專利名稱：Field emission display的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制作場(chǎng)致發(fā)射顯示器的方法。本發(fā)明還涉及相應(yīng)的場(chǎng)致發(fā)射顯示
O
背景技術(shù)：
近年來(lái)，新型的平板顯示器由于能與多種電子設(shè)備聯(lián)接使用而得到了快速發(fā) 展。目前主要集中有液晶顯示器(IXDs)、等離子顯示屏(PDPs)、和有機(jī)發(fā)光二極管顯示器 (0LED顯示器)。盡管如此，另一有前景途徑是使用場(chǎng)致發(fā)射技術(shù)提供顯示器，即場(chǎng)致發(fā)射 顯示器(FED)。場(chǎng)致發(fā)射顯示器使用與正常陰極射線管(CRTs)所用技術(shù)類似的技術(shù)，即使用被 作為被場(chǎng)致發(fā)射電極發(fā)射的電子轟擊的發(fā)射介質(zhì)的磷光體層涂覆的顯示屏。但是，F(xiàn)ED和 CRT之間的差異是FED僅是幾毫米的厚度，和代替使用單電子槍(single electron gun), 場(chǎng)致發(fā)射顯示器使用一大組的純金屬尖端(fine metal tips)或碳納米管，許多位于每個(gè) 磷光體點(diǎn)后，以通過(guò)稱為場(chǎng)致發(fā)射的程序發(fā)射電子。FEDs與LCDs相比優(yōu)勢(shì)在于FED不會(huì)顯 示出類似IXD的死像素，即使20%的發(fā)射器失效。而且，場(chǎng)致發(fā)射顯示器是能量高效的并能 提供平板技術(shù)，其特征在于與現(xiàn)存的LCD和等離子顯示技術(shù)相比更少的電力消耗，也可以 更便宜地制作，因?yàn)樗鼈兛偛考?。在US 2006/0226763公開(kāi)了場(chǎng)致發(fā)射顯示器和制作場(chǎng)致發(fā)射顯示器的方法的示 例，其中場(chǎng)致發(fā)射設(shè)備包括基底，在基底上形成的陰極，和與陰極電連接的電子發(fā)射器。根 據(jù)所公開(kāi)的場(chǎng)致發(fā)射顯示器，用于發(fā)射電子的電極包括碳粒子，例如以多個(gè)碳管，碳球或類 似的形式。然而，使用公開(kāi)方法形成電極不能提供構(gòu)成電極的碳管高度的準(zhǔn)確排列，因?yàn)樘?管不允許相互獨(dú)立生長(zhǎng)，從而造成碳管具有不同的高度。獨(dú)立碳管的不同高度導(dǎo)致要獲得 均勻穩(wěn)定電子發(fā)射，實(shí)現(xiàn)高電流密度存在問(wèn)題。包括校準(zhǔn)多個(gè)碳管高度的附加加工步驟不 是所希望的，因?yàn)檫@種加工步驟會(huì)導(dǎo)致昂貴的終產(chǎn)品。因此需要一種至少緩解現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題的改善的場(chǎng)致發(fā)射顯示器，更具體的是適 用于使現(xiàn)有技術(shù)中與場(chǎng)致發(fā)射電極相關(guān)的高度對(duì)齊問(wèn)題最小化的場(chǎng)致發(fā)射顯示器。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，通過(guò)一種制作場(chǎng)致發(fā)射顯示器的方法可滿足上述目的， 包括將電子發(fā)射接收器排列在真空箱中，在電子發(fā)射接收器的附近排列波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化材料，和 在真空箱中排列電子發(fā)射源，電子發(fā)射源適用于向電子發(fā)射接收器發(fā)射電子，其中電子 發(fā)射源是通過(guò)以下步驟形成的提供基底，在基底上形成多個(gè)ZnO-納米結(jié)構(gòu)，其中每個(gè) ZnO-納米結(jié)構(gòu)具有第一端和第二端，第一端與基底連接，排列電絕緣體使ZnO-納米結(jié)構(gòu)相 互電絕緣，將電傳導(dǎo)部件與選擇的ZnO-納米結(jié)構(gòu)的第二端連接，將支撐結(jié)構(gòu)排列在電傳導(dǎo) 部件上，并去除基底，由此暴露ZnO-納米結(jié)構(gòu)的第一端。
