專利名稱：電子發(fā)射器件和圖像顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子發(fā)射器件和具有多個(gè)所述器件的圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
表面?zhèn)鲗?dǎo)型的電子發(fā)射器件利用如下現(xiàn)象當(dāng)電流與膜平面平行 地穿過(guò)在絕緣基板上形成的導(dǎo)電膜時(shí)，電子被發(fā)射。
日本專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2002-352699 7>開(kāi)了具有這樣的結(jié)構(gòu)的表 面?zhèn)鲗?dǎo)型的電子發(fā)射器件通過(guò)將導(dǎo)電膜分割成多個(gè)導(dǎo)電膜并由此增 加導(dǎo)電膜中的每一個(gè)的電阻，在已出現(xiàn)放電時(shí)抑制異常大的電流流動(dòng)。
但是，近來(lái)的圖像顯示裝置需要表現(xiàn)出長(zhǎng)時(shí)期以較高的清晰度穩(wěn) 定地顯示圖像的性能。出于這種原因，在應(yīng)用電子發(fā)射器件的顯示器 中，希望電子發(fā)射器件表現(xiàn)出高的會(huì)聚性和優(yōu)異的長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定性。在 顯示像素以一對(duì)一的關(guān)系與電子發(fā)射器件對(duì)應(yīng)的圖像顯示裝置中，電 子發(fā)射器件中的每一個(gè)中的電流的波動(dòng)導(dǎo)致像素之間的亮度變化，使 得電子發(fā)射器件需要更加均勻和穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明致力于提供這樣的電子發(fā)射器件和使用該器件的圖像顯示 裝置所述電子發(fā)射器件不需要另外添加的新電極、具有優(yōu)異的會(huì)聚 性、并且顯示出短時(shí)期和長(zhǎng)時(shí)期的小的放出(discharged)電流變化。
本發(fā)明提供一種電子發(fā)射器件，該電子發(fā)射器件至少具有在絕緣 基板上形成的一對(duì)器件電極、和形成為使器件電極相互連接并在其中 具有間隙的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，至少與導(dǎo)電膜之間的間隙相鄰并且不 覆蓋有導(dǎo)電膜的區(qū)域的表面比導(dǎo)電膜的表面高。
本發(fā)明還提供一種電子發(fā)射器件，該電子發(fā)射器件具有絕緣基板、被布置在絕緣基板上的一對(duì)電極、和被平行放置在所述一對(duì)電極之間 以使電極相互連接的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，多個(gè)導(dǎo)電膜中的每一個(gè)具有 電子發(fā)射部分，以及，位置比導(dǎo)電膜的表面高的絕緣構(gòu)件被布置在多 個(gè)導(dǎo)電膜之中的彼此相鄰導(dǎo)電膜之間的絕緣基板上的區(qū)域中。
本發(fā)明還提供一種電子發(fā)射器件，該電子發(fā)射器件具有絕緣基板、 被布置在絕緣基板上的一對(duì)電極、和被平行放置在所述一對(duì)電極之間 以使電極相互連接的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，多個(gè)導(dǎo)電膜中的每一個(gè)具有 電子發(fā)射部分，以及，多個(gè)導(dǎo)電膜之中的彼此相鄰導(dǎo)電膜之間的絕緣 基板的表面的位置比導(dǎo)電膜的表面高。
本發(fā)明還提供一種圖像顯示裝置，該圖像顯示裝置包含第一基 板，具有布置在其上的多個(gè)電子發(fā)射器件；和第二基板，其具有被布
置為與電子發(fā)射器件相對(duì)的、要被從電子發(fā)射器件發(fā)射的電子照射的 圖像顯示構(gòu)件，并被布置為與第一基板相對(duì)。
從參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的進(jìn)一步的特征 將變得明顯。


圖1A、圖1B、圖1C和圖1D是根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件的一 個(gè)實(shí)施例的示意圖。
圖2A、圖2B、圖2C和圖2D是根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件的另 一實(shí)施例的示意圖。
圖3是用于描述根據(jù)本發(fā)明的遮蔽(shielding)部分的功能的部 分示意圖。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的遮蔽部分高度和電子束展開(kāi)(spread) 之間的關(guān)系的部分示意圖。
圖5A、圖5B和圖5C是示出圖1A、圖1B、圖1C和圖1D中的 電子發(fā)射器件的制造過(guò)程的透視圖。
圖6是用于評(píng)價(jià)根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件的裝置的示意圖。
圖7是示出在成形(forming)步驟中要施加的脈沖電壓的一個(gè)例子的示意圖。
圖8是示出在激活步驟中要施加的脈沖電壓的一個(gè)例子的示意圖。
圖9A、圖9B和圖9C是示出圖2A、圖2B、圖2C和圖2D中的 電子發(fā)射器件的制造過(guò)程的透視圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的圖像顯示裝置的一個(gè)例子的顯示板的示意圖。
圖IIA、圖IIB、圖IIC、圖IID和圖IIE是示出根據(jù)本發(fā)明的 示例性實(shí)施例的電子源的制造過(guò)程的示意性平面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的第一方面是一種電子發(fā)射器件，該電子發(fā)射器件至少具 有在絕緣基板上形成的一對(duì)器件電極、和形成為使器件電極相互連接 并且分別在器件電極之間的區(qū)域中具有間隙的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，至 少與導(dǎo)電膜之間的間隙相鄰并且不覆蓋有導(dǎo)電膜的區(qū)域的表面比導(dǎo)電 膜的表面高。
