專利名稱：發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種應(yīng)用于高功率發(fā)光二極管 的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管具有體積小、壽命長、高指向性、耐震性佳...等優(yōu)點(diǎn)，并且與熒光燈 相比較的下，發(fā)光二極管不含汞等具污染性的材料，因此發(fā)光二極管被視為高度環(huán)保的光 源。又發(fā)光二極管逐漸朝向多色彩及高亮度發(fā)展，因此發(fā)光二極管的應(yīng)用范圍已經(jīng)擴(kuò)展至 大型戶外廣告看板以及交通號志燈等，并逐漸取代鎢絲燈及水銀燈而成為新一代照明光 源。而在發(fā)光二極管制程中，由于導(dǎo)線架與散熱基座皆為金屬的材質(zhì)，因此需使用絕 緣墊片以使得導(dǎo)線架與散熱基座形成絕緣狀態(tài)，但在絕緣墊片設(shè)置過程中，對位組裝的步 驟卻會大幅減緩發(fā)光二極管制程的速度，并也增加了發(fā)光二極管的成本。此外，由于發(fā)光二極管體積小，因此受到靜電放電(electrostaticdischarge)的 影響相當(dāng)嚴(yán)重。舉例來說，人體在干燥環(huán)境下所累積的靜電量可高達(dá)2千至3千伏特，此時(shí) 只要碰觸到發(fā)光二極管，即可能導(dǎo)致發(fā)光二極管的損壞。除此之外，在操作或測試發(fā)光二極 管時(shí)，若不小心輸入過高的電流，而超過了發(fā)光二極管所能承載的范圍，亦將導(dǎo)致發(fā)光二極 管的損壞，進(jìn)而造成費(fèi)用成本的耗損。如中國臺灣第1284433號申請所揭露的“發(fā)光二極管封裝及其制造方法”，其包含 有一承載器；一封裝殼體；一發(fā)光二極管晶片；以及一靜電防護(hù)元件。藉由于承載器中設(shè) 置有靜電防護(hù)元件，并且結(jié)合于承載器的發(fā)光二極管晶片可與靜電防護(hù)元件的電性連接， 藉此達(dá)到保護(hù)發(fā)光二極管晶片不受靜電突波破壞的功效。上述的前案是在發(fā)光二極管封裝中額外增設(shè)靜電防護(hù)元件，如此雖可有效避免發(fā) 光二極管晶片受到靜電突波與過電流的破壞，但卻增加了發(fā)光二極管的制作成本，并且制 程時(shí)須考量靜電防護(hù)元件的體積大小，導(dǎo)致發(fā)光二極管整體的體積無法微小化。由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便 與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求 解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切結(jié)構(gòu)能夠 解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的發(fā)光二極 管座體結(jié)構(gòu)，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新 型的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其在散熱基座上或者導(dǎo)線架上設(shè)置絕 緣層，藉以與導(dǎo)線架形成電性絕緣，因此可取代傳統(tǒng)絕緣墊片的使用，又由于絕緣層可以快 速并大量地制作，所以可達(dá)到簡化發(fā)光二極管制程的功效，非常適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新型的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù) 問題是使其藉由進(jìn)一步混合導(dǎo)電的石墨粉的絕緣層形成介電層，并且再配合導(dǎo)線架與散熱 基座的結(jié)構(gòu)即可成為埋入式阻抗元件，因此無需再額外設(shè)置靜電保護(hù)元件，即可提供靜電 防護(hù)的功效，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種新型的發(fā)光二極體座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù) 問題是使其不需外接靜電保護(hù)元件，因此可降低發(fā)光二極管成本并且縮小發(fā)光二極管整體 的體積，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括一第一散熱基座，其具有一固晶區(qū)；及一第一絕緣 層，其設(shè)置于該固晶區(qū)的外側(cè)；一第一導(dǎo)線架，其結(jié)合于該第一絕緣層上，且該第一導(dǎo)線架 相對于該固晶區(qū)處形成有一開口 ；以及一絕緣座體，其是包覆該第一散熱基座及該第一導(dǎo) 線架，并裸露出該固晶區(qū)及該第一散熱基座的一底面。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一散熱基座是一多邊型體或一不規(guī)則 型體。