在本文中，術(shù)語(yǔ)納米結(jié)構(gòu)應(yīng)理解為表示具有一或多個(gè)100納米(nm)或更小尺寸的 粒子。術(shù)語(yǔ)納米結(jié)構(gòu)包括納米管、納米球、納米桿、納米纖維、和納米線，其中納米結(jié)構(gòu)可以 是納米網(wǎng)絡(luò)的一部分。而且，術(shù)語(yǔ)納米球表示長(zhǎng)寬比至多為3 1的納米結(jié)構(gòu)，術(shù)語(yǔ)納米桿 表示最長(zhǎng)尺寸至多為200nm，長(zhǎng)寬比為3 1-20 1的納米結(jié)構(gòu)，術(shù)語(yǔ)納米纖維表示最長(zhǎng)尺 寸大于200nm，長(zhǎng)寬比大于20 1的納米結(jié)構(gòu)，和術(shù)語(yǔ)納米線表示最長(zhǎng)尺寸大于IOOOnm的 納米纖維。與納米結(jié)構(gòu)相關(guān)的更多定義包括術(shù)語(yǔ)長(zhǎng)寬比，其表示物體最短軸與物體最長(zhǎng)軸的 比值，其中軸不一定是垂直的。術(shù)語(yǔ)橫截面的寬度是橫截面的最長(zhǎng)尺寸，橫截面的高度是與 寬度垂直的尺寸。術(shù)語(yǔ)納米網(wǎng)絡(luò)表示大量單個(gè)納米結(jié)構(gòu)相互聯(lián)接。此外，真空箱的壁可以至 少部分由電子發(fā)射接收器(例如由波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化材料涂覆的)組成和電子發(fā)射接收器。而且， 真空箱應(yīng)該是真空的，以便箱內(nèi)處于低真空，促進(jìn)電子源發(fā)射電子至電子接收器。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化材料優(yōu)選包括磷光體、閃爍體、以及磷光體和閃爍體的混合物的至少一 種。磷光體和閃爍體都是用于“延展”波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化材料所接收的光的帶寬的材料。磷光體是 顯示磷光現(xiàn)象的物質(zhì)(曝光或暴露于供能粒子例如電子之后持續(xù)白灼)。同樣地，閃爍體是 吸收高能量(電離)電磁或帶電粒子射線然后作為反應(yīng)，發(fā)出在特有的斯托克斯轉(zhuǎn)移(更 長(zhǎng))波長(zhǎng)的熒光光子，釋放之前吸收的能量。本發(fā)明允許不同磷光體和/或閃爍體的混合 物。而且，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化材料可包括熒光材料、有機(jī)熒光材料、無(wú)機(jī)熒光材料、浸潤(rùn)的磷光體、磷 光體粒子、磷光體材料、YAG:Ce磷光體、或可將電磁射線轉(zhuǎn)化成照明光和/或可見(jiàn)光的其他 材料。在現(xiàn)有技術(shù)中，電極，多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的第一端通常是高度不齊的，因而造成在使用 場(chǎng)致發(fā)射顯示器中的電極時(shí)獲得均勻穩(wěn)定電子發(fā)射，和/或?qū)崿F(xiàn)高電流密度存在問(wèn)題。然 而，根據(jù)本發(fā)明通過(guò)在具有預(yù)定表面構(gòu)象的基底上形成大量納米結(jié)構(gòu)，然后使用初始與基 底連接的納米結(jié)構(gòu)末端作為電極的活性發(fā)射端(基底被去除之后)，可以獲得均勻穩(wěn)定的 電子發(fā)射。這是由于納米結(jié)構(gòu)主體的第一端是沿由基底的預(yù)定表面構(gòu)象形成的預(yù)定線高度 對(duì)齊的。