本發(fā)明的第二方面是一種電子發(fā)射器件，該電子發(fā)射器件具有絕 緣基板、被布置在絕緣基板上的一對(duì)電極、和被平行放置在所述一對(duì) 電極之間以使電極相互連接的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，多個(gè)導(dǎo)電膜中的每 一個(gè)具有電子發(fā)射部分，以及，位置比導(dǎo)電膜的表面高的絕緣構(gòu)件被 布置在多個(gè)導(dǎo)電膜之中的彼此相鄰導(dǎo)電膜之間的絕緣基板上的區(qū)域 中。
本發(fā)明的第三方面是一種電子發(fā)射器件，該電子發(fā)射器件具有絕 緣基板、被布置在絕緣基板上的一對(duì)電極、和被平行放置在所述一對(duì) 電極之間以使電極相互連接的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，多個(gè)導(dǎo)電膜中的每 一個(gè)具有電子發(fā)射部分，以及，多個(gè)導(dǎo)電膜之中的彼此相鄰導(dǎo)電膜之 間的絕緣基板的表面的位置比導(dǎo)電膜的表面高。
作為實(shí)施例，上述的本發(fā)明的電子發(fā)射器件可包含以下的結(jié)構(gòu)。 在與導(dǎo)電膜之間的間隙相鄰并且不覆蓋有導(dǎo)電膜的區(qū)域中形成凸起的遮蔽部分。上述的遮蔽部分由絕緣材料制成。上述的絕緣材料為氧化 鋁、氮化硅、氧化鎂和氮化鋁中的任一種。上述的導(dǎo)電膜分別被布置 在形成于器件電極之間絕緣基板上的多個(gè)凹陷部分的底面上。上述的 凹陷部分的底面由氧化硅或包含氧化硅作為主要成分的絕緣材料制 成。上述的凹陷部分的側(cè)面由氧化鋁、氮化硅、氧化鎂和氮化鋁中的 任一種制成。
本發(fā)明的第四方面提供一種圖像顯示裝置，該圖像顯示裝置包含: 第一基板，具有布置在其上的多個(gè)電子發(fā)射器件；和第二基板，其具 有被布置為與電子發(fā)射器件相對(duì)的、要被從電子發(fā)射器件發(fā)射的電子 照射的圖像顯示構(gòu)件，并被布置為與第一基板相對(duì)。
根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件具有被分割成多個(gè)導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜， 并因此使得要與電子發(fā)射部分中的每一個(gè)連接的電阻分量增加，以抑 制放出電流隨時(shí)間波動(dòng)。電子發(fā)射器件還具有被布置在每一電子發(fā)射 部分的附近的遮蔽部分或凹陷部分的側(cè)面，由此截止導(dǎo)致束展開(kāi)的電 子，并且可使電子束精細(xì)化(refine)。因此，根據(jù)本發(fā)明的圖像顯示 裝置可長(zhǎng)時(shí)期穩(wěn)定地顯示高質(zhì)量的圖像。
根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件包含電場(chǎng)發(fā)射型器件、MIM型器件和 表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件，并且，在沿要發(fā)射的電子的射出方向具有 分布的器件(諸如水平電場(chǎng)發(fā)射型器件和表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件) 中是特別有效的。
現(xiàn)在將參照附圖以表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件為例描述根據(jù)本發(fā)明 的電子發(fā)射器件的實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件具有這樣的結(jié)構(gòu)特征導(dǎo)電膜被分割 成多個(gè)導(dǎo)電膜，并且，與形成在導(dǎo)電膜中的間隙相鄰并且不覆蓋有導(dǎo) 電膜的區(qū)域的表面比導(dǎo)電膜的表面高。后一描述具體包含具有形成 在不覆蓋有這種導(dǎo)電膜的區(qū)域中的凸起的遮蔽部分的實(shí)施例1、和事 先在形成導(dǎo)電膜的區(qū)域中形成凹陷部分的實(shí)施例2。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D1A、圖1B、圖1C和圖1D以及圖2A、圖2B、圖 2C和圖2D描述根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件的基本結(jié)構(gòu)例子。圖1A、圖1B、圖1C和圖1D示出上述的實(shí)施例1中的器件的結(jié)構(gòu)例子，圖 2A、圖2B、圖2C和圖2D示出上述的實(shí)施例2中的器件的結(jié)構(gòu)例子。 在每一圖中，圖1A是示意性平面圖，圖1B是沿圖1A中的線1B-1B 取得的示意性截面圖，圖1C是沿圖1A中的線1C-1C取得的示意性 截面圖，圖1D是在沿圖1A中的線1C-1C切取這種器件的情況下的 透視圖。
這種器件的基本結(jié)構(gòu)包含在由玻璃等制成的絕緣基板l上形成 并且彼此相對(duì)的一對(duì)器件電極2和3;和與器件電極2和3中的每一 個(gè)電連接的導(dǎo)電膜4。多個(gè)導(dǎo)電膜4被平行布置在一對(duì)器件電極2和3 之間，并且與器件電極2和3中的每一個(gè)連接，但是被布置為具有間 隔，使得各導(dǎo)電膜不直接相互接觸。導(dǎo)電膜4中的每一個(gè)具有在其中 形成的微小(fine)間隙5，并且在間隙5中具有電子發(fā)射部分。
在圖1A、圖1B、圖1C和圖1D的器件中，凸起的遮蔽部分6-皮 布置在器件電極2和3之間與以被分割成多個(gè)導(dǎo)電膜的形式布置的導(dǎo) 電膜4的間隙5相鄰、并且不覆蓋有導(dǎo)電膜4的區(qū)域中，換句話說(shuō)， 在絕緣基板l的表面上。該遮蔽部分6形成為比導(dǎo)電膜4厚，并被配 置為使得其上面(upper face)的位置比導(dǎo)電膜4高，換句話說(shuō)，比間 隙5高。