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一散熱基座具有一延伸部，且該固晶 區(qū)是形成于該延伸部處，且該開口是套設(shè)于該延伸部周邊。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的固晶區(qū)形成有一凹槽部。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一散熱基座與該絕緣座體接觸的表 面，是一不規(guī)則狀表面。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一絕緣層是一絕緣油墨層、一環(huán)氧樹 脂或一絕緣硅膠層。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一絕緣層進(jìn)一步混合有一石墨粉或一 納米碳球以形成一介電層。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一導(dǎo)線架是一金屬導(dǎo)線架、一陶瓷電 路板或一印刷電路板。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括一第二散熱基座，其是具有一固晶區(qū)；一第二導(dǎo)線架， 其是設(shè)置有一第二絕緣層，且該第二絕緣層是結(jié)合于該第二散熱基座，并且該第二導(dǎo)線架 相對于該固晶區(qū)處形成有一開口 ；以及一絕緣座體，其是包覆該第二散熱基座及該第二導(dǎo) 線架，并裸露出該固晶區(qū)及該第二散熱基座的一底面。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的固晶區(qū)形成有一凹槽部。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二散熱基座具有一延伸部，且該固晶 區(qū)是形成于該延伸部處，且該開口是套設(shè)于該延伸部周邊。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二散熱基座與該絕緣座體接觸的表 面，是一不規(guī)則狀表面。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二散熱基座是一多邊型體或一不規(guī)則 型體。
前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二絕緣層是一絕緣油墨層、一環(huán)氧樹 脂層或一絕緣硅膠層。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二絕緣層進(jìn)一步混合有一石墨粉或一 納米碳球以形成一介電層。前述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二導(dǎo)線架是一金屬導(dǎo)線架、一陶瓷電 路板或一印刷電路板。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果一、由于絕緣層可快速設(shè)置，并可取代發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)中絕緣墊片的使用，進(jìn) 而提高了發(fā)光二極管的制程速度。二、利用絕緣層混合導(dǎo)電石墨粉形成的介電層，用以與導(dǎo)線架及散熱基座形成埋 入式阻抗元件，進(jìn)而達(dá)到提供靜電防護(hù)的功效。三、由于發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)不需外接靜電防護(hù)元件，因此可降低發(fā)光二極管的 制作成本。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括第一散熱基座；第 一導(dǎo)線架；以及絕緣座體。其中第一散熱基座具有固晶區(qū)，并且在固晶區(qū)外側(cè)設(shè)置有第一絕 緣層，而且第一導(dǎo)線架是結(jié)合于第一絕緣層上，又絕緣座體是包覆第一導(dǎo)線架及第一散熱 基座，并使得固晶區(qū)與第一散熱基座的底面裸露在外。由于第一絕緣層可使得第一散熱基 座與第一導(dǎo)線架相互絕緣，因此可取代傳統(tǒng)絕緣墊片的使用，并且第一絕緣層可以印刷的 方式設(shè)置于第一散熱基座上，藉此可簡化發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的制程，進(jìn)而達(dá)到大量生產(chǎn) 的功效。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的 新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是本發(fā)明的一種第一散熱基座與第一導(dǎo)線架的實(shí)施例分解立體2是本發(fā)明的一種第一散熱基座與第一導(dǎo)線架的實(shí)施例分解立體圖一。