專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
在薄型顯示面板中，等離子體顯示面板(以下簡稱為PDP)因其易于大型化、可高速顯示、成本低等特征而正在被實(shí)際應(yīng)用，并快速普及。目前被實(shí)際應(yīng)用的一般的PDP的結(jié)構(gòu)是，將由前面基板和背面基板構(gòu)成的2片玻 璃基板對(duì)置配置，分別設(shè)置規(guī)則排列的一對(duì)電極，并覆蓋這些電極設(shè)置低熔點(diǎn)玻璃等電介 質(zhì)層。此外，在背面基板的電介質(zhì)層上設(shè)置有熒光體層，在前面基板的電介質(zhì)層上設(shè)置有由 MgO構(gòu)成的保護(hù)層，用于在保護(hù)電介質(zhì)層免受離子沖擊的同時(shí)提高二次電子釋放率。此外， 在2片基板之間封入了以Ne、Xe等惰性氣體為主體的氣體。這種PDP在電極之間施加電壓從而產(chǎn)生放電，使熒光體發(fā)光，由此進(jìn)行顯示。對(duì)于PDP，一直以來都強(qiáng)烈要求提高發(fā)光效率，已知的方法包括降低電介質(zhì)層的介 電常數(shù)的方法、提高放電氣體的Xe分壓的方法。但是，使用這種方法會(huì)出現(xiàn)放電開始電壓 或維持電壓上升的問題。針對(duì)這種課題，人們發(fā)現(xiàn)通過采用二次電子釋放系數(shù)高的材料作為保護(hù)層，可以 降低放電開始電壓或維持電壓，并能夠通過使用高效且耐壓低的元件來實(shí)現(xiàn)低成本化。例如，在專利文獻(xiàn)1、2中研究了不使用MgO，而是使用同是堿土類金屬氧化物，但 二次電子釋放系數(shù)更高的(^0、510、8勸、或者使用這些化合物的固熔體的方法。專利文獻(xiàn)1 特開昭52-63663號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開2007-95436號(hào)公報(bào)但是，與MgO相比，Ca0、Sr0、BaO等化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定，容易與空氣中的水分或二氧 化碳發(fā)生反應(yīng)，形成氫氧化物或碳酸化物。一旦形成了這種化合物，二次電子釋放系數(shù)就會(huì) 下降，無法實(shí)現(xiàn)預(yù)期的降低放電開始電壓和維持電壓的效果、或者由于電壓降低所必需的 老化時(shí)間(aging time)變得非常長而失去實(shí)用價(jià)值。當(dāng)在實(shí)驗(yàn)室范圍內(nèi)進(jìn)行少量制造的情況下，可以采用對(duì)作業(yè)環(huán)境氣體進(jìn)行控制的 方法來規(guī)避這種CaO、SrO, BaO等的化學(xué)反應(yīng)引起的劣化，但在制造工廠中對(duì)所有工序的環(huán) 境氣體進(jìn)行管理是很困難的，另外，即使可能，也會(huì)導(dǎo)致成本升高。另外，在使用MgO以外的材料作為保護(hù)層的情況下，也存在著對(duì)離子沖擊的耐受 性低，因而導(dǎo)致PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)的氣體產(chǎn)生的濺射量增大、壽命縮短的問題。因此，盡管以往一直在探討使用二次電子釋放系數(shù)高的材料，但到現(xiàn)在已經(jīng)被實(shí) 際應(yīng)用的保護(hù)層材料仍然只有MgO。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明借鑒了上述課題，目的是通過提供適宜于提高PDP的二次電子釋放系數(shù)的 材料，來實(shí)現(xiàn)PDP的高效化。