由于納米結(jié)構(gòu)的高度對(duì)齊特性，其可以增加場(chǎng)致發(fā)射排列的壽命，其中排列了本 發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射電極，因?yàn)榇嬖诟俚母叨炔积R的納米結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)場(chǎng)致發(fā)射中存在的 高度不齊導(dǎo)致電子發(fā)射集中在納米結(jié)構(gòu)“伸直靠近”適用于接受由場(chǎng)致發(fā)射電極發(fā)射的電 子的電子接收器的部分。而且，通過(guò)不使用昂貴的現(xiàn)有技術(shù)蝕刻、磨光或類似方法步驟“高 度對(duì)齊”納米結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)更便宜的終產(chǎn)品。而且，使用ZnO顯示出優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槭覝叵耑nO的陰極射線發(fā)光光譜在約380nm具有 強(qiáng)度峰值并在+/-20nm之內(nèi)具有80%的光容量。作為額外特征，由于在相對(duì)低溫度下生長(zhǎng) ZnO納米結(jié)構(gòu)的可能性，使用ZnO在用作場(chǎng)致發(fā)射顯示器的陰極時(shí)顯示出優(yōu)良結(jié)果。歐洲專 利申請(qǐng)06116370提供了這種方法的示例。優(yōu)選地，形成多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的步驟包括將多個(gè)金屬或金屬氧化物納米粒子排列在 基底上，允許多個(gè)金屬或金屬氧化物納米粒子生長(zhǎng)形成納米結(jié)構(gòu)。使用現(xiàn)有技術(shù)已知的不 同方法可形成/排列金屬或金屬氧化物納米粒子。這些方法包括例如化學(xué)氣相沉積(CVD)， 或其變體之一，例如等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。然而，不同方法，現(xiàn)有和以后的，可 被構(gòu)想且在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。對(duì)生長(zhǎng)納米粒子同樣重要。在本領(lǐng)域中已知不同方法，包括例如氣-液-固(VLS)合成或低溫生長(zhǎng)方法。在歐洲專利申請(qǐng)06116370中公開(kāi)了示例 性低溫生長(zhǎng)方法。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，基底基本上是平的。但是，平表面不一定是直的。相 反，它是根據(jù)特定要求依據(jù)其中排列本發(fā)明場(chǎng)致發(fā)射電極的場(chǎng)致發(fā)射排列類型設(shè)置場(chǎng)致發(fā) 射電極形成的。優(yōu)選地，電絕緣體選自包括絕緣體、半絕緣體、或不良絕緣體(poorinsulator)的 組?？梢允褂貌煌愋偷慕^緣化合物，例如具有不同韌性和/或彈性的聚合物、樹(shù)脂、橡膠 或硅酮。然而，可以是其他化合物，它們也在本發(fā)明范圍內(nèi)。通過(guò)低溫生長(zhǎng)方法的方式，可 以擴(kuò)大絕緣體材料的選擇，因?yàn)樯L(zhǎng)期間熱不是大問(wèn)題。因而依據(jù)場(chǎng)致發(fā)射電極所需特性 允許絕緣化合物。在本發(fā)明的可選實(shí)施方式中，該方法還包括蝕刻納米結(jié)構(gòu)的暴露的第一端的步 驟。通過(guò)蝕刻暴露納米結(jié)構(gòu)第一端，可以實(shí)現(xiàn)更增強(qiáng)電子發(fā)射的尖端。在另一優(yōu)選實(shí)施方式中，提供電連接部件的步驟包括提供多個(gè)電連接部件的步 驟，每個(gè)連接至不同選擇的納米結(jié)構(gòu)，由此允許電極的不同部分可單獨(dú)設(shè)定位址。