在圖2A、圖2B、圖2C和圖2D的器件中，在器件電極2和3之 間被分割成多個(gè)導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜4分別被布置在分別在器件電極之間 形成于基板上的多個(gè)凹陷部分的底面上。順便說(shuō)一句，該器件采用具 有設(shè)置在絕緣基板1的表面上的基板涂層7的基板，通過(guò)部分挖去基 板涂層7以使絕緣基板1的表面被露出而制備凹陷部分，并具有在絕 緣基板1的表面上形成的導(dǎo)電膜4。因此，該器件被配置為使得凹陷 部分的側(cè)面被布置成與設(shè)置在導(dǎo)電膜4中的間隙5相鄰，并且與間隙 5相鄰且不覆蓋有導(dǎo)電膜4的區(qū)域、換句話說(shuō)基板涂層7的表面的位 置比導(dǎo)電膜4的表面高。
絕緣基板1變成用于在其上形成電極2和3、導(dǎo)電膜4等的基板， 因此可由諸如玻璃的電絕緣材料制成，并且，當(dāng)考慮對(duì)于圖像顯示裝置等的應(yīng)用時(shí)，可由玻璃制成。另外，如后面將描述的那樣，應(yīng)用本 發(fā)明的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射器件在形成電子發(fā)射部分的過(guò)程中經(jīng)過(guò)稱
為激活步驟的通電(energization)步驟，使得可以使用含有許多氧化 硅的玻璃作為用于激活步驟的合適材料。
只要材料具有導(dǎo)電性，那么彼此相對(duì)的一對(duì)器件電極2和3可采 用任何材料，但是可采用具有較低歐姆值的材料。特別地，當(dāng)假定該 器件被應(yīng)用于圖像顯示裝置等的情況時(shí)，器件電極可由具有耐受加熱 步驟的這樣的高耐熱性的材料制成。具體地，該材料包含M、 Pt、 Au、 W、 Mo和Al。
作為用于導(dǎo)電膜4的材料，可以使用諸如金屬和半導(dǎo)體的導(dǎo)電材 料。作為例子，該材料包含諸如Ni、 Cr、 Au、 Mo、 W、 Pt、 Ti、 Al、 Cu和Pd的金屬，其合金，諸如Pd、 Ag、 Au、 Ru和Pd-Ag的金屬， 和其氧化物。
不管材料是具有導(dǎo)電性還是絕緣性能，遮蔽部分6可采用金屬、 或諸如金屬氧化物和金屬氮化物的化合物。但是，當(dāng)由導(dǎo)電材料形成 時(shí)，遮蔽部分6需要與器件電極2和3中的至少一個(gè)電絕緣。遮蔽部 分6可釆用氧化鋁、氮化硅、氧化鎂和氮化鋁的絕緣材料中的任一種， 這將在后面描述。
在圖2A、圖2B、圖2C和圖2D的器件中，在絕緣基板1上形成 基板涂層7，但是，基板涂層7可由氧化鋁、氮化硅、氧化鎂和氮化 鋁的絕緣材料中的任一種形成，這將在后面描述。另外，為了在激活 步驟中使碳易于沉積在間隙5上，可以用含有許多氧化硅的玻璃形成 絕緣基板l，并且，可以使其中放置導(dǎo)電膜4的凹陷部分形成到使得 絕緣基板1的表面被露出的這樣的深度。
以下，現(xiàn)在將參照?qǐng)D3描述通過(guò)使與間隙5相鄰的區(qū)域中的表面 比導(dǎo)電膜4高的結(jié)構(gòu)而給予的功能。
圖3是圖1A、圖1B、圖1C和圖1D所示的器件的Y方向的部分 示意性截面圖，并且示意地示出從具有在其兩側(cè)布置的遮蔽部分6的 一片導(dǎo)電膜4中的間隙5發(fā)射的電子的軌道。通過(guò)向?qū)щ娔?施加電壓，該器件導(dǎo)致從在導(dǎo)電膜4中形成的微 小間隙5發(fā)射電子。發(fā)射的電子的初速度幾乎(almost)由從外面施 加的電壓確定，并且該器件向真空發(fā)射電子，而幾乎不導(dǎo)致能量損失。 在間隙5中存在大量的發(fā)射電子的電子發(fā)射部分，并且，大量的電子 發(fā)射部分被平行排列在一片導(dǎo)電膜4中。要從電子發(fā)射部分發(fā)射的電 子中的大多數(shù)沿在器件電極2和3之間施加電壓的方向、換句話說(shuō)沿 與通電方向平行的方向(X方向)被發(fā)射，但確認(rèn)了也發(fā)射具有與通 電方向垂直的方向(Y方向)的分量的一些電子。這些電子被發(fā)射部 分附近的電場(chǎng)加速并從那里逃逸，這導(dǎo)致使得電子束展開(kāi)。
另一方面，當(dāng)遮蔽部分6被布置在間隙5的附近時(shí)，從電子發(fā)射 部分發(fā)射的電子之中的具有與通電方向垂直的方向的初速度的電子、 換句話說(shuō)具有Y方向的初速度的電子與遮蔽部分6碰撞，并因此不能 向上側(cè)(Z方向)逃逸。由此，具有導(dǎo)致電子沿Y方向展開(kāi)的速度段 (segment)的電子被截止，并且因此只有具有一致的初速度方向的電 子才可被取出。
如上所述，要被發(fā)射的電子的方向不僅與通電方向平行和垂直， 而且包含具有各種分量的方向。但是，沿垂直方向發(fā)射的電子一般以 恒定的速度移動(dòng)，使得可通過(guò)在電子發(fā)射部分的附近布置諸如遮蔽部 分6的遮蔽電子飛行的壁結(jié)構(gòu)，來(lái)去除導(dǎo)致展開(kāi)的電子。
另外，如上所述，具有Y方向分量的電子以恒定的速度移動(dòng)，使 得隨著遮蔽部分6和電子發(fā)射部分之間的距離變遠(yuǎn)，電子已到達(dá)遮蔽 部分6的位置時(shí)所示的電子沿Z方向的位置、換句話說(shuō)電子距電子發(fā) 射部分的高度變高。因此，通過(guò)電子發(fā)射部分和遮蔽部分6之間的距 離規(guī)定截止所需要的遮蔽部分6的高度。
已發(fā)現(xiàn)，圖4所示的電子和電子發(fā)射部分9之間的Y方向的距離 (y)與此時(shí)電子距基板l的表面的高度(H)由以下關(guān)系表達(dá)式表達(dá)
y = 2H^/(Vf - (D)/{ Va/(hx H)}
其中，
Vf:器件的驅(qū)動(dòng)電壓h:從基板l的表面到陽(yáng)極8的距離
O:電子發(fā)射部分的表面的功函數(shù)，以及
Va:要對(duì)陽(yáng)極8施加的電壓。
因此，當(dāng)在滿足Vf-20V、 0-5eV、 h-2mm和Va-10kV的條 件下將遮蔽部分6布置在距電子發(fā)射部分0.01mm遠(yuǎn)的位置處時(shí)，在 該位置處的電子距基板表面的高度(H)變?yōu)榧sO.Olmm。因此，抑制 電子束的展開(kāi)所需要的遮蔽部分6的高度(H )變?yōu)镺.Olmm或更大。