本發(fā)明涉及一種在電極之間施加電壓從而在放電空間內(nèi)引起放電，并利用熒光體 變換為可見光而發(fā)光的PDP，在面對(duì)放電空間的區(qū)域配置由化合物構(gòu)成的電子釋放材料，其 中該化合物以從Ca(鈣)、Sr (鍶)、Ba(鋇)之中選擇的一種以上、Sn(錫)、以及0(氧)為 主要成分。這里，“面向放電空間的區(qū)域”是伴隨著放電空間 的放電而照射帶電粒子等的區(qū) 域，具體而言，既包括保護(hù)層的表面、熒光體層的表面、間隔壁的表面，也包括保護(hù)層的內(nèi) 部、熒光體層的內(nèi)部、間隔壁的內(nèi)部。特別地，在MgO保護(hù)層上，優(yōu)選是在粒子狀態(tài)下以以上20%以下的覆蓋率分散 配置上述化合物。這里，“覆蓋率”指的是在將上述化合物的粒子投影到保護(hù)層的表面時(shí)粒子所占面 積的比例。另外，上述“主要成分”指的是構(gòu)成化合物的元素之中的主要元素，因此，化合物中 也可以包含少量的主要成分以外的元素。特別地，在本發(fā)明所涉及的化合物之中，有時(shí)候也 包含主要成分以外的元素而取代構(gòu)成主要成分的元素，只要其含量小于主要成分的元素含
量即可。上述化合物優(yōu)選是包含特定比例的Ca、Sr、Ba之中的一種以上及Sn的結(jié)晶性氧化 物。更具體地，優(yōu)選是以下物質(zhì)CaSnO3> SrSn03、BaSn03、或這些物質(zhì)的相互固熔體；Sr3Sn207、Ba3Sn207、或這些物質(zhì)的相互固熔體；Ca2SnO4, Sr2SnO4, Ba2Sn04、或這些物質(zhì)的相互固熔體。發(fā)明效果以從Ca、Sr、Ba之中選擇的一種以上、Sn及0(氧)為主要成分的化合物的化學(xué)性 質(zhì)穩(wěn)定，并且二次電子釋放系數(shù)高，詳細(xì)情況將在實(shí)施方式中進(jìn)行說明。因而，在PDP中面 向放電空間的地方配置該化合物，能夠降低PDP的驅(qū)動(dòng)電壓，也具有實(shí)用性。另外，如果采用一直以來的對(duì)離子沖擊的耐受性高的MgO膜作為保護(hù)層，并采用 上述化合物作為電子釋放材料，就能夠提供驅(qū)動(dòng)電壓低且壽命長的PDP。


圖1是與本發(fā)明的實(shí)施方式相關(guān)的PDP的透視圖。圖2是圖1所示的PDP的縱剖面圖。圖3是與本發(fā)明的實(shí)施方式相關(guān)的PDP的透視圖。圖4是圖3所示的PDP的縱剖面圖。圖5是使用XPS測定價(jià)電子帶能譜的實(shí)例。圖6是使用XPS測定Cls能譜的實(shí)例。符號(hào)說明1......前面板2......前面玻璃基板3......透明導(dǎo)電膜4......匯流電極
5......顯示電極6......電介質(zhì)層7......保護(hù)層8......背面板9......背面玻璃基板10......地址電極11......電介質(zhì)層12......間隔壁13......熒光體層14......放電空間20......電子釋放層
具體實(shí)施例方式首先說明與本發(fā)明相關(guān)的PDP中使用的電子釋放材料。本發(fā)明人使二次電子釋放效率高但化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定的CaO、SrO, BaO的原料與各 種金屬B、Al、Si、P、Ga、Ge、Sn、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W等的氧化物發(fā)生反應(yīng)，合成種類非常 多的化合物，并對(duì)它們的化學(xué)穩(wěn)定性和二次電子釋放能力進(jìn)行詳細(xì)的研究后，結(jié)果發(fā)現(xiàn)使 SnO2發(fā)生反應(yīng)，生成含有Ca、Sr、Ba的任意一種以上、Sn及0的化合物，就能夠提高化學(xué)穩(wěn) 定性而不會(huì)顯著降低二次電子釋放效率。此外也發(fā)現(xiàn)與僅使用MgO的PDP相比，在PDP中 使用該電子釋放材料能夠降低驅(qū)動(dòng)電壓。(電子釋放材料的組成)在本發(fā)明中，PDP中使用的電子釋放材料是以Ca、Sr、Ba的任意一種以上、Sn及0 為主要成分的化合物。該化合物可以是處于非晶狀態(tài)的物質(zhì)，但為了進(jìn)一步提高穩(wěn)定性，優(yōu)選是結(jié)晶性 化合物。