通過(guò)允許 電極不同部分可單獨(dú)設(shè)定位址，可以例如在每個(gè)不同部分對(duì)應(yīng)一個(gè)像素的顯示屏上或在單 獨(dú)控制不同部分允許僅使用一個(gè)光源混合不同顏色光的場(chǎng)致發(fā)射光源上使用場(chǎng)致發(fā)射電 極。這種場(chǎng)致發(fā)射光源可以是例如提供發(fā)射具有寬波長(zhǎng)譜的白光。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了場(chǎng)致發(fā)射顯示器，該場(chǎng)致發(fā)射顯示器包括電子發(fā) 射接收器、排列在電子發(fā)射接收器附近的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化材料、和電子發(fā)射源，所述電子發(fā)射源包 括多個(gè)具有第一端和第二端的ZnO-納米結(jié)構(gòu)、排列使ZnO-納米結(jié)構(gòu)相互電絕緣的電絕緣 體、與選擇的ZnO-納米結(jié)構(gòu)第二端連接的電傳導(dǎo)部件，和排列在電傳導(dǎo)部件上的支撐結(jié) 構(gòu)，其中ZnO-納米結(jié)構(gòu)的第一端是允許ZnO-納米結(jié)構(gòu)從充分定義的表面生長(zhǎng)的一端，并暴 露ZnO-納米結(jié)構(gòu)的第一端。本發(fā)明的這個(gè)方面提供了與制作場(chǎng)致發(fā)射顯示器的上述公開(kāi)方法類似的優(yōu)勢(shì)，包 括例如增加場(chǎng)致發(fā)射顯示器的壽命，例如由于存在更少的高度不齊的納米結(jié)構(gòu)。而且，通過(guò) 不使用昂貴的蝕刻、磨光、或類似方法步驟而獲得高度對(duì)齊的納米結(jié)構(gòu)，可以提供更便宜的 終產(chǎn)品。優(yōu)選使用本發(fā)明方法制作場(chǎng)致發(fā)射顯示器。本發(fā)明場(chǎng)致發(fā)射顯示器所用的電極也可用作壓電排列例如納米發(fā)生器中的活性 成分。適宜的納米發(fā)生器如例如〃 Direct-Current NanogeneratorsDriven by Ultrasonic Waves"，Science 316,102(207) ；DOI :10· 1126/science. 1139266，Hudong Wang, et. al. 所公開(kāi)的。


現(xiàn)在將參照所附附圖更具體地描述本發(fā)明的這些和其他方面，其顯示了本發(fā)明的 當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施方式，其中圖1是示意制作可用于本發(fā)明場(chǎng)致發(fā)射顯示器的場(chǎng)致發(fā)射電極的基本步驟的流 程圖，圖2a至圖2g是示意根據(jù)圖1的方法步驟制作場(chǎng)致發(fā)射電極的方塊圖，和圖3是本發(fā)明所述場(chǎng)致發(fā)射顯示器的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式下文中將參照所附附圖更全面地描述本發(fā)明，其中顯示了本發(fā)明當(dāng)前優(yōu)選的實(shí)施 方式。然而本發(fā)明可以具體化成許多不同的形式，不應(yīng)該限于本文所列的實(shí)施方式；并非， 這些實(shí)施方式是全面且完整的，并向技術(shù)人員全面地傳遞了發(fā)明的范圍。本文中相同的字 符表示相同的元素。關(guān)于附圖尤其是圖1，描述了示意制作可用于本發(fā)明場(chǎng)致發(fā)射顯示器的場(chǎng)致發(fā)射 電極100的方法步驟的流程圖。與圖1類似，圖2a至圖2g顯現(xiàn)了在圖1所示的相應(yīng)制作 步驟期間提供場(chǎng)致發(fā)射電極100。因而可類似參照?qǐng)D1和圖2a至圖2g。首先在步驟Sl (圖2a)中，提供基底102，在基底102上按照預(yù)定順序或隨機(jī)排列 多個(gè)ZnO-納米粒子104。