圖3是本發(fā)明的一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的實(shí)施例剖視圖一。圖4A是圖3的等效電路圖一。圖4B是圖3的等效電路圖二。圖5是本發(fā)明的一種第一散熱基座與第一導(dǎo)線架的實(shí)施例分解立體圖三。圖6是本發(fā)明的一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的實(shí)施例剖視圖二。圖7A是圖6的等效電路圖一。圖7B是圖6的等效電路圖二。8是本發(fā)明的一種第二散熱基座與第二導(dǎo)線架的實(shí)施例分解立體圖一。圖9是本發(fā)明的一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的實(shí)施例剖視圖三。圖10A是圖9的等效電路圖一。圖10B是圖9的等效電路圖二。
圖11是本發(fā)明的一種第二二散熱基座與第二導(dǎo)線架的實(shí)施例分解立體圖
圖12是本發(fā)明的一種發(fā)光二極#_座體結(jié)構(gòu)的實(shí)施例剖視圖四。
圖13A是圖12的等效電路圖一。
圖13B是圖12的等效電路圖二。
100,100，、200、200，發(fā)光二極售;座體結(jié)構(gòu)
10,10'第一散熱基座11、211 :固晶區(qū)
12 第一絕緣層121,223 石墨粉
13,24 介電層14,212 延伸部
15,213凹槽部16,215 底面
17,214不規(guī)則狀表面20 第一導(dǎo)線架
21,221開口21,21第二散熱基座
22 第二導(dǎo)線架222 第二絕緣層
30,23 絕緣座體40 發(fā)光二極管晶粒
C 電容性元件R 電阻性元件
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征 及其功效，詳細(xì)說明如后。<第一實(shí)施例>圖1是本發(fā)明的一種第一散熱基座10與第一導(dǎo)線架20的實(shí)施例分解立體圖一。 圖2是本發(fā)明的一種第一散熱基座10’與第一導(dǎo)線架20的實(shí)施例分解立體圖二。圖3是 本發(fā)明的一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100的實(shí)施例剖視圖一。圖4A是圖3的等效電路圖一。 圖4B是圖3的等效電路圖二。圖5是本發(fā)明的一種第一散熱基座10’與第一導(dǎo)線架20的 實(shí)施例分解立體圖三。圖6是本發(fā)明的一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100’的實(shí)施例剖視圖二。 圖7A是圖6的等效電路圖一。圖7B是圖6的等效電路圖二。如圖1至圖3所示，本實(shí)施例是一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100，其包括一第一散 熱基座10、10，；一第一導(dǎo)線架20 ；以及一絕緣座體30。如第1圖及第2圖所示，第一散熱基座10、10’，其是具有一固晶區(qū)11 ；以及一第 一絕緣層12，并且第一散熱基座10、10’可以為一多邊型體(如圖5所示)或一不規(guī)則型體 (圖未示)。由于第一散熱基座10、10’的材質(zhì)可以為具有良好導(dǎo)熱特性的材質(zhì)，例如銅、錫、 銀...等，因此可藉由固晶區(qū)11與發(fā)光二極管晶粒40結(jié)合，而發(fā)光二極管晶粒40的產(chǎn)熱 則可由第一散熱基座10排除，以避免高溫影響發(fā)光二極管晶粒40的出光品質(zhì)。如圖1所示，第一絕緣層12是設(shè)置于固晶區(qū)11的外側(cè)，又第一絕緣層12可以為 一絕緣油墨層、一環(huán)氧樹脂層或一絕緣硅膠層，因此當(dāng)?shù)谝簧峄?0、10’與一第一導(dǎo)線 架20結(jié)合時(shí)，第一絕緣層12便可設(shè)置于第一散熱基座10與第一導(dǎo)線架20之間，使得一散 熱基座10、10’與第一導(dǎo)線架20間為絕緣的狀態(tài)，所以第一絕緣層12可用以取代傳統(tǒng)絕緣 墊片的使用。
此外，由于第一絕緣層12可以印刷的方式覆蓋于第一散熱基座10、10’上除了固 晶區(qū)11以外的表面，因此可同時(shí)間內(nèi)快速并大量地設(shè)置第一絕緣層12，進(jìn)而簡化了發(fā)光二 極管座體結(jié)構(gòu)100以提高發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100的制程速度。如圖1及圖2所示，第一導(dǎo)線架20，其結(jié)合于第一散熱基座10、10’的第一絕緣層 12上，且第一導(dǎo)線架20相對于第一散熱基座10、10’固晶區(qū)11處形成有一開口 21，以使得 固晶區(qū)11為外露的區(qū)域。如圖2所示，第一散熱基座10’可具有一延伸部14且固晶區(qū)11是形成于延伸部 14處，因此第一導(dǎo)線架20的開口 21可套設(shè)于延伸部14周邊，并且第一導(dǎo)線架20不與第 一散熱基座10’的延伸部14相接觸。