優(yōu)選的結(jié)晶性化合物基本上可以舉出以下物質(zhì)(l)CaSn03、SrSnO3> BaSn03、或其中的2種以上相互固熔而成的固熔體(Ca，Sr) SnO3、(Sr, Ba) SnO3 等(2) Sr3Sn207、Ba3Sn207、或其相互固熔而成的固熔體(Sr，Ba)3Sn207(3) Ca2SnO4, Sr2Sn04、Ba2Sn04、或其中的2種以上相互固熔而成的固熔體(Ca， SiO2SnO4 等比較這些結(jié)晶性化合物的二次電子釋放效率可知，組成中含有SrO的化合物比組 成中含有CaO的化合物的二次電子釋放效率高，組成中含有BaO的化合物比組成中含有SrO 的化合物的二次電子釋放效率高。另外，如果是組成中同樣含有BaO的化合物，則可以認(rèn)為其含量越多，二次電子釋 放效率越高。例如，Ba3Sn2O7比BaSnO3的二次電子釋放效率高，進(jìn)而，Ba2SnO4的二次電子釋 放效率更高。另一方面，就化學(xué)穩(wěn)定性而言，其順序則相反。所必需的化 學(xué)穩(wěn)定性隨著實(shí)際進(jìn)行PDP制造的工序條件的不同而各不相同，因此，難以一概而論地決定哪種化合物好。但在這些化合物之中，CaSnO3^ SrSnO3^BaSnO3是具有與MgO同等程度或更高穩(wěn)定性的化合物，無需進(jìn)行特別的環(huán)境氣體控制即可使用，而且 比MgO的電子釋放效率高，因此是最優(yōu)選的。另外，在這3種化合物之中，從低電壓化的角度來看，優(yōu)選是BaSnO3和SrSnO3, CaSnO3 稍差。不過，在PDP制造工序中，如果可以進(jìn)行某種程度的環(huán)境氣體控制，則也可以使用 其他組成的化合物，在此情況下，只要根據(jù)環(huán)境使用適當(dāng)組成的化合物即可。(關(guān)于固熔體)關(guān)于CaSn03、SrSn03、BaSnO3,與單獨(dú)使用相比，優(yōu)選是使其相互固熔而形成固熔體 加以使用。這是因?yàn)?，形成固熔體后，化學(xué)穩(wěn)定性基本不變，但二次電子釋放效率比兩者的 平均值稍高。此外，CaSnO3和 SrSnO3、SrSnO3 和 BaSnO3 都是完全固溶，而 CaSnO3 和 BaSnO3 的晶 格常數(shù)相差過大，只能是部分固溶。(結(jié)晶性化合物中的部分置換)就CaSn03、SrSn03、BaSn03而言，即使以3價(jià)金屬La部分置換結(jié)晶中的堿土類的位 點(diǎn)(site)、或者以3價(jià)金屬In或Y、5價(jià)金屬Nb部分置換Sn的位點(diǎn)、或者以F部分置換0， 仍然可以用作電子釋放材料。此時(shí)，如果以更高價(jià)數(shù)的金屬進(jìn)行置換(以La部分置換堿土類、以Nb部分置換Sn 等)，則穩(wěn)定性會(huì)有所下降，但二次電子釋放效率將提高。因而，通過這些置換，可以對(duì)其特 性進(jìn)行微調(diào)。特別地，在提高二次電子釋放效率方面，以In置換Sn效果明顯。另外，也可 以使用Ce或ττ部分置換結(jié)晶中的Sn位點(diǎn)。不過，在按這種方式進(jìn)行置換的情況下，組成中的主要成分始終必須是堿土類、Sn 及0。例如，在以In置換Sn位點(diǎn)的情況下，雖然可以進(jìn)行全部置換，但置換量必須設(shè)定為小 于50%，優(yōu)選是20%以下，甚至10%以下。當(dāng)在不執(zhí)行環(huán)境氣體調(diào)整的通常的制造工藝中使用CaSn03、SrSn03、BaSn03或它們 的固熔體的情況下，堿土類的合計(jì)摩爾數(shù)相對(duì)于Sn的摩爾數(shù)的比例(Ca+Sr+BaVSn優(yōu)選是 設(shè)定為0. 995以下。不過，在以上述方式部分置換堿土類位點(diǎn)或Sn的位點(diǎn)的情況下，對(duì)于這些置換元 素的合計(jì)而言，優(yōu)選是將該比例設(shè)定為0. 995以下。這是因?yàn)椋坏┥鲜霰壤^了 0.995，二次電子釋放系數(shù)就容易下降。