另一方面，如從以上的表達(dá)式理解的那樣，隨著距離(y)變小， 用于截止向Y方向展開(kāi)的電子束所需要的遮蔽部分6的高度(H)變 低。因此，要在一個(gè)器件內(nèi)形成的導(dǎo)電膜4以被分割成多個(gè)導(dǎo)電膜的 形式布置、并且遮蔽部分6被布置為夾著各導(dǎo)電膜4的單元是有效的。
在圖2A、圖2B、圖2C和圖2D中的器件中，這種作用也類似地 起作用，并且，凹陷部分的側(cè)面(圖2A、圖2B、圖2C和圖2D中的 基板涂層7)顯示出與圖1A、圖1B、圖1C和圖1D所示的遮蔽部分 6對(duì)應(yīng)的功能。
以下，現(xiàn)在將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的激活處理。
激活處理意味著如下的步驟將含碳?xì)怏w引入真空裝置中，在包 含所述含碳?xì)怏w的氣氛下在器件電極2和3之間施加電壓，并且從存 在于所述氣氛中的含碳?xì)怏w制成在導(dǎo)電膜4和間隙5上沉積的含碳膜 (碳膜)。
可以使用有機(jī)物質(zhì)的氣體作為上述的含碳?xì)怏w。所述有機(jī)物質(zhì)可 包含烷烴、烯烴和炔烴的脂肪族烴；芳族烴；醇；醛；酮；胺；以 及諸如酚、羧酸和磺酸的有機(jī)酸。具體而言，所述有機(jī)物質(zhì)可包含
諸如甲烷、乙烷和丙烷的由CJl2n+2表示的飽和烴，以及諸如乙烯和 丙烯的由組成式CnH2n等表示的不飽和烴?？捎玫挠袡C(jī)物質(zhì)包含苯、
曱苯、甲醇、乙醇、甲醛、乙醛、丙酮、甲基乙基酮、甲胺、乙胺、 酚、甲酸、乙酸和丙酸。
可以在真空裝置的內(nèi)部已被一度減壓到l(T6Pa的壓力之后將上述 的含碳?xì)怏w引入真空裝置中。此時(shí)可采用的含碳?xì)怏w的分壓取決于電子發(fā)射器件的形式、真空裝置的形狀、要采用的含碳?xì)怏w的類型等而 變化，并因此被適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
當(dāng)在器件電極2和3之間施加希望的電壓時(shí)，在間隙5中產(chǎn)生強(qiáng) 電場(chǎng)，并且，通過(guò)導(dǎo)電膜4在間隙5中電子發(fā)射開(kāi)始。發(fā)射的電子照 射相對(duì)的導(dǎo)電膜4，并使存在于氣氛中的、且被吸附在相對(duì)的導(dǎo)電膜4 的表面上的含碳?xì)怏w分解，以制成在導(dǎo)電膜上沉積的含碳膜(碳膜)。
當(dāng)含碳膜(碳膜)開(kāi)始被沉積時(shí)，在間隙5中產(chǎn)生更強(qiáng)的電場(chǎng)， 并且發(fā)射更大量的電子。然后，含碳膜沿水平方向(與通電方向垂直 的方向)連續(xù)生長(zhǎng)，以使發(fā)射電子的區(qū)域擴(kuò)大。
上述的含碳膜(碳膜)可包含石墨碳。根據(jù)本發(fā)明的石墨碳包含 以下物質(zhì)具有完全的石墨晶體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)(所謂的HOPG);具有 約20nm的晶體晶粒和稍微混亂的晶體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)(PG);具有約2nm 的晶體晶粒和更加混亂的晶體結(jié)構(gòu)的物質(zhì)(GC);和非晶碳(非晶碳
和/或非晶碳與上述石墨的微晶的混合物)。
也就是說(shuō)，即使諸如在石墨顆粒之間的晶體晶粒邊界中具有層的 混亂的石墨碳也可被用于本發(fā)明中。
另一方面，作為當(dāng)前發(fā)明人進(jìn)行的研究的結(jié)果，在上述的激活處
理中可涉及氧化硅。已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)對(duì)于基板使用例如不含SK)2的氧化鋁
時(shí)、或當(dāng)使用具有涂覆于玻璃基板上的氧化鋁的薄膜的基板時(shí)，即使 在含碳?xì)怏w中施加電壓，含碳膜也不被沉積并且不生長(zhǎng)。
因此，用于圖1A、圖1B、圖1C和圖1D所示的遮蔽部分6或圖 2A、圖2B、圖2C和圖2D所示的其中處理凹陷部分的基板涂層7的 材料應(yīng)為不包含氧化硅的材料。具體而言，通過(guò)對(duì)于遮蔽部分或基板 涂層使用氧化鋁、氮化硅、氧化鎂、氮化鋁等的材料，抑制碳膜在上 述激活處理中沿橫向方向生長(zhǎng)，并且還可僅在希望的位置中形成電子 發(fā)射部分。
由于可通過(guò)將由上述不同類型的材料(阻礙激活的材料)制成的 遮蔽部分6或凹陷部分的側(cè)面布置為與導(dǎo)電膜4相鄰而抑制碳膜沿橫 向方向生長(zhǎng)，因此當(dāng)以細(xì)分的形式布置導(dǎo)電膜4時(shí)，該操作是更加有效的。然后，在細(xì)分的導(dǎo)電膜4的規(guī)定寬度內(nèi)自動(dòng)形成電子發(fā)射部分， 這有利于特性在多個(gè)器件中被均勻化。
可以對(duì)圖1A、圖1B、圖1C和圖1D所示的遮蔽部分6的形成方 法應(yīng)用通常使用的手段。作為一個(gè)例子，存在如下的方法在基板1 上形成器件電極2和3，形成上述金屬的氧化物或氮化物的膜，并用 蝕刻技術(shù)對(duì)膜進(jìn)行構(gòu)圖。
另外，在圖2A、圖2B、圖2C和圖2D的形式中，用蝕刻技術(shù)在 基板上的希望位置上形成凹陷部分，并且，可以在凹陷部分中布置導(dǎo) 電膜4以使其與器件電極2和3連接。
此時(shí)，當(dāng)在要被用于絕緣基板1的玻璃基板上設(shè)置不包含氧化硅 的材料作為基板涂層7時(shí)，基板涂層7被處理到使得包含氧化硅的層、 例如玻璃基板至少在凹陷部分的底面處露出其表面的這樣的深度。作 為替代方案，需要考慮在被處理的凹陷部分的底面上布置由包含氧化 硅的材料制成的構(gòu)件的方法等。
下面，現(xiàn)在將描述以被分割成多個(gè)導(dǎo)電膜的形式布置的導(dǎo)電膜4。