又第一散熱基座10’的固晶區(qū)11可形成有一凹槽部 15，以利發(fā)光二極管晶粒40結(jié)合于固晶區(qū)11，并且方便于發(fā)光二極管晶粒40上覆蓋取光層 或光波轉(zhuǎn)換層，例如熒光粉涂布層(圖未示)。而第一導(dǎo)線架20可以為一金屬導(dǎo)線架、一陶瓷電路板或一印刷電路板，因此第一 導(dǎo)線架20可藉由打線與發(fā)光二極管晶粒40形成電性連接。(如圖3所示)如圖3所示，絕緣座體30，其是包覆第一散熱基座10’及第一導(dǎo)線架20，并裸露出 第一散熱基座10’的固晶區(qū)11及第一散熱基座10’的一底面16，使得發(fā)光二極管晶粒40 產(chǎn)熱可通過第一散熱基座10’裸露的底面16散除，而外露的固晶區(qū)11上方則可加設(shè)各種 透鏡(圖未示)，用以于發(fā)光二極管晶粒40出光時(shí)形成不同光場形狀。如圖3所示，第一散熱基座10’與絕緣座體30接觸的表面是可形成一不規(guī)則狀表 面17，例如螺紋、咬花、凸體、凹體...等不規(guī)則狀表面17。當(dāng)進(jìn)行絕緣座體30的成型作 業(yè)時(shí)，例如射出成型、注膠成型...等，由于塑料可填滿不規(guī)則狀表面17與第一絕緣座體 30的間隙，所以冷卻固化后的塑料可使得第一散熱基座10’與絕緣座體30穩(wěn)固且緊密地咬 合，藉此可阻絕水氣與濕氣的滲透，并且使得發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100更為穩(wěn)固。又如圖2所示，第一絕緣層12是可進(jìn)一步混合有一石墨粉121或一納米碳球(圖 未示)，并且藉由石墨粉121與納米碳球可導(dǎo)電的特性以形成一介電層13，又可利用改變石 墨粉121或納米碳球的混合比例調(diào)整介電層13的介電系數(shù)，例如混合越多的石墨粉121 或納米碳球，則介電層13的介電系數(shù)越高。如圖3所示，由于介電層13是位于第一導(dǎo)線架20與第一散熱基座10’之間，又第 一導(dǎo)線架20與第一散熱基座10’可同時(shí)為金屬的材質(zhì)，所以第一導(dǎo)線架20、介電層13與第 一散熱基座10’所形成的結(jié)構(gòu)可成為埋入式的阻抗元件，例如電容性元件C或電阻性元件 R0因此發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100與發(fā)光二極管晶粒40可形成如圖4A的等效電路 圖，藉由發(fā)光二極管晶粒40與電容性元件C并聯(lián)，使得靜電突波或過電流產(chǎn)生時(shí)，電容性元 件C可有效地吸收靜電突波與過電流，用以保護(hù)發(fā)光二極管晶粒40不受到靜電突波與過電 流的破壞。如圖4B所示，藉由改變介電層13的介電系數(shù)，可形成埋入式的電阻性元件R，而發(fā) 光二極管晶粒40可與電阻性元件R形成如圖4B所示的電路結(jié)構(gòu)，因此當(dāng)靜電突波出現(xiàn)或 過電流輸入時(shí)，可藉由電阻性元件R旁路的功能以分擔(dān)過高的電流，如此亦可以保護(hù)發(fā)光 二極管晶粒40不受到靜電突波與過電流的破壞。而藉由設(shè)置于第一散熱基座10’上的介 電層13，發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100中可形成至少三個(gè)電容性元件C或電阻性元件R。
當(dāng)發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100’與多顆發(fā)光二極管晶粒40結(jié)時(shí)，其結(jié)合方式可以如 圖5及圖6所示，發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100’可與四顆發(fā)光二極管晶粒40結(jié)合，并藉由打線 使得發(fā)光二極管晶粒40形成串聯(lián)與并聯(lián)的電路結(jié)構(gòu)(如圖7A及圖7B所示)，因此發(fā)光二極 管座體結(jié)構(gòu)100’可操作于直流電源或交流電源的環(huán)境下，并且發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)100’ 中的介電層13亦可分別形成電容性元件C或電阻性元件R，進(jìn)而保護(hù)每一發(fā)光二極管晶粒 40不受靜電突波的破壞。<第二實(shí)施例>圖8是本發(fā)明的一種第二散熱基座21與第二導(dǎo)線架22的實(shí)施例分解立體圖一。 圖9是本發(fā)明的一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200的實(shí)施例剖視圖三。圖10A是圖9的等效電 路圖一。圖10B是圖9的等效電路圖二。圖11是本發(fā)明的一種第二散熱基座21與第二導(dǎo) 線架22的實(shí)施例分解立體圖二。圖12是本發(fā)明的一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200’的實(shí)施 例剖視圖四。