在基底102上排列ZnO-納米粒子104的方法包括例如化學(xué)氣相 沉積(CVD)，或其變體之一，例如等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。此外，其他不同的金屬 或金屬氧化物納米粒子，替代ZnO-納米粒子104或與其一起排列在基底102上，這些均在 本發(fā)明范圍內(nèi)。基底102的表面優(yōu)選基本上是平的，即具有非常低的粗糙度。在具體實(shí)施 方式中，基底102是直的，然而本發(fā)明中基底102可以具有任何預(yù)定形式，例如根據(jù)預(yù)定形 式是彎曲的。在步驟S2 (圖2b)中，將多個(gè)ZnO-納米粒子104排列在可使它們生長(zhǎng)形成ZnO-納 米結(jié)構(gòu)106的環(huán)境中。不同的生長(zhǎng)方法是本領(lǐng)域已知的，優(yōu)選使用低溫生長(zhǎng)方法。其他生 長(zhǎng)方法包括例如氣_液-固(VLS)合成。ZnO-納米結(jié)構(gòu)106優(yōu)選是納米管、納米棒或納米 線，然而，其他可能的納米結(jié)構(gòu)類型例如納米球和納米纖維也包括在本發(fā)明內(nèi)。在步驟S3(圖2c)中，通常ZnO-納米結(jié)構(gòu)106的形成完成之后，提供一種絕緣材 料108使ZnO-納米結(jié)構(gòu)106相互基本電絕緣。電絕緣體108優(yōu)選選自包括絕緣體、半絕緣 體、或不良絕緣體的組。而且，絕緣體108選自剛性或韌性絕緣體中的一種，從而為終產(chǎn)品 提供不同特征。不同樹(shù)脂、聚合物、或橡膠材料可用作電絕緣體108。優(yōu)選地，少部分納米結(jié) 構(gòu)106允許做絕緣體108之上的“表面”，即絕緣體108排列在納米結(jié)構(gòu)104之間和周圍但 不完全覆蓋遠(yuǎn)離基底102的一端(以上也稱為第二端)。在步驟S4(圖2d)中，將至少一個(gè)電傳導(dǎo)部件110排列在絕緣體頂部并與選擇的 納米結(jié)構(gòu)106的遠(yuǎn)離基底102的一端接觸。在具體實(shí)施方式
中，場(chǎng)致發(fā)射電極100包括三 個(gè)電傳導(dǎo)部件110，但是，任意數(shù)量的電傳導(dǎo)部件110都是可以的并且都在本發(fā)明范圍內(nèi)。 在具體實(shí)施方式
中，三個(gè)電傳導(dǎo)部件110的每個(gè)與多個(gè)納米結(jié)構(gòu)104的不同部分連接。例 如，如果在發(fā)光模塊中使用場(chǎng)致發(fā)射電極100，它可適宜僅使用一個(gè)電傳導(dǎo)部件110，因?yàn)?通常希望排列完整的發(fā)光模塊以發(fā)射光。但是，如果在場(chǎng)致發(fā)射顯示器中使用場(chǎng)致發(fā)射電 極100，希望其可以為場(chǎng)致發(fā)射電極100的不同部分單獨(dú)設(shè)定位址。在步驟S5 (圖2e)中，將支撐結(jié)構(gòu)112排列在電傳導(dǎo)部件110之上，即在電傳導(dǎo)部 件110的頂部。選擇支撐結(jié)構(gòu)，類似于絕緣體108，可以是剛性或韌性。即，可以希望其具有 韌性的場(chǎng)致發(fā)射電極100，從而通常必須具有韌性絕緣體108和韌性支撐結(jié)構(gòu)112。然而，在 本發(fā)明的范圍內(nèi)，有可能依據(jù)本發(fā)明所述電極所用的排列允許絕緣體108和支撐結(jié)構(gòu)112 的不同組合。在步驟S6 (圖2f)中，去除基底102，從而使納米結(jié)構(gòu)104的之前與基底102連接的一端暴露。去除基底的不同方法是本領(lǐng)域已知的，例如當(dāng)基底是軟基底例如由塑料制成 的情況時(shí)，可以使用適當(dāng)溶劑溶解軟基底。由于基底是基本平的，納米結(jié)構(gòu)104目前基本是 高度對(duì)齊的，其中高度對(duì)齊是基底102平整度的作用。最后，在任選和附加的步驟S7(圖2g)中，蝕刻在ZnO-納米結(jié)構(gòu)104上暴露的 端/尖端，以提供更尖的尖端。