專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(下文中稱作PDP)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，通常被商品化的AC驅(qū)動(dòng)型PDP是表面放電型PDP。在表面放電型PDP中，用 于彩色顯示器的熒光體層可以在顯示面板的厚度方向遠(yuǎn)離一對(duì)顯示電極布置，使得由于在 放電過(guò)程中離子碰撞而引起的熒光體的特性劣化能夠得到降低。因而，與在前面基板和背 面基板上分別形成一對(duì)顯示電極X和Y的另一種類型的對(duì)向放電型PDP相比，表面放電型 PDP更適合于延長(zhǎng)其使用壽命。在通常的AC驅(qū)動(dòng)型表面放電型PDP的前面基板上，設(shè)置有保護(hù)層以用于防止電介 質(zhì)層被放電過(guò)程中的離子碰撞所劣化，其中電介質(zhì)層覆蓋顯示電極X和Y。保護(hù)層不僅防止 電介質(zhì)層被放電過(guò)程中的離子碰撞所劣化，而且還通過(guò)對(duì)其施加的離子碰撞來(lái)發(fā)射二次電 子，并具有使放電成長(zhǎng)的功能。通常，考慮到對(duì)離子碰撞的高度防護(hù)以及良好的二次電子發(fā)射能力，將氧化鎂 (MgO)薄膜用作保護(hù)層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問(wèn)題由于上述MgO的保護(hù)膜具有較高的二次電子發(fā)射系數(shù)，所以其極有效地降低放電 開(kāi)始電壓。然而，為了滿足對(duì)高分辨率顯示面板的需求，有必要進(jìn)一步提高尋址速度，使得 新發(fā)生了放電時(shí)延的問(wèn)題。即，為了根據(jù)所謂的全高清TV標(biāo)準(zhǔn)，在預(yù)定幀時(shí)間內(nèi)以灰度顯 示所必需的子場(chǎng)掃描執(zhí)行1080行掃描，如何縮短放電時(shí)延是個(gè)大問(wèn)題。此處，放電時(shí)延通常被認(rèn)為是形成時(shí)延和統(tǒng)計(jì)時(shí)延的總和。形成時(shí)延是在顯示電 極中產(chǎn)生初始電子與形成明確放電之間的時(shí)間間隔，并且被近似地認(rèn)為是當(dāng)產(chǎn)生許多次放 電時(shí)的最小放電時(shí)間。統(tǒng)計(jì)時(shí)延是施加電壓從而發(fā)生電離與開(kāi)始放電之間的時(shí)間間隔，并 且由于在重復(fù)多次放電的情況下統(tǒng)計(jì)時(shí)延大致會(huì)引起偏差而得以命名。如果這些放電時(shí)延 較長(zhǎng)，則尋址(顯示的寫入)時(shí)間也必須較長(zhǎng)以避免顯示錯(cuò)誤，從而造成顯示時(shí)間實(shí)際上可 能會(huì)被縮短的不良影響。因此，對(duì)PDP來(lái)說(shuō)，希望使放電時(shí)延縮短。作為使放電時(shí)延縮短的可能的解決方案，常規(guī)地，例如在日本特開(kāi)第2006-147417 號(hào)中已經(jīng)提出了在MgO保護(hù)膜上分散分布MgO單晶的技術(shù)。然而，常規(guī)地，難以使各個(gè)面板 的特性均一化。關(guān)于這方面的改善是所期望的。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有用于改善放電時(shí)延的改良的面板結(jié)構(gòu)的等離 子體顯示面板，并且更特別地，本發(fā)明提供了一種具有新的保護(hù)膜結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面 板，該等離子體顯示面板具有均一化的面板特性，適于高產(chǎn)率大規(guī)模生產(chǎn)。解決問(wèn)題的方式和發(fā)明效果本發(fā)明PDP包括一對(duì)彼此對(duì)向的，夾著其中封入放電氣體而形成的放電空間的基板結(jié)構(gòu)體，其中一對(duì)基板結(jié)構(gòu)體中的一個(gè)包括布置在基板上的顯示電極；用于覆蓋顯示 電極的電介質(zhì)層；以及用于覆蓋電介質(zhì)層的保護(hù)層，該保護(hù)層被配置成使多個(gè)MgO單晶以 多個(gè)MgO單晶的晶體取向沿一個(gè)方向取向的方式附著在MgO膜上，并且MgO單晶在MgO膜 上的覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值所得到的值為20%或更小。本發(fā)明的主要構(gòu)想是以多個(gè)MgO單晶的晶體取向沿一個(gè)方向取向的方式將MgO單 晶分散分布在MgO膜上。通過(guò)這種分散分布，在改善放電時(shí)延的同時(shí)，能夠使各面板的特性 均一化。本發(fā)明的另一個(gè)特征在于，MgO單晶在MgO膜上的覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以 覆蓋率的平均值所得到的值為20%或更小。利用該結(jié)構(gòu)，可以防止面板在顯示過(guò)程中產(chǎn)生 明暗的不均。此外，以覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值所得到的值作為基準(zhǔn)值的 原因如下如果假設(shè)覆蓋率的分布是正態(tài)概率分布，那么當(dāng)用σ表示覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差時(shí)， 所有數(shù)據(jù)中的99. 73%都被包含在平均值士3 ο內(nèi)。因此，測(cè)量值的偏差的寬度由3σ表 示。此外，為了相對(duì)的比較，為了表示測(cè)量值相對(duì)于平均值的偏差的寬度，用3σ除以平均值。在本發(fā)明中，“覆蓋率”被定義成在垂直方向觀察其上分散分布有MgO單晶的MgO 保護(hù)膜的表面時(shí)，多個(gè)MgO單晶表面面積與底層的MgO保護(hù)膜表面面積的百分比。以直線 IOmm的等距離并以0.6mmX0. 6mm的正方形的視野范圍用10個(gè)或更多的點(diǎn)(例如10、11或 12)測(cè)量覆蓋率。在本發(fā)明中，“標(biāo)準(zhǔn)偏差”是指從樣本測(cè)定的標(biāo)準(zhǔn)偏差。不特別限定MgO單晶在MgO膜上的覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值 所得到的值為20%或更小的方法，，但是，作為實(shí)例，可以通過(guò)在高霧化壓力條件下將MgO 單晶密度較低的漿料噴霧涂布在MgO膜上來(lái)實(shí)現(xiàn)。