圖13A是圖12的等效電路圖一。圖13B是圖12的等效電路圖二。如圖8及圖9所示，本實(shí)施例是一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200，其包括一第二散 熱基座21 ；—第二導(dǎo)線架22 ；以及一絕緣座體23。如圖8及圖9所示，第二散熱基座21具有一固晶區(qū)211，且第二散熱基座21可以 為一多邊型體(如圖11所示)或一不規(guī)則型體(圖未示)。第二導(dǎo)線架22設(shè)置有一第二絕緣層222，并且第二絕緣層222可以為一絕緣油墨 層、一環(huán)氧樹脂層或一絕緣硅膠層。因此當(dāng)?shù)诙?dǎo)線架22與第二散熱基座21結(jié)合時(shí)，第二 絕緣層222是夾設(shè)于第二導(dǎo)線架22與第二散熱基座21之間，以使得第二導(dǎo)線架22與第二 散熱基座21間相互絕緣，用以取代傳統(tǒng)絕緣墊片的使用，又第二絕緣層222亦可以印刷的 方式設(shè)置于第二散熱基座21上，藉此可簡化并加速發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200的制程。又第二導(dǎo)線架22可以為一金屬導(dǎo)線架、一陶瓷電路板或一印刷電路板，因此第二 導(dǎo)線架22可藉由打線與發(fā)光二極管晶粒40形成電性連接(如圖9所示)。如圖8及圖9所示，第二散熱基座21可進(jìn)一步具有一延伸部212，因此第二導(dǎo)線架 22相對于第二散熱基座21的固晶區(qū)211處形成的一開口 221是套設(shè)于延伸部212周邊，并 且不與第二散熱基座21的延伸部212相接觸。而絕緣座體30用以包覆第二散熱基座21 與第二導(dǎo)線架22，并使得固晶區(qū)211及第二散熱基座21的一底面215裸露在外，并且第二 散熱基座21的固晶區(qū)211可形成有一凹槽部213，以利與發(fā)光二極管晶粒40結(jié)合。又第二散熱基座21與絕緣座體23接觸的表面可為一不規(guī)則狀表面214，藉此用 以加強(qiáng)第二散熱基座21與絕緣座體23間的固定強(qiáng)度。而第二散熱基座21、第二導(dǎo)線架22 與絕緣座體23間的結(jié)合關(guān)系如第一實(shí)施例中第一散熱基座10、第一導(dǎo)線架20與絕緣座體 30所述，在此不加贅述。此外，第二絕緣層222亦可進(jìn)一步混合有一石墨粉223或一納米碳球(圖未示)， 因此亦可以形成一介電層24，并且通過第二導(dǎo)線架22、介電層24及第二散熱基座21的結(jié) 合(如圖9所示)，使得發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200中可形成埋入式的阻抗元件，例如電容 性元件C或電阻性元件R。如圖10A所示，當(dāng)發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200與發(fā)光二極管晶粒40結(jié)合時(shí)，電流可 由兩邊節(jié)點(diǎn)流入，因此可藉由電容性元件C的設(shè)置，以使得發(fā)光二極管晶粒40可與電容性 元件C形成并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)，以利用電容性元件C吸收靜電突波或過電流，達(dá)到保護(hù)發(fā)光二極管晶粒40的功效。又如圖10B所示，亦可利用改變介電層24中石墨粉223或納米碳球的混合比例以 形成埋入式的電阻性元件R，使得發(fā)光二極管晶粒40可與電阻性元件R形成并聯(lián)電路結(jié)構(gòu)， 并且藉由電阻性元件R的設(shè)置以旁路的方式分擔(dān)靜電突波或過電流產(chǎn)生時(shí)過大的電流，如 此也可達(dá)到避免發(fā)光二極管晶粒40受到破壞的功效。第二絕緣層222的功效，以及電容性 元件C、電阻性元件R與發(fā)光二極管晶粒40的連接方式是類似第一實(shí)施例中的敘述，在此不 加贅述。而由于第二絕緣層222是設(shè)置于第二導(dǎo)線架22的表面上，并且第二導(dǎo)線架具有開 口 221，因此在發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200中形成至少一對與發(fā)光二極管晶粒40并聯(lián)的電容 性元件C或電阻性元件R。如圖11及圖12所示，發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200’可與多個(gè)發(fā)光二極管晶粒40結(jié) 合，并且可分別通過發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)200’中的電容性元件C或電阻性元件R與發(fā)光二 極管晶粒40形成相對應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)(如圖13A及圖13B所示)，藉此達(dá)到靜電保護(hù)的功效， 并且可操作在交流或直流電源的環(huán)境下。詳細(xì)功效如第一實(shí)施例中所述，在此不加贅述。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì) 對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