當(dāng)在場(chǎng)致發(fā)射排列例如場(chǎng)致發(fā)射顯示器或場(chǎng)致發(fā)射發(fā)光體 系中使用場(chǎng)致發(fā)射電極100時(shí)更尖尖端的存在是所需的。從而，提供了具有基本高度對(duì)齊 的ZnO-納米結(jié)構(gòu)且無(wú)需包括現(xiàn)有技術(shù)中使用的有害的高度對(duì)齊步驟的一種場(chǎng)致發(fā)射電極 100。ZnO-納米結(jié)構(gòu)的暴露尖端(以上也稱為第一端)的高度對(duì)齊允許高電流密度并提供 獲得均勻穩(wěn)定電子發(fā)射的可能性。這是由于納米結(jié)構(gòu)主體的第一端會(huì)沿由基底102的預(yù)定 表面構(gòu)象形成的預(yù)定線高度對(duì)齊的?，F(xiàn)在輪到圖3，其提供了場(chǎng)致發(fā)射顯示器300的橫截面圖，該顯示器包括三個(gè)場(chǎng)致 發(fā)射電極100，并由本發(fā)明所述新方法制作。其他可能的場(chǎng)致發(fā)射排列包括場(chǎng)致發(fā)射發(fā)光模 塊。場(chǎng)致發(fā)射顯示器300還包括陽(yáng)極302，排列在陽(yáng)極302附近的磷光體層304 (例如透明 氧化錫銦ITO層或類似的)，控制場(chǎng)致發(fā)射電極100和通?？刂茍?chǎng)致發(fā)射顯示器300的控制 邏輯(未示出)。所述控制邏輯通常包括為場(chǎng)致發(fā)射顯示器300提供電力的電源供應(yīng)。所 述場(chǎng)致發(fā)射排列300還包括透明蓋306，例如玻璃、塑料或石英，其為密封場(chǎng)致發(fā)射顯示器 300提供蓋子，并由此允許提供操作場(chǎng)致發(fā)射顯示器300所需的必要真空環(huán)境。場(chǎng)致發(fā)射電極100排列在背體結(jié)構(gòu)308上，其具有突出結(jié)構(gòu)310，在其上提供了用 作門電極的電連接體312。操作期間，門電極312允許由場(chǎng)致發(fā)射電極100發(fā)射的電子314 更容易從場(chǎng)致發(fā)射電極100發(fā)射出。即，當(dāng)潛在差異存在于場(chǎng)致發(fā)射電極100和陽(yáng)極302 之間時(shí)，通過(guò)來(lái)自場(chǎng)致發(fā)射電極100的電子314撞擊磷光體層304從而發(fā)射光316，其優(yōu)選 在可見(jiàn)波長(zhǎng)內(nèi)，例如白光。然而，也可能分割磷光體層以便其包括含有排列接收電子314并 發(fā)射不同顏色的不同磷光體材料的不同部分。而且，本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)本發(fā)明絕不限于以上描述的優(yōu)選實(shí)施方式。相反，許多 修改和變化都可能在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)。例如，如上所提的，電極不僅用于場(chǎng)致發(fā)射排列 例如場(chǎng)致發(fā)射顯示器或場(chǎng)致發(fā)射光源，但也可，或替代，用作壓電排列中的活性成分。
權(quán)利要求
一種制作場(chǎng)致發(fā)射顯示器的方法，該方法包括以下步驟 將電子發(fā)射接收器排列在真空箱中； 在所述電子發(fā)射接收器的附近排列波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化材料；和 在所述真空箱中排列電子發(fā)射源，所述電子發(fā)射源適用于向電子發(fā)射接收器發(fā)射電子，其中，所述電子發(fā)射源是通過(guò)以下步驟形成的 提供基底； 在所述基底上形成多個(gè)ZnO 納米結(jié)構(gòu)，其中，每個(gè)所述ZnO 納米結(jié)構(gòu)具有第一端和第二端，所述第一端與基底連接； 排列電絕緣體，以使所述ZnO 