其理由可 以認(rèn)為是，即使當(dāng)上述比例是1.000的情況下，由于組成的不均勻性，在堿土類氧化物原料 與SnO2W反應(yīng)過程中，一旦生成了與Ba3Sn2O7相等的堿土類多的組成，這些相(phase)就會(huì) 覆蓋粒子表面，在不執(zhí)行環(huán)境氣體調(diào)整的條件下，進(jìn)一步發(fā)生BaCO3的分離析出等，表面變 得不穩(wěn)定。此外，如果進(jìn)一步降低上述比例，則當(dāng)達(dá)到某種程度以下，SnO2就會(huì)過剩而析出， 因而形成結(jié)晶性化合物和SnO2的混合物。但即使處于這種狀態(tài)，仍然能夠抑制上述堿土類 多的組成的生成。(電子釋放材料的合成方法)用于合成以Ca、Sr、Ba的任意一種以上、Sn及0為主要成分的化合物的方法，可以根據(jù)其形態(tài)而分為固相法、液相法、氣相法。固相法是將含有各種金屬的原料粉末(金屬氧化物、金屬碳酸鹽等)混合起來，在某種程度以上的溫度下進(jìn)行熱處理使其發(fā)生反應(yīng)的方法。液相法是制作含有各種金屬的溶液，使其沉淀為固相、或者將該溶液涂敷到基板 上使其干燥，以某種程度以上的溫度進(jìn)行熱處理等使其成為固相的方法。氣相法是蒸鍍、濺鍍、CVD等方法，能夠得到膜狀的固相。利用氣相法，除了上述的Ca、Sr、Ba和Sn形成特定比例的結(jié)晶性氧化物以外，也 能夠得到以從Ca、Sr、Ba之中選擇的一種以上、Sn及0(氧)為主要成分的非晶狀態(tài)的化合 物。該非晶狀態(tài)的膜與Ca0、Sr0、Ba0相比，其化學(xué)性質(zhì)更穩(wěn)定，而且具有比MgO高的二 次電子釋放效率，因此，能夠降低PDP的驅(qū)動(dòng)電壓。但是，就化學(xué)穩(wěn)定性而言，結(jié)晶性化合物 更高，而作為合成方法，氣相法比固相法等的成本高，因此，更優(yōu)選使用結(jié)晶性化合物。(電子釋放材料的配置位置和形態(tài))關(guān)于應(yīng)該在PDP面板的哪個(gè)部分形成上述電子釋放材料這一問題，一般來說，在 覆蓋前面板的電極的電介質(zhì)層上形成即可。但是，即使形成在其他部位，例如熒光體部或肋 條(rib)表面等位置、或者混合在熒光體中，只要是面向放電空間的位置，那么與不形成電 子釋放材料的情形相比，都能夠獲得驅(qū)動(dòng)電壓下降的效果。就電子釋放材料的配置形態(tài)而言，如果考慮在例如覆蓋前面板的電極的電介質(zhì)層 上形成電子釋放材料的情形，則可以利用這些化合物形成膜，或者散布這些化合物的粉末， 用以取代在電介質(zhì)層上通常作為保護(hù)膜而形成的MgO膜。或者也可以采用在形成MgO膜之 后進(jìn)一步在其上形成這些化合物的膜、或者散布這些化合物的粉末的方法。不過，在利用這些化合物形成保護(hù)層的情況下，雖然這些化合物也是熔點(diǎn)高而穩(wěn) 定的化合物，但與MgO相比，其濺射耐受性稍差、透明性也稍差。在散布粉末的情況下，透明 性的進(jìn)一步下降有時(shí)候也會(huì)引起亮度變差的問題。因此，優(yōu)選的方法是，按照現(xiàn)有方式使用 MgO膜作為保護(hù)層，并在其上以不會(huì)影響透射率的程度分散散布粉末。作為不會(huì)影響透射率的程度，覆蓋率保持在20%以下，更優(yōu)選是10%以下即可。 在使用粉末的情況下，粒子直徑可以在0. Ιμπι 10 μπι左右的范圍內(nèi)相應(yīng)于單格(cell) 尺寸等進(jìn)行選擇。而在分散配置的情況下，為了防止MgO膜上的粉末發(fā)生移動(dòng)或落下來，優(yōu) 選是3 μ m以下，更優(yōu)選是1 μ m以下。采用這種結(jié)構(gòu)，以現(xiàn)有的高熔點(diǎn)的MgO膜發(fā)揮保護(hù)膜功能，本發(fā)明的化合物則發(fā) 揮二次電子釋放功能，因?yàn)楦采w率低，所以不會(huì)發(fā)生亮度降低，能夠獲得電壓低而且使用壽 命長的PDP面板。