10
權(quán)利要求
一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一第一散熱基座，其具有一固晶區(qū)；及一第一絕緣層，其設(shè)置于該固晶區(qū)的外側(cè)；一第一導(dǎo)線架，其結(jié)合于該第一絕緣層上，且該第一導(dǎo)線架相對于該固晶區(qū)處形成有一開口；以及一絕緣座體，其是包覆該第一散熱基座及該第一導(dǎo)線架，并裸露出該固晶區(qū)及該第一散熱基座的一底面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一散熱基座 是一多邊型體或一不規(guī)則型體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一散熱基座 具有一延伸部，且該固晶區(qū)是形成于該延伸部處，且該開口是套設(shè)于該延伸部周邊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的固晶區(qū)形成有 一凹槽部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一散熱基座 與該絕緣座體接觸的表面，是一不規(guī)則狀表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一絕緣層是 一絕緣油墨層、一環(huán)氧樹脂或一絕緣硅膠層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一絕緣層進(jìn) 一步混合有一石墨粉或一納米碳球以形成一介電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一導(dǎo)線架是 一金屬導(dǎo)線架、一陶瓷電路板或一印刷電路板。
9.一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一第二散熱基座，其是具有一固晶區(qū)；一第二導(dǎo)線架，其是設(shè)置有一第二絕緣層，且該第二絕緣層是結(jié)合于該第二散熱基座， 并且該第二導(dǎo)線架相對于該固晶區(qū)處形成有一開口；以及一絕緣座體，其是包覆該第二散熱基座及該第二導(dǎo)線架，并裸露出該固晶區(qū)及該第二 散熱基座的一底面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的固晶區(qū)形成有一凹槽部。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二散熱基 座具有一延伸部，且該固晶區(qū)是形成于該延伸部處，且該開口是套設(shè)于該延伸部周邊。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二散熱基 座與該絕緣座體接觸的表面，是一不規(guī)則狀表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二散熱基 座是一多邊型體或一不規(guī)則型體。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二絕緣層 是一絕緣油墨層、一環(huán)氧樹脂層或一絕緣硅膠層。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二絕緣層進(jìn)一步混合有一石墨粉或一納米碳球以形成一介電層。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二導(dǎo)線架 是一金屬導(dǎo)線架、一陶瓷電路板或一印刷電路板。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括第一散熱基座；第一導(dǎo)線架；以及絕緣座體。其中第一散熱基座具有固晶區(qū)，并且在固晶區(qū)外側(cè)設(shè)置有第一絕緣層，而且第一導(dǎo)線架是結(jié)合于第一絕緣層上，又絕緣座體是包覆第一導(dǎo)線架及第一散熱基座，并使得固晶區(qū)與第一散熱基座的底面裸露在外。由于第一絕緣層可使得第一散熱基座與第一導(dǎo)線架相互絕緣，因此可取代傳統(tǒng)絕緣墊片的使用，并且第一絕緣層可以印刷的方式設(shè)置于第一散熱基座上，藉此可簡化發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的制程，進(jìn)而達(dá)到大量生產(chǎn)的功效。
文檔編號F21V29/00GK101865436SQ20091013448
公開日2010年10月20日 申請日期2009年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月20日
發(fā)明者李永富, 詹政衛(wèi), 陳明鴻 申請人:必奇股份有限公司