納米結(jié)構(gòu)相互電絕緣； 將電傳導(dǎo)部件與選擇的ZnO 納米結(jié)構(gòu)的第二端連接； 將支撐結(jié)構(gòu)排列在電傳導(dǎo)部件上；和 去除基底，由此暴露ZnO 納米結(jié)構(gòu)的第一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成多個(gè)納米結(jié)構(gòu)的步驟包括在基底上排列多 個(gè)金屬粒子或金屬氧化物粒子，并允許所述多個(gè)金屬粒子或金屬氧化物粒子生長(zhǎng)形成納米 結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，提供電連接部件的步驟包括提供多個(gè)電連接 部件，每個(gè)電連接部件與不同選擇的納米結(jié)構(gòu)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述多個(gè)電連接部件是單獨(dú)可設(shè)定位址的。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，所述基底基本是平的。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，所述電絕緣體選自包括絕緣體、 半絕緣體、或不良絕緣體的組。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)所述的方法，其中，所述方法還包括蝕刻納米結(jié)構(gòu) 的暴露的第一端的步驟。
8.—種場(chǎng)致發(fā)射顯示器，該場(chǎng)致發(fā)射顯示器包括 -電子發(fā)射接收器；_排列在所述電子發(fā)射接收器的附近的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化材料，和 -電子發(fā)射源，該電子發(fā)射源包括 -具有第一端和第二端的多個(gè)ZnO-納米結(jié)構(gòu)； -排列成使ZnO-納米結(jié)構(gòu)相互電絕緣的電絕緣體； -與選擇的ZnO-納米結(jié)構(gòu)的第二端連接的電傳導(dǎo)部件；和-排列在電傳導(dǎo)部件上的支撐結(jié)構(gòu)，其中，所述ZnO-納米結(jié)構(gòu)的第一端是允許ZnO-納 米結(jié)構(gòu)從充分定義的表面生長(zhǎng)的一端，并且所述ZnO-納米結(jié)構(gòu)的第一端是暴露的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的場(chǎng)致發(fā)射顯示器，其中，所述場(chǎng)致發(fā)射顯示器包括多個(gè)電連 接部件，每個(gè)電連接部件與不同選擇的納米結(jié)構(gòu)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的場(chǎng)致發(fā)射顯示器，其中，所述多個(gè)電連接部件是單獨(dú)可設(shè)定 位址的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的場(chǎng)致發(fā)射顯示器，其中，所述場(chǎng)致發(fā)射顯示器還包括用于 控制場(chǎng)致發(fā)射電極的不同部分的控制邏輯。
12.根據(jù)權(quán)利要求8-11中任意一項(xiàng)所述的電子發(fā)射源，所述電子發(fā)射源排列在壓電排列，例如納米發(fā)生器中。
全文摘要
文檔編號(hào)H01J9/02GK101952929SQ20088012456
公開(kāi)日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2008年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月11日
發(fā)明者Hu Qui-Hong, Komitov Latchezar 申請(qǐng)人:Lightlab Sweden Ab