下面，舉例說(shuō)明本發(fā)明的各種實(shí)施方式。標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度可以等于或者大于每Iym MgO膜的(111)晶 面的信號(hào)強(qiáng)度，這些信號(hào)是來(lái)自保護(hù)層的X射線衍射。多個(gè)MgO單晶在粒度分布中的50%累積百分率的粒度可以為0. 6 μ m或更大。多個(gè)MgO單晶在粒度分布中的10%累積百分率的粒度可以是，50%累積百分率的 粒度的0.5倍或更大。MgO膜的表面可以具有(111)晶面，MgO單晶的表面具有(100)晶面，并且MgO單 晶的晶面以這樣的方式，即MgO單晶的(100)晶面一致地與MgO膜表面平行的方式，均勻 分散分布在MgO膜上，以便部分覆蓋MgO膜的(111)晶面。MgO單晶可以以這樣的方式，即 MgO單晶的與(100)晶面相反側(cè)的晶面與MgO膜的表面相接觸的方式均勻分散分布在MgO膜上。為了改善放電時(shí)延，重要的是，向氣體放電空間露出的放電表面具有優(yōu)良的初始 電子發(fā)射功能和優(yōu)良的二次電子發(fā)射功能，使得底層MgO膜以其(111)晶面露出的方式得 到沉積，以便主要具有二次電子發(fā)射功能，并且MgO單晶以這樣的方式，即MgO單晶的(100) 晶面與MgO膜的表面方向一致的方式分布在MgO膜上，以便主要具有初始電子發(fā)射功能。如上所述采用新的放電表面不僅改善了放電時(shí)延，而且由于底層MgO膜上的MgO單晶的晶體取向與(100)晶面一致，所制成的面板的特性也可得到均一化。此外，由于底層 MgO膜的表面與MgO單晶的面之間的接觸穩(wěn)定，因此，將不產(chǎn)生由剝離和/或飛散的MgO單 晶導(dǎo)致的部分特性變化的問(wèn)題。覆蓋率的平均值可以是0. 1-10 %。根據(jù)本發(fā)明，即使覆蓋率較低，也可以防止面板 在顯示過(guò)程中出現(xiàn)明暗均一性不足。此外，本發(fā)明還提供一種制造具有上述結(jié)構(gòu)的PDP的方法，其中可以在霧化壓力 為大于等于150kPa或并且小于等于300kPa的條件下，從上方位置通過(guò)將MgO單晶的密度 在0. 01-2wt%范圍內(nèi)的漿料噴涂到MgO膜上，使MgO單晶附著在MgO膜上。根據(jù)該方法， 容易實(shí)現(xiàn)MgO單晶在MgO膜上的覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率平均值所得到的值為 20%或更小。本文中給出的各實(shí)施方式可以相互組合。發(fā)明效果如上所述采用新的放電表面能夠改善放電時(shí)延。而且，由于底層MgO膜上的MgO單 晶的晶體取向取向一致，所制成的面板的特性能夠得到均一化。此外，由于MgO單晶在底層 MgO膜上的覆蓋率是一致的，因此即使覆蓋率較低，也可以防止面板在顯示過(guò)程中出現(xiàn)明暗 不均。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的PDP結(jié)構(gòu)的立體圖；圖2是圖1所示基板結(jié)構(gòu)體前面?zhèn)纫徊糠值纳舷路崔D(zhuǎn)立體圖；圖3是適合制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的PDP保護(hù)膜的噴霧涂布裝置的示意 圖；圖4是示出在本發(fā)明相關(guān)實(shí)驗(yàn)中X射線衍射圖案的圖；圖5是示出在本發(fā)明相關(guān)實(shí)驗(yàn)中累積放電成功概率與放電時(shí)延之間的關(guān)系圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1 前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體Ia 前面基板2X、2Y:顯示電極3:前面基板的電介質(zhì)層4 保護(hù)層4a: MgO 膜4b: MgO 單晶5:阻隔壁6R 紅熒光體層6G 綠熒光體層6B 藍(lán)熒光體層7 背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體的電介質(zhì)層8:尋址電極9 背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體
5
9a背面基板
10透明電極
11匯流電極
21氣體導(dǎo)入
22罐
23菜料
24導(dǎo)管
26導(dǎo)管
25泵
27氣體導(dǎo)入
28噴槍
29基板
具體實(shí)施例方式下面，將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行描述。附圖中所示的內(nèi)容和下面的描 述僅為舉例說(shuō)明，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于附圖示出和下面描述的內(nèi)容。在下文中將 以用于彩色顯示器的AC驅(qū)動(dòng)三電極面放電PDP為例進(jìn)行說(shuō)明。1. PDP參考圖1和圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的PDP。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一 個(gè)實(shí)施方式的PDP結(jié)構(gòu)的立體圖。圖2是圖1所示基板結(jié)構(gòu)體前面?zhèn)纫徊糠值纳舷路崔D(zhuǎn)立 體圖。該實(shí)施方式的PDP包括前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1和背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9，二者彼此相 對(duì)，夾著封入放電氣體形成的放電空間。前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1包括設(shè)置于前面基板Ia上的多個(gè)顯示電極2X和2Y，覆蓋 多個(gè)顯示電極2X和2Y的電介質(zhì)層3，以及覆蓋電介質(zhì)層3的保護(hù)層4，其中保護(hù)層4被配 置成使多個(gè)MgO單晶以這樣的方式，即多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向沿一個(gè)方向取向的方式 附著在MgO膜4a上。