(關(guān)于化合物的表征方法)在本說明書中以例如BaSnO3這樣的方式記載結(jié)晶性化合物，而對(duì)于Sn來說，除了 Sn4+以外，其一部分是容易變?yōu)镾n2+的元素，這種情況下會(huì)發(fā)生氧缺陷。因而，更準(zhǔn)確的做法 是記載為BaSnO3-δ，但這里的δ會(huì)隨著制造條件等的不同而變動(dòng)，不一定是固定值，因此， 為方便起見，記載為BaSn03。因而，這種表征方式并不是否定了氧缺陷的存在。對(duì)于BaSnO3 以外的化合物來說也同樣如此。另外，Sn的位點(diǎn)可以由同為4價(jià)的Ti、&或3價(jià)的In、5價(jià)的Nb等部分置換，Ca、Sr、Ba也可以由同為2價(jià)的Mg、3價(jià)的La、l價(jià)的K等進(jìn)行部分置換，只要是主要成分是從 Ca、Sr、Ba之中選擇的1種以上、Sn及0，并且沒有在本質(zhì)上破壞本發(fā)明的化合物的特性(化 學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定并且二次電子釋放效率高)，就可以進(jìn)行少量的這些置換。(PDP 的結(jié)構(gòu))
使用

應(yīng)用了上述電子釋放材料的PDP的具體實(shí)例。圖1和圖2是表示與本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式相關(guān)的PDP100的一個(gè)實(shí)例的圖，圖1 是PDP 100的分解透視圖，圖2是該P(yáng)DP100的縱剖面圖(沿圖1的1_1線的剖面圖)。如圖1和2所示，PDP100具有前面板1和背面板8。在前面板1和背面板8之間 形成有放電空間14。該P(yáng)DP是AC表面放電型，保護(hù)層上配置了上述電子釋放材料，除此之 外，與現(xiàn)有實(shí)例中的PDP結(jié)構(gòu)相同。前面板1包含前面玻璃基板2;由在其內(nèi)側(cè)面(面向放電空間14的面)上形成 的透明導(dǎo)電膜3和匯流電極4構(gòu)成的顯示電極5 ；覆蓋顯示電極5而形成的電介質(zhì)層6 ；以 及在電介質(zhì)層6上形成的保護(hù)層7。上述顯示電極5是在由ITO或氧化錫構(gòu)成的透明導(dǎo)電 膜3上層疊由用于確保良好的導(dǎo)電性的Ag等構(gòu)成的匯流電極4而形成的。背面板8包含背面玻璃基板9 ；在其一個(gè)面上形成的地址電極10 ；覆蓋地址電極 10而形成的電介質(zhì)層11 ；設(shè)置在電介質(zhì)層11的上表面的間隔壁12 ；以及在各間隔壁12之 間形成的各色熒光體層13。各色熒光體層13中，按照紅色熒光體層13(R)、綠色熒光體層 13(G)和藍(lán)色熒光體層13(B)的順序排列。構(gòu)成上述熒光體層13的熒光體可以是例如藍(lán)色熒光體使用BaMgAl1(1017:EU、綠色 熒光體使用Zn2SiO4:Mn、紅色熒光體使用Y203:Eu。前面板1和背面板8按照使顯示電極5和地址電極10各自的長軸方向彼此正交 并且彼此對(duì)置的方式配置，并使用密封構(gòu)件(未圖示)進(jìn)行接合。放電空間14中封入了 He、Xe、Ne等稀有氣體成分構(gòu)成的放電氣體。顯示電極5和地址電極10分別與外部的驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)相連接，利用由驅(qū) 動(dòng)電路施加的電壓在放電空間14中產(chǎn)生放電，利用伴隨著放電而產(chǎn)生的短波長(波長為 147nm)紫外線激發(fā)熒光體層13發(fā)出可見光。在這種PDP100中，按照如上所述方式，使用電子釋放材料形成保護(hù)層7，使電子釋 放材料面向放電空間14，收到了降低驅(qū)動(dòng)電壓的效果。圖3、4所示的PDP200是另一個(gè)實(shí)施方式。圖3是PDP200的分解透視圖，圖4是該P(yáng)DP200的縱剖面圖(沿圖3的1_1線的
