所需工作氣體后與真空系統(tǒng)封離，這就形成了本實用新型所提供的 等離子體顯示板，封接解構(gòu)如圖4所示。
本實用新型所述的蔭罩3、覆蓋有前基板介質(zhì)層6及前基板保護層7 的掃描電極5與覆蓋有后^i^反介質(zhì)層10及后基板保護層11的立體尋址電 極9組成介質(zhì)阻擋型交流放電型的基本單元，立體尋址電極9及后基板介 質(zhì)層IO嵌入在底孔13的空間里，使整體放電空間壓縮在面孔12的空間里， 掃描電極5與立體尋址電極9的最短作用距離接近面孔12的深度16,在面 孔12內(nèi)壁涂覆熒光粉層，使面孔12放電空間的產(chǎn)生的深紫外光激發(fā)內(nèi)壁 的熒光粉，發(fā)出可見光。
ii本實用新型的等離子體顯示板的工作原理如下在立體尋址電極9和掃 描電極5之間加一高壓窄脈沖或斜坡脈沖擦除信號，擦除上次放電積累的 壁電荷；然后在掃描電極5上加一高脈沖選中該行，同時在立體尋址電極9 上施加該行的數(shù)據(jù)脈沖，該數(shù)據(jù)脈沖電壓幅度與掃描電壓之差高于掃描電 極與尋址電極之間的著火電壓，控制觸發(fā)放電，從而在該行形成與所需顯 示信息對應(yīng)的壁電荷分布；在逐行完成整屏圖象初始放電之后，在掃描電 極5組和立體尋址電極9之間施加維持放電脈沖，使壁電壓與維持電壓之 和高于被尋址像素的著火電壓，產(chǎn)生放電，放電產(chǎn)生的深紫外光激發(fā)面孔 12內(nèi)壁涂覆的熒光壽分發(fā)出可見光，這樣就實現(xiàn)了該幀圖象的顯示，如此循 環(huán)即可逐幀顯示圖象。
本實用新型的等離子體顯示板可采用尋址與顯示分離(ADS)的子場驅(qū) 動法，也可采用表面交替發(fā)光(ALIS)驅(qū)動法。
實施例二
在上述實施例一中，立體尋址電極9及后基板介質(zhì)層10還可由通常的 光敏銀漿光刻法和絲網(wǎng)印刷工藝制成多層電極與多層介質(zhì)層相間的立體尋 址電極9和后基板介質(zhì)層10,第一層覆蓋在后基板襯底玻璃的尋址電極9a 的寬度20是底孔13下開口寬度15的0. 2 ~ 0. 4倍，厚度由選取銀漿材料 特性決定，通常在4~10(im,覆蓋在上面的第一層后_^^反介質(zhì)層10a的面 積為顯示板的有效顯示面積，厚度與前基板介質(zhì)層6的相同，在第一層后 基板介質(zhì)層10a上面對應(yīng)第一層立體尋址電極9a的位置制備第二層立體尋 址電極9b陣列，寬度與第一層立體尋址電極9a相同，在有效顯示面積之外的電極引出端第一層立體尋址電極9a與第二層立體尋址電極9b連通， 覆蓋在第二層立體尋址電極9b上面的第二層后基板介質(zhì)層10b的厚度與第 一層后基板介質(zhì)層10a的相同，但寬度比第二層立體尋址電極9b的寬，比 底孔13下開口寬度15窄，為下開口寬度15的0.3-0.5倍，第二層后基 板介質(zhì)層10b的長度小于第二層立體尋址電極9b的長度，即在電極引出端 沒有覆蓋，采取相同的步驟繼續(xù)制備第三層立體尋址電極9c和第三層后基 板介質(zhì)層10c等等，直至使立體尋址電極9b、 9c……及介質(zhì)層10b、 10c…… 的總高度是底孔深度17的0. 3~ 0. 7倍，總寬度是底孔下開口寬度15的 0. 3~0. 5倍，4吏由立體尋址電才及9a、 9b、 9c……組成立體尋址電才及9及由 后基板介質(zhì)層10a、 10b、 10c……組成的后J4l介質(zhì)層IO構(gòu)成的陣列與底 孔13及連接底孔13間的通槽19呈嵌入狀態(tài)。立體尋址電極9與介質(zhì)10 與蔭罩3的關(guān)系如圖5所示，立體尋址電極9與介質(zhì)10的制備步驟如圖6 所示。本實施例構(gòu)成的蔭罩式等離子體顯示^1的工作原理如實施例一。
本實施例僅給出了部分具體的應(yīng)用例子，但對于從事平板顯示器的專 利人員而言，還可根據(jù)以上啟示設(shè)計出多種變形產(chǎn)品，這仍被認為涵蓋于 本實用新型之中。
權(quán)利要求1、一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板(1)、后基板(2)、蔭罩(3)，其中蔭罩(3)封裝在前基板(1)、后基板(2)之間，所述的前基板(1)包括前襯底玻璃基板(4)、掃描電極(5)、前基板介質(zhì)層(6)、前基板保護層(7)，掃描電極(5)平行在前襯底玻璃基板(4)上，前基板介質(zhì)層(6)覆蓋在掃描電極(5)上，前基板保護層(7)覆蓋在前基板介質(zhì)層(6)上；所述的后基板(2)包括后襯底玻璃基板(8)、立體尋址電極(9)、后基板介質(zhì)層(10)和后基板保護層(11)，立體尋址電極(9)平行設(shè)置在后襯底玻璃基板(8)上，后基板介質(zhì)層(10)覆蓋在立體尋址電極(9)上，后基板保護層(11)則覆蓋在后基板介質(zhì)層(10)上；立體尋址電極(9)與掃描電極(5)成空間垂直正交；蔭罩(3)為一厚度d為0.1～1.0mm的包含面孔(12)陣列和底孔(13)陣列的導(dǎo)電板，面孔(12)與底孔(13)屬于同一個放電單元的上下表面，前基板(1)相對的面孔(12)的面積是其與后基板(2)相對的底孔(13)面積的10～20倍，每一個面孔(12)的上開口(14)寬度為底孔(13)下開口(15)寬度的2～4倍；其特征在于每一個面孔(12)的深度(16)是底孔(13)的深度(17)的2～4倍，掃描電極(5)與蔭罩(3)上的面孔(12)的上開口(14)面對放置并置于中間位置，立體尋址電極(9)與蔭罩(3)上的底孔(13)的下開口(15)呈嵌入狀態(tài)并置于中間位置；所述掃描電極(5)與立體尋址電極(9)組成介質(zhì)阻擋型交流放電型的基本單元，立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)嵌入在底孔(13)的空間里，使整體放電空間壓縮在面孔(12)的空間里，掃描電極(5)與立體尋址電極(9)的最短作用距離接近面孔(12)的深度(16)，在面孔(12)內(nèi)壁涂覆熒光粉層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特 征在于立體尋址電極(9)為高而窄的立體電極陣列，構(gòu)成向底孔(13) 空間深入的立體尋址電極(9 )，覆蓋在立體尋址電極(9 )上面的后基板介 質(zhì)層(10)的厚度與覆蓋在前基板(1)上的前基板介質(zhì)層(6)厚度相同。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特 征在于立體尋址電極(9 )及后基板介質(zhì)層(10 )的高度是底孔深度(17 ) 的0. 3 ~ 0. 7倍，立體尋址電極(9 )及后基板介質(zhì)層(10 )的總寬度是下 開口寬度(15)的0.3-0.5倍，使立體尋址電極(9)及介質(zhì)層(10)構(gòu) 成的陣列與底孔(13)及連接底孔(13)間的通槽(19)呈嵌入狀態(tài)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特 征在于立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)為多層電極與多層介質(zhì) 層相間的結(jié)構(gòu)，第一層覆蓋在后基板襯底玻璃的立體尋址電極(9a)的寬 度是底孔(13)下開口寬度(15)的0. 2~0. 4倍，厚度為4~10|iim，覆蓋在上 面的第 一層后14反介質(zhì)層(10a)的面積為顯示板的有效顯示面積，厚度與前 基板介質(zhì)層(6)的相同，在第一層后基板介質(zhì)層(10a)上對應(yīng)第一層立體尋 址電極(9a)的位置制備第二層立體尋址電極(9b)陣列，寬度與第一層立體 尋址電極(9a)相同，在有效顯示面積之外的電極引出端第一層立體尋址電 極(9a)與第二層立體尋址電極(9b)連通，覆蓋在第二層立體尋址電極(9b) 上面的第二層后基板介質(zhì)層(10b)的厚度與第一層后基板介質(zhì)層(10a)的相 同，第二層后基板介質(zhì)層(10b)寬度為下開口寬度(15)的0.3-0.5倍，第 二層后基板介質(zhì)層(10b)的長度小于尋址電極(9b)的長度，即在電極引出端沒有覆蓋，重復(fù)上述步驟繼續(xù)制備第三層立體尋址電極(9c)和第三層后 基板介質(zhì)層(10c)，直至使立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)的總高度 為底孔深度(17)的0. 3 ~ 0. 7倍，總寬度是底孔下開口寬度(15)的0. 3 ~ 0. 5倍。
專利摘要一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，涉及在后基板制備立體尋址電極的蔭罩式等離子體顯示板。它主要包括前、后基板及夾在前、后基板中用于支撐前、后基板的包含網(wǎng)格孔陣尋址的導(dǎo)電蔭罩，蔭罩為包含面孔陣列和底孔陣列的導(dǎo)電板，面孔與底孔屬于同一個放電單元的上下表面，在后基板制備立體掃描電極，填堵了底孔空間，同時降低對向電極作用距離，以提高發(fā)光效率。
文檔編號H01J17/49GK201256137SQ200820185390
公開日2009年6月10日 申請日期2008年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月24日
發(fā)明者杰 劉, 彥 屠, 張子南, 青 李, 楊蘭蘭, 王保平 申請人:東南大學(xué)