背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9包括設(shè)置于背面基板9a上的多個(gè)數(shù)據(jù)電極8，覆蓋多個(gè)尋 址電極8(也稱為“數(shù)據(jù)電極”)的電介質(zhì)層7，設(shè)置于尋址電極8兩外側(cè)的電介質(zhì)層7上的 阻隔壁(barrier rib) 5，和形成在電介質(zhì)層7的表面和阻隔壁5的兩個(gè)側(cè)面上的熒光體層 6。下面，將詳細(xì)描述各個(gè)組成部件。1-1.前面基板、顯示電極、電介質(zhì)層、保護(hù)層(前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體)不特別限制前面基板Ia的種類。例如，前面基板Ia是如玻璃基板等的透明基板。在前面基板Ia的內(nèi)側(cè)，布置有水平延伸且平行布置的多個(gè)顯示電極2X和2Y。每 條顯示行是相鄰顯示電極2X和顯示電極2Y之間的空間。此類型的PDP是所謂的ALIS結(jié) 構(gòu)，其中顯示電極2X和2Y等間隔，并且相鄰電極2X和2Y之間的所有區(qū)域成為顯示行。然 而，本發(fā)明可以應(yīng)用到一對(duì)顯示電極2X和2Y以非放電間隔(非放電間隙)間隔開(kāi)的另一 種類型的PDP。
顯示電極2X和2Y可以由透明電極10和金屬匯流電極11構(gòu)成，透明電極10由例 如IT0、Sn02等材料制成，金屬匯流電極11由例如Ag、Au、Al、Cu、Cr及其疊層體(例如Cr/ Cu/Cr疊層結(jié)構(gòu))等材料制成。顯示電極2X和2Y可以通過(guò)對(duì)Ag和Au使用例如絲網(wǎng)印刷 方法的厚膜形成技術(shù)來(lái)形成，也可以利用對(duì)其它金屬使用例如汽相沉積方法或者濺射方法 的薄膜成形技術(shù)和蝕刻技術(shù)來(lái)形成，使得可以以預(yù)定厚度、寬度和間隔沉積預(yù)定數(shù)量的顯 示電極。透明電極10主要有助于放電活動(dòng)，其具有透光性，使用戶可以從前面基板Ia側(cè)看 到熒光體層的發(fā)光。優(yōu)選地，匯流電極11具有低電阻，以便能夠主要傳導(dǎo)放電過(guò)程中的電 流。不特別限制透明電極10和匯流電極11的形狀，可以采用直電極、T型電極或者梯形電 極。透明電極10和匯流電極11的形狀可以彼此相似或者不同。例如，透明電極10可以是 T型電極或者梯形電極，而匯流電極3b可以是直電極。電介質(zhì)層3被沉積在顯示電極2X和2Y上，以便覆蓋顯示電極2X和2Y?？梢酝ㄟ^(guò) 利用絲網(wǎng)印刷方法將低熔點(diǎn)玻璃粉漿料(glass fritpaste)涂布在前面基板Ia上，并對(duì)玻 璃粉漿料進(jìn)行燒制，來(lái)形成電介質(zhì)層3。也可以通過(guò)粘貼片狀電介質(zhì)層并對(duì)其進(jìn)行燒制來(lái)形 成電介質(zhì)層3。此外，也可以通過(guò)利用等離子體CVD工藝沉積二氧化硅(SiO2)來(lái)形成電介 質(zhì)層3。保護(hù)層4設(shè)置在電介質(zhì)層3上，用于保護(hù)電介質(zhì)層3免受在顯示過(guò)程中因放電而 引起的離子碰撞。后面將詳述保護(hù)層4的細(xì)節(jié)。1-2背面基板、尋址電極、電介質(zhì)層、阻隔壁、熒光體層(背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體)不特別限制背面基板9a的種類。例如，背面基板9a為如玻璃基板等的透明基板。在背面基板9a的內(nèi)側(cè)，在與顯示電極2X和2Y交叉的方向上水平形成有多個(gè)尋址 電極8，并且，形成電介質(zhì)層7用于覆蓋數(shù)據(jù)電極8。設(shè)置尋址電極8，用于形成尋址放電以 便選擇在尋址電極8與顯示電極2Y的交叉部的發(fā)光單元。尋址電極8可以由例如Cr/Cu/ Cr疊層結(jié)構(gòu)形成。另外，尋址電極8也可以由例如Ag、Au、Al、Cu、Cr等金屬構(gòu)成。與顯示電極2X和 2Y類似，尋址電極8可以通過(guò)對(duì)Ag和Au的例如絲網(wǎng)印刷方法的厚膜形成技術(shù)形成，也可以 利用對(duì)其它金屬的例如汽相沉積方法或者濺射方法等薄膜形成技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成，使得 可以以預(yù)定厚度、寬度和間隔沉積預(yù)定數(shù)量的顯示電極。背面基板的電介質(zhì)層7可以由與前面基板Ia上的電介質(zhì)層3相同的材料并通過(guò) 相同的方法制成。在兩個(gè)相鄰的尋址電極8之間的電介質(zhì)層7上形成有多個(gè)阻隔壁5，用來(lái)分隔放電 空間。在本實(shí)施方式中，阻隔壁5的形狀為條狀。阻隔壁5的形狀還可以是曲流形(meander shape)、格子形或者階梯形。阻隔壁5可以通過(guò)噴砂法或者光蝕刻法形成。例如，在噴砂法中，通過(guò)將由具有 低熔點(diǎn)的玻璃粉、粘合劑樹脂和溶劑組成的玻璃粉漿料涂布在電介質(zhì)層7上；干燥玻璃粉 漿料；在將具有阻隔壁圖案的開(kāi)口的切割掩膜置于該玻璃粉漿料層上的條件下噴射切割顆 粒；切割從切割掩膜的開(kāi)口露出的玻璃粉漿料層；再進(jìn)行燒制，從而形成阻隔壁5。在光蝕 刻法中，代替利用切割微粒進(jìn)行切割，可以通過(guò)使用感光樹脂作為粘合劑樹脂，然后利用掩 膜進(jìn)行曝光和顯影，并對(duì)其進(jìn)行燒制，來(lái)形成阻隔壁5。在由阻隔壁5分割出的放電空間的側(cè)面和底面，分別形成有紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的熒光體層6R、6G和6B?？梢酝ㄟ^(guò)絲網(wǎng)印刷方法或者使用分配器(dispenser)的方 法，將包含熒光體粉末、粘合劑樹脂和溶劑的熒光體漿料涂布到由阻隔壁5分割出的放電 空間，對(duì)每種顏色(R、G和B)重復(fù)該涂布，并對(duì)其進(jìn)行燒制，來(lái)形成熒光體層6R、6G和6B?？赡艿氖?，熒光體層6R、6G和6B可以通過(guò)利用包含熒光體粉末、感光材料和粘合 劑樹脂的片狀熒光體層材料(所謂的印刷電路基板(green sheet))，并利用照相平版印刷 技術(shù)來(lái)形成。在此情況下，對(duì)各種顏色反復(fù)進(jìn)行將預(yù)定顏色片材粘貼在基板的顯示區(qū)域上， 并對(duì)其進(jìn)行曝光和顯影的操作，使得可以在相應(yīng)的阻隔壁5之間形成各種顏色的熒光體層 6。上述前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1和背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9對(duì)向設(shè)置，使得顯示電極2X和2Y 與尋址電極8交叉，并且周圍被密封以便通過(guò)在由阻隔壁5包圍的放電空間內(nèi)填充包含作 為主要組分的氖氣以及氙氣的放電氣體來(lái)完成PDP。