剖面圖)。該P(yáng)DP200具有與PDP100相同的結(jié)構(gòu)，但保護(hù)層7由MgO形成，由上述電子釋放材 料構(gòu)成的粒子散布在該保護(hù)層7上，形成了電子釋放層20。在這種PDP200中，電子釋放層20也面向放電空間14，收到了降低驅(qū)動(dòng)電壓的效^ ο此外，在本發(fā)明中，配置有電子釋放材料的PDP并不限于表面放電型，也可以是對(duì) 置放電型。另外，并不限于具備前面板、背面板和間隔壁的PDP，也可以是在電極之間施加電 壓從而在放電空間內(nèi)產(chǎn)生放電，并利用熒光體變換為可見光而發(fā)光的PDP。例如，對(duì)于將多 個(gè)內(nèi)部配置了熒光體的放電管排列起來，并在各放電管內(nèi)放電而發(fā)光的PDP而言，通過在放電管內(nèi)配置電子釋放材料，也能夠降低驅(qū)動(dòng)電壓。(PDP的制造方法)關(guān)于PDP的制造方法，這里，首先說明如上述PDP200那樣形成MgO膜作為保護(hù)層 7，然后在其上散布電子釋放材料的粉末的情形。首先制造前面板。 在該工序中，在平坦的前面玻璃基板的一個(gè)主表面上形成多個(gè)線狀透明電極。接 著，在透明電極上涂敷銀漿之后，對(duì)前面玻璃基板整體進(jìn)行加熱，由此煅燒銀漿，形成顯示 電極5。利用刮刀涂敷法在前面玻璃基板2的主表面上以覆蓋顯示電極的方式涂敷含有 電介質(zhì)層用玻璃的玻璃漿。其后，使前面玻璃基板整體保持90°C達(dá)30分鐘，從而使玻璃漿 干燥，接著以580°C左右的溫度煅燒10分鐘。利用電子束蒸鍍法在電介質(zhì)層6上形成氧化鎂(MgO)膜，通過煅燒形成保護(hù)層7。 此時(shí)的煅燒溫度在500°C左右。在乙基纖維素等載體(vehicle)中混合粉末狀的電子釋放材料，制備出漿狀體， 利用印刷法等將該漿狀體涂敷到保護(hù)層7上，使其干燥，以500°C左右的溫度進(jìn)行煅燒，形 成電子釋放層20。接著，制造背面板。在該工序中，在平坦的背面玻璃基板的一個(gè)主表面上涂敷多條線狀銀漿之后，對(duì) 背面玻璃基板整體進(jìn)行加熱，煅燒銀漿，由此形成地址電極。在相鄰地址電極之間涂敷玻璃漿，對(duì)背面玻璃基板整體進(jìn)行加熱，煅燒玻璃漿，由 此形成間隔壁。在相鄰間隔壁之間涂敷R、G、B各色熒光體墨，將背面玻璃基板加熱至約500°C，煅 燒上述熒光體墨，由此除去熒光體墨中的樹脂成分(粘合劑)等，形成熒光體層。接著，使用密封玻璃將由此得到的前面板和背面板粘貼起來。此時(shí)的溫度在500°C
左右ο其后，將密封的內(nèi)部排氣成高真空狀態(tài)后，封入稀有氣體。按照如上所述方式制造 出 PDP。另一方面，可以如上述PDP100那樣，按照與形成MgO保護(hù)層時(shí)相同的方式，適當(dāng)采 用電子束蒸鍍等通常的薄膜工藝，在電介質(zhì)層6上形成由電子釋放材料構(gòu)成的保護(hù)層7?；蛘?，將電子釋放材料的粉末與載體(vehicle)或溶劑等混合，形成粉末含有率 相對(duì)較高的漿狀體，利用印刷法等方法將該漿狀體在電介質(zhì)層6上攤薄后進(jìn)行煅燒，也可 以形成由電子釋放材料構(gòu)成的薄膜狀或者厚膜狀的膜。用于將電子釋放材料的粉末散布到電介質(zhì)層6上形成保護(hù)層7的方法可以是制備 粉末含有率相對(duì)較低的漿狀體之后采用印刷法、或者將粉末分散到溶劑中進(jìn)行散布、或者 進(jìn)行旋涂等。此外，以上說明的PDP的結(jié)構(gòu)和制造方法只是一個(gè)實(shí)例，本發(fā)明并不限于此。實(shí)施例以下根據(jù)實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明。[實(shí)施例1]