本發(fā)明的特征在于，構(gòu)成一個(gè)單位電子發(fā)射器件的導(dǎo)電膜4以被 分割成多個(gè)導(dǎo)電膜的形式布置，并且，已在上述的激活步驟中形成的 多個(gè)電子發(fā)射部分存在于一片導(dǎo)電膜4中。這些電子發(fā)射部分被施加 到器件電極2和3的恒定電壓驅(qū)動(dòng)，但是，由于電子發(fā)射器件使用強(qiáng) 電場(chǎng)，因此，電流由于真空度和真空氣氛的變化、并且由于由所述變 化導(dǎo)致的氣體分子的吸附和解吸附而偶爾波動(dòng)。
于是，根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件使得導(dǎo)電膜4分割成多個(gè)導(dǎo)電 膜以增加導(dǎo)電膜4中的每一個(gè)的歐姆值，并且，具有抑制在間隙中產(chǎn) 生的強(qiáng)電場(chǎng)在穿過(guò)一片導(dǎo)電膜4的電流已波動(dòng)時(shí)、換句話說(shuō)在放出電 流已增加或減小時(shí)而波動(dòng)的功能。
電子發(fā)射器件具有分割的導(dǎo)電膜4,使得當(dāng)電流在與一片導(dǎo)電膜4 對(duì)應(yīng)的電子發(fā)射部分中增加時(shí)，伴隨電流增加，電壓由于導(dǎo)電膜4的 電阻而降低，并且，間隙5中的電場(chǎng)沿抑制電流增加的方向減小。因 此，導(dǎo)電膜可抑制電流的增加。當(dāng)在一個(gè)電子發(fā)射器件中產(chǎn)生的電流波動(dòng)在所述器件的電子發(fā)射 部分的一個(gè)部分中出現(xiàn)時(shí)，由電流波動(dòng)產(chǎn)生的有效電壓的波動(dòng)被與已
導(dǎo)致電流波動(dòng)的電子發(fā)射部分直接連接的 一 片分割的導(dǎo)電膜4的電阻 限定(define)。
另一方面，在不被分割的導(dǎo)電膜4中，由相同的電流波動(dòng)產(chǎn)生的 有效電壓的波動(dòng)被整個(gè)導(dǎo)電膜4的歐姆值限定，使得電壓的波動(dòng)范圍 變小，并且抑制電流波動(dòng)的效果也變小。
以此方式，上述的描述意味著，當(dāng)對(duì)于電子發(fā)射器件使用由相同 的材料制成并具有恒定的膜厚的導(dǎo)電膜4時(shí)、并且當(dāng)導(dǎo)電膜4具有相 同的占據(jù)面積時(shí)，與被布置成單片的導(dǎo)電膜4相比，被分割成多個(gè)導(dǎo) 電膜并且被布置為細(xì)線的導(dǎo)電膜顯示出較大的抑制電流波動(dòng)的效果。
下面，現(xiàn)在將描述被分割成多個(gè)導(dǎo)電膜的導(dǎo)電膜4的形成方法。
多個(gè)導(dǎo)電膜4被形成為使設(shè)置在絕緣基板1上的器件電極2和3 相互連接。關(guān)于導(dǎo)電膜4的制造方法，可以采用如下的方法所述方 法例如通過(guò)涂敷有機(jī)金屬溶液并使所述溶液變干而形成有機(jī)金屬膜， 然后加熱并烘焙有機(jī)金屬膜，并用剝離技術(shù)、蝕刻技術(shù)等對(duì)有機(jī)金屬 膜進(jìn)行構(gòu)圖。
可用于導(dǎo)電膜4的材料為諸如金屬和半導(dǎo)體的導(dǎo)電材料。例如， 可用的材料包含i者如Ni、 Cr、 Ag、 Ru、 Au、 Mo、 W、 Pt、 Ti、 Al、 Cu和Pd的金屬或其合金；諸如PdO、 Sn02、 In203、 PbO和Ru02
的金屬氧化物；以及由所述金屬或所述金屬氧化物、玻璃等構(gòu)成的印 刷導(dǎo)體。
可用的有機(jī)金屬溶液包含含有諸如Pd、 Ni、 Au和Pt的金屬(其 為上述導(dǎo)電膜的材料)作為主要元素的有機(jī)金屬化合物的溶液。這里， 以涂敷有機(jī)金屬溶液的方法為例描述了導(dǎo)電膜4的形成方法，但是所 述方法不限于涂敷方法。也可通過(guò)使用真空氣相沉積方法、濺射方法、 CVD方法、分散涂覆方法、浸漬方法、旋涂器(spinner )方法、噴 墨方法等形成導(dǎo)電膜4。
作為以分割的形式在基板上布置導(dǎo)電膜的手段，可以使用通常的平版印刷(lithographic)技術(shù)，并且，可以從用上述方法將導(dǎo)電膜形 成為連續(xù)膜并然后用蝕刻技術(shù)等分割該膜的方法、通過(guò)使用掩模通過(guò) 氣相沉積形成膜的方法等之中適當(dāng)?shù)剡x擇方法。
可以根據(jù)應(yīng)用在50nm至50pm的范圍中適當(dāng)?shù)剡x擇分割的導(dǎo)電 膜4的寬度和導(dǎo)電膜4之間的間隔。
當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器件被應(yīng)用于SED (表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā) 射顯示器)、FED (場(chǎng)發(fā)射顯示器)等的電子源部分時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)具 有較高的清晰度、均勻性和穩(wěn)定性的圖像顯示裝置。。 <步驟-(1>
隨后，以留下在<步驟-0中形成的掩模圖案的狀悉掩蔽器件電極 2和3，并且在整個(gè)基板上氣相沉積2|im的SiN膜。然后，去除上述 的掩模圖案，并且，在與分割的導(dǎo)電膜4相鄰的基板l上形成具有10iam 的高度的遮蔽部分6[圖5C。
<步驟《>
隨后，在圖6所示的測(cè)量和評(píng)價(jià)設(shè)備上安裝上述的基板1，并且 用真空泵對(duì)該設(shè)備進(jìn)行排氣(exhaust)。在真空度達(dá)到lxl(T6Pa之后， 通過(guò)使用電源11在電極2和3之間施加電壓Vf，以進(jìn)行成形處理并 在導(dǎo)電膜4中形成間隙5。對(duì)于成形處理使用圖7所示的電壓波形。
在圖7中，T1和T2表示電壓波形中的脈沖寬度和脈沖間隔。在 本例子中，Tl被設(shè)為lmsec， T2被設(shè)為16.7msec。通過(guò)每次0.1V地 逐步增加三角波的峰值，進(jìn)行成形處理。在成形處理中，通過(guò)間歇地 在器件電極2和3之間施加具有0.1 V的電壓的電阻測(cè)量脈沖來(lái)測(cè)量電 阻。當(dāng)使用電阻測(cè)量脈沖測(cè)量的值達(dá)到約1MQ或更大時(shí)，完成成形處 理。