在該類型的PDP中，在顯示電極(2X和 2Y)與尋址電極8的交叉部的放電空間，是被限定成最小顯示單元的單個(gè)單元(cell)(單位 發(fā)光區(qū)域)。單個(gè)像素包括R、G和B三個(gè)單元。1-3保護(hù)層下面將詳述作為本發(fā)明主要特征的保護(hù)層4。保護(hù)層4被配置成使得多個(gè)MgO單 晶4b以這樣的方式，即多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向沿一個(gè)方向取向的方式附著在MgO膜 4a上。MgO膜4a可以通過(guò)在本領(lǐng)域中公知的，例如電子束沉積方法或者濺射等薄膜形成 方法來(lái)形成。MgO單晶4b可以僅由MgO制成，或者可以以不影響晶體結(jié)構(gòu)的量含有少量的其它 成分(例如助熔劑殘?jiān)?。MgO單晶4b是立方晶體，其中所有晶面的物理和化學(xué)性能等價(jià)。 因此，當(dāng)多個(gè)MgO單晶4b附著在MgO膜4a上使得MgO單晶4b的任何的晶面附著于MgO膜 4a的表面上時(shí)，多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向還沿著一個(gè)方向取向。換言之，多個(gè)MgO單晶 4b的晶體取向沿一個(gè)方向取向，除非諸如細(xì)粒的障礙插入MgO單晶4b的晶面與MgO膜4a 之間。短語(yǔ)“晶體取向沿一個(gè)方向取向”是指立方晶體的晶面的法線方向沿一個(gè)方向取向。 只要法線方向沿一個(gè)方向取向，則立方晶體可能會(huì)圍繞法線旋轉(zhuǎn)也無(wú)關(guān)緊要。在此，利用電子束沉積方法沉積的底層MgO膜4a的表面，在顯微鏡下具有不均勻 的柱狀晶體結(jié)構(gòu)，和在柱狀晶體頂點(diǎn)之間的微細(xì)間隙。因此，如果頂點(diǎn)之間的間隔小于待附 著的MgO單晶的直徑，則底層MgO膜可以大致平坦，使得MgO單晶的晶體取向便利地一致。 換言之，如果存在許多的直徑比底層MgO膜的柱狀晶體的頂點(diǎn)之間的間隔的兩倍短的MgO 單晶，則MgO單晶會(huì)傾斜并滑入頂點(diǎn)之間的微細(xì)間隙中，因此MgO單晶的晶體取向取向?qū)⒉?一致。鑒于此，根據(jù)本發(fā)明，在多個(gè)MgO單晶4b的粒度分布中的50%的累積百分率的粒 度，優(yōu)選為0. 6微米或更大，更優(yōu)選為0. 9微米或更大。也就是說(shuō)，作為晶體取向一致的技 術(shù)要求，占據(jù)超過(guò)單位體積一半的各MgO單晶的直徑為0. 6微米或更大，優(yōu)選為0. 9微米或 更大，更優(yōu)選為1. 3微米或更大。如果直徑過(guò)小，如上所述，則MgO單晶4b的邊緣可能滑入 MgO膜4a表面的微細(xì)間隙中，使得，優(yōu)選地，小于0. 1微米的MgO單晶的直徑被排除掉。此 外，優(yōu)選地，50%累積百分率的MgO單晶4b的粒度為30微米或更小。如果直徑過(guò)大，則具 有二次電子發(fā)射功能的底層MgO膜的曝光區(qū)域變窄，由此增加了放電電壓?？梢酝ㄟ^(guò)使用激光衍射型的粒徑分布分析儀來(lái)測(cè)量多個(gè)MgO單晶4b的粒度分布。多個(gè)MgO單晶4b的在粒度分布中的50%累積百分率的粒度可以是，具體地，例如 0. 6、0· 7、0· 8、0· 9、1、1· 1、1· 2、1· 3、1· 4、1· 5、1· 6、1· 7、1· 8、1· 9、2、2· 1、2· 2、2· 3、2· 4、2· 5、 2. 6,2. 7,2. 8,2. 9、3、4、5、10、15、20、25 或者 30 微米。多個(gè) MgO 單晶 4b 的 50%累積百分率
的粒度可以在上述舉例說(shuō)明的任意兩個(gè)數(shù)字之間的范圍內(nèi)。對(duì)多個(gè)MgO單晶4b的在粒度分布中的10%累積百分率的粒度不特別限制，但是 優(yōu)選地為50%累積百分率的粒度的0. 5倍或更大。在此情況下，多個(gè)MgO單晶4b中微細(xì) MgO單晶的百分比較低。微細(xì)MgO單晶被夾在較大MgO單晶4b的晶面與MgO膜4a之間， 因而妨礙MgO單晶4b的晶面與MgO膜4a之間的接觸，從而阻止了 MgO單晶4b的晶體取向 一致。如果多個(gè)MgO單晶4b的10%累積百分率的粒度是50%累積百分率的粒度的0. 5倍 或更大，則MgO單晶中微細(xì)MgO單晶4b的百分比過(guò)低，因此MgO單晶4b的晶體取向容易一 致。多個(gè)MgO單晶4b的在粒度分布中的10%累積百分率的粒度可以是，具體地，例如 50%累積百分率的粒度的 0. 5,0. 55,0. 6,0. 65,0. 7,0. 75,0. 8,0. 85,0. 9 或者 0. 95 倍。多 個(gè)MgO單晶4b的10%累積百分率的粒度可以在上述舉例說(shuō)明的任意兩個(gè)數(shù)字之間，或者大 于上述舉例說(shuō)明的任何一個(gè)數(shù)字。由于多個(gè)MgO單晶4b的10%累積百分率的粒度接近多 個(gè)MgO單晶4b的50%累積百分率的粒度，因此MgO單晶4b的晶體取向更容易一致?？梢岳肵射線衍射(XRD)，根據(jù)(200)的晶面的信號(hào)強(qiáng)度與(111)晶面的信號(hào)強(qiáng) 度之間的比率，來(lái)確定多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向是否取向一致。MgO單晶的(200)晶面 與(100)晶面等價(jià)。在多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向一致時(shí)，(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度強(qiáng)；并 且，在多個(gè)MgO單晶體4b的晶體取向不一致時(shí)，(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度非常弱。另一方面， (111)晶面的信號(hào)主要是來(lái)自MgO膜4a的信號(hào)，并且這些信號(hào)很少取決于多個(gè)MgO單晶4b 的晶體取向是否一致。因此，{[(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度]/[(111)晶面的信號(hào)強(qiáng)度]}的比值 指示多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向是否一致。