專利名稱：降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的裝置及工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的裝置及工藝，屬于降低磁控管
陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的裝置及工藝的改進(jìn)技術(shù)。
背景技術(shù)：
磁控管是一種真空電子部件，抽真空工藝是制作過(guò)程中必不可少的過(guò)程，為提高 磁控管的真空度，將磁控管置于高溫環(huán)境中進(jìn)行排氣抽真空是行業(yè)內(nèi)普遍采用方式。在行 業(yè)內(nèi)，磁控管陽(yáng)極筒采用無(wú)氧銅材料，而在排真空期間的部分階段，磁控管的溫度必須達(dá)到 550度以上的高溫，然而，在這樣的高溫環(huán)境下無(wú)氧銅會(huì)被氧化，在陽(yáng)極筒表面形成一層致 密的氧化銅層，其厚度?？蛇_(dá)O. Olrnm以上。磁控管工作過(guò)程中陽(yáng)極筒散熱是通過(guò)散布于陽(yáng) 極筒表面的散熱片來(lái)實(shí)現(xiàn)的，因陽(yáng)極筒表面形成一層致密的氧化銅層，其熱傳導(dǎo)性能差，嚴(yán) 重影響了陽(yáng)極筒向散熱片進(jìn)行熱量傳輸，導(dǎo)致整個(gè)磁控管的散熱性能降低，磁控管工作時(shí) 陽(yáng)極溫度變高，陽(yáng)極筒表面氧化層越厚，磁控管的散熱性能越差，工作時(shí)磁孔管的工作溫度 越高，工作性能也就越低，也降低了磁控管的使用壽命。 目前對(duì)陽(yáng)極筒氧化層的處理方法有以下兩種一種是采用快速轉(zhuǎn)動(dòng)的銅絲刷將氧 化層比較松動(dòng)的部分刷去，但由于氧化層絕大部分是致密的，松動(dòng)部分很少，所以實(shí)際效果 很有限，該方法處理后還會(huì)有很厚的氧化層覆蓋在陽(yáng)極筒外；另一種方法是通過(guò)噴沙機(jī)高 速噴出的沙子打掉氧化層，該方法可以較徹底地清除氧化層，但由于沙子撞擊造成的震動(dòng) 容易造成燈絲斷，而且投資較大，處理過(guò)程復(fù)雜，在處理過(guò)程中粉塵對(duì)空氣的污染嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種降低磁控管陽(yáng)極筒表面 氧化層厚度的裝置，第二目的是提供一種降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的工藝，第一、 二目的在磁控管制作工藝過(guò)程中能控制陽(yáng)極筒表面氧化層的形成環(huán)境，降低氧化層的厚 度，從而改善磁控管的散熱效果，提高磁控管的工作性能。 本發(fā)明的第一目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，其是降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的裝 置，包括磁控管陽(yáng)極筒，其特征在于所述陽(yáng)極筒的外側(cè)裝設(shè)有套筒，陽(yáng)極套筒由膨脹系數(shù)小 于銅的膨脹系數(shù)的材料制成，陽(yáng)極套筒與陽(yáng)極筒之間為小間隙配合。
上述套筒為高溫合金制成。 上述陽(yáng)極套筒與陽(yáng)極筒之間的間隙為0 < w《0. 5mm。
優(yōu)選的，上述陽(yáng)極套筒與陽(yáng)極筒之間的間隙為0 < w《0. 2mm 本發(fā)明的第二目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，其是降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的工 藝，其特征在于包括如下步驟 (1)、在室溫狀態(tài)下，將陽(yáng)極套筒套在磁控管的陽(yáng)極筒的外側(cè)； (2)將上述套有陽(yáng)極套筒的磁控管放入排氣設(shè)備中，排氣設(shè)備升溫，在高溫環(huán)境中 將磁控管的陽(yáng)極筒內(nèi)的空氣排出陽(yáng)極筒，使陽(yáng)極筒處于真空狀態(tài)，然后冷卻至室溫；
(3)在室溫狀態(tài)下從磁控管的陽(yáng)極筒上取下陽(yáng)極筒套筒。 本發(fā)明裝置及工藝由于采用了熱脹冷縮原理和不同的膨脹系數(shù)材料的配合關(guān)系， 在室溫狀態(tài)下，陽(yáng)極套筒與陽(yáng)極筒間采用微小的間隙，因此能輕松的將陽(yáng)極套筒套在陽(yáng)極 筒上，在置于排氣設(shè)備中后的升溫排氣過(guò)程，由于陽(yáng)極筒的膨脹系數(shù)大于陽(yáng)極套筒的膨脹 系數(shù)，因此陽(yáng)極筒向外膨脹的過(guò)程中使其與陽(yáng)極套筒間的間隙變得更少，甚至為零間隙，這 樣陽(yáng)極筒與陽(yáng)極套筒間的空氣更少或沒(méi)有，自然氧氣也就更少了，大大抑制了陽(yáng)極筒無(wú)氧 銅表面形成氧化層的可能性，甚至不可能在無(wú)氧層表面形成氧化層，待完成排氣工藝后磁 控管冷卻到室溫狀態(tài)，陽(yáng)極套筒又能輕易的從陽(yáng)極筒上取下。本發(fā)明由于降低了陽(yáng)極筒表 面養(yǎng)化層的厚度，因此提高了磁控管的散熱效果，降低了磁控管工作時(shí)的溫度，提高了磁控 管的工作性能，延長(zhǎng)了磁控管的使用壽命。