<步驟-^
隨后，為了進(jìn)行激活步驟，通過(guò)慢泄漏球管(slow leak bulb )將 苯基氰(benzonitrile )引入真空裝置中，并且，真空裝置保持在 1.3xlO"Pa。隨后，在Tl為2msec并且T2為7msec的條件下在器件 電極2和3之間施加具有圖8所示的波形的脈沖電壓。另外，在"激 活，，處理中，電極2總是被固定為接地電勢(shì)，并且，對(duì)于電極3施加 具有圖8所示的波形的脈沖電壓。在開(kāi)始激活處理后已經(jīng)過(guò)100分鐘 之后，確認(rèn)器件電流飽和。然后，停止電壓的施加，關(guān)閉慢泄漏球管， 并完成"激活"處理。
對(duì)于以這種方式獲得的電子發(fā)射器件施加具有20V的峰值、1毫 秒的脈沖寬度和60Hz的頻率的矩形脈沖電壓，并且驅(qū)動(dòng)電子發(fā)射器 件。另外，涂覆有熒光體的玻璃陽(yáng)極基板10被布置在器件基板表面之上2mm的位置處，并且，從外面在器件和陽(yáng)極基板之間施加10kV的 DC電壓。測(cè)量電子發(fā)射器件的電特性并觀察熒光體上的發(fā)光狀態(tài)。
結(jié)果，器件垂直上方2mm的位置中的熒光體上的發(fā)光圖案基本 上為橢圓，并且縱向方向的尺寸(與通電方向垂直的方向的長(zhǎng)度)約 為700fim。另外，在上述的條件下流向陽(yáng)極基板的電流值約為15|aA 并且是穩(wěn)定的，并且連續(xù)驅(qū)動(dòng)100小時(shí)中的放出電流的波動(dòng)(電流的 標(biāo)準(zhǔn)偏差/電流的平均值)為0.65%。 (比較例1)
為了確認(rèn)示例性實(shí)施例1所示的電子發(fā)射器件中的遮蔽部分6的 效果，制造了除了沒(méi)有形成遮蔽部分6以外與示例性實(shí)施例1的器件 類似的器件，并且確認(rèn)了器件之間的不同。通過(guò)與示例性實(shí)施例l相
同的<步驟-3>至<步驟-0和<步驟-6>至<步驟-^而僅跳過(guò)<步驟-(1>中
的SiN氣相沉積步驟，制造了本例子中的器件，并且該器件具有在其 中沒(méi)有遮蔽部分6的器件結(jié)構(gòu)。
結(jié)果，與示例性實(shí)施例1類似地布置在器件垂直上方2mm的位 置中的熒光體上的發(fā)光圖案為比示例性實(shí)施例1的長(zhǎng)的橢圓，并且顯 示出縱向方向的邊緣延長(zhǎng)并且稍接近新月的形狀。另外，縱向方向的 尺寸(與通電方向垂直的方向的長(zhǎng)度)擴(kuò)大到約820ium。在與示例性 實(shí)施例1中相同的條件下測(cè)量的放出電流的值約為19nA，并且連續(xù)驅(qū) 動(dòng)100小時(shí)中的放出電流的波動(dòng)(電流的標(biāo)準(zhǔn)偏差/電流的平均值)為 0.65%,其是與示例性實(shí)施例1中相同的值。
從上述的比較確認(rèn)了遮蔽部分6通過(guò)截止放出的電子束的一部 分而抑制束的展開(kāi)。
(示例性實(shí)施例2)
通過(guò)圖9A、圖9B和圖9C所示的步驟制備了具有圖2A、圖2B、 圖2C和圖2D所示的結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射器件。圖9A、圖9B和圖9C是 與圖2D對(duì)應(yīng)的透視圖。
<步驟^>
首先，在由石英制成的清潔過(guò)的絕緣基板l的整個(gè)表面上，形成由氧化鎂(MgO )制成的基板涂層7以具有10jam的厚度，該基板涂 層7要成為將形成后面的凹陷部分的壁結(jié)構(gòu)的構(gòu)件。隨后，在其上形 成光致抗蝕劑以與器件電極2和3的圖案對(duì)應(yīng)，并且，用電子束氣相 沉積:技術(shù)依次在其上沉積Ti和Pt，以分別具有5nm和45nm的厚度。 用有機(jī)溶劑溶解光致抗蝕劑，使沉積的Pt/Ti膜剝離，并且形成電極2 和電極3從而以20ixm遠(yuǎn)的間隔(L)彼此相對(duì)。電極2和3的寬度(W) (參見(jiàn)圖2A、圖2B、圖2C和圖2D)被設(shè)為500nm[圖9A。 <步驟如
跨著電極2至電極3形成與用于在其中形成導(dǎo)電膜4的凹陷部分 20對(duì)應(yīng)的這樣的抗蝕劑圖案，然后，用蝕刻技術(shù)，將基板涂層7向下 去除到凹陷部分20的底面到達(dá)絕緣基板l的表面的深度。此時(shí)，形成 50個(gè)位置的凹陷部分20,其中， 一個(gè)凹陷部分20的寬度(w)(= 導(dǎo)電膜4的寬度)被設(shè)為5]Lim,并且，凹陷部分之間的間隔被設(shè)為 5pm圖9B。
<步驟-0
隨后，由鉻薄膜形成具有與已在<步驟-1 中形成的凹陷部分20 對(duì)應(yīng)的這種分割形狀的掩模圖案，然后，通過(guò)使用旋涂器轉(zhuǎn)動(dòng)地涂敷 有機(jī)鈀化合物的溶液，并且施加的溶液被加熱和烘焙。由此，形成了 含有Pd作為主要元素的導(dǎo)電膜4的均勻的膜。然后，用蝕刻技術(shù)去 除被用作掩模圖案的鉻薄膜，并且，在凹陷部分20的內(nèi)部中以及在鉑 電極的一部分上形成導(dǎo)電膜4[圖9C。
<步驟-(1>
然后，與示例性實(shí)施例1中的步驟-e類似地進(jìn)行成形處理。
<步驟-6>
隨后，與示例性實(shí)施例1中的步驟-f類似地進(jìn)行激活處理。 對(duì)于在以上步驟中獲得的電子發(fā)射器件施加具有20V的峰值、1 毫秒的脈沖寬度和60Hz的頻率的矩形脈沖電壓，并且驅(qū)動(dòng)電子發(fā)射 器件。涂覆有熒光體的玻璃陽(yáng)極基板10被布置在器件基板表面之上 2mm的位置處，并且，從外面在器件和陽(yáng)極基板之間施加10kV的DC電壓。測(cè)量電子發(fā)射器件的電特性并觀察熒光體上的發(fā)光狀態(tài)。
結(jié)果，與示例性實(shí)施例1中的結(jié)果類似，器件垂直上方2mm的 位置處的熒光體上的發(fā)光圖案大致為橢圓，并且縱向方向的尺寸(與 通電方向垂直的方向的長(zhǎng)度)約為70(Him。另外，在上述條件下流入 陽(yáng)極基板的電流值約為15(aA并且是穩(wěn)定的，并且連續(xù)驅(qū)動(dòng)100小時(shí) 中的放出電流的波動(dòng)(電流的標(biāo)準(zhǔn)偏差/電流的平均值)為0.65%。 (示例性實(shí)施例3)