在本實(shí)施例中，利用固相粉末法使CaO、SrO, BaO與SnO2發(fā)生反應(yīng)，合成電子釋放 材料(結(jié)晶性化合物)，并對(duì)其化學(xué)穩(wěn)定性的改善效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)確認(rèn)。(結(jié)晶性化合物的合成)作為原始材料，使用了試劑級(jí)別在特級(jí)以上的CaC03、SrCO3> BaCO3和Sn02。按照 各金屬離子的摩爾比如表1的No. 4 11所示的方式稱量出這些原料，使用球磨機(jī)(ball mill)進(jìn)行濕式混合后加以干燥，得到混合粉末。將這些混合粉末放入鉬坩堝，置于電爐內(nèi)，在空氣中以1200°C 1500°C溫度煅燒 2小時(shí)。測定由此得到的粉末的平均粒徑，對(duì)于粒徑大的粉末，在溶劑中使用乙醇進(jìn)行濕式 球磨粉碎，使所有組成都達(dá)到3 μ m左右的平均粒徑。使用X射線衍射法對(duì)一部分粉碎粉末進(jìn)行分析，對(duì)生成相(formation phase)進(jìn) 行了鑒別。(重量增加率的測定)接著，對(duì)一部分粉碎粉末進(jìn)行稱量后，將其填充到?jīng)]有吸濕性的多孔質(zhì)單格中，將 該單格在溫度為35°C、濕度為60%的空氣中的恒溫恒濕槽內(nèi)放置12小時(shí)，然后再次測定重 量，測定出重量增加率。其后，再次放入溫度為65°C、濕度為80%的空氣中的恒溫恒濕槽內(nèi) 放置12小時(shí)，然后再次測定重量，計(jì)算出重量增加率(累計(jì)值)。該重量增加率越低，意味著化合物的化學(xué)穩(wěn)定性越好。在恒溫恒濕槽處理后，針對(duì)一部分樣品也進(jìn)行了 X射線衍射測定。另夕卜，為了進(jìn)行比較，使用MgO粉末作為樣品No. 0、SnO2粉末作為樣品No. 12號(hào)， 測定同樣的重量增加率。進(jìn)而，使用A1203、SiO2, GeO2, TiO2, ZrO2, CeO2, V2O5作為除SnO2以 外的金屬氧化物，利用與上述實(shí)施例相同的方法，使它們與SrCO3或BaCO3S生反應(yīng)，合成 No. 13 21的化合物，并對(duì)它們也實(shí)施了同樣的評(píng)估。此外，本發(fā)明人等研究的比較例的組成比這里所列舉的種類多得多，這里以穩(wěn)定 性相對(duì)較高并實(shí)施了后文敘述的X-ray PhotoelectronSpectroscopy (XPS =X射線光電子 能譜)測定或面板化的組成為中心，示出了其一部分。[表1]
權(quán)利要求
一種等離子體顯示面板，在電極之間施加電壓從而在放電空間內(nèi)引起放電，并利用熒光體變換為可見光而發(fā)光，其中在面向所述放電空間的區(qū)域配置了電子釋放材料，該電子釋放材料由以從Ca、Sr、Ba之中選擇的一種以上元素、Sn及O為主要成分的化合物構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述化合物是包含特定比例的如下元素的結(jié)晶性氧化物，該元素為從Ca、Sr、Ba之中 選擇的一種以上元素和Sn。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述結(jié)晶性氧化物由從CaSn03、SrSn03> BaSnO3之中選擇的一種以上物質(zhì)構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述結(jié)晶性氧化物由從CaSn03、SrSn03、BaSn03之中選擇的兩種以上物質(zhì)相互固熔而成 的固熔體構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求3或4所述的等離子體顯示面板，其中所述結(jié)晶性氧化物中Ca、Sr、Ba的合計(jì)原子數(shù)與Sn原子數(shù)之比小于等于0. 995。
6.如權(quán)利要求3或4所述的等離子體顯示面板，其中 所述電子釋放材料中混合了所述結(jié)晶性氧化物和Sn02。
7.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中在所述結(jié)晶性氧化物中，從Ca、Sr、Ba之中選擇的一種以上元素被3價(jià)金屬元素部分置換。
8.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中在所述結(jié)晶性氧化物中，Sn被3價(jià)金屬元素或5價(jià)金屬元素部分置換。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中 在所述結(jié)晶性氧化物中，Sn被In部分置換。