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為圖1中A處的局部放大圖； 圖3為本發(fā)明的陽(yáng)極套筒與陽(yáng)極筒膨脹示意具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。 圖1所示的磁控管包括端引片1、第一陶瓷件2、第一管殼3、第一磁扼(圖中未示 出)、無(wú)氧銅制成的陽(yáng)極筒5、第二磁扼(圖中未示出)、第二管殼6、第二陶瓷件7和排氣管 8的組裝，高溫合金制成的陽(yáng)極套筒4 一端為全開(kāi)口式，另一端面開(kāi)設(shè)有與第一管殼相配合 的圓通孔(也可以采用與第二管殼相配合的圓通孔，相應(yīng)的安裝方向會(huì)變動(dòng))。在室溫下將 該陽(yáng)極套筒4套裝在陽(yáng)極筒5外側(cè)，開(kāi)通孔的端面頂在陽(yáng)極筒5端面上，陽(yáng)極套筒4與陽(yáng)極 筒5的間隙寬度w滿足0 < w《0. 5mm，優(yōu)選的，0 < w《0. 2mm ;然后將套裝有陽(yáng)極套筒4 的磁控管放入排氣設(shè)備中進(jìn)行磁控管排氣抽真空工藝，排氣設(shè)備溫度升高，直至達(dá)到550°C 以上，在此過(guò)程中陽(yáng)極筒5和套筒4都會(huì)膨脹，膨脹關(guān)系如圖3所示，由于陽(yáng)極筒5的材料 為無(wú)氧銅，其膨脹系數(shù)為1. 8e—6，而套筒4的材料為高溫合金，其膨脹系數(shù)在1. 0e—6 1. 2e—6 間，因此陽(yáng)極筒的膨脹速度快于套筒的膨脹速度，結(jié)果是間隙寬度w隨溫度升高逐漸縮小， 甚至為零間隙，因此，陽(yáng)極套筒與陽(yáng)極筒之間間隙中的空氣也非常少，且由于套筒與陽(yáng)極筒 端面相頂住而形成面接觸，導(dǎo)致其間隙內(nèi)的空氣無(wú)法形成對(duì)流，如圖1所示，從而大大減少 了陽(yáng)極筒表面無(wú)氧銅被氧化形成氧化筒的可能性。當(dāng)完成磁控管排氣抽真空后，排氣設(shè)備 恢復(fù)至室溫，陽(yáng)極筒和陽(yáng)極套筒也恢復(fù)至熱膨脹前的狀態(tài)，因此能輕松的將陽(yáng)極筒套筒從 陽(yáng)極筒上取離。
權(quán)利要求
一種降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的裝置，包括磁控管陽(yáng)極筒(5)，其特征在于所述陽(yáng)極筒(5)的外側(cè)套裝設(shè)有陽(yáng)極套筒(4)，陽(yáng)極套筒(4)由膨脹系數(shù)小于銅的膨脹系數(shù)的材料制成，陽(yáng)極套筒(4)與陽(yáng)極筒(5)之間為小間隙配合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的裝置，其特征在上述陽(yáng)極套筒(4)為高溫合金制成。
3. 根據(jù)權(quán)利l所述的降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的裝置，其特征在于上述陽(yáng)極套筒(4)與陽(yáng)極筒(5)之間的間隙為0 < w《0. 5mm。
4. 根據(jù)權(quán)利3所述的降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的裝置，其特征在于上述陽(yáng)極套筒(4)與陽(yáng)極筒(5)之間的間隙為0 < w《0. 2mm。
5. —種降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的工藝，其特征在于包括如下步驟(1) 、在室溫狀態(tài)下，將陽(yáng)極套筒(4)套在磁控管的陽(yáng)極筒(5)的外側(cè)；(2) 將上述套有陽(yáng)極套筒的磁控管放入排氣設(shè)備中，排氣設(shè)備升溫，在高溫環(huán)境中將磁控管的陽(yáng)極筒內(nèi)的空氣排出陽(yáng)極筒，使陽(yáng)極筒處于真空狀態(tài)，然后冷卻至室溫；(3) 在室溫狀態(tài)下從磁控管的陽(yáng)極筒上取下陽(yáng)極套筒(4)。
全文摘要
本發(fā)明降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的工藝裝置，包括陽(yáng)極筒，其特征在于所述陽(yáng)極筒的外側(cè)套裝設(shè)有陽(yáng)極套筒，陽(yáng)極套筒由膨脹系數(shù)小于銅的膨脹系數(shù)的材料制成，陽(yáng)極套筒與陽(yáng)極筒之間為小間隙配合；本發(fā)明降低磁控管陽(yáng)極筒表面氧化層厚度的工藝，包括如下步驟1、室溫狀態(tài)下，將陽(yáng)極套筒套在陽(yáng)極筒的外側(cè)；2、將上述套有陽(yáng)極套筒的磁控管放入排氣設(shè)備中，排氣設(shè)備升溫，在高溫環(huán)境中將磁控管的陽(yáng)極筒內(nèi)的空氣排出陽(yáng)極筒，使陽(yáng)極筒處于真空狀態(tài)，然后冷卻至室溫；3、在室溫狀態(tài)下從磁控管的陽(yáng)極筒上取下陽(yáng)極套筒。本發(fā)明工藝裝置及方法降低了陽(yáng)極筒表面氧化層的厚度，提高了磁控管的散熱效果，提高了磁控管的工作性能，延長(zhǎng)了磁控管的使用壽命。
文檔編號(hào)H01J23/02GK101707171SQ20091018646
公開(kāi)日2010年5月12日 申請(qǐng)日期2009年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月7日
發(fā)明者劉志勇, 吳添洪, 沈庚麟, 王彩育, 王賢友 申請(qǐng)人:美的集團(tuán)有限公司