例如，如果標(biāo)準(zhǔn)化之后(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度 是對(duì)于每1微米MgO膜的(111)晶面的信號(hào)強(qiáng)度的一倍以上，則可以確定多個(gè)MgO單晶4b 的晶體取向一致。在此，考慮到在(200)晶面與(111)晶面之間的存在比為1/1時(shí)，(200) 晶面與(111)晶面之間測(cè)量到的信號(hào)強(qiáng)度比為11. 6/100，因此“標(biāo)準(zhǔn)化”是指以(111)晶面 的信號(hào)強(qiáng)度為基準(zhǔn)，將(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度的測(cè)量值乘以0. 116。MgO單晶4b的生產(chǎn)方法不受特別限制，舉例來(lái)說(shuō)，混合通過(guò)氣相方法制造的MgO晶 種和少量的助熔劑(促進(jìn)劑)并對(duì)其進(jìn)行燒制，然后對(duì)燒制的產(chǎn)物進(jìn)行粉碎。由于通過(guò)氣 相方法制造的MgO晶種在尺寸上較小并且在尺寸變化上較大，所以即使通過(guò)氣相方法制造 的MgO晶種如所述地那樣散布在MgO膜4a上，也不能使MgO晶種的晶體取向一致。另一方 面，上述制造的MgO單晶4b在尺寸上較大并且在尺寸變化上較小。那么，如果上述制造的 MgO單晶4b散布在MgO膜4a上，則可以使多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向一致?？梢圆捎面V 的鹵化物(氟化鎂等)作為助熔劑。例如，在1000至1700°C進(jìn)行燒制1_5小時(shí)。通常，MgO單晶4b的尺寸在燒制溫 度更高、燒制時(shí)間更長(zhǎng)并且助熔劑的添加量更多時(shí)變得更大。由于MgO單晶4b的尺寸更小 并且在燒制過(guò)程中晶體生長(zhǎng)的速度更快，所以在燒制溫度更高、燒制時(shí)間更長(zhǎng)并且助熔劑 的添加量更多時(shí)MgO單晶4b的尺寸變化變得更小。因此，為了得到MgO單晶4b的期望的粒度分布，適當(dāng)?shù)乜刂茻茰囟?、燒制時(shí)間和助熔劑的添加量。燒制溫度可以是例如1000、 1100、1200、1300、1400、1500、1600或1700°C。燒制溫度可以在上面舉例說(shuō)明的任意兩個(gè)數(shù) 字之間的范圍內(nèi)。燒制時(shí)間可以是例如1、2、3、4或5小時(shí)。燒制時(shí)間可以在上面舉例說(shuō)明 的任意兩個(gè)數(shù)字之間的范圍內(nèi)。助熔劑的添加量可以是例如0. 001-0. lwt%，并且具體地例 如是 0. 001,0. 002,0. 005,0. 01,0. 02,0. 03,0. 04,0. 05,0. 06,0. 07,0. 08,0. 09 或 0. Iwt% 助熔劑的添加量可以在上面舉例說(shuō)明的任意兩個(gè)數(shù)字之間的范圍內(nèi)。粉碎燒制的產(chǎn)物的方 法不受特別限制，舉例來(lái)說(shuō)，將燒制的產(chǎn)物放置在研缽內(nèi)以便用研棒將其粉碎成粉末。通過(guò)氣相方法生產(chǎn)MgO晶種可以具體地例如通過(guò)日本特開(kāi)第2004-182521號(hào) 中描述的方法和 / 或在 “Material” Vol. 36，No. 410，pp. 1157-1161，11 月(1987)中的 "Synthesis of Magnesia Powder by GasPhase Method and Its Properties，，中描述的 方法來(lái)進(jìn)行。此外，通過(guò)氣相方法制造的MgO晶種可以從Ube Material Industries,Ltd. 購(gòu)買。MgO單晶在MgO膜上的覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值得到的值為 20%或者更小。在此情況下，可以防止顯示表面的變化，并且可以防止面板在顯示過(guò)程中缺 乏明、暗的均一性。更詳細(xì)地，例如，覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值所得到的值可以 是0、1、5、10和20%。覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍，除以覆蓋率的平均值所得到的值可以在上 面舉例的任意兩個(gè)數(shù)字之間的范圍內(nèi)。如果覆蓋率的平均值大于10%，則保護(hù)膜4從大氣中吸收的雜質(zhì)可能會(huì)增加，使 得綠色熒光部件可能會(huì)因吸收的雜質(zhì)而劣化，同時(shí)綠色發(fā)光會(huì)變?nèi)?，因而顯示顏色中的紅 色會(huì)增強(qiáng)。面板中所謂紅色不均可能會(huì)變得明顯。因此，期望覆蓋率的平均值可以為10%或者更小(例如，0.1至10%)。更具體 地，例如可以是0. 1、0. 3、0. 5、1、1.5、2、2. 5、3、4、5和10%。覆蓋率的平均值可以在上面舉 例的任意兩個(gè)數(shù)字之間的范圍內(nèi)。1-4保護(hù)層的制造方法不特別地限制保護(hù)層4的制造方法，但是，作為舉例，可以形成保護(hù)層4，使得多個(gè) MgO單晶4b以這樣的方式附著在MgO膜4a上即MgO單晶在MgO膜上的覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏 差的三倍除以覆蓋率的平均值所得到的值為20%或者更小。不特別地限制將MgO單晶4b附著在MgO膜4a上的方法。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)在霧化 壓力為大于或等于150kPa且小于或等于300kPa的條件下，從上方位置將MgO單晶密度在 0. 01_2wt%范圍內(nèi)的漿料噴霧涂布到MgO膜上而使MgO單晶附著在MgO膜上。因而，無(wú)論 如何，MgO單晶4b可以附著在MgO膜4a的整個(gè)區(qū)域或者一部分上。不特別地限制漿料的分散介質(zhì)，但是，優(yōu)選地，其可以是具有例如羥基、羰基、和氰 基的高極性的分子結(jié)構(gòu)，并且對(duì)MgO單晶沒(méi)有影響的化合物，更優(yōu)選地，其可以是例如2-丙 醇(異丙醇，IPA)的醇。漿料中的MgO單晶4b的密度可以在0.01_2wt%的范圍內(nèi)。這是因?yàn)橛捎谠趪婌F 涂布過(guò)程中，MgO單晶4b在霧化的液滴中可能凝聚，因此漿料中的密度可能太厚以致不能 均勻地噴霧涂布漿料。具體地，例如，MgO單晶4b的密度可以是0. 01、0· 05、0· 1、0· 2、0· 3、 0. 4,0. 