10.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述結(jié)晶性氧化物由Sr3Sn207、Ba3Sn2O7、或這些物質(zhì)相互的固熔體構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述結(jié)晶性氧化物由Ca2SnCV Sr2SnO4, Ba2SnO4、或者從其中選擇的兩種以上物質(zhì)相互 固熔而成的固熔體構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中 在所述等離子體顯示面板中，第一面板和第二面板對(duì)置配置，該第一面板在第一基板上形成有第一電極和覆蓋該第 一電極的第一電介質(zhì)層而成，該第二面板在第二基板上形成有第二電極和覆蓋著該第二電 極的第二電介質(zhì)層及熒光體層而成，在所述第一面板和所述第二面板之間形成有所述放電空間。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中 所述化合物以從粒子和膜之中選擇的至少1種形態(tài)配置。
14.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中所述化合物配置在從所述第一面板和所述第二面板之中選擇的至少1個(gè)面板上。
15.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中在所述第一電介體上形成有保護(hù)層。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中 所述保護(hù)層的主要成分由MgO構(gòu)成。
17.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中 所述化合物配置在所述保護(hù)層上。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其中 所述化合物以粒子狀態(tài)分散配置在所述保護(hù)層上。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示面板，其中所述保護(hù)層上以粒子狀態(tài)分散配置的所述化合物覆蓋所述保護(hù)層的覆蓋率為以上 20%以下。
20.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示面板，其中 所述化合物被包含在所述保護(hù)層內(nèi)。
21.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示面板，其中 所述化合物以粒子狀態(tài)混合在所述熒光體層中。
22.如權(quán)利要求21所述的等離子體顯示面板，所述化合物相對(duì)于所述熒光體的混合比例為1重量％以上10重量％以下。
全文摘要
本發(fā)明的目的是通過提供適宜于提高PDP的二次電子釋放系數(shù)的材料，來實(shí)現(xiàn)PDP的高效化。為此，在PDP200中，利用MgO形成保護(hù)層(7)，在保護(hù)層(7)上散布由結(jié)晶性化合物構(gòu)成的電子釋放粒子，形成電子釋放層(20)。結(jié)晶性化合物是由CaSnO3、SrSnO3、BaSnO3、或其中的2種以上物質(zhì)相互固熔而成的固熔體(Ca，Sr)SnO3、(Sr，Ba)SnO3等。
文檔編號(hào)H01J17/16GK101960551SQ20088012749
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月26日
發(fā)明者三浦正范, 井上修, 吉野恭平, 奧井彌生, 奧山浩二郎, 森田幸弘, 淺野洋, 白石誠吾 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社