除了導(dǎo)電膜4被進(jìn)一步細(xì)分以外，與示例性實(shí)施例1中類似地制 備了具有圖1A、圖1B、圖1C和圖1D所示的結(jié)構(gòu)的電子發(fā)射器件。
基本制備方法與示例性實(shí)施例1中的類似，但是，導(dǎo)電膜4的寬 度(w)和相鄰的導(dǎo)電膜4之間的間隔分別被設(shè)為ljam，并且，遮蔽 部分6的高度被設(shè)為2nm。因此，在具有W = 500pim的器件電極2 和3之間布置了 250片的導(dǎo)電膜4。
結(jié)果，與在示例性實(shí)施例l和2中制備的器件相比，器件垂直上 方2mm的位置處的熒光體上的發(fā)光圖案表顯示出更微小且更接近圓 的形狀，并且發(fā)光點(diǎn)的尺寸沿與通電方向垂直的方向約為650nm，這 意味著本實(shí)施例中的器件顯示出進(jìn)一步增強(qiáng)的會(huì)聚性。 (示例性實(shí)施例4)
在本例子中，通過(guò)用與已在上述示例性實(shí)施例1中制備的電子發(fā) 射器件的制造方法相同的制造方法制備了多個(gè)電子發(fā)射器件，并在同 一基板上以矩陣的形式布置所述器件，形成了電子源基板。此外，設(shè) 置有圖像顯示構(gòu)件的第二基板被布置在該電子源基板上以彼此相對(duì)， 并且制備了圖像顯示裝置。圖10是本例子中的圖像顯示裝置的顯示板 的透視圖，其中，顯示板的一部分被切掉。在圖10中，為了方便省略 了遮蔽部分6，并且還示意性示出器件結(jié)構(gòu)。在圖11A至11E中示出 電子源基板的制造過(guò)程。
<制備電極的步驟>
在玻璃基板l上形成Si02膜。此外，在基板l上形成大量的組的 器件電極2和3 (圖11A)。具體而言，通過(guò)在基板1上以40nm的厚度形成Ti和Pt的疊層膜、并用光刻技術(shù)對(duì)所述膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成 器件電極。在本例子中，電極2和電極3之間的間隔(L)被設(shè)為10|im, 并且寬度(w )被設(shè)為100}im。 <形成Y方向布線的步驟〉
然后，如圖11B所示，形成含有銀作為主要成分的Y方向布線 32，以使其與電極3連接。這些Y方向布線32用作施加調(diào)制信號(hào)的 布線。
<形成絕緣層的步驟>
然后，為了使上述的Y方向布線32與將在下一步驟中形成的X 方向布線33絕緣，如圖11C所示的那樣布置由氧化硅制成的絕緣層 51。絕緣層51被布置將在后面描述的X方向布線33下面，以覆蓋先 前已形成的Y方向布線32。在絕緣層51的一部分中形成開(kāi)放的 (opened )接觸孔，使得X方向布線33可與電極2電連接。
<形成乂方向布線的步驟>
如圖11D所示，在先前已形成的絕緣層51上形成包含銀作為主 要成分的X方向布線33。 X方向布線33和Y方向布線32在它們自 身之間夾著絕緣層51的同時(shí)相交，并且X方向布線33與絕緣層51 的接觸孔部分中的電極2連接。這些X方向布線33用作施加掃描信 號(hào)的布線。以此方式，形成了在其上具有矩陣布線的電子源基板。
<形成導(dǎo)電膜的步驟>
用噴墨技術(shù)，在其上形成有上述矩陣布線的基板1上在器件電極 2和3之間形成導(dǎo)電膜4 (圖11E)。在本例子中，使用有機(jī)鈀絡(luò)合物 的溶液作為用于噴墨技術(shù)中的墨。對(duì)于器件電極2和3之間的空間涂 敷有機(jī)鈀絡(luò)合物的溶液，然后，在空氣中加熱和烘焙基板1，并且形 成了由氧化鈀(PdO)制成的導(dǎo)電膜4。
<對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖的步驟>
與示例性實(shí)施例1中的類似，用光刻技術(shù)，沿與器件電極2和3 彼此相對(duì)的方向垂直的方向，將上述的導(dǎo)電膜4構(gòu)圖成被分割成多個(gè) 導(dǎo)電膜的形式。已構(gòu)圖之后的導(dǎo)電膜4的寬度和相鄰的導(dǎo)電膜4之間
20的間隔分別禍3殳為lpm。 <形成遮蔽部分的步驟>
在已對(duì)導(dǎo)電膜4進(jìn)行構(gòu)圖之后，通過(guò)氣相沉積SiN并去除掩才莫圖 案的步驟，在與導(dǎo)電膜4相鄰的區(qū)域中形成由SiN制成的遮蔽部分6。 遮蔽部分6的高度被設(shè)為在示例性實(shí)施例2中顯示足夠的結(jié)果的2iam。
<成形步驟和激活步驟>
然后，在真空容器中布置其上形成有大量的單元的基板1，所述 單元通過(guò)上述步驟由器件電極2和3以及用于使器件電極2和3相互 連接的多個(gè)導(dǎo)電膜4構(gòu)成。在真空容器的內(nèi)部已被排氣之后，使基板 l經(jīng)受"成形"處理和"激活處理"。在"成形"處理和"激活處理" 中對(duì)于單元中的每一個(gè)要施加的電壓的波形等與示例性實(shí)施例1中的 電子發(fā)射器件的制備方法中所示的那些相同。
用向從多個(gè)X方向布線33中選擇的X方向布線33的每一條線依 次施加僅一個(gè)脈沖的方法，進(jìn)行"成形"處理。換句話說(shuō)，重復(fù)如下 的步驟"向從多個(gè)X方向布線33中選擇的一個(gè)X方向布線33施加 一個(gè)脈沖，選擇X方向布線33中的另一條線，并向所述一條線施加 一個(gè)脈沖，,。
可通過(guò)上述的步驟制備其中已布置大量的電子發(fā)射器件的基板1 (第一基板，換句話說(shuō)，后板)。
然后，如圖10所示，其中在玻璃基板43的內(nèi)面上已層疊熒光體 膜44和金屬背(back) 45的面板46 (第二基板)通過(guò)支撐框架42 被布置在上述基板1之上2mm。
在本例子中，支撐框架42被附接到基板1，但是，如圖10所示， 除了基板l以外，還可以使用另一新的基板31作為增強(qiáng)構(gòu)件，并且， 支撐框架42可被附接到基板31。然后，通過(guò)加熱作為具有低熔點(diǎn)的 金屬的銦(In)并且通過(guò)使銦冷卻，使面板46、支撐框架42和基板1 的接合部分密封。在真空室中實(shí)施該密封步驟，使得同時(shí)實(shí)施密封和 封閉操作，而不使用排氣管。