5,0. 6,0. 7,0. 8,0. 9,1. 0,1. 5、和2wt%0 MgO單晶4b的密度可以在上面舉例的任意兩個(gè)數(shù)字之間的范圍內(nèi)。舉例來(lái)說(shuō)，可以使用如圖3所示的噴霧涂布裝置來(lái)噴霧涂布漿料。在圖3的噴霧 涂布裝置中，容納在罐22中的上述漿料23在泵25的操作下通過(guò)導(dǎo)管24和26被移動(dòng)到噴 槍28，并朝向基板29從噴槍28中排出。代替通過(guò)泵25的操作來(lái)移動(dòng)漿料23，漿料23可 以通過(guò)設(shè)置于罐22上的氣體導(dǎo)入管，由例如空氣或者氮?dú)獾臍怏w的壓力而被加壓，并在壓 力下被移動(dòng)到噴槍28。對(duì)于噴槍28，使用可以在流體條件下將漿料和氣體以霧化形式噴出的所謂2-流 體空氣噴霧系統(tǒng)。用于使?jié){料霧化的氣體壓力，即所謂的霧化壓力變高，使得經(jīng)霧化的漿料 的液滴變得細(xì)小，因此可以防止液滴中的MgO單晶4b凝聚。而且，由于霧化的漿料的液滴變得細(xì)小，所以在液滴到達(dá)MgO膜4a之后溶劑可立 即汽化?？梢苑乐筂gO單晶4b因液滴在到達(dá)MgO膜4a之后溶劑可被汽化之前相互結(jié)合而 產(chǎn)生凝聚。這樣，MgO單晶4b能夠被分散分布，使得MgO單晶4b在MgO膜4a上的覆蓋率 是均一的。此外，如果霧化壓力過(guò)高，則液滴可能會(huì)變得過(guò)小，使得溶劑在液滴到達(dá)MgO膜4a 之前可能被汽化。那么，MgO單晶4b就不能附著在MgO膜4a上。鑒于此，為了分散分布MgO單晶4b使得MgO單晶4b在MgO膜4a上的覆蓋率均 一，優(yōu)選地，施加到噴槍的霧化壓力可以大于等于150kPa并且小于等于300kPa。具體地，例 如，可以是 150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250 和 300kPa。霧化壓力可以在 上面舉例的任意兩個(gè)數(shù)字之間的范圍內(nèi)。2.證實(shí)本發(fā)明效果的實(shí)驗(yàn)在用于證實(shí)本發(fā)明效果的以下實(shí)驗(yàn)中，通過(guò)比較MgO單晶在MgO膜上覆蓋率的標(biāo) 準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值得到的值為20%或更小的一種情況和超過(guò)20%的另一 種情況在顯示過(guò)程中面板的明暗不均來(lái)研究本發(fā)明的改善的效果。2-1.用于生產(chǎn)MgO單晶的方法MgO單晶4b通過(guò)以下方法制備。首先，將MgF2 (由 Furuuchi Chemical Corporation 生產(chǎn)，純度99. 99 作為 助熔劑以48ppm添加到MgO晶種(由Ube Materiallndustries, Ltd.生產(chǎn)，商品名HIGH PURITY&ULTRAFINE SINGLECRYSTAL MAGNESIA POWDER (2000A))中。利用研鉬和研棒混合并 碾磨該粉末。隨后，在混合和碾磨之后，將所得的混合物在空氣中在1450°C下燒制1小時(shí)。接下來(lái)，利用研鉬和研棒將燒制物粉碎成粉末以獲得MgO單晶4b。在此，使用激光衍射型粒度分布分析儀(由SYSMPATEC INC生產(chǎn)，型號(hào) HEL0S&R0D0S)測(cè)量獲得的MgO單晶4b的粒度分布。結(jié)果，10%累積百分率、50%累積百分 率和90%累積百分率的粒度分別為0. 8 μ m、l. 2 μ m和2. 1 μ m。10%累積百分率的粒度是 50%累積百分率的粒度的0. 67倍，因此，很明顯，所獲得的MgO單晶4b包含少量微細(xì)粒子。2-2.用于生產(chǎn)PDP的方法接下來(lái)，根據(jù)以下方法制備PDP，在該P(yáng)DP中多個(gè)MgO單晶4b附著在MgO膜4a使 得多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向沿一個(gè)方向取向。2-2-1.概要
如圖1所示，通過(guò)在由玻璃制成的前面基板Ia上形成顯示電極2X和2Y、電介質(zhì) 層3和保護(hù)層4 (多個(gè)MgO單晶4b附著在MgO膜4a上使得多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向沿 一個(gè)方向取向)，來(lái)制備前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1。此外，通過(guò)在由玻璃制成的背面基板9a上形 成尋址電極8、電介質(zhì)層7、阻隔壁5，和熒光體層6G、6B和6R，來(lái)制備背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9。 接下來(lái)，通過(guò)將前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1疊置在背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9上并采用密封材料在這些 結(jié)構(gòu)體的周緣部分密封這些結(jié)構(gòu)體，來(lái)制備具有內(nèi)部氣密放電空間的面板。接下來(lái)，在對(duì)放 電空間內(nèi)進(jìn)行排氣之后，將放電氣體引入放電空間中以完成PDP。2-2.將MgO單晶4b附著在MgO膜4a上的方法根據(jù)以下方法將MgO單晶4b附著在MgO膜4a上。首先，將MgO單晶4b以2克比1升的比例與IPA (由KANTOCHEMICAL Co.，Inc.生 產(chǎn)，用于電子工業(yè))混合，并利用超聲波分散機(jī)使所得的混合物分散開(kāi)，由此使凝聚的晶體 分散以制備漿料。接下來(lái)，使用涂料噴槍將上述漿料噴霧涂布到MgO膜4a上，以使MgO單晶4b附著 在MgO膜4a上。關(guān)于噴槍，使用2-流體空氣霧化系統(tǒng)(2-fluid air-atomizing system)。 按表1設(shè)定漿料中MgO單晶4b的密度和施加給噴槍的霧化壓力。將MgO單晶4b附著在 MgO膜4a上，使得MgO單晶4b的密度是每Im2膜為0. lg。[表1] 在MgO單晶4b附著在MgO膜4a上之后，利用顯微鏡測(cè)量覆蓋率。顯微鏡的放大 率為10，視野范圍為0. 6mmX0. 6mm的正方形。在對(duì)準(zhǔn)與匯流電極11分別成0度、45度和 90度的三個(gè)方向上，以IOmm距離間隔，對(duì)每一個(gè)方向上的12個(gè)點(diǎn)測(cè)量覆蓋率。利用測(cè)量的覆蓋率計(jì)算覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值的值。圖 2-4示出了結(jié)果。[表 2] [表3]45度 [表4]90度