在本例子中，為了實(shí)現(xiàn)彩色顯示器，作為要被從電子發(fā)射器件發(fā)射的電子照射的圖像顯示構(gòu)件的熒光體膜44被形成為具有條帶形狀。 通過(guò)事先在玻璃基板43上形成黑色條帶(未示出)、并且用漿體 (shirry)方法對(duì)間隙部分涂敷每一顏色的熒光體(未示出)，制成 熒光體膜44。使用常用的含有石墨作為主要成分的材料作為黑色條帶 的材料。
另外，在焚光體膜44的內(nèi)面?zhèn)?電子發(fā)射器件側(cè))設(shè)置由鋁制成 的金屬背45。通過(guò)在熒光體膜44的內(nèi)面?zhèn)日婵粘练eAl而形成金屬背 45。
雖然已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限 于公開(kāi)的示例性實(shí)施例。以下的權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋， 以包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射器件，所述電子發(fā)射器件至少包含在絕緣基板上形成的一對(duì)器件電極、和形成為使所述器件電極相互連接并在其中具有間隙的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，至少與導(dǎo)電膜之間的間隙相鄰并且不覆蓋有導(dǎo)電膜的區(qū)域的表面比導(dǎo)電膜的表面高。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的電子發(fā)射器件，其中，在所述與導(dǎo)電膜之間 的間隙相鄰并且不覆蓋有導(dǎo)電膜的區(qū)域中形成凸起的遮蔽部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的電子發(fā)射器件，其中，所述遮蔽部分由絕緣 材料制成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的電子發(fā)射器件，其中，所述絕緣材料為氧化 鋁、氮化硅、氧化鎂和氮化鋁中的任一種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的電子發(fā)射器件，其中，導(dǎo)電膜分別被布置在 形成于所述器件電極之間所述絕緣基板上的多個(gè)凹陷部分的底面上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的電子發(fā)射器件，其中，所述凹陷部分的底面 由氧化硅或含有氧化硅作為主要成分的絕緣材料制成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的電子發(fā)射器件，其中，所述凹陷部分的側(cè)面 由氧化鋁、氮化硅、氧化鎂和氮化鋁中的任一種制成。
8. —種圖像顯示裝置，所述圖像顯示裝置包含第一基板，在其 上布置有多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求l的電子發(fā)射器件；以及第二基板，其具 有布置在其上的要被從所述電子發(fā)射器件發(fā)射的電子照射的圖像顯示 構(gòu)件，并被布置為與第一基板相對(duì)。
9. 一種電子發(fā)射器件，所述電子發(fā)射器件包含絕緣基板、被布置 在所述絕緣基板上的一對(duì)電極、和被平行放置在所述一對(duì)電極之間以 使所述電極相互連接的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電膜中的每一個(gè)具有電子發(fā)射部分，以及， 位置比導(dǎo)電膜的表面高的絕緣構(gòu)件被布置在所述多個(gè)導(dǎo)電膜中的 彼此相鄰導(dǎo)電膜之間的所述絕緣基板上的區(qū)域中。
10. —種圖像顯示裝置，所述圖像顯示裝置包含第一基板，在 其上布置有多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求9的電子發(fā)射器件；以及第二基板，其 具有被布置為與所述電子發(fā)射器件相對(duì)的、要被從所述電子發(fā)射器件 發(fā)射的電子照射的圖像顯示構(gòu)件，并被布置為與第一基板相對(duì)。
11. 一種電子發(fā)射器件，所述電子發(fā)射器件包含絕緣基板、被布 置在所述絕緣基板上的一對(duì)電極、和被平行放置在所述一對(duì)電極之間 以使所述電極相互連接的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電膜中的每一個(gè)具有電子發(fā)射部分，以及， 所述多個(gè)導(dǎo)電膜中的彼此相鄰導(dǎo)電膜之間的所述絕緣基板的表面 的位置比導(dǎo)電膜的表面高。 >
12. —種圖像顯示裝置，所述圖像顯示裝置包含第一基板，在 其上布置有多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求ll的電子發(fā)射器件；以及第二基板，其 具有布置在其上的要被從所述電子發(fā)射器件發(fā)射的電子照射的圖像顯 示構(gòu)件，并被布置為與第一基板相對(duì)。
全文摘要
本發(fā)明提供不需要另外添加的新電極、具有優(yōu)異的會(huì)聚性、并且顯示出短時(shí)期和長(zhǎng)時(shí)期的小的放出電流變化的電子發(fā)射器件，以及使用該器件的圖像顯示裝置。所述電子發(fā)射器件至少包含在絕緣基板上形成的一對(duì)器件電極、和形成為使器件電極相互連接并在其中具有間隙的多個(gè)導(dǎo)電膜，其中，至少與導(dǎo)電膜之間的間隙相鄰并且不覆蓋有導(dǎo)電膜的區(qū)域的表面比導(dǎo)電膜的表面高。
文檔編號(hào)H01J1/316GK101582356SQ200910140870
公開(kāi)日2009年11月18日 申請(qǐng)日期2009年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月14日
發(fā)明者塚本健夫, 森口拓人, 武田俊彥, 糠信恒樹(shù) 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社