參考表2-4，在對(duì)比例中，覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值所得到的 值，在與匯流電極11成0°的方向上為39%，在與匯流電極11成45°的方向上為46%，在 與匯流電極11成90°的方向上為26%。與此不同，在實(shí)施例中，該值在與匯流電極11成 0°的方向上為20%，在與匯流電極11成45°角的方向上為17%，在與匯流電極11成90° 的方向上為17%。2-2-3.其它其它條件如下前面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體1 透明電極10的寬度270 μ m匯流電極11的寬度95 μ m放電間隙的寬度100 μ m電介質(zhì)層3 通過(guò)涂布具有低熔點(diǎn)的玻璃漿料并對(duì)該漿料進(jìn)行燒制而形成，厚度 30 μ mMgO膜4a:通過(guò)電子束蒸發(fā)形成MgO層，厚度1. Ιμπι背面?zhèn)然褰Y(jié)構(gòu)體9:尋址電極8的寬度70μπι電介質(zhì)層7 通過(guò)涂布具有低熔點(diǎn)的玻璃漿料并對(duì)該漿料進(jìn)行燒制而形成，厚度 10 μ m熒光體層6G、6B和6R位于尋址電極8正上方部分的厚度20 μ m阻隔壁5的高度140 μ m在阻隔壁5的頂部的寬度50 μ m阻隔壁5的間距:360 μ m
放電氣體Ne96% -Xe 4%，500 托2-3.照明試驗(yàn)研究制成的PDP的照明試驗(yàn)，來(lái)評(píng)價(jià)面板在顯示過(guò)程中的明暗的不均一性。表5 示出了照明試驗(yàn)的結(jié)果。通過(guò)視覺(jué)檢查面板在顯示過(guò)程中的明暗的不均一性。表 5 參考表5，可以看出，實(shí)施例能夠改善面板在顯示過(guò)程中的明暗的不均一性。該結(jié) 果顯示，PDP由于多個(gè)MgO單晶4b均勻地附著在MgO膜4a上，因此能夠提供良好的放電性 能，其中MgO晶體以這樣的方式附著在MgO膜上，即覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的 平均值所得到的值為20%或更小。而且，如下面列出的相關(guān)實(shí)驗(yàn)可知，由于MgO單晶以多個(gè)MgO單晶的晶體取向沿一 個(gè)方向取向的方式分散分布在MgO膜上，因此可以顯著改善放電時(shí)延。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，證實(shí)提供了一種既具有顯著改善的放電時(shí)延又顯著改善 明暗不均的PDP。3.相關(guān)實(shí)驗(yàn)接下來(lái)，利用由在“2-1.用于生產(chǎn)MgO單晶的方法”中描述的方法生產(chǎn)的MgO單晶 4b，使MgO單晶4b以多個(gè)MgO單晶的晶體取向沿一個(gè)方向取向的方式分散分布在MgO膜4a 上。因而，可以顯著改善放電時(shí)延。通過(guò)下面的相關(guān)實(shí)驗(yàn)研究上面的改善?；旧侠迷谏厦妗?-2.用于制造PDP的方法”中描述的方法來(lái)制造用于相關(guān)實(shí) 驗(yàn)的PDP，除了如后文所述MgO單晶4b附著在MgO膜4a上之外。在如此制造PDP之后進(jìn)行 放電時(shí)延試驗(yàn)。下面將進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。3-1.將MgO單晶4b附著在MgO膜4a上的方法首先，將MgO單晶4b以2克比IL (升)的比例與IPA (由KANTOCHEMICAL Co.，Inc 生產(chǎn)，用于電子工業(yè))混合，并利用超聲波分散機(jī)將得到的混合物分散，由此使凝聚的晶體 分散以制備漿料。接著，利用涂布用噴槍將上述漿料噴霧涂布到MgO膜4a上，然后通過(guò)吹干燥空氣 來(lái)干燥該涂層。重復(fù)該步驟若干次以將MgO單晶4b附著在MgO膜4a上。對(duì)于噴槍，使用 2-流體空氣噴霧系統(tǒng)。施加給噴槍的霧化壓力是60kPa。MgO單晶4b被附著在MgO膜4a 上，使得MgO單晶4b的密度為每Im2膜0. 3g。在MgO單晶4b附著在MgO膜4a上之前和之后，利用X射線衍射(XRD)測(cè)量信號(hào) 強(qiáng)度的比值。圖4示出測(cè)量結(jié)果的曲線。參考圖4，在MgO單晶4b附著在MgO膜4a上之前，觀察(111)晶面的信號(hào)和(222) 晶面的信號(hào)，并在MgO單晶4b附著在MgO膜4a上之后，觀察(111)晶面的信號(hào)、(222)晶面的信號(hào)以及(200)晶面的信號(hào)。(111)晶面的信號(hào)強(qiáng)度和(222)晶面的信號(hào)強(qiáng)度，在MgO單晶4b附著在MgO膜4a 上之前和之后沒(méi)有變化。標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度是每Iym MgO膜的(111)晶 面的信號(hào)強(qiáng)度的1. 9倍。這些結(jié)果表明多個(gè)MgO單晶4b的晶體取向沿一個(gè)方向取向。利用X射線衍射(XRD)，對(duì)通過(guò)相同的方法將MgO晶種附著在MgO膜4a上的另一 種PDP進(jìn)行另外的測(cè)量。結(jié)果，(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度非常小，并且標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面 的信號(hào)強(qiáng)度小于每Iym MgO膜的(111)晶面的信號(hào)強(qiáng)度的0.5倍。在MgO單晶4b附著在MgO膜4a上之前和之后，測(cè)量光澤度以計(jì)算光澤度的變化 率。利用光澤計(jì)(由H0RIBALTD.制造的便攜式光澤計(jì)IG-331)以60°的測(cè)量角度測(cè)量光 澤度。結(jié)果，光澤度的變化率是30%。在換算成MgO單晶4b在MgO膜4a的表面上的覆 蓋率時(shí)，該值被認(rèn)為是大約6%。3.放電時(shí)延試驗(yàn)接下來(lái)，在制造的每個(gè)PDP上進(jìn)行放電時(shí)延試驗(yàn)。在放電時(shí)延試驗(yàn)中，當(dāng)向?qū)ぶ冯姌O8施加電壓時(shí)，測(cè)量電壓施加時(shí)間和放電實(shí)際 開(kāi)始時(shí)間之間的間隔。測(cè)量該時(shí)間間隔1000次。圖5示出放電時(shí)延與累積放電成功概率 之間的關(guān)系。圖5示出晶體取向一致的多個(gè)MgO單晶4b附著在MgO膜4a上的一種情況和多個(gè) MgO單晶4b未附著在MgO膜4a上的另一情況的結(jié)果。參照?qǐng)D5，可以看出，前一種情況改 善了放電時(shí)延。該結(jié)果表明，包括保護(hù)層4的PDP改善了諸如放電時(shí)延的放電特性并提供 了良好的放電特性，在該保護(hù)層4中，多個(gè)MgO單晶4b附著在MgO膜4a上，使得多個(gè)MgO 單晶4b的晶體取向沿一個(gè)方向取向。如上所述，利用由在“2-1.用于生產(chǎn)MgO單晶的方法”中描述的方法生產(chǎn)的MgO單 晶4b，使MgO單晶4b以多個(gè)MgO單晶的晶體取向沿一個(gè)方向取向的方式分散分布在MgO膜 4a上。由此，證實(shí)放電時(shí)延得到顯著改善。 如上述實(shí)施例中，通過(guò)以在前面基板上包括一對(duì)顯示電極并且在背面基板上包括 尋址電極的三電極面放電型PDP為例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于這種類型，并且 也可以應(yīng)用于在前面基板上包括尋址電極和一對(duì)顯示電極的另一種類型的三電極面放電 型PDP，其中顯示電極被布置在形成在尋址電極上的絕緣層上，并且在顯示電極上設(shè)置有電 介質(zhì)層和保護(hù)層。另外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包括分別形成在相對(duì)的基板上的一對(duì)顯示電極 X和Y的另一種類型的AC驅(qū)動(dòng)型二電極對(duì)向放電型PDP。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的應(yīng)用可以減少由于面板在顯示過(guò)程中明暗不均而引起的顯示故障，并改 善放電時(shí)延。使PDP能夠以高產(chǎn)量大規(guī)模生產(chǎn)。因此，根據(jù)本發(fā)明的PDP對(duì)有利地以低成 本提供良好的顯示是有益的。
權(quán)利要求
一種等離子體顯示面板，其具有一對(duì)彼此相對(duì)的，夾著其中封入放電氣體而形成的放電空間的基板結(jié)構(gòu)體，其中所述一對(duì)基板結(jié)構(gòu)體中的一個(gè)包括布置在基板上的顯示電極、用于覆蓋所述顯示電極的電介質(zhì)層、以及用于覆蓋所述電介質(zhì)層的保護(hù)層，所述保護(hù)層被配置成使多個(gè)MgO單晶以這樣的方式附著在MgO膜上所述多個(gè)MgO單晶的晶體取向沿一個(gè)方向取向，并且MgO單晶在MgO膜上的覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值所得到的值為20％或更小。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中標(biāo)準(zhǔn)化后的(200)晶面的信號(hào)強(qiáng)度等 于或者大于每Iym MgO膜的(111)晶面的信號(hào)強(qiáng)度，這些信號(hào)是來(lái)自所述保護(hù)層的X射線 衍射。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)MgO單晶在粒度分布中 的50%累積百分率的粒度為0. 6 μ m或更大。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述多個(gè)MgO單晶在粒度分布中的 10%累積百分率的粒度是50%累積百分率的粒度的0. 5倍或更大。
5.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示面板，其中所述MgO膜的表面具有(111)晶 面；MgO單晶的表面具有(100)晶面；并且所述MgO單晶以MgO單晶的(100)晶面一致地與 MgO膜的表面平行的方式均勻地分布在MgO膜上，以便部分地覆蓋MgO膜的(111)晶面。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述MgO單晶以所述MgO單晶的(100) 晶面的相反側(cè)的晶面與所述MgO膜的表面相接觸的方式均勻地分布。
7.如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示面板，其中所述覆蓋率的平均值在0.1-10% 的范圍內(nèi)。
8.—種制造如權(quán)利要求1或2所述的等離子體顯示面板的方法，其中在霧化壓力為大 于或等于150kPa并且小于或等于300kPa的條件下，從上方位置通過(guò)將MgO單晶的密度在 0. 01_2wt%范圍內(nèi)的漿料噴霧涂布在MgO膜上，使MgO單晶附著在MgO膜上。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種用于改善放電時(shí)延的具有改良面板結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板，更具體地，提供一種具有新的保護(hù)膜結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板，該等離子體顯示面板具有均一化的面板特性，適于高產(chǎn)率的大批量生產(chǎn)。本發(fā)明的PDP具有一對(duì)彼此相對(duì)的、夾著其中封入放電氣體而形成的放電空間的基板結(jié)構(gòu)體(1，9)，其中一對(duì)基板結(jié)構(gòu)體(1，9)的一個(gè)(1)包括布置在基板(1a)上的顯示電極(2X，2Y)；用于覆蓋顯示電極(2X，2Y)的電介質(zhì)層(3)；以及用于覆蓋電介質(zhì)層(3)的保護(hù)層(4)，該保護(hù)層(4)被配置成使得多個(gè)MgO單晶(4b)以多個(gè)MgO單晶(4b)的晶體取向沿一個(gè)方向取向的方式附著在MgO膜(4a)上，并且MgO單晶(4b)在MgO膜(4a)上的覆蓋率的標(biāo)準(zhǔn)偏差的三倍除以覆蓋率的平均值所得到的值為20％或更小。
文檔編號(hào)H01J9/02GK101884085SQ20088011567
公開(kāi)日2010年11月10日 申請(qǐng)日期2008年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月19日
發(fā)明者上野高弘, 大富淳生, 山領(lǐng)康仁, 川